CN115377636B - 滤波器及其制造方法 - Google Patents

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CN115377636B CN202211000053.4A CN202211000053A CN115377636B CN 115377636 B CN115377636 B CN 115377636B CN 202211000053 A CN202211000053 A CN 202211000053A CN 115377636 B CN115377636 B CN 115377636B
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Abstract

本申请涉及一种滤波器及其制造方法,其中,滤波器包括壳体组件、谐振组件以及低通组件。壳体组件包括腔体结构,谐振组件包括谐振器,腔体结构内安装谐振器,低通结构包括抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段,第一阻值段的阻值小于第二阻值段的阻值,第一阻值段和第二阻值段通过支撑组件与腔体结构间隔设置。设置抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段为片状设置便于安装和控制第一阻值段以及第二阻值段的具体阻值,同时抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段为一体成型结构,避免了复杂的装配过程,有效地解决了现有技术中滤波器的低通组件物料种类繁多,装配误差较大,导致的滤波器可靠性差且难于实现自动化生产的问题。

Description

滤波器及其制造方法
技术领域
本申请涉及通讯设备的技术领域,尤其涉及一种滤波器及其制造方法。
背景技术
随着无线通信的飞速发展,射频技术已经得到了广泛的应用。对于日渐复杂的电子技术,随之产生的问题就是杂乱的信号,滤波器是一种选频装置,可以使信号中特定的频率成分通过,而极大地衰减其他频率成分。利用滤波器的这种选频作用,可以滤除干扰噪声或进行频谱分析。换句话说,凡是可以使信号中特定的频率成分通过,而极大地衰减或抑制其他频率成分的装置或系统都称之为滤波器。
现有的滤波器,在滤波器远端有抑制作用,需要增加低阻滤波器满足远端指标,通常采用的是圆形低阻或者方形低阻,通过改变低阻与盖板之间的相对面积以及距离实现高阻和低阻的设置,以便于消除谐波,而整个低阻滤波器包括连接片,抽头连接器组成,物料种类繁多,同时各部件之间的连接采用焊接方式,产生多处焊接点,实际应用中,装配误差较大,影响滤波器的可靠性的同时还不便于实现自动化生产。
发明内容
本申请提供了一种滤波器及其制造方法,以解决现有技术中滤波器的低通组件物料种类繁多,装配误差较大,导致的滤波器可靠性差且难于实现自动化生产的问题。
第一方面,本申请提供了一种滤波器,包括:壳体组件、谐振组件以及低通组件,其中,壳体组件包括腔体结构;谐振组件包括谐振器,腔体结构内安装谐振器。低通组件包括支撑组件和低通结构,低通结构包括抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段,第一阻值段和第二阻值段均固定安装在支撑组件内,抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段共同为一体成型片状结构,第一阻值段的阻值小于第二阻值段的阻值;第一阻值段和第二阻值段通过支撑组件与腔体结构间隔设置。
进一步地,支撑组件具有第一阻值段和第二阻值段的安装槽,安装槽内设置填充块,填充块用于填充安装槽内的间隙。
进一步地,填充块与支撑组件为一体成型结构,支撑组件和填充块均采用绝缘材料制成。
进一步地,抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段的厚度相等。
进一步地,第一阻值段与第二阻值段具有平面,第一阻值段的平面与第二阻值段的平面共同为同一平面。
进一步地,第一阻值段与第二阻值段分别具有平面;低通组件还包括卡块;卡块面向支撑组件的一端与支撑组件相连,以及/或者卡块面向支撑组件的一端与平面接触形成抵顶。
进一步地,卡块与支撑组件设置为一体成型结构。
进一步地,卡块与支撑组件为一体注塑成型结构。
进一步地,卡块设置于支撑组件用于安装第二阻值段的位置上。
进一步地,腔体结构为多个,多个腔体结构分隔设置,多个腔体结构内分别设置谐振组件以及低通组件。
进一步地,低通结构还包括弯折部分,弯折部分设置于抽头段、第一阻值段、第二阻值段和连接段的至少其中之一。
进一步地,弯折部分的两端分别设置为水平结构和竖直结构。
进一步地,弯折部分有两个,两个弯折部分分别设置于抽头段和连接段,使抽头段和连接段的两端分别设置为水平结构和竖直结构,
进一步地,第一阻值段和第二阻值段共同设置为竖直结构。
第二方面,本申请还提供了一种滤波器的制造方法,滤波器为上述的滤波器,滤波器的制造方法包括以下步骤:
在金属板材上加工出低通结构;
在低通结构相对的两侧加工支撑组件与卡块以形成低通组件;
将低通组件装入腔体结构。
进一步地,在低通结构相对的两侧通过加工支撑组件与卡块时,通过注塑成型的方式加工支撑组件与卡块,卡块设置于第二阻值段上,卡块与支撑组件为一体成型结构。
本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:
本申请实施例提供了一种滤波器,包括:壳体组件、谐振组件以及低通组件,其中,壳体组件包括腔体结构;谐振组件包括谐振器,腔体结构内安装谐振器。低通组件包括支撑组件和低通结构,低通结构包括抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段,第一阻值段和第二阻值段均固定安装在支撑组件内,抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段共同为一体成型片状,第一阻值段的阻值小于第二阻值段的阻值;第一阻值段和第二阻值段通过支撑组件与腔体结构间隔设置。设置抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段为片状设置便于安装和控制第一阻值段以及第二阻值段的具体阻值,同时抽头段、第一阻值段、第二阻值段以及连接段共同为一体成型片状,避免了复杂的装配过程,有效地解决了现有技术中滤波器的低通组件物料种类繁多,装配误差较大,导致的滤波器可靠性差且难于实现自动化生产的问题。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了实施例一提供的滤波器的内部的立体结构示意图;
图2示出了图1的低通组件的立体结构示意图;
图3示出了图2的低通结构的立体结构示意图;
图4示出了实施例二提供的低通结构的立体结构示意图;
图5示出了实施例三提供的低通组件的立体结构示意图;
图6示出了图5的低通结构的立体结构示意图;
图7示出了图5的第一支撑座的立体结构示意图;
图8示出了图5的第二支撑座与卡块配合的立体结构示意图;
图9示出了实施例四提供的低通结构的立体结构示意图。
其中,上述附图包括如下附图标记:
11、腔体结构;12、谐振器;20、低通组件;21、支撑组件;211、第一支撑座;212、第二支撑座;22、低通结构;221、抽头段;222、第一阻值段;223、第二阻值段;224、连接段;225、弯折部分;23、卡块。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1至图3所示,在实施例一的技术方案中,提供了一种滤波器,包括:壳体组件、谐振组件以及低通组件20,其中,壳体组件包括腔体结构11和盖板结构;谐振组件包括谐振器12,腔体结构11内安装谐振器12。低通组件20包括支撑组件21和低通结构22,低通结构22包括抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224,第一阻值段222和第二阻值段223均固定安装在支撑组件21内,抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224均为片状,抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224一体成型,第一阻值段222的阻值小于第二阻值段223的阻值;腔体结构11内设置低通组件安装部,低通组件20固定安装于低通组件安装部,第一阻值段222和第二阻值段223通过支撑组件21与腔体结构11隔离。设置抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224为片状设置便于安装第一阻值段222以及第二阻值段223,同时便于控制第一阻值段222以及第二阻值段223的具体阻值,同时抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224为一体成型结构,避免了复杂的装配过程,有效地解决了现有技术中滤波器的低通组件20物料种类繁多,装配误差较大,导致的滤波器可靠性差且难于实现自动化生产的问题。
需要说明的是,在实施例一的技术方案中,滤波器为金属腔体滤波器,通过将金属整体切割形成多个腔体结构11,结构牢固。同时,在滤波器中设置低通组件20包括低通结构22,低通结构22为片状结构,设计思路为:金属板材的厚度均匀,加工时可通过金属切割的方式获得片状结构的部件,在通过处理得到低通结构22,具体可通过冲裁或者激光切割的方式得到低通结构22,便于自动化生产,提高组装效率。在单个腔体结构11内,设置多个谐振器12,谐振器12固定安装于腔体结构11上,谐振器12对应的盖板结构上设置有安装孔,具体地安装孔内安装非金属材料的调谐螺钉,调谐螺钉可部分伸入谐振器12内,通过深入的位置调整谐振器12产生的谐振波。腔体结构11中还设置有隔断作用的筋板,筋板上设置有耦合孔,耦合孔处设置飞杆卡柱,以实现筋板两侧腔体的耦合。低通结构22采用片状结构,抽头低通设计成一体化,焊点减少,装配关系简单,利于自动化设备的使用。同时该设计的优点是批量的一致性优于现有技术采用的低通。低通组件安装部还包括多个容纳腔,容纳腔的开口平齐可放置支撑组件21,也可作为安装腔使用。
如图2所示,在实施例一的技术方案中,支撑组件21具有第一阻值段222和第二阻值段223的安装槽,安装槽内设置填充块,填充块用于填充安装槽内的间隙。具体地,支撑组件21与低通结构22之间的存在部分空隙,为了避免低通组件20相对支撑组件21发生窜动导致低通组件20与腔体结构11接触,从而导致低通组件20失效的情况发生,可以在间隙内设置填充块,使得填充块填满间隙。填满间隙一方面能够使得低通组件20与支撑组件21配合紧密,低通组件20与支撑组件21不会相对运动,另一方面能够改变腔体结构11内壁与低通组件20产生电感,影响低通组件20的精确性。
在实施例一的技术方案中(图中未示出),抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223以及连接段224的厚度相等。厚度相等即基于同一板材生产,可以通过控制第一阻值段222与第二阻值段223的面积精准地控制其电阻值。需要说明的是,控制第一阻值段222以及第二阻值段223的电阻值不局限于通过控制其面积的方法,具体的控制方式是通过的第一阻值段222与第二阻值段223电流通过的截面面积。
如图2和图3所示,在实施例一的技术方案中,第一阻值段222与第二阻值段223具有同一平面A,第一阻值段222的平面A与第二阻值段223的平面A共同为同一平面。低通组件20还包括卡块23;卡块23面向支撑组件21的一端与支撑组件21相连形成抵顶,以及/或者卡块23面向支撑组件21的一端与平面A接触形成抵顶。卡块23的设置是将支撑组件21与低通组件20限制在低通组件安装腔内,支撑组件21包括与腔体结构11接触的侧壁,侧壁具有一定的厚度。当低通结构22的厚度低于支撑组件21的侧壁的高度时,此时卡块23对支撑组件21形成限位,避免支撑组件21进行滑动。放低通结构22的厚度高于支撑组件21的侧壁的高度时,卡块面向支撑组件21的一端与低通结构22中的第二阻值段223接触,由于低通结构22与支撑组件21具有较多的接触面,所以通过卡块将低通结构22固定于支撑组件21上对整个低通组件20形成限位。当低通结构22的厚度等于支撑组件21的侧壁的高度时,此时卡块23面向支撑组件21的一端为平面,卡块23对支撑组件21以及低通结构22同时形成限位,这样设置的好处是可以同时对低通结构22以及支撑组件21形成限位,进一步将低通结构22限制在支撑组件21内。
需要说明的是,在实施例一的技术方案中,卡块23的宽度略大于支撑组件21的宽度,且在低通组件安装腔的侧壁设有对应宽度卡块23的安装槽,安装槽垂直于支撑组件21设置,安装槽的最低处高于支撑组件21,卡块23的底端周围为弧形,这样的设置能够保证卡块23处于合理位置,同时避免第二阻值段223完全承受卡块的重量,出现被破坏的问题,同时卡块23不会发生偏移。
如图1所示,在实施例一的技术方案中,壳体组件包括4个腔体结构11,4个腔体结构11相互分隔设置,多个腔体结构11内分别设置谐振组件以及低通组件20,不同的腔体结构11的形状不完全统一,可按照实际滤波器的需求进行相应的改进。单个腔体结构11内设置有多个谐振器12,谐振器12产生谐振波对射频信号进行过滤。需要说明的是,不同腔体结构11互不影响,不同的腔体结构11可选用不同的低通组件20,以应对不同的滤波需求,不同的腔体结构11与不同的低通组件20的组合方式均在本申请的保护范围内。
如图1至图3所示,在实施例一的技术方案中,提供了一种低通组件20,低通组件20包括低通结构22,低通结构22包括了依次相连抽头段221、连接段224、第一阻值段222以及第二阻值段223,低通结构22为一体成型结构,具体地,低通结构22包括抽头段221,抽头段221远离第一阻值段222的一段设置通孔,装配时腔体结构11设置对应的螺纹孔,通过螺栓将抽头段221固定于腔体结构11上。
抽头段还可与阻值段部分呈角度设置,呈角度的设置是根据实际安装位置的需求进行设置。低通结构22还包括第一阻值段222与第二阻值段223,其中第一阻值段222与第二阻值段223的厚度相同,接入电路的长度相同,间隔设置,具体设置四个第一阻值段222以及三个第二阻值段223,第二阻值段223均设置在两个第一阻值段222之间。第一阻值段222相比于第二阻值段223的面积更大,即第一阻值段222通过电流的截面积更大,阻值更小。同时,第一阻值段222与盖板结构构成电容,第一阻值段222与第二阻值段223间隔设置,通过电阻与电容之间的配合形成低通滤波作用。由于第一阻值段222与第二阻值段223厚度相同,材料相同,可通过自身面向盖板结构一面的面积,来准确控制阻值以及电容的大小,在加工时,也能够根据实际需求加工多段第一阻值段222与第二阻值段223,以保证低通组件20的准确性。
需要说明的是,低通结构22还包括连接段224,连接段224远离抽头段221的一端设置有安装孔,用于连接器的安装,可通过冲裁的方式对板材加工得到低通结构22。第一阻值段222的个数与第二阻值段的个数根据实际需求设置,不限于具体个数。为了便于装配在第一阻值段222与连接段224的位置可设置与支撑组件21配合的台阶,有利于固定低通结构22于支撑组件上。
如4图所示,在实施例二的技术方案中,实施例二与实施例一的区别在于填充块与支撑组件21为一体成型结构,支撑组件21和填充块均采用绝缘材料制成。填充块与支撑组件21一体成型可以减少生产工序,生产制造时还能减少装配工序,能够简化装配过程,节省制造时间。采用绝缘材料制成,有效的避免了导电的可能性,进一步保证了低通组件20的可靠性。需要说明的是。卡块23的设置可以为多个,可设置于低通结构22的第二阻值段223的上方,第二阻值段223与卡块23的接触面积较小,此时填充块与卡块23接触面积大,使用一体成型时连接更牢靠,可避免出现脱落的情况。
如图5至图8所示,在实施例三的技术方案中,实施例三与实施例一的区别在于卡块23与支撑组件21设置为一体成型结构。具体地,支撑组件21包括第一支撑座211和第二支撑座212,低通组件20包括多个第一支撑座211和多个第二支撑座212,卡块23与第二支撑座212数量相等,且卡块23与第二支撑座212为一体成型结构。多个第一支撑座211和多个第二支撑座212设置于第一阻值段222的下方,并且第二支撑座212部分地包裹第一阻值段222,同时腔体结构11设置有对应大小的容纳腔,多个第一支撑座211和多个第二支撑座212分别安装于对应的容纳腔内。低通组件20通过支撑组件21与容纳腔实现精准定位,同时卡块23与第二支撑座212一体成型地设置,即整个低通为可设置为一体的部件。这样设置的好处是固定了低通结构22与支撑组件21,同时装配更加方便,生产时,将低通结构22固定,将模具置于低通结构22的两侧,通过注塑的方式在低通结构22中第一阻值段222部分封存在第二支撑座212中,同时第二支撑座212的上端未与第一阻值段222接触的部分,与卡块23连接为一体,构成低通组件20能够便于装配,第一阻值段222部分插入第二支撑座212中,第一支撑座211和第二支撑座212再插入容纳腔中。实际应用中可以便于装配,将低通组件20变成一个整体,将低通结构22的安装简化到注塑过程中,减少了注塑的零部件,结构紧凑,同时进行整体安装的过程中更加简便,利于自动化生产的需求。
如图5和图8所示,在实施例三的技术方案中,卡块23与第二支撑座212通过注塑的方式为一体成型。注塑使用的材料通常是非金属材料,通常导电性能较差或者绝缘,比较适用于本实施例中,同时注塑加工能够适用于自动化生产,成型加工周期较短,生产效率高,产品成型加工形状可多样化没尺寸准确、可适用于本实施例三中带有金属嵌件的加工,并且注塑成型的产品质量稳定。
如图5和图8所示,在实施例三的技术方案中,卡块23设置于支撑组件21用于安装第二阻值段223的位置上。卡块23的设置可以为多个,第二阻值段223与卡块23的接触面积较小,此时填充块与卡块23接触面积大,使用一体成型时连接更牢靠,可避免出现脱落的情况。
如图5至图8所示,在实施例三的技术方案中,提供了一种低通组件20,低通组件20包括低通结构22,低通结构22还包括弯折部分225,弯折部分225设置于抽头段221、第一阻值段222、第二阻值段223和连接段224的至少其中之一。其中,第一阻值段222与第二阻值段223间隔设置,低通结构22为一体成型结构。具体地,实施例三与实施例一的区别在于,低通结构22的生产过程中将抽头段221以及连接段224折弯,使得抽头段221与第一阻值段222之间呈角度设置,以及连接段224与第一阻值段222之间呈角度设置,且抽头段221与连接段224平行。上述设置的目的在于第一阻值段222以及第二阻值段223面向盖板结构的一面,与盖板结构之间的距离相同,面积相同,即构成的电容大小相等,同时背离盖板结构的一面,第一阻值段222通过向下衍生的部分改变自身电流通过的截面积,实现电阻值的变化,以应对需要恒定电容的需求。本实施例的技术方案中,低通结构22使用金属板材制成,通常可采用铜箔,可通过折弯的方式得到实施例三中的低通结构22。
如图5至图8所示,在实施例三的技术方案中,进一步地,弯折部分225的两端分别设置为水平结构和竖直结构。这样设置的好处在于多次折弯折后相隔的部件之间处于同一水平位置,利于装配。进一步地,弯折部分225有两个,两个弯折部分225分别设置于抽头段221和连接段224,使抽头段221和连接段224的两端分别设置为水平结构和竖直结构,有利于低通结构22与腔体结构11的配合安装。进一步地,第一阻值段222和第二阻值段223共同设置为竖直结构。水平结构和竖直结构具体为90°角,这样的设置在于,与盖板结构相配合形成电容时,减小与电容的影响,将第一阻值段222与第二阻值段223以竖直设置的方式改变其滤波电路的电阻大小。
需要说明的是,在实施例三的技术方案中,支撑组件21为绝缘材料制成,腔体结构11中设置有支撑组件21的安装腔。具体地,支撑组件21包括至少两种,其中一种将卡块23与支撑组件21设置成一体成型结构,需要以低通结构22为基础,在低通结构22的两侧分别加工支撑组件21和卡块23,加工位置包括第一阻值段222,加工完成后第一阻值段222嵌入支撑组件21中。另一种支撑组件21可单独注塑成型,其中包括第一阻值段222的安装孔,能够将第一阻值段222凸出部分包裹住,将所有的第一阻值段222包裹住之后再将低通组件20的支撑组件21装入对应腔体结构11的容纳腔中,最后通过紧固件固定抽头段221与连接段224即完成低通结构的安装。
如图9所示,在实施例四的技术方案中,与实施例三不同的地方在于,本实施例的低通结构22为设置支撑组件21,通过第一阻值段222与第二阻值段223厚度方向平齐的一面面向盖板结构实现相等电容的作用,同时第一阻值段222向下延伸的部分进入腔体结构11的容纳腔内,并且与容纳腔内壁相离,避免腔体结构11与第一阻值段222电连接。这样设置的目的在于简便装配,节省成本,省去了支撑组件21以及支撑组件21的加工装配环境,能够快捷方便的进行装配。
需要说明的是,上述所有实施例中,均可通过改变第一阻值段222以及第二阻值段223的厚度改变电容的大小或者电阻值的大小,并且不限制第一阻值段222以及第二阻值段223的个数。抽头段221的装配还可以使用焊接的方法进行装配,腔体结构11通常为金属材质,腔体结构与抽头段221的装配若采用焊接的方法,能够以低通组件20其他部件的装配为主,最后考虑抽头段221的固定,应用此方法时抽头段221上的通孔精度要求较低,便于加工。
另一方面,本申请还提供了一种滤波器的制造方法,滤波器为上述的滤波器,滤波器的制造方法包括以下步骤:在金属板材上加工出低通结构22;在低通结构22相对的两侧加工支撑组件21与卡块23以形成低通组件20;将低通组件20装入腔体结构11。
上述滤波器的制造方法还包括:在低通结构22通过一体注塑成型加工支撑组件21与卡块23,卡块23设置于低通结构22的第二阻值段223上。使用上述方法制造滤波器,可以减少低通结构22的装配过程结构更加紧凑,同时有利于自动化生产的模式,减小人力物力的情况,同时也能够保证不会因为装配问题导致低通组件20的作用出现偏差。
需要说明的是,在本文中,诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种滤波器,其特征在于,包括:
壳体组件,所述壳体组件包括腔体结构(11);
谐振组件,所述谐振组件包括谐振器(12),所述腔体结构(11)内安装所述谐振器(12);
低通组件(20),所述低通组件(20)包括支撑组件(21)和低通结构(22),所述低通结构(22)包括抽头段(221)、第一阻值段(222)、第二阻值段(223)以及连接段(224),所述第一阻值段(222)和所述第二阻值段(223)均固定安装在所述支撑组件(21)内,所述抽头段(221)、所述第一阻值段(222)、所述第二阻值段(223)以及所述连接段(224)共同为一体成型片状结构,所述第一阻值段(222)的阻值小于所述第二阻值段(223)的阻值;
所述第一阻值段(222)和所述第二阻值段(223)通过所述支撑组件(21)与所述腔体结构(11)间隔设置;
所述支撑组件(21)具有所述第一阻值段(222)和所述第二阻值段(223)的安装槽,所述安装槽内设置填充块,所述填充块用于填充所述安装槽内的间隙;
所述第一阻值段(222)与所述第二阻值段(223)分别具有平面(A),所述第一阻值段(222)的平面(A)与所述第二阻值段(223)的平面(A)共同为同一平面;
所述低通组件(20)还包括卡块(23);
所述卡块(23)面向所述支撑组件(21)的一端与所述支撑组件(21)相连,以及/或者所述卡块(23)面向所述支撑组件(21)的一端与所述平面(A)接触;
所述卡块(23)的宽度大于所述支撑组件(21)的宽度,且在所述低通组件(20)的安装腔的侧壁设有对应所述卡块(23)宽度的安装槽,所述安装槽垂直于所述支撑组件(21)设置,所述安装槽的最低处高于所述支撑组件(21)。
2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述填充块与所述支撑组件(21)为一体成型结构,所述支撑组件(21)和所述填充块均采用绝缘材料制成。
3.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述抽头段(221)、所述第一阻值段(222)、所述第二阻值段(223)以及所述连接段(224)的厚度相等。
4.根据权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述卡块(23)与所述支撑组件(21)设置为一体成型结构。
5.根据权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述卡块(23)与所述支撑组件(21)设置为一体注塑成型结构。
6.根据权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述卡块(23)设置于所述支撑组件(21)用于安装所述第二阻值段(223)的位置上。
7.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述腔体结构(11)为多个,多个所述腔体结构(11)分隔设置,多个所述腔体结构(11)内分别设置所述谐振组件以及低通组件(20)。
8.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述低通结构(22)还包括弯折部分(225),所述弯折部分(225)设置于所述抽头段(221)、所述第一阻值段(222)、所述第二阻值段(223)和所述连接段(224)的至少其中之一。
9.根据权利要求8所述的滤波器,其特征在于,所述弯折部分(225)的两端分别设置为水平结构和竖直结构。
10.根据权利要求8所述的滤波器,其特征在于,所述弯折部分(225)有两个,两个所述弯折部分(225)分别设置于所述抽头段(221)和所述连接段(224),使所述抽头段(221)和所述连接段(224)的两端分别设置为水平结构和竖直结构。
11.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述第一阻值段(222)和所述第二阻值段(223)共同设置为竖直结构。
12.一种滤波器的制造方法,其特征在于,所述滤波器为权利要求1至11中任一项的滤波器,所述滤波器的制造方法包括以下步骤:
在金属板材上加工出低通结构(22);
在低通结构(22)相对的两侧加工支撑组件(21)以形成低通组件(20);
将低通组件(20)装入腔体结构(11)。
13.根据权利要求12所述的滤波器的制造方法,其特征在于,所述滤波器的制造方法还包括:在低通结构(22)通过一体注塑成型加工所述支撑组件(21)与卡块(23),所述卡块(23)设置于所述低通结构(22)的第二阻值段(223)上。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8429060D0 (en) * 1984-11-16 1984-12-27 Int Standard Electric Corp Variable capacitor and band pass filter
US5126696A (en) * 1991-08-12 1992-06-30 Trw Inc. W-Band waveguide variable controlled oscillator
WO2009067197A2 (en) * 2007-11-16 2009-05-28 Rayspan Corporation Filter design methods and filters based on metamaterial structures
CN104577276A (zh) * 2015-02-10 2015-04-29 深圳三星通信技术研究有限公司 一种一体式低通硬链接结构以及腔体滤波器
WO2017113328A1 (zh) * 2015-12-31 2017-07-06 深圳市大富科技股份有限公司 腔体滤波器及其低通片和制作方法
CN109390646A (zh) * 2018-12-04 2019-02-26 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 基于双层带状线容性耦合的超宽带射频合路器
WO2019154496A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-15 Huawei Technologies Co., Ltd. Solid dielectric resonator, high-power filter and method
CN211455917U (zh) * 2020-04-07 2020-09-08 摩比天线技术(深圳)有限公司 一种新型低通滤波器
CN213752986U (zh) * 2020-12-30 2021-07-20 常州川弘电子科技有限公司 防轴向窜动的低通内导体安装结构
CN113193315A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 中航光电科技股份有限公司 一种整机无焊接的低通滤波器
CN214477829U (zh) * 2021-04-16 2021-10-22 昆山立讯射频科技有限公司 谐振滤波器
CN216488435U (zh) * 2021-12-20 2022-05-10 大富科技(安徽)股份有限公司 低通及滤波器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236573A (zh) * 2013-02-05 2013-08-07 江苏奕扬电子科技股份有限公司 S波段多零点低插损微型腔体滤波器
US9584889B2 (en) * 2013-08-27 2017-02-28 Infineon Technologies Ag System and method for packaged MEMS device having embedding arrangement, MEMS die, and grille
CN105846019B (zh) * 2016-06-02 2021-05-28 京信通信技术(广州)有限公司 一种双层腔共端口合路器
CN216672970U (zh) * 2021-11-01 2022-06-03 大富科技(安徽)股份有限公司 滤波组件及滤波器

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8429060D0 (en) * 1984-11-16 1984-12-27 Int Standard Electric Corp Variable capacitor and band pass filter
US5126696A (en) * 1991-08-12 1992-06-30 Trw Inc. W-Band waveguide variable controlled oscillator
WO2009067197A2 (en) * 2007-11-16 2009-05-28 Rayspan Corporation Filter design methods and filters based on metamaterial structures
CN104577276A (zh) * 2015-02-10 2015-04-29 深圳三星通信技术研究有限公司 一种一体式低通硬链接结构以及腔体滤波器
WO2017113328A1 (zh) * 2015-12-31 2017-07-06 深圳市大富科技股份有限公司 腔体滤波器及其低通片和制作方法
WO2019154496A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-15 Huawei Technologies Co., Ltd. Solid dielectric resonator, high-power filter and method
CN109390646A (zh) * 2018-12-04 2019-02-26 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 基于双层带状线容性耦合的超宽带射频合路器
CN211455917U (zh) * 2020-04-07 2020-09-08 摩比天线技术(深圳)有限公司 一种新型低通滤波器
CN213752986U (zh) * 2020-12-30 2021-07-20 常州川弘电子科技有限公司 防轴向窜动的低通内导体安装结构
CN214477829U (zh) * 2021-04-16 2021-10-22 昆山立讯射频科技有限公司 谐振滤波器
CN113193315A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 中航光电科技股份有限公司 一种整机无焊接的低通滤波器
CN216488435U (zh) * 2021-12-20 2022-05-10 大富科技(安徽)股份有限公司 低通及滤波器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Lumped-element conductor-loaded cavity resonators;H. Salehi等;《2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 》;1601-1604 *
四腔体滤波器薄板拼焊的结构设计与钎焊;韩廷华;《空间电子技术》(第4期);54-57 *
应用于并网逆变器的多通道并行数字滤波器;尹陆军等;《 控制与信息技术》(第3期);44-47 *

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