CN117374173A - 一种led芯片制备方法及led芯片 - Google Patents

一种led芯片制备方法及led芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN117374173A
CN117374173A CN202311243183.5A CN202311243183A CN117374173A CN 117374173 A CN117374173 A CN 117374173A CN 202311243183 A CN202311243183 A CN 202311243183A CN 117374173 A CN117374173 A CN 117374173A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
layer
semi
type semiconductor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311243183.5A
Other languages
English (en)
Inventor
周志兵
张星星
林潇雄
胡加辉
金从龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd filed Critical Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202311243183.5A priority Critical patent/CN117374173A/zh
Publication of CN117374173A publication Critical patent/CN117374173A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，其中LED芯片制备方法包括：提供一制作好外延层的半成品LED芯片；在所述半成品LED芯片的所述外延层上进行刻蚀，使所述外延层的N型半导体层部分裸露，并在所述外延层的P型半导体层上待制作电极的对应区域沉积电流阻挡层；在所述外延层上生长覆盖所述P型半导体层和所述电流阻挡层的透明导电层，并将镀好所述透明导电层的所述半成品LED芯片进行退火处理；将退火后的所述半成品LED芯片置于酸性溶液内浸泡预设时间；将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极。本发明解决了现有技术中的LED芯片亮度不够高的问题。

Description

一种LED芯片制备方法及LED芯片
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片制备方法及LED芯片。
背景技术
LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)作为固态主动发光光源，具有节能环保、高效率、高寿命、高亮度、高色纯度、低能耗、响应时间快等优点，通常可以实现更高的耐久性、更紧凑的体积和更高的设计灵活性，被广泛应用于照明、显示、背光源、车载等领域。
近年来，随着P型氮化镓掺杂技术取得了巨大的进展，具有响应快、寿命长、功耗低、体积小、亮度高等优良特性的氮化镓基LED，被广泛应用于液晶显示、全彩色显示、交通显示等背光源。由于LED芯片的亮度是LED产品重要的性能指标，为了增加LED芯片的竞争力，如何在现有的基础上提升芯片亮度成为了亟待解决的问题。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，解决现有技术中的LED芯片亮度不够高的问题。
本发明提供一种LED芯片的制备方法，所述方法包括：
提供一制作好外延层的半成品LED芯片；
在所述半成品LED芯片的外延层上进行刻蚀，使所述外延层的N型半导体层部分裸露，并在所述外延层的P型半导体层上待制作电极的对应区域沉积电流阻挡层；
在所述外延层上生长覆盖所述P型半导体层和所述电流阻挡层的透明导电层，并将镀好所述透明导电层的所述半成品LED芯片进行退火处理；
将退火后的所述半成品LED芯片置于酸性溶液内浸泡预设时间；
将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极。
本发明中的LED芯片的制备方法，通过在在外延层上生长覆盖P型半导体层和电流阻挡层的透明导电层，并将镀好透明导电层的半成品LED芯片进行退火处理的步骤之后增设一道浸泡酸性溶液的工艺，使得酸性溶液中的氢离子会员透明导电层中的氧结合，使得透明导电层中的空穴浓度增加，从而透明导电层的导电能力，提升电流密度，进而使得LED芯片的发光亮度得到显著的增加。
优选地，所述透明导电层的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物中的任意一种。
优选地，所述酸性溶液为HF和NH4F组成的BOE溶液和卤族元素氢化物的水溶液中的任意一种。
优选地，所述BOE溶液中所述HF和NH4F的组份比为1:5-20。
优选地，所述预设时间为100S-500S。
优选地，所述将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极的步骤包括：
清洗并干燥所述半成品LED芯片；
在所述半成品LED芯片表面上进行负性光刻胶涂布，并分别使用布有N型电极图形和P型电极图形的光刻版进行曝光后显影；
根据P型电极图形通过刻蚀技术去除P型半导体层上的部分所述透明导电层和所述电流阻挡层，
根据所述N型电极图形和P型电极图形在对应位置通过电子束蒸镀法制备N型电极和P型电极。
优选地，所述将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极的步骤之后还包括：
在所述外延层上生长覆盖所述外延层和所述电极的钝化层；
对所述电极的N电极和P电极上的钝化层进行刻蚀，以使所述N电极和所述P电极至少部分裸露。
优选地，所述提供一制作好外延层的半成品LED芯片的步骤包括：
提供一底部为反射层的衬底；
在所述衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述N型半导体层为n-GaN层，P型半导体层为P-GaN层，发光层为多量子阱有源层。
优选地，所述在所述衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层和P型半导体层的步骤包括：
采用高纯氢气作为载气、高纯氨气作为氮源、三甲基镓和三乙基镓作为镓源、三甲基铟作为铟源、硅烷作为N型掺杂剂、三甲基铝作为铝源以及二茂镁作为P型掺杂剂在所述衬底上依次生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中所述N-GaN层的厚度为1μm-3μm，P-GaN层的厚度为200nm-300nm，多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为10％-35％。
本发明还提供一种LED芯片，由上述任一项所述的LED芯片制备方法制备得到。
附图说明
图1为本发明为本发明一实施例当中LED芯片制备方法的流程图；
图2为本发明为本发明一实施例当中LED芯片的示意图；
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，本发明公开了一种LED芯片制备方法的流程图，该LED芯片制备方法包括步骤S10-S14。
步骤S10,提供一制作好外延层的半成品LED芯片。
其中，在对透明导电层通过酸性溶液之前，需要先在芯片上生长透明导电层，因此首先需要得到制造好外延层的半成品LED芯片，具体的，在本发明实施例当中，制备制作好外延层的半成品LED芯片可以按如下方式进行实施：
提供一底部为反射层的衬底；
在衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，N型半导体层为n-GaN层，P型半导体层为P-GaN层，发光层为多量子阱有源层。
具体的，衬底可选用蓝宝石衬底、SiO2蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底中的一种。在本实施例中，衬底选用蓝宝石衬底，蓝宝石是目前最常用的GaN基LED衬底材料，市场上大部分GaN基LED都是使用蓝宝石作为衬底材料。蓝宝石衬底的最大优点是技术成熟，稳定性好，生产成本低。此外，在本实施例中，采用金属化学气相沉积法在衬底上生长外延层时，通过采用高纯氢气作为载气、高纯氨气作为氮源、三甲基镓和三乙基镓作为镓源、三甲基铟作为铟源、硅烷作为N型掺杂剂、三甲基铝作为铝源以及二茂镁作为P型掺杂剂，其中，N型半导体层为n-GaN层，P型半导体层为P-GaN层，发光层为多量子阱有源层，其中，所述N-GaN层的厚度为1μm-3μm，示例性的，N-GaN层的厚度为，1μm、1.5μm、2μm或3μm但不限于此，；P-GaN层的厚度为200nm-300nm，示例性的，P-GaN层的厚度为200nm、230nm、280nm或300nm，但不限于此；多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为10％-35％，示例性的，多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为10、15、25或35，但不限于此。
步骤S11,在半成品LED芯片的外延层上进行刻蚀，使外延层的N型半导体层部分裸露，并在外延层的P型半导体层上待制作电极的对应区域沉积电流阻挡层。
具体的，采用ICP(Inductively Couple Plasma，电感耦合等离子体刻蚀)技术向衬底方向对外延层进行刻蚀，去除部分P型半导体层和多量子阱有源层，露出部分的N型半导体层，然后在P型半导体层上制作电流阻挡层，以减少载流子直接在金属电极下方复合，辐射的光子被金属吸收和阻挡。电流阻挡层在本实施例中，采用SiO2材料，厚度为200nm-400nm，示例性的，电流阻挡层的厚度为200nm、280nm、360nm或400nm，但不限于此。
步骤S12，在所述外延层上生长覆盖所述P型半导体层和所述电流阻挡层的透明导电层，并将镀好所述透明导电层的所述半成品LED芯片进行退火处理。
具体的，利用磁控溅射的方式在P型半导体上制作透明导电层，以增加电流横向扩展能力。原理为Ar气电离轰击靶材，使靶材溅射到晶圆表面，完成透明导电层的沉积。透明导电层的材料一般为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。由于铟锡氧化物或铟锌氧化物沉积后致密性不好，因此通常会再进行退火工艺，使得晶体排布更加整齐，膜层更加致密，导电性更加稳定，退火过程为将镀有透明导电层的半成品LED芯片放入300℃-600℃的腔室内退火12分钟-18分钟。
步骤S13，将退火后的所述半成品LED芯片置于酸性溶液内浸泡预设时间。
具体的，酸性溶液可以选用BOE溶液或卤族元素氢化物的水溶液中的任意一种。其中卤族元素氢化物可以为HBr或HI。BOE溶液由HF和NH4F组成。其中，BOE溶液中HF和NH4F的组份比为1:20，示例性的，HF和NH4F的组份比为1:5、1:10、1:15或1:20，但不限于此。此外，浸泡的预设时间为100S-500S,示例性的，预设时间为100S、200S、300S或500S，但不限于此。
步骤S14,将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极。
具体的，在清洗干燥后的，半成品LED芯片表面上进行负性光刻胶涂布后，分别使用布有N型电极图形和P型电极图形的光刻版进行曝光显影，再根据P型电极图形通过刻蚀技术去除P型半导体层上的部分所述透明导电层和所述电流阻挡层，以使后续制备的P电极可以P型半导体层接触，然后根据所述N型电极图形和P型电极图形在对应位置通过电子束蒸镀法制备N型电极和P型电极。
另外，在本发明一些可选的实施例当中，将所述浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极的步骤之后还包括：
在所述外延层上生长覆盖所述外延层和所述电极的钝化层；并对所述电极的N电极和P电极上的钝化层进行刻蚀，以使所述N电极和所述P电极至少部分裸露，以用于电极的打线，电极其余部分被钝化层全部包覆，以对增强LED芯片的抗金属迁移能力。如图2所示为通过该方法制备的LED芯片的示意图。
另外一方面，本发明实施例提出的LED芯片，由上述任一项所述的LED芯片制备方法制备得到。
综上，本发明上述实施例当中提出的LED芯片制备方法及LED芯片，通过在在外延层上生长覆盖P型半导体层和电流阻挡层的透明导电层，并将镀好透明导电层的半成品LED芯片进行退火处理的步骤之后增设一道浸泡酸性溶液的工艺，使得酸性溶液中的氢离子会员透明导电层中的氧结合，使得透明导电层中的空穴浓度增加，从而透明导电层的导电能力，提升电流密度，进而使得LED芯片的发光亮度得到显著的增加，在不改变其他制备工艺的前提下，仅仅通过增加一道浸泡工艺，即提高了LED芯片的亮度，解决了现有技术中的LED芯片亮度不够高的问题。
下面以具体实施例来对本发明进一步说明：
实施例一
本实施例提供一种LED芯片，LED芯片还包括底部为反射层的衬底、N型半导体、多量子阱有源层、P型半导体、电流阻挡层、透明导电层、电极和钝化层；N型半导体、量子阱层、P型半导体、透明导电层、电流阻挡层、电极和钝化层依次层叠在衬底上。
其中，衬底为蓝宝石衬底，具体的，N型半导体的厚度为2μm；多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为20％；P型半导体的厚度为250nm；透明导电层为ITO透明导电层；P型电极和N型电极均为多个金属层层叠的结构，其中，金属层可以是Cr、Al、Ti、Ni、Pt、Au、Cu中的一种或多种的组合。
本实施例中LED芯片的制备方法包括以下步骤：
S20：提供以生长所需的底部为反射层的蓝宝石衬底，并在衬底上依次外延生长N型半导体、多量子阱有源层、P型半导体；
S21：在P型半导体上，向衬底方向进行刻蚀露出部分N型半导体；具体的，采用ICP技术对外延层进行刻蚀，其中，从P型半导体向衬底方向刻蚀，使得P型半导体裸露；
S22:通过镀膜设备在外延层的P型半导体层上待制作电极的对应区域沉积电流阻挡层，电流阻挡层的材料为SiO2，厚度为300nm。
S23:随后利用磁控溅射的方式制作ITO透明导电层，并且在550℃的温度下退火15分钟。
S24：BOE溶液浸泡退火结束后的晶圆片，浸泡时间为100s,BOE溶液的组成浓度比为HF：NH4F＝1:10；
S25:再通过光刻技术，去除N型半导体上的部分电流阻挡层和透明导电层，并通过电子束蒸镀机，在对应位置蒸镀N型电极和P型电极。
实施例二
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，浸泡时间为200S。
实施例三
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，浸泡时间为300S。
实施例四
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，浸泡时间为500S。
实施例五
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，HF：NH4F＝1:15。
实施例六
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为200S。
实施例七
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为300S。
实施例八
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为500S。
实施例九
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，HF：NH4F＝1:20。
实施例十
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为200S。
实施例十一
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为300S。
实施例十二
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例五的区别在于，浸泡时间为500S。
实施例十三
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，所采用的浸泡溶液为PH值为5的HI酸性溶液，浸泡时间为300S。
实施例十四
本实施例同样提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，与实施例一的区别在于，所采用的浸泡溶液为PH值为5的HBr酸性溶液，浸泡时间为300S。
对各实施例制备出的LED芯片与现有技术中的LED芯片进行实验，统计相同电压下，芯片的亮度情况，测试结果如下表所示：
从表中可以看出，本发明制备的LED芯片较现有技术中的LED芯片而言，通过增设酸性溶液浸泡的工艺，相对现有技术LED芯片的亮度提升了1.5％到11％，其中亮度最大的实施例四，相对现有技术，亮度提升了11％。此外，根据实施例一、二、三和四的比较，可以看出，浸泡时间越长，LED芯片亮度提升越多。根据实施例一、五和九的比较，可以看出，HF在BOE溶液中占比越高，LED芯片亮度提升越多。根据实施例三、七、十一、十三和十四的比较可以看出，BOE溶液相对HI和HBr溶液，对LED芯片亮度的提升效果更好。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一制作好外延层的半成品LED芯片；
在所述半成品LED芯片的外延层上进行刻蚀，使所述外延层的N型半导体层部分裸露，并在所述外延层的P型半导体层上待制作电极的对应区域沉积电流阻挡层；
在所述外延层上生长覆盖所述P型半导体层和所述电流阻挡层的透明导电层，并将镀好所述透明导电层的所述半成品LED芯片进行退火处理；
将退火后的所述半成品LED芯片置于酸性溶液内浸泡预设时间；
将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述酸性溶液为HF和NH4F组成的BOE溶液和卤族元素氢化物的水溶液中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述BOE溶液中所述HF和NH4F的组份比为1:5-20。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述预设时间为100S-500S。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极的步骤包括：
清洗并干燥所述半成品LED芯片；
在所述半成品LED芯片表面上进行负性光刻胶涂布，并分别使用布有N型电极图形和P型电极图形的光刻版进行曝光后显影；
根据P型电极图形通过刻蚀技术去除P型半导体层上的部分所述透明导电层和所述电流阻挡层，
根据所述N型电极图形和P型电极图形在对应位置通过电子束蒸镀法制备N型电极和P型电极。
7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述将浸泡结束后的所述半成品LED芯片清洗干净，再在所述半成品LED芯片表面上待制作电极的对应区域生长电极的步骤之后还包括：
在所述外延层上生长覆盖所述外延层和所述电极的钝化层；
对所述电极的N电极和P电极上的钝化层进行刻蚀，以使所述N电极和所述P电极至少部分裸露。
8.根据权利要求1-7任一项所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述提供一制作好外延层的半成品LED芯片的步骤包括：
提供一底部为反射层的衬底；
在所述衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述N型半导体层为n-GaN层，P型半导体层为P-GaN层，发光层为多量子阱有源层。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层和P型半导体层的步骤包括：
采用高纯氢气作为载气、高纯氨气作为氮源、三甲基镓和三乙基镓作为镓源、三甲基铟作为铟源、硅烷作为N型掺杂剂、三甲基铝作为铝源以及二茂镁作为P型掺杂剂在所述衬底上依次生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中所述N-GaN层的厚度为1μm-3μm，P-GaN层的厚度为200nm-300nm，多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为10％-35％。
10.一种LED芯片，其特征在于，由权利要求1至9中任一项所述的LED芯片的制备方法制备得到。
CN202311243183.5A 2023-09-25 2023-09-25 一种led芯片制备方法及led芯片 Pending CN117374173A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311243183.5A CN117374173A (zh) 2023-09-25 2023-09-25 一种led芯片制备方法及led芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311243183.5A CN117374173A (zh) 2023-09-25 2023-09-25 一种led芯片制备方法及led芯片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117374173A true CN117374173A (zh) 2024-01-09

Family

ID=89403143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311243183.5A Pending CN117374173A (zh) 2023-09-25 2023-09-25 一种led芯片制备方法及led芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117374173A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102270633B (zh) 大功率倒装阵列led芯片及其制造方法
US8546819B2 (en) Light emitting device and fabrication method thereof
TWI359509B (en) Semiconductor light emitting element, process for
CN102024888B (zh) 一种发光二极管及其制作方法
CN110112125A (zh) 利用超小型发光二极管电极组件的发光二极管灯
US20110140081A1 (en) Method for fabricating semiconductor light-emitting device with double-sided passivation
CN102024898B (zh) 发光二极管及其制造方法
CN101964386A (zh) 一种粗化表面发光二极管制作方法
CN102064245A (zh) 发光二极管制造方法
CN104465898B (zh) 一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片
CN102130245A (zh) 发光二极管及其制造方法
KR100691497B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
TWI505500B (zh) 發光二極體及其製造方法
CN115579435A (zh) 一种含有量子阱的外延片、Micro-LED阵列芯片及其制备方法
CN113707772B (zh) 一种降低位错密度的led外延片制作方法
US20110133159A1 (en) Semiconductor light-emitting device with passivation in p-type layer
CN102651438A (zh) 衬底、该衬底的制备方法及具有该衬底的芯片
CN111370543A (zh) Led与oled结合的可调谐白光三端发光器件及制备方法
CN117374173A (zh) 一种led芯片制备方法及led芯片
KR20080024788A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20080024787A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법
KR200410859Y1 (ko) 3원색 다중발광 양자우물층이 포함된 백색 조명램프
KR20070055153A (ko) 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN209357748U (zh) 发光二极管
CN110931520B (zh) 一种Micro-LED制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination