CN111370543A - Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法 - Google Patents

Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111370543A
CN111370543A CN202010207119.1A CN202010207119A CN111370543A CN 111370543 A CN111370543 A CN 111370543A CN 202010207119 A CN202010207119 A CN 202010207119A CN 111370543 A CN111370543 A CN 111370543A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
oled
led
layer
blue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010207119.1A
Other languages
English (en)
Inventor
王国宏
苏康
李璟
李志聪
葛畅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN202010207119.1A priority Critical patent/CN111370543A/zh
Publication of CN111370543A publication Critical patent/CN111370543A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，所述器件包括：透明衬底；蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；所述OLED结构的阴极作为所述器件的阴极；所述OLED结构的阳极为透明导电层；所述蓝光LED结构的N电极与OLED结构的透明导电层实现电互联，并作为器件的中间电极；所述蓝光LED结构的P电极、中间电极和OLED结构的阴极构成三端可调控电极。该器件将蓝光LED高光效与黄光OLED宽光谱的优势相结合，可获得高效率、高品质、可调谐、长寿命、低成本的白光光源。

Description

LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法
技术领域
本发明涉及半导体照明技术领域，特别涉及一种LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法。
背景技术
目前，LED照明通常采用蓝光LED激发黄色荧光粉实现白光照明的方式实现。这种方法制作工艺简单、发光效率高，但是由于光谱中绿光波段和红光波段的不足甚至缺失导致其显色性较差，色温偏高。采用红绿蓝三基色LED混光的形式可以实现高显色性和低色温的白光，但是这种方式需要对红绿蓝三种LED芯片单独驱动，工艺复杂，成本较高，发光效率不理想。利用OLED同样也可实现白光照明，一般采用有机多发射层或多重掺杂的单发射层的方式，但OLED照明同样也面临着发光效率低、寿命短的问题，尤其是有机蓝光发光材料的效率低、寿命短。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法，以期部分地解决上述技术问题中的至少之一。
为了实现上述目的，作为本发明的一方面，提供了一种LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件，所述器件包括：
透明衬底；
蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；
OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；
所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；
所述OLED结构的阴极作为所述器件的阴极；
所述OLED结构的阳极为透明导电层；
所述蓝光LED结构的N电极与OLED结构的透明导电层实现电互联，并作为器件的中间电极；
所述蓝光LED结构的P电极、中间电极和OLED结构的阴极构成三端可调控电极。
其中，所述透明衬底为蓝宝石衬底、SiC、Si或GaN衬底。
其中，所述OLED结构的阴极为Al阴极。
作为本发明的另一方面，提供了一种LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件的制备方法，包括如下步骤：
在透明衬底上制备GaN外延片；
对外延片进行感应耦合等离子体台面刻蚀，获得独立的蓝光LED结构；
通过深刻蚀工艺对所述独立的蓝光LED结构进行器件隔离；
在蓝光LED结构台面上制备透明导电层；
制作蓝光LED结构的PN接触电极；
淀积蓝光LED DBR反射层，通过蚀刻开孔露出PN接触电极；
制作蓝光LED结构的PN引出电极，并通过通孔分别与PN接触电极相连；
淀积绝缘层对PN引出电极进行绝缘保护，通过蚀刻开孔露出部分N电极；
制作OLED结构的阳极透明导电层，并通过通孔实现其与蓝光LED结构的N电极互联；
衬底减薄；
制作OLED结构的各功能层；
封装；
对衬底进行切割，形成可调谐白光三端发光器件。
其中，所述制备GaN外延片采用金属有机化学气相沉积的方法，在透明衬底上依次生长μ-GaN层、n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层，形成GaN外延片。
其中，所述制作蓝光LED结构的PN接触电极的具体步骤如下：
选用负型光刻胶在台面上光刻P接触电极及在N-GaN上光刻N接触电极，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN电极。
其中，所述制作蓝光LED结构的PN引出电极的具体步骤如下：
选用负型光刻胶光刻LED P引出电极10和N引出电极11，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN引出电极。
其中，所述绝缘层为SiO2层。
其中，所述OLED结构的各功能层至少包括空穴传输层、黄色发光层、电子传输层和金属阴极。
其中，所述封装的具体步骤如下：
将玻璃封装盖板经过清洗和干燥传入到充满惰性气体的手套箱内，在芯片四周涂敷UV封装胶，将芯片与玻璃盖板进行对位、压合、UV固化。
基于上述技术方案可知，本发明的LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法相对于现有技术至少具有如下有益效果的一部分：
本发明通过将LED N电极和OLED阳极相连并作为中间电极，LED的P电极、中间电极、OLED的N电极构成三端可调控电极，LED与OLED的芯片相串联实现芯片级结合。该器件将蓝光LED高光效与黄光OLED宽光谱的优势相结合，可获得高效率、高品质、可调谐、长寿命、低成本的白光光源。
附图说明
图1是根据本发明实施例制备的LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件的示意图；
图2是图1所示LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件AA′向截面的剖视图；
图3是图1所示LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件BB′向截面的剖视图。
上图中，附图标记含义如下：
1-蓝宝石衬底；2-μ-GaN缓冲层；
3-N-GaN；4-多量子阱发光层；
5-P-GaN；6-ITO层；
7-LED P接触电极；8-LED N接触电极；
9-分布式布拉格反射镜(DBR)；10-LED P引出电极；
11-LED N引出电极/中间电极；12-SiO2绝缘层；
13-空穴传输层；14-有机发光层；
15-电子传输层；16-Al电极；
17-固化胶；18-玻璃盖板。
具体实施方式
本发明公开了一种LED与OLED结合的可调谐白光三端发光器件和制备方法，涉及半导体照明技术领域。所述发光芯片包括：衬底，蓝光LED结构形成在所述衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，形成在所述蓝光LED结构上，包括阳极即透明导电层与Al阴极；其中，所述蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的透明导电层电性互联并作为中间电极，LED P电极、中间电极与OLED Al阴极构成器件的三电极结构。本发明通过将蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的透明导电层的电性互联，并将其作为中间电极同LED P电极与OLED阴极一同引出，从而实现蓝光LED结构和OLED结构串联的三端器件，使得蓝光LED的高光效与黄光OLED的宽光谱且可调的优势相结合，三端结构增加了其在实际使用中的调光灵活性，以此获得高效率、高品质、长寿命、低成本的可调白光光源。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
如图1所示，是根据本发明实施例制备的LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件的示意图，本实施例的三端可调控白光发光器件的结构如下：
透明衬底；蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极即第二透明导电层与阴极；
所述蓝光LED结构P电极也作为器件的阳极；
所述OLED的Al阴极也作为器件的阴极；
所述蓝光LED结构N电极与所述OLED的透明导电层6实现电互联，并作为器件的中间电极。
所述LED的P电极、中间电极、OLED阴极构成三端可调控电极。
图2是图1所示LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件AA′向截面的剖视图；图3是图1所示LED与OLED相结合的三端可调控白光发光器件BB′向截面的剖视图。
本实施例的制备方法包括如下步骤：
步骤A：在半导体衬底1上生长GaN材料，制备GaN外延片；
本实施例中，衬底为蓝宝石衬底，但本发明并不以此为限，该半导体衬底还可以为SiC、Si、GaN等。
生长GaN材料采用现有技术方法，典型的方法为：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在半导体衬底1上依次生长μ-GaN层2和n-GaN层3，多量子阱发光层4和p-GaN层5，形成GaN外延片。
步骤B:对GaN外延片进行感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)台面刻蚀，获得多个独立的LED结构的台面。采用ICP刻蚀掉每个独立的LED结构的一部分的p-GaN 5和量子阱4，露出n-GaN 3，形成台面。
步骤C:对GaN外延片进行深刻蚀，将每个独立的LED进行隔离。采用ICP刻蚀掉每个独立的LED结构周边的p-GaN 5、量子阱4、n-GaN 3和u-GaN 2，露出衬底1。
步骤D:溅射ITO层6，通过光刻后蚀刻最终在每个独立的蓝光LED台面上淀积有ITO薄膜。
步骤E：制作蓝光LED芯片的PN接触电极；
该步骤E具体包括：
选用负型光刻胶在台面上光刻P接触电极7及在N-GaN上光刻N接触电极8，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN电极。
步骤F：淀积分布式布拉格反射镜(DBR)9，对LED发出的蓝光进行反射、对后续OLED发出的黄光透射并对LED进行绝缘保护，通过光刻后蚀刻最终在LED PN电极上开孔露出PN电极。
步骤G：制作蓝光LED芯片的PN引出电极；
该步骤G具体包括：
选用负型光刻胶光刻LED P引出电极10和N引出电极11，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN引出电极。
步骤H：淀积SiO2层，对PN引出电极进行绝缘保护，通过光刻后蚀刻最终在LED N引出电极上开孔露出N引出电极11。
步骤I：淀积ITO层6，实现该层ITO 6与LED N引出电极11的电互联，通过光刻后蚀刻形成制备OLED所需的ITO层6。
步骤J：在蓝宝石衬底背面进行磨抛减薄至150μm。
步骤K：通过蒸镀工艺依次形成OLED的各功能层(其中至少包括空穴传输层(NPB)13、黄色发光层(Alq3+Rubrene)14、电子传输层15和金属阴极Al 16)。蒸镀过程中利用了高精细Mask板。
步骤L：将玻璃封装盖板18经过清洗和干燥传入到充满惰性气体的手套箱内，在芯片四周涂敷UV封装胶17，将芯片与玻璃盖板18进行对位、压合、UV固化。
步骤M：对蓝宝石衬底进行激光切割，获得独立的LED与OLED串联的白光发光芯片。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，其特征在于，所述器件包括：
透明衬底；
蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；
OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；
所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；
所述OLED结构的阴极作为所述器件的阴极；
所述OLED结构的阳极为透明导电层；
所述蓝光LED结构的N电极与OLED结构的透明导电层实现电互联，并作为器件的中间电极；
所述蓝光LED结构的P电极、中间电极和OLED结构的阴极构成三端可调控电极。
2.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，其特征在于，所述透明衬底为蓝宝石衬底、SiC、Si或GaN衬底。
3.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，其特征在于，所述OLED结构的阴极为Al阴极。
4.一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在透明衬底上制备GaN外延片；
对外延片进行感应耦合等离子体台面刻蚀，获得独立的蓝光LED结构；
通过深刻蚀工艺对所述独立的蓝光LED结构进行器件隔离；
在蓝光LED结构台面上制备透明导电层；
制作蓝光LED结构的PN接触电极；
淀积蓝光LED DBR反射层，通过蚀刻开孔露出PN接触电极；
制作蓝光LED结构的PN引出电极，并通过通孔分别与PN接触电极相连；
淀积绝缘层对PN引出电极进行绝缘保护，通过蚀刻开孔露出部分N电极；
制作OLED结构的阳极透明导电层，并通过通孔实现其与蓝光LED结构的N电极互联；
衬底减薄；
制作OLED结构的各功能层；
封装；
对衬底进行切割，形成可调谐白光三端发光器件。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备GaN外延片采用金属有机化学气相沉积的方法，在透明衬底上依次生长μ-GaN层、n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层，形成GaN外延片。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制作蓝光LED结构的PN接触电极的具体步骤如下：
选用负型光刻胶在台面上光刻P接触电极及在N-GaN上光刻N接触电极，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN电极。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制作蓝光LED结构的PN引出电极的具体步骤如下：
选用负型光刻胶光刻LED P引出电极10和N引出电极11，采用电子束蒸发法蒸镀金属，剥离后形成PN引出电极。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为SiO2层。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述OLED结构的各功能层至少包括空穴传输层、黄色发光层、电子传输层和金属阴极。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述封装的具体步骤如下：
将玻璃封装盖板经过清洗和干燥传入到充满惰性气体的手套箱内，在芯片四周涂敷UV封装胶，将芯片与玻璃盖板进行对位、压合、UV固化。
CN202010207119.1A 2020-03-23 2020-03-23 Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法 Pending CN111370543A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010207119.1A CN111370543A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010207119.1A CN111370543A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111370543A true CN111370543A (zh) 2020-07-03

Family

ID=71212019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010207119.1A Pending CN111370543A (zh) 2020-03-23 2020-03-23 Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111370543A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111987235A (zh) * 2020-07-10 2020-11-24 绍兴秀朗光电科技有限公司 非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺
CN112670324A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 南昌大学 一种发光二极管显示装置的器件结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094269A (zh) * 2013-02-07 2013-05-08 厦门市三安光电科技有限公司 白光发光器件及其制作方法
CN108123050A (zh) * 2017-12-04 2018-06-05 武汉华美晨曦光电有限责任公司 一种以交流驱动的白光oled器件
CN108878499A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 中国科学院半导体研究所 全彩显示阵列结构及制备方法
CN110875358A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 中国科学院半导体研究所 Led与oled串联的白光发光芯片及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094269A (zh) * 2013-02-07 2013-05-08 厦门市三安光电科技有限公司 白光发光器件及其制作方法
CN108123050A (zh) * 2017-12-04 2018-06-05 武汉华美晨曦光电有限责任公司 一种以交流驱动的白光oled器件
CN108878499A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 中国科学院半导体研究所 全彩显示阵列结构及制备方法
CN110875358A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 中国科学院半导体研究所 Led与oled串联的白光发光芯片及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111987235A (zh) * 2020-07-10 2020-11-24 绍兴秀朗光电科技有限公司 非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺
CN111987235B (zh) * 2020-07-10 2023-12-01 绍兴秀朗光电科技有限公司 非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺
CN112670324A (zh) * 2020-12-22 2021-04-16 南昌大学 一种发光二极管显示装置的器件结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7420217B2 (en) Thin film LED
US8895957B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
CN101740600B (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
CN103094269B (zh) 白光发光器件及其制作方法
CN104377218B (zh) 发光二极管
US20130292725A1 (en) Thin film light emitting diode
CN110534542B (zh) 一种集成发光Micro LED芯片及其制作方法
CN109301047B (zh) 一种微小尺寸显像led芯片及其制作方法
CN101728462A (zh) 多波长发光二极管及其制造方法
CN101203966B (zh) 发光装置及其制造方法
CN113299678A (zh) 一种集成封装微显示芯片及其制备方法
CN111370543A (zh) Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法
JP2010506383A (ja) 発光ダイオードチップの製造方法
CN100524856C (zh) 使用薄膜技术制造半导体芯片的方法以及使用薄膜技术的半导体芯片
US11862616B2 (en) Multi wavelength light emitting device and method of fabricating the same
CN210092086U (zh) 一种半导体发光器件
CN110875358A (zh) Led与oled串联的白光发光芯片及其制备方法
KR100670929B1 (ko) 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2005197573A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100646635B1 (ko) 복수 셀의 단일 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN113328014A (zh) 一种micro-LED显示器件及其制备方法
KR100663910B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN114649455B (zh) Led芯片的制备方法、led芯片以及显示面板
CN108831878B (zh) 一种薄膜发光二极管的制造方法
CN117374173A (zh) 一种led芯片制备方法及led芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200703