CN115361033B - 一种宽带双模压控振荡器及射频收发机 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种宽带双模压控振荡器及射频收发机，属于集成电路技术领域，该压控振荡器包括：两个相同的谐振单元，谐振单元之间通过变压器连接，各个谐振单元均包括两个电容单元、两个控制电容，两个变压器分别对应的一组线圈，控制开关对控制电容连接，对控制电容进行控制。本申请通过两个谐振腔，根据控制信号的不同，实现在谐振腔中电容的不同耦合方式，实现压控振荡器工作在不同的模式下，使得压控振荡器具备高宽带，低功耗的特点，同时电路设计简单，降低成本。

Description

一种宽带双模压控振荡器及射频收发机

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种宽带双模压控振荡器及射频收发机。

背景技术

近年来5G通信以及物联网系统引起的技术热潮推动了新的无线通信技术的研究与发展。随着通信标准的不断更新和提高，对于无线通信系统中的射频收发机的性能要求也日益增加。压控振荡器(VCO)是无线通信收发系统中的重要模块之一，它为无线收发机提供相位稳定的本振信号，参与信号调制和解调过程。它的相位噪声、调谐范围、压控增益等指标对无线通信收发系统的性能有着非常重要的影响。如何实现同时具备较宽调谐频带和较好相位噪声特点的单片集成压控振荡器的关键。在现有技术的压控振荡器的方案中，使用开关电感阵列，通过开关控制电感的开启关闭，实现变压器谐振腔接入不同感值。或者使用多个窄带压控振荡器组合结构，共同组成一个宽带的压控振荡器。再或者利用开关电容阵列，通过开关控制电容的开启关闭，实现变压器谐振腔接入不同容值。但是开关电感阵列存在电感面积太大的缺点，并且使用开关切换存在寄生电阻会对电感的品质因素产生较大影响；多个窄带压控振荡器组合结构会导致电路复杂，面积太大，难以单片集成，功耗也成倍增加，不是一个经济的方案；开关电容阵列则需要使用MOS开关控制电容阵列，当要求的带宽过宽时，就需要大量的MOS开关配合电容阵列，这样会引入较大的寄生电容，会降低振荡器谐振腔的品质因素，难以实现宽带性能。

发明内容

针对现有技术中存在的压控振荡器的结构复杂，谐振腔品质较差，难以实现宽带性能的问题，本申请提出一种宽带双模压控振荡器及射频收发机。

第一方面，本申请提供一种宽带双模压控振荡器，包括：两个相同的谐振单元，谐振单元之间通过变压器连接，各个谐振单元均包括两个电容单元、两个控制电容，两个变压器分别对应的一组线圈，其中，在一个谐振单元中，第一电容单元的一端与第一控制电容的一端连接，第一电容单元的另一端与第二控制电容的一端连接，第一电容单元的两端分别连接第一变压器的一组线圈的两端，第二电容单元的一端与第一控制电容的另一端连接，第二电容单元的另一端与第二控制电容的另一端连接，第二电容单元的两端分别连接第二变压器的一组线圈的两端，第一控制电容一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端进行连接，第二控制电容的一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端连接，通过开关连接线上开关的开闭，进行对相应电容的控制。

可选的，第一控制电容一端通过第一控制开关与第一控制电容的另一端连接，通过第二控制开关和第二控制电容的另一端进行连接，第二控制电容的一端通过第三控制开关与第一控制电容的另一端连接，通过第四控制开关和第二控制电容的另一端连接，其中将两个谐振单元中的第一控制开关导通、第四控制开关导通、第二控制开关断开、第三控制开关断开，使得压控振荡器处于第一工作模式；将两个谐振单元中的第一控制开关断开、第四控制开关断开、第二控制开关导通、第三控制开关导通，使得压控振荡器处于第二工作模式。

可选的，第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关以及第四控制开关均包括MOS晶体管。

可选的，在电容单元中，第一电容的一端连接MOS晶体管的源级，第一电容的一端连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接MOS晶体管的漏级，并与第二电容的一端连接，MOS晶体管的栅极连接第一二极管的的负极，第一二极管的正级连接第二电阻的一端，第一二极管的正级连接第二二极管的负极，第二二极管的正极连接外部控制电流。

可选的，在压控振荡器的工作过程中，通过MOS晶体管改变电路中电流信号的相位，使得两个谐振单元中电流信号的相位相同，压控振荡器处于第一工作模式；或两个谐振单元中电流信号的相位相反，压控振荡器处于第二工作模式。

可选的，还包括：两个相同的负阻模块，其中负阻模块与谐振单元一一对应连接，其中，在负阻模块中，第一MOS管和第二MOS管，其中第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与第一电容单元的两端连接，第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与第二电容单元的两端连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的源级连接，通过一电阻连接到第三MOS管的漏极，第三MOS管的源级接地，第三MOS管的栅极连接外部电源，为宽带双模压控振荡器提供能量。

第二方面，本申请提供一种射频收发机，其特征在于，包括方案一中的宽带双模压控振荡器。

本申请的压控振荡器通过两个谐振腔，根据控制信号的不同，实现在谐振腔中电容的不同耦合方式，实现压控振荡器工作在不同的模式下，使得压控振荡器具备高宽带，低功耗的特点，同时电路设计简单，降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图示例性的示出了本申请的一些实施例。

图1示出了本申请宽带双模压控振荡器的一个实施方式的示意图；

图2示出了本申请压控振荡器两种工作模式的等效电路图；

图3示出了本申请压控振荡器中电容单元的元件连接图；

图4示出了本申请宽带双模压控振荡器的一个实例的示意图；

图5示出了本申请压控振荡器在偶数模式下的电路示意图；

图6示出了本申请压控振荡器在奇数模式下的电路示意图。

通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

下面结合附图对本申请的较佳实施例进行详细阐述，以使本申请的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本申请的保护范围做出更为清楚明确的界定。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

近年来5G通信以及物联网系统引起的技术热潮推动了新的无线通信技术的研究与发展。随着通信标准的不断更新和提高，对于无线通信系统中的射频收发机的性能要求也日益增加。压控振荡器(VCO)是无线通信收发系统中的重要模块之一，它为无线收发机提供相位稳定的本振信号，参与信号调制和解调过程。它的相位噪声、调谐范围、压控增益等指标对无线通信收发系统的性能有着非常重要的影响。如何实现同时具备较宽调谐频带和较好相位噪声特点的单片集成压控振荡器的关键。在现有技术的压控振荡器的方案中，使用开关电感阵列，通过开关控制电感的开启关闭，实现变压器谐振腔接入不同感值。或者使用多个窄带压控振荡器组合结构，共同组成一个宽带的压控振荡器。再或者利用开关电容阵列，通过开关控制电容的开启关闭，实现变压器谐振腔接入不同容值。但是开关电感阵列存在电感面积太大的缺点，并且使用开关切换存在寄生电阻会对电感的品质因素产生较大影响；多个窄带压控振荡器组合结构会导致电路复杂，面积太大，难以单片集成，功耗也成倍增加，不是一个经济的方案；开关电容阵列则需要使用MOS开关控制电容阵列，当要求的带宽过宽时，就需要大量的MOS开关配合电容阵列，这样会引入较大的寄生电容，会降低振荡器谐振腔的品质因素，难以实现宽带性能。

因此在设计振荡器时存在三个主要问题：首先，同时实现宽调谐范围和低相位噪声是非常困难的。开关电容被用于扩大LC振荡器的调谐范围，然而，MOS开关在接通时引入了导通电阻，从而增加了谐振腔的品质因素和相位噪声。但是当关闭时，MOS开关会引入寄生电容，从而限制了频率调节范围。也就是说，低相位噪声需要高宽长比MOS开关，而宽调谐范围需要小宽长比MOS开关，这两者之间需要进行折中。其次，由于LC谐振腔的电压摆幅降低，因此很难在CMOS工艺中获得低相位噪声。想要降低相位噪声必须降低电感值，增大电容值但同时增益也会减小。最后，宽带调谐需要在高频处的相位噪声和低频功耗之间进行权衡。

针对上述问题，本申请提出基于一种谐振模式切换的技术设计了一种宽带低相位噪声振荡器。它由高阶LC谐振网络和开关晶体管网络组成。该谐振器包括两个相同的谐振腔，由电容器和变压器耦合而成，具有两种不同频率的谐振模式，晶体管网络可以切换以选择所需的振荡模式并抑制另一种。在每种模式下，可以分别控制开关电容阵列进行细化的频率调谐，以实现整个频段上的连续调谐。实现了2.5～5.6Ghz频段的宽带性能。使用cmos工艺降低了成本，并在整个调谐频段上严格符合所有严格的蜂窝标准的相位噪声规范，在3.7Ghz时达到192.5dB的最优相位噪声值(FoM)，而在整个频段上都能达到188dB的FoM。电源是采用0.6V电压，可以实现超低功耗，实现了功耗与噪声的良好平衡。

本申请的宽带双模压控振荡器包括两个相同的谐振单元，谐振单元之间通过变压器连接，各个谐振单元均包括两个电容单元、两个控制电容，两个变压器分别对应的一组线圈，其中，在一个谐振单元中，第一电容单元的一端与第一控制电容的一端连接，第一电容单元的另一端与第二控制电容的一端连接，第一电容单元的两端分别连接第一变压器的一组线圈的两端，第二电容单元的一端与第一控制电容的另一端连接，第二电容单元的另一端与第二控制电容的另一端连接，第二电容单元的两端分别连接第二变压器的一组线圈的两端，第一控制电容一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端进行连接，第二控制电容的一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端连接，通过开关连接线上开关的开闭，进行对相应电容的控制。

本申请是一种适用于标准CMOS工艺的低相位噪声宽调谐范围振荡器。它在高阶LC谐振器的两种谐振模式之间切换，该谐振器由两个相同的LC槽组成，由电容和变压器耦合。模式切换方法不会在谐振器中增加有损耗的开关，因此加倍频率调谐范围而不降低相位噪声的性能。因为本发明需要超低的功耗，所以使用CMOS工艺，并设定工作电源为第一电压值，其中第一电压值小于预设电压值，优选的，第一电压为0.6V。设定第一电压值，本申请能够再低电压下进行工作，降低功耗。其中预设电压值可选择1V。通过两个谐振腔，通过MOS晶体管调整控制电容的电流信号的相位，实现在谐振腔中电容的不同耦合方式，实现压控振荡器工作在不同的模式下，使得压控振荡器具备高宽带，低功耗的特点，同时电路设计简单，降低成本。

下面，以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面述及的具体的实施例可以相互结合形成新的实施例。对于在一个实施例中描述过的相同或相似的思想或过程，可能在其他某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。

图1是本申请宽带双模压控振荡器的一个实施方式的示意图。

在图1所示的实施方式中，本申请的宽带双模压控振荡器包括两个相同的谐振单元，然后两个谐振单元之间通过变压器连接，如图1所示的Ls1和Lp1变压器和Ls2和Lp2变压器。其中，每个谐振单元均包括两个电容单元、两个控制电容，两个变压器分别对应的一组线圈，其中，在一个谐振单元中均包括两个电容单元，如图1中所示的第一电容单元Cs1和第二电容单元Cs2；两个控制电容，如图1中所示的第一控制电容Cms1和第二控制电容Cms2；以及变压器器的一组线圈，如图1中所示的一个变压器的Ls1线圈和另一个变压器的Ls2线圈。

其中，它们之间的连接关系叙述如下：

第一电容单元的一端与第一控制电容的一端连接，第一电容单元的另一端与第二控制电容的一端连接，第一电容单元的两端分别连接第一变压器的一组线圈的两端，第二电容单元的一端与第一控制电容的另一端连接，第二电容单元的另一端与第二控制电容的另一端连接，第二电容单元的两端分别连接第二变压器的一组线圈的两端，第一控制电容一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端进行连接，第二控制电容的一端通过开关连接线与第一控制电容的另一端和第二控制电容的另一端连接，通过开关连接线上开关的开闭，进行对相应电容的控制。其中，开关连接线为带有控制性开关的连接线，通过开关连接线的导通和断开，对第一控制电容和第二控制电容进行控制。其中在压控振荡器的另一个谐振腔中，各个电子元件的组成和连接关系相同，具体可参考上述的说明，在此不再赘述。

可选的，第一控制电容一端通过第一控制开关与第一控制电容的另一端连接，通过第二控制开关和第二控制电容的另一端进行连接，第二控制电容的一端通过第三控制开关与第一控制电容的另一端连接，通过第四控制开关和第二控制电容的另一端连接，其中将两个谐振单元中的第一控制开关导通、第四控制开关导通、第二控制开关断开、第三控制开关断开，使得压控振荡器处于第一工作模式；将两个谐振单元中的第一控制开关断开、第四控制开关断开、第二控制开关导通、第三控制开关导通，使得压控振荡器处于第二工作模式。

在该可选实施例中，本申请的压控振荡器通过第一控制开关S1，第二控制开关S2，第三控制开关S3以及第四控制开关S4进行开关的导通或断开，实现对第一控制电容和第二控制电容的控制，从而实现压控振荡器中的不同工作模式的切换，实现压控振荡器在2.5～5.6Ghz频段的宽带性能。

可选的，第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关以及第四控制开关包括MOS晶体管。

在该可选实施例中，通过MOS晶体管调整控制电流信号的相位等信息，以对谐振腔中的第一控制电容和第二控制电容进行控制。其中，在第一控制开关导通、第四控制开关导通、第二控制开关断开、第三控制开关断开时，此时谐振腔处于第一工作模式或者叫做偶数模式，此时两个谐振腔之间的电压，以及两个线圈中的电流，具有相同的振幅和相位，由于电容中的电流和压降为零，可以被视为移除。由于两个线圈电流间存在相位，所以电感对两个谐振腔都有作用。在第一控制开关断开、第四控制开关断开、第二控制开关导通、第三控制开关导通时，此时谐振腔处于第二工作模式或者叫做奇数模式，此时两个谐振腔之间的电压，以及两个线圈中的电流，具有相同的振幅，而相位差180°。电容器的电压存在差异，因此可以在中间的交流虚拟地上断开。因此每个谐振腔都能看到两个电容，这些即为有效电容。因此，通过切换这两种模式，即可实现双谐振峰值，也就是能够双模工作。

具体的，图2示出了本申请压控振荡器两种工作模式的等效电路图。

如图2(a)所示，为本申请压控振荡器处于第一工作模式，也就是偶数模式下的电路等效图。其中，通过谐振腔中第一控制开关和第四控制开关导通，第二控制开关和第三控制开关断开，通过控制开关也就是通过MOS管控制输入电流信号的相位信息，使得相应的第一控制电容Cms1和第二控制电容Cms2耦合到电路中。如图2(b)所示为本申请压控振荡器处于第二工作模式，也就是奇数模式下的电路等效图。其中，通过谐振腔中第二控制开关和第三控制开关导通，第一控制开关和第四控制开关断开。本申请通过MOS管开关改变电感中信号的相位，就会分别使模块工作在奇数模式和偶数模式中，偶数模式两谐振腔信号相位完全相同，电容等效为断开。奇数模式的时候两个谐振腔间相位相反，所以连接的电容就会被耦合至两个谐振腔里面，改变谐振腔的谐振频率。

可选的，在电容单元中，第一电容的一端连接MOS晶体管的源级，第一电容的一端连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接MOS晶体管的漏级，并与第二电容的一端连接，MOS晶体管的栅极连接第一二极管的的负极，第一二极管的正级连接第二电阻的一端，第一二极管的正级连接第二二极管的负极，第二二极管的正极连接外部控制电流。

在该可选实施例中，电容单元是电容和其他电路元件的组合。图3示出了本申请压控振荡器中电容单元的元件连接图。其中，如图3所示，在电容单元中，第一电容C1的一端连接MOS晶体管的源级，第一电容的一端连接第一电阻r1的一端，第一电阻的另一端连接第二电阻r2的一端，第二电阻的另一端连接MOS晶体管的漏级，并与第二电容C2的一端连接，MOS晶体管的栅极连接第一二极管VD1的的负极，第一二极管的正级连接第二电阻的一端，第一二极管的正级连接第二二极管VD2的负极，第二二极管的正极连接外部控制电流。

具体的，图4示出了本申请宽带双模压控振荡器的一个实例的示意图。

如图4所示，图4中间部分为本申请压控振荡器的做主体部分，与图1中的电路图相对应。完整的宽带双模压控振荡器的电路还包括位于两端的交叉耦合的MOS管构成负阻管来为谐振腔来提供负阻，从而为振荡器提供能量。控制开关的实际电路结构为MOS管开关，如图4中的虚线框中所示。

可选的，本申请宽带双模压控振荡器还包括：两个相同的负阻模块，其中负阻模块与谐振单元一一对应连接，其中，在负阻模块中，第一MOS管和第二MOS管，其中第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与第一电容单元的两端连接，第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与第二电容单元的两端连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的源级连接，通过一电阻连接到第三MOS管的漏极，第三MOS管的源级接地，第三MOS管的栅极连接外部电源，为宽带双模压控振荡器提供能量。如图4所示，X3和X5表示可调电容阵列，可调电容阵列由开关和固定电容组成，通过选取不同的电容与变压器发生LC谐振来选择不同的子频率带。VC表示加在可变电容上的电压，Cv指可变电容，可变电容是电容值随VC电压变化的一种电容。通过不同的VC可以得到不同的电容，从而使VCO工作在不同的子频率带的某个频率下。

具体的，图5示出了本申请压控振荡器在偶数模式下的电路示意图。图6示出了本申请压控振荡器在奇数模式下的电路示意图。如图5和图6所示，L表示变压器线圈的自感，M表示变压器线圈的互感，图5是变压器主副线圈信号相位相同的情况下，变压器主副线圈的电感值为L+M。图6为变压器主副线圈信号相位相反的的情况下，变压器主副线圈的电感值为L-M。通过开关改边这两种信号模式，达到谐振网络电感值可变的目的。

在本申请的一个实施方式中，本申请提供一种射频收发机，其特征在于，包括上述任一实施例中描述的宽带双模压控振荡器。

本发明提出的宽带双模压控振荡器及射频收发机，使用变压器和耦合电容组成谐振腔，同时兼具开关电感和开关电容阵列的功能。首先，模式切换并没有在LC谐振腔中引入开关，使得振荡器达到了较高的品质因素，加倍的频率调谐范围也没有增加相位噪声。其次，因为使用变压器所以高频时的相位噪声和低频时的功耗限制不再受限，可以保证原本的增益降低功耗和噪声。最后，使用了两个相同的LC腔通过电容耦合产生两个谐振频率，耦合电容将谐振器作为固定电容加载到其中一种模态中，并限制其中一种模态的频率调谐范围。通过两个谐振腔的设计，相比于一个谐振腔，双模谐振腔的振荡器相当于两个并联，等效的谐振腔的阻抗将会变为原来一半，而品质因数和振荡幅度将不会发生变化，根据Lesson相位噪声公式可知相位噪声也将会降低，降低相位噪声。

本申请的宽带双模压控振荡器中，一个变压器两端的电感值相同，而耦合电容值不同，根据所需要的工作频率可以灵活调节。通过MOS管开关的电流信号相位的调控，可使得压控振荡器处于不同的工作模式中，使得生成的带宽更宽，并且相位噪声小，功耗极低，电路结构简单，面积小，易于集成。

在本申请所提供的实施方式中，应该理解到，所揭露的装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种宽带双模压控振荡器，其特征在于，包括：

两个相同的谐振单元，所述谐振单元之间通过变压器连接，各个所述谐振单元均包括两个电容单元、两个控制电容，两个变压器分别对应的一组线圈，其中，在一个谐振单元中，

第一电容单元的一端与第一控制电容的一端连接，所述第一电容单元的另一端与第二控制电容的一端连接，所述第一电容单元的两端分别连接第一变压器的一组线圈的两端，第二电容单元的一端与所述第一控制电容的另一端连接，所述第二电容单元的另一端与所述第二控制电容的另一端连接，所述第二电容单元的两端分别连接第二变压器的一组线圈的两端，所述第一控制电容的一端通过开关连接线与所述第一控制电容的另一端和所述第二控制电容的另一端进行连接，所述第二控制电容的一端通过开关连接线与所述第一控制电容的另一端和所述第二控制电容的另一端连接，通过所述开关连接线上开关的开闭，对相应的电容进行控制；

其中，所述第一控制电容的一端通过第一控制开关与所述第一控制电容的另一端连接，通过第二控制开关和所述第二控制电容的另一端进行连接，所述第二控制电容的一端通过第三控制开关与所述第一控制电容的另一端连接，通过第四控制开关和所述第二控制电容的另一端连接，将两个谐振单元中的所述第一控制开关导通、所述第四控制开关导通、所述第二控制开关断开、所述第三控制开关断开，使得压控振荡器处于第一工作模式；

将两个谐振单元中的所述第一控制开关断开、所述第四控制开关断开、所述第二控制开关导通、所述第三控制开关导通，使得所述压控振荡器处于第二工作模式，并且所述第一控制开关、所述第二控制开关、所述第三控制开关以及所述第四控制开关均包括MOS晶体管；

以及，在所述压控振荡器的工作过程中，通过所述MOS晶体管改变电路中电流信号的相位，使得两个谐振单元中电流信号的相位相同，所述压控振荡器处于所述第一工作模式；或两个谐振单元中电流信号的相位相反，所述压控振荡器处于所述第二工作模式。

2.根据权利要求1所述的宽带双模压控振荡器，其特征在于，在所述电容单元中，第一电容的一端连接MOS晶体管的源级，所述第一电容的一端连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述MOS晶体管的漏级，并与第二电容的一端连接，所述MOS晶体管的栅极连接第一二极管的负极，所述第一二极管的正级连接所述第二电阻的一端，所述第一二极管的正级连接第二二极管的负极，所述第二二极管的正极连接外部控制电流。

3.根据权利要求1所述的宽带双模压控振荡器，其特征在于，还包括：

两个相同的负阻模块，其中所述负阻模块与所述谐振单元一一对应连接，在所述负阻模块包括中，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与所述第一电容单元的两端连接，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极分别与所述第二电容单元的两端连接，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源级连接，通过一电阻连接到第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的源级接地，所述第三MOS管的栅极连接外部电源，为宽带双模压控振荡器提供能量。

4.一种射频收发机，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的宽带双模压控振荡器。