CN113067550B - 一种毫米波宽带数控振荡器 - Google Patents

一种毫米波宽带数控振荡器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种毫米波宽带数控振荡器，包括LC谐振腔和负阻电路。LC谐振腔采用电感调谐和电容调谐协同工作的宽带调谐机制，其中，电感调谐采用基于互感开关的片上变压器结构；电容调谐分为三级：电容粗调电路、电容中调电路及电容精调电路，其中，电容粗调电路由开关电容阵列构成；电容中调电路及电容精调电路均由离散电压控制可变电容构成，不需引入开关。与已有的毫米波宽带数控振荡器技术相比，本发明实现的毫米波数控振荡器的带宽更大、寄生电容更小、芯片面积更小，更利于数字锁相环的片内集成，极大节省了整个数字锁相环芯片面积。

Description

一种毫米波宽带数控振荡器
技术领域
本发明属于集成电路设计领域，特别涉及一种毫米波宽带数控振荡器。
背景技术
数控振荡器(Digital-controlled Oscillator，DCO)是数字锁相环中最核心的电路，与压控振荡器(Voltage-controlled oscillator，VCO)利用模拟电压控制输出连续频率的机理不同，DCO通过输入数字控制信号改变LC谐振腔中的电感或电容值，最终输出离散频率。虽然二者控制机理不同，但宽带调谐技术是相通的，在VCO中适用的宽带调谐技术也可适用于DCO。
专利“中国专利：CN110729967A，2020.01.24”(参考文献1)，采用四个基本的LC-VCO构成窄带切换电路，输出缓冲电路将四个窄带VCO共漏连接，最终将所选择的窄带VCO作为整个VCO的输出。这种基于多窄带振荡器组合的宽带振荡器调谐技术，设计复杂度低，实现宽带输出的同时具有良好的噪声性能，但是牺牲了很大的芯片面积，不利于整个锁相环芯片集成。
专利“中国专利：CN107425812A，2017.12.01”(参考文献2)，双模电感通过开关阵列实现两种等效电感值之间的切换，用于振荡频率的粗调节。第一变容二极管阵列和第二变容二极管阵列用于调节负载网络的电容值，实现振荡频率的细调节。这种宽带振荡器调谐技术设计复杂度很高，该发明所用电感一方面占用了很大的面积，另一方面实现两种等效电感值切换的四个MOS开关直接与电感连接，开关自身损耗将直接影响谐振腔品质因数Q值，因此要达到实现宽带调谐的同时保证相位噪声的目的，需要反复调整电感的形状尺寸以及MOS开关管的尺寸，设计难度很大。
发明内容
发明目的：针对现有宽带振荡器调谐技术存在的问题，本发明提供一种毫米波宽带数控振荡器，实现带宽更大、寄生电容更小和芯片面积更小。
技术方案：为实现上述发明目的，本发明的一种毫米波宽带数控振荡器采用如下技术方案：
毫米波宽带数控振荡器包括LC谐振腔和负阻电路；LC谐振腔采用电感调谐和电容调谐协同工作的宽带调谐机制，其中，电感调谐由基于互感开关的片上变压器实现；电容调谐分为三级：电容粗调电路、电容中调电路和电容精调电路，电容粗调电路由开关电容阵列构成；电容中调电路以及电容精调电路均由离散电压控制可变电容构成。
其中，
所述基于互感开关的片上变压器结构为：互感开关的第零输出端与第一输出端分别连接到片上变压器次级线圈的两端，第一控制端接收由外部控制电路提供的控制互感开关导通和截止的控制信号；片上变压器初级线圈两端分别连接到第二输出端和第三输出端，片上变压器的中心抽头连接电源电压。
所述互感开关由第零NMOS管、第零反相器、第一电阻和第二电阻构成，具有第零输出端、第一输出端和第一控制端；第零NMOS管的栅极连接第一控制端和第零反相器输入端，漏极连接第零输出端，源极连接第一输出端；第一电阻一端连接至第零反相器输出端，另一端连接第零输出端；第二电阻一端连接至第零反相器输出端，另一端连接第一输出端。
所述基于互感开关的片上变压器的T模型的输入阻抗Zin为：
其中，Lp表示片上变压器初级线圈的电感，Ls表示片上变压器次级线圈的电感，M为Lp与Ls相互耦合的互感，Rp和Rs分别表示Lp和Ls的欧姆损耗，Zsw表示非理想开关的阻抗，ω表示片上变压器的工作频率。
所述开关电容阵列包括n个并联的电容模块，每个电容模块包括两个固定电容和开关电路单元；每一个开关电路单元分别位于两个固定电容之间，控制端分别输入控制开关电路单元导通和截止的控制信号S0、S1、…Sn-1；同一电容模块的两个固定电容的电容值相等，不同电容模块的同一侧固定电容的电容值按照并联顺序依次为：C、2C、…、2n-1C，其中C为第一个电容模块固定电容的电容值。
所述开关电路单元包括第一NMOS管、第一反相器、第三电阻和第四电阻，具有第四输出端、第五输出端和第二控制端；第一NMOS管的栅极连接第二控制端和第一反相器输入端，漏极连接第四输出端，源极连接第五输出端；第三电阻一端连接至第一反相器输出端，另一端连接第四输出端；第四电阻一端连接至第一反相器输出端，另一端连接第五输出端。
所述离散电压控制可变电容，包括电容量相等的第一可变电容和第二可变电容；第一可变电容的一端连接到第二可变电容的一端以及离散电压控制端，第一可变电容另一端连接第六输出端，第二可变电容另一端连接第七输出端。
所述负阻电路包括第二NMOS管和第三NMOS管；其中，第二NMOS管的栅极连接第三NMOS管的漏极，源极接地，漏极连接第八输出端；第三NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极，源极接地，漏极连接第九输出端。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1)本发明的毫米波宽带数控振荡器，采用基于互感开关的片上变压器结构，实现更大带宽的同时极大的节省了芯片面积；
2)电容中调电路及电容精调电路采用的基于离散电压控制可变电容结构，不需要引入MOS开关，因此减小了固定寄生电容，并且避免了开关引入的寄生电阻损耗对振荡器相位噪声的影响；
3)与已有的毫米波宽带数控振荡器技术相比，本发明实现的毫米波数控振荡器的带宽更大，寄生电容更小、占用芯片面积更小，更利用集成在整个数字锁相环中，极大减小了锁相环芯片的面积。
附图说明
图1为本发明提出的毫米波宽带数控振荡器的电路图；
图2为图1中的基于互感开关的片上变压器结构的电路原理图；
图3为图2中的基于互感开关的片上变压器的T模型等效电路图；
图4为图2中互感开关的结构图；
图5为图1中的开关电容阵列电路原理图；
图6为图5中的开关电路单元的原理图；
图7为图1中基于离散电压控制可变电容的电容中调电路以及电容精调电路原理图；
图8为图1中负阻电路的原理图。
图中有：第零输出端O0、第一输出端O1、第二输出端O2、第三输出端O3、第四输出端O4、第五输出端O5、第六输出端O6、第七输出端O7、第八输出端O8；第九输出端O9；片上变压器次级线圈Ns、片上变压器初级线圈Np、第一控制端K0、第二控制端KC、电源电压VDD、地GND；
第零NMOS管NM0、第零反相器INV0、第一NMOS管NM1、第一反相器INV1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3；第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可变电容CV1、第二可变电容CV2、离散电压控制端VT。
输入阻抗Zin、导通电阻Ron、关断电容Coff、非理想开关的阻抗Zsw、片上变压器初级线圈的电感Lp、片上变压器次级线圈的电感Ls、变压器初级线圈的电感与次级线圈的电感相互耦合的互感M、变压器初级线圈的电感的欧姆损耗Rp、变压器次级线圈的电感的欧姆损耗Rs。
具体实施方式
下面结合附图对发明的技术方案进行详细说明。
本发明的一种毫米波宽带数控振荡器，如图1所示，包括LC谐振腔和负阻电路，LC谐振腔用于振荡器频率调谐，负阻电路提供振荡器稳定振荡所需的能量。其中，LC谐振腔采用电感调谐和电容调谐协同工作的宽带调谐机制。
电感调谐由基于互感开关的片上变压器实现，电路图如图2所示。互感开关的第零输出端O0与第一输出端O1分别连接片上变压器次级线圈Ns的两端，第一控制端K0输入由外部控制电路提供的控制互感开关导通和截止的控制信号，初级线圈Np两端分别连接第二输出端O2和第三输出端O3，中心抽头连接电源电压VDD。与已有的单独采用电感调谐或电容调谐机制相比，实现同样带宽以及频率调谐精度，本发明引入的控制位更少，所需的MOS开关数量更少，引入的固定寄生更少，实现的数控振荡器的带宽更大。此外，与直接连接在初级线圈两端的自感开关相比，互感开关本身的损耗通过初级线圈与次级线圈之间的弱耦合进入谐振腔，因此比自感开关损耗更低。
为分析本发明实现宽带调谐的原理，对基于互感开关的片上变压器的T模型进行耦合线圈的建模，如图3所示。假设非理想开关具有导通电阻Ron和关断电容Coff，得到输入阻抗Zin为：
其中，Lp表示片上变压器初级线圈的电感，Ls表示片上变压器次级线圈的电感，M为变压器初级线圈的电感与次级线圈的电感相互耦合的互感，Rp和Rs分别表示变压器初级线圈的电感的欧姆损耗和变压器次级线圈的电感的欧姆损耗，Zsw表示非理想开关的阻抗，ω表示片上变压器的工作频率。
当理想开关闭合时，非理想开关的阻抗Zsw≈导通电阻Ron，此时式(1)中的输入阻抗记为闭合输入阻抗Zin，on，可用闭合等效欧姆损耗Req，on和闭合等效电感Leq，on表示为Zin，on＝Req，on+jωLeq，on，其中
当尽量降低次级线圈及开关的损耗，即当次级线圈电感的品质因数足够高时，有又因为变压器初级线圈的电感与次级线圈的电感相互耦合的互感其中，k为变压器初级线圈的电感与次级线圈的电感之间的耦合系数，因此，式(2)可近似如下：
从式(3)可知，开关闭合时，初级线圈的等效电感值减小，谐振腔的谐振频率提高。
另一种情况，当理想开关断开时，非理想开关的阻抗Zsw≈1/(jωCoff)，此时式(1)中的输入阻抗记为断开输入阻抗Zin，off，可用断开等效欧姆损耗Req，off和断开等效电感Leq，off表示为Zin，off＝Req，off+jωLeq，off，其中:
当片上变压器次级线圈的电感Ls的欧姆损耗Rs足够小且时，式(4)可以近似表示为：
从式(5)可得，开关断开时初级线圈等效电感值增加，谐振腔的谐振频率降低。因此，使用基于互感开关的片上变压器技术，可以通过设置片上变压器初级线圈的电感Lp、片上变压器次级线圈的电感Ls、变压器初级线圈的电感与次级线圈的电感相互耦合的互感M来覆盖中心频率为ω1的低频子带和ω2的高频子带(ω1＜ω2)，从而实现更大的带宽。
电容调谐分为三级：电容粗调电路、电容中调电路、电容精调电路。其中，电容粗调电路由开关电容阵列构成，包括n个并联的电容模块；电容中调电路以及电容精调电路采用离散电压控制可变电容结构。与传统的开关电容阵列实现电容中调和精调技术相比，不需要引入MOS开关，避免了固定寄生电容降低振荡频率以及相对缩小带宽的问题，可实现更大带宽，同时避免了寄生电阻带来的损耗。此外，由于本发明的精调频率调谐线性度基于可变电容的电容电压特性曲线，因此具有更好的精调频率调谐线性度。
振荡器的实现具体包括以下步骤：
步骤100，互感开关的设计：
互感开关结构图如图4所示，互感开关由第零NMOS管NM0、第零反相器INV0、第一电阻R1和第二电阻R2构成，具有第零输出端O0、第一输出端O1和第一控制端K0；第零NMOS管NM0的栅极连接第一控制端K0和第零反相器INV0输入端，漏极连接第零输出端O0，源极连接第一输出端O1；第一电阻R1一端连接至第零反相器INV0输出端，另一端连接第零输出端O0；第二电阻R2一端连接至第零反相器INV0输出端，另一端连接第一输出端O1。
步骤101，电感调谐电路的实现：
将步骤100中互感开关的第零输出端O0与第一输出端O1分别连接到片上变压器次级线圈的两端，第一控制端K0输入由外部控制电路提供的控制互感开关导通和截止的控制信号。开关断开时，实现低频子带；开关闭合时，实现高频子带。
步骤200，电容粗调电路的实现：
采用的开关电容阵列电路原理图如图5所示，包括n个并联的电容模块，每个电容模块包括两个固定电容和开关电路单元；每一个开关电路单元分别位于两个固定电容之间，控制端分别输入控制开关电路单元导通和截止的控制信号S0、S1、…Sn-1；同一电容模块的两个固定电容的电容值相等，不同电容模块的同一侧固定电容的电容值按照并联顺序依次为：C、2C、…、2n-1C，其中C为电容模块1的固定电容的电容值。
其中开关电路单元结构见图6，包括第一NMOS管NM1、第一反相器INV1、第三电阻R3和第四电阻R4，具有第四输出端O4、第五输出端O5和第二控制端KC；第一NMOS管NM1的栅极连接第二控制端KC和第一反相器INV1输入端，漏极连接第四输出端O4，源极连接第五输出端O5；第三电阻R3一端连接至第一反相器INV1输出端，另一端连接第四输出端O4；第四电阻R4一端连接至第一反相器INV1输出端，另一端连接第五输出端O5。
步骤300，电容中调电路以及电容精调电路的实现：
电容中调电路以及电容精调电路采用基于离散电压控制可变电容的原理图如图7所示，包括电容量相等的第一可变电容CV1和第二可变电容CV2；第一可变电容CV1的一端和第二可变电容CV2的一端连接，同时连接至离散电压控制端VT，第一可变电容CV1另一端连接第六输出端O6，第二可变电容CV2另一端连接第七输出端O7。
步骤400，负阻电路的实现：
负阻电路原理图如图8所示，包括第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3。其中，第二NMOS管NM2的栅极连接第三NMOS管NM3的漏极，源极接地GND，漏极连接第八输出端O8；第三NMOS管NM3的栅极连接第二NMOS管NM2的漏极，源极接地GND，漏极连接第九输出端O9。
如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上做出各种变化。

Claims (6)

1.一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，包括LC谐振腔和负阻电路；LC谐振腔采用电感调谐和电容调谐协同工作的宽带调谐机制，其中，电感调谐由基于互感开关的片上变压器实现；电容调谐分为三级：电容粗调电路、电容中调电路和电容精调电路，电容粗调电路由开关电容阵列构成；电容中调电路以及电容精调电路均由离散电压控制可变电容构成；
所述基于互感开关的片上变压器结构为：互感开关的第零输出端(O0)与第一输出端(O1)分别连接到片上变压器次级线圈(Ns)的两端，第一控制端(K0)接收由外部控制电路提供的控制互感开关导通和截止的控制信号；片上变压器初级线圈(Np)两端分别连接到第二输出端(O2)和第三输出端(O3)，片上变压器的中心抽头连接电源电压(VDD)；
所述开关电容阵列包括n个并联的电容模块，每个电容模块包括两个固定电容和开关电路单元；每一个开关电路单元分别位于两个固定电容之间，控制端分别输入控制开关电路单元导通和截止的控制信号S0、S1、…Sn-1；同一电容模块的两个固定电容的电容值相等，不同电容模块的同一侧固定电容的电容值按照并联顺序依次为：C、2C、…、2n-1C，其中C为第一个电容模块固定电容的电容值。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，所述互感开关由第零NMOS管(NM0)、第零反相器(INV0)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)构成，具有第零输出端(O0)、第一输出端(O1)和第一控制端(K0)；第零NMOS管(NM0)的栅极连接第一控制端(K0)和第零反相器(INV0)输入端，漏极连接第零输出端(O0)，源极连接第一输出端(O1)；第一电阻(R1)一端连接至第零反相器(INV0)输出端，另一端连接第零输出端(O0)；第二电阻(R2)一端连接至第零反相器(INV0)输出端，另一端连接第一输出端(O1)。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，所述基于互感开关的片上变压器的T模型的输入阻抗Zin为：
其中，Lp表示片上变压器初级线圈的电感，Ls表示片上变压器次级线圈的电感，M为Lp与Ls相互耦合的互感，Rp和Rs分别表示Lp和Ls的欧姆损耗，Zsw表示非理想开关的阻抗，ω表示片上变压器的工作频率。
4.根据权利要求1所述的一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，所述开关电路单元包括第一NMOS管(NM1)、第一反相器(INV1)、第三电阻(R3)和第四电阻(R4)，具有第四输出端(O4)、第五输出端(O5)和第二控制端(KC)；第一NMOS管(NM1)的栅极连接第二控制端(KC)和第一反相器(INV1)输入端，漏极连接第四输出端(O4)，源极连接第五输出端(O5)；第三电阻(R3)一端连接至第一反相器(INV1)输出端，另一端连接第四输出端(O4)；第四电阻(R4)一端连接至第一反相器(INV1)输出端，另一端连接第五输出端(O5)。
5.根据权利要求1所述的一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，所述离散电压控制可变电容，包括电容量相等的第一可变电容(CV1)和第二可变电容(CV2)；第一可变电容(CV1)的一端连接到第二可变电容(CV2)的一端以及离散电压控制端(VT)，第一可变电容(CV1)另一端连接第六输出端(O6)，第二可变电容(CV2)另一端连接第七输出端(O7)。
6.根据权利要求1所述的一种毫米波宽带数控振荡器，其特征在于，所述负阻电路包括第二NMOS管(NM2)和第三NMOS管(NM3)；其中，第二NMOS管(NM2)的栅极连接第三NMOS管(NM3)的漏极，源极接地(GND)，漏极连接第八输出端(O8)；第三NMOS管(NM3)的栅极连接第二NMOS管(NM2)的漏极，源极接地(GND)，漏极连接第九输出端(O9)。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102111151A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 何捷 一种高分辨率高线性数控振荡器
CN102170289A (zh) * 2011-05-28 2011-08-31 西安电子科技大学 基于电流复用的低功耗正交lc压控振荡器
CN111786672A (zh) * 2020-06-03 2020-10-16 东南大学 一种变压器耦合开关电容阶梯电路
CN111988034A (zh) * 2020-07-07 2020-11-24 东南大学 一种毫米波数控振荡器的可变电容器及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102111151A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 何捷 一种高分辨率高线性数控振荡器
CN102170289A (zh) * 2011-05-28 2011-08-31 西安电子科技大学 基于电流复用的低功耗正交lc压控振荡器
CN111786672A (zh) * 2020-06-03 2020-10-16 东南大学 一种变压器耦合开关电容阶梯电路
CN111988034A (zh) * 2020-07-07 2020-11-24 东南大学 一种毫米波数控振荡器的可变电容器及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Design of Wide Tuning-Range CMOS VCOs Using Switched Coupled-Inductors;Murat Demirkan;IEEE Journal of Solid-State Circuits;第43卷(第5期);第1156-1163页 *

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