CN115360215A - 显示装置 - Google Patents

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CN115360215A CN202210539126.0A CN202210539126A CN115360215A CN 115360215 A CN115360215 A CN 115360215A CN 202210539126 A CN202210539126 A CN 202210539126A CN 115360215 A CN115360215 A CN 115360215A
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Abstract

本申请涉及显示装置，尤其是，根据本公开的示例性实施例的显示装置包括：基板，在所述基板中被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；堤部，其设置在所述基板上方的绝缘层上并通过开口暴露所述第一电极；沟槽，其通过去除在所述多个子像素之间的所述堤部的部分区域以暴露所述绝缘层而形成；有机层，其设置于其上设有所述堤部的所述基板的上方；电荷阻挡层，其插置于在所述沟槽中的所述有机层中；以及设置在所述有机层上的第二电极。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年5月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0063499的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被结合到本文中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种可以使发光二极管的由于泄漏电流引起的发光最小化的显示装置。
背景技术
当前，随着进入全面信息时代，以视觉方式表现电信息信号的显示装置的领域得到了快速发展，并且研究持续地进行，以提高各种显示装置的性能，例如薄型化、轻量化和低功耗。
在各种显示装置中，有机发光显示装置是自发光显示装置，因而无需单独的光源，这一点与液晶显示装置不同。因此，有机发光显示装置可以被制造成重量轻且厚度小。此外，由于有机发光显示装置以低电压驱动，其不仅在功耗方面，而且在色彩实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面均是有利的，使得有机发光显示装置正被作为下一代显示装置加以研究。
发明内容
本公开所要实现的一个目的是提供一种显示装置，其应用使用层叠的多个发光单元的多叠层(堆叠)结构，以实现改进的效率和寿命特性。
本公开所要实现的另一目的是提供一种显示装置，其应用可以使多叠层结构中的横向泄漏电流最小化的泄漏电流抑制结构。
本公开所要实现的又一目的是提供一种显示装置，其抑制泄漏电流抑制结构中的电子隧穿现象。
本公开的目的并不限于上述目的，并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上面未提及的其它目的。
根据本公开的一方面，一种显示装置可以包括(包含)：基板，在所述基板中被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；堤部，其设置在所述基板上方的绝缘层上并通过开口暴露所述第一电极；沟槽，其通过去除在所述多个子像素之间的所述堤部的部分区域以暴露所述绝缘层而形成；有机层，其设置于其上设有所述堤部的所述基板的上方；电荷阻挡层，其插置于在所述沟槽中的所述有机层中；以及设置在所述有机层上的第二电极。
根据本公开的另一方面，一种显示装置可以包括(包含)：基板，在所述基板中被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；堤部，其设置在所述基板上方的绝缘层上并通过开口暴露所述第一电极；间隔件，其设置于在所述多个子像素之间的所述堤部上并具有倒锥度(呈倒锥形)；有机层，其设置于其上设有所述堤部和所述间隔件的所述基板的上方；电荷阻挡层，其插置于在所述间隔件的下端处的所述有机层中；以及设置在所述有机层上的第二电极。
示例性实施例的其它详细内容被包括在以下详细描述和附图中。
根据本公开，具有多叠层结构的有机发光二极管被应用，以呈现出高效率，且所述有机发光二极管以低电流驱动，使得可以改善所述有机发光二极管的寿命。
根据本公开，泄漏电流抑制结构被应用，以改善通过具有多叠层结构的有机发光二极管的侧表面的电流的泄漏，从而改善色域。
根据本公开，在泄漏电流抑制结构中的阴极与电荷产生层之间应用电荷阻挡层，以改善低灰度区域处的偏蓝色或浅蓝色(bluish color)，从而可以提高产品可靠性。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
本公开的上述和其它方面、特征和其它优点将通过以下结合附图给出的详细描述被更清楚地理解，其中：
图1是根据本公开的第一示例性实施例的显示装置的示意图；
图2是根据本公开的第一示例性实施例的显示装置的子像素的电路图；
图3是根据本公开的第一示例性实施例的子像素的放大平面图；
图4是沿图3的III-III′线截取的截面图；
图5A是图4中的部分P1的放大截面图；
图5B是图4中的部分P2的放大截面图；
图5C是图4中的部分P3的放大截面图；
图6是根据比较实施例的子像素的放大截面图；
图7是示出了根据沟槽的锥角的有机材料的沉积程度的示例的曲线图；
图8A至图8C是示出了根据红色、绿色和蓝色子像素中的电压的电流密度的示例的曲线图；
图9A和图9B是示出了显示面板的可靠性结果的照片；
图10是根据本公开的第二示例性实施例的子像素的放大截面图；
图11是根据本公开的第三示例性实施例的子像素的放大截面图；
图12是根据本公开的第四示例性实施例的子像素的截面图；
图13是图12中的部分P4的放大截面图；
图14是根据本公开的第五示例性实施例的子像素的截面图；以及
图15是根据本公开的第六示例性实施例的子像素的截面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施例而变得清楚易懂。然而，本公开并不限于本文公开的示例性实施例，而是将被以多种形式实施。这些示例性实施例仅作为示例提供，以使得本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅为示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，对已知相关技术的详细解释可能被省略，以避免不必要地使本公开的主题含混不清。此处使用的诸如“包含(包括)”、“具有”和“由…组成”的术语通常意在允许添加其它部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用均可以包括复数。
即使未明确说明，部件也被解释为包括普通(或一般)的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”的术语来描述两个部件(部分)之间的位置关系时，一个或多个部件(部分)可以被定位在所述两个部件(部分)之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当一个元件或层设置在另一元件或层“上”时，又一元件或层可以直接插置于所述另一元件或层上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种部件，但这些部件并不受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，以下提及的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。
在整个说明书中，类似的附图标记通常表示类似的元件。
附图中所示的各部件的尺寸和厚度为了描述方便而示出，并且本公开并不限于所示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以被部分地或全部地彼此依附或结合，并且可在技术上以多种方式互锁和操作，并且所述实施例可以彼此独立或相关联地实施。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的第一示例性实施例的显示装置的示意图。
在图1中，为了便于描述，在显示装置100的各个部件中，仅示出了显示面板PN、栅极驱动器GD、数据驱动器DD和时序控制器TC，但本公开不限于此。
参考图1，显示装置100可以包括：包括多个子像素SP的显示面板PN、向显示面板PN提供各种信号的栅极驱动器GD和数据驱动器DD、以及控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD的时序控制器TC。
栅极驱动器GD可以根据从时序控制器TC提供的多个栅极控制信号GCS向多条扫描线SL提供多个扫描信号。所述多个扫描信号可以包括第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。尽管在图1中示出了一个栅极驱动器GD与显示面板PN的一侧间隔开，但不限于此。
栅极驱动器GD可以面板中栅极(GIP)的方式设置，本公开不限于栅极驱动器GD的数量及其布置。
数据驱动器DD可以根据从时序控制器TC提供的多个数据控制信号DCS将从时序控制器TC输入的图像数据RGB转换为使用参考伽马电压的数据信号。数据驱动器DD可以将转换后的数据信号提供给所述多条数据线DL。
时序控制器TC可以排布(对齐)从外部输入的图像数据RGB，以将所述图像数据提供给数据驱动器DD。
时序控制器TC可以使用从外部输入的同步信号SYNC(例如点时钟信号、数据使能信号和水平/垂直同步信号)来产生栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。时序控制器TC可以将所产生的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别提供给栅极驱动器GD和数据驱动器DD，以控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。
显示面板PN呈向用户显示图像的配置(或构型)并且可以包括多个子像素SP。在显示面板PN中，所述多条扫描线SL和所述多条数据线DL彼此相交，并且所述多个子像素SP可以被分别连接到扫描线SL和数据线DL。此外，尽管图中未示出，所述多个子像素SP也可以被连接到高电位电源线、低电位电源线、初始化信号线、发光控制信号线等。
子像素SP是配置(或构造)屏幕的最小单元，并且所述多个子像素SP中的每一个可以包括发光二极管和用于驱动发光二极管的像素电路。可以根据显示面板PN的类型以不同的方式限定多个发光二极管。例如，当显示面板PN是有机发光显示面板时，发光二极管可以是包括阳极、发光单元和阴极的有机发光二极管。在下文中，尽管将在假定发光二极管是有机发光二极管的情况下进行描述，发光二极管的类型并不限于此。
像素电路是用于控制有机发光二极管的驱动的电路。例如，像素电路可以被配置成包括多个晶体管和电容器，但不限于此。
在下文中，将参照图2更详细地描述子像素SP的像素电路。
图2是根据本公开的第一示例性实施例的显示装置的子像素的电路图。
参照图2，所述多个子像素SP中的每一个的像素电路可以包括第一至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst。
第一晶体管T1被连接到第二扫描线，以由通过第二扫描线提供的第二扫描信号SCAN2进行控制。第一晶体管T1可以电连接在提供数据信号Vdata的数据线与电容器Cst之间。当通过第二扫描线将具有导通电平的第二扫描信号SCAN2施加到第一晶体管T1时，第一晶体管T1可以将数据信号Vdata从数据线传输到电容器Cst。第一晶体管T1可以被称为开关晶体管，其控制将数据信号Vdata施加到电容器Cst的时序。
第二晶体管T2可以电连接在被提供高电位电源信号EVDD的高电位电源线与第五晶体管T5之间。第二晶体管T2的栅电极可以被电连接到电容器Cst。第二晶体管T2可以被称为驱动晶体管，其根据施加到栅电极的电压来控制流过有机发光二极管EL的电流，以控制有机发光二极管EL的亮度。
此外，第三晶体管T3可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1控制。取决于第三晶体管T3的类型，第三晶体管T3可以电连接在第二晶体管T2的栅电极和漏电极之间或第二晶体管T2的栅电极和源电极之间。
与此同时，作为驱动晶体管的第二晶体管T2需要根据施加到子像素SP的数据信号Vdata来控制流过有机发光二极管EL的电流。然而，可能由于设置在每个子像素SP中的第二晶体管T2的阈值电压偏差而引起设置在每个子像素SP中的有机发光二极管EL的亮度偏差。
在此情况下，第三晶体管T3被设置成补偿第二晶体管T2的阈值电压，使得第三晶体管T3可以被称为补偿晶体管。例如，当施加使第三晶体管T3导通的第一扫描信号SCAN1时，可以将通过从高电位电源信号EVDD中减去第二晶体管T2的阈值电压而获得的电压施加到第二晶体管T2的栅电极。在将从其中减去阈值电压的高电位电源信号EVDD施加到第二晶体管T2的栅电极的状态下，数据信号Vdata被施加到电容器Cst，以补偿第二晶体管T2的阈值电压。
与此同时，示出了第三晶体管T3和第一晶体管T1被施加来自不同扫描线的不同扫描信号SCAN1和SCAN2。然而，第三晶体管T3和第一晶体管T1可以被连接到同一扫描线并且可以被施加相同的扫描信号SCAN1和SCAN2，并且它们不限于此。
第四晶体管T4可以被电连接到电容器Cst和被提供初始化信号Vini的初始化信号线。此外，第四晶体管T4可以由通过发射控制信号线提供的发射控制信号EM控制。当通过发射控制信号线施加具有导通电平的发射控制信号EM时，第四晶体管T4可以初始化电容器Cst的电压，或者使施加到电容器Cst的数据信号Vdata缓慢释放(排放)，以允许电流根据数据信号Vdata流过有机发光二极管EL。
第五晶体管T5电连接在第二晶体管T2与有机发光二极管EL之间。此外，第五晶体管T5可以由通过发射控制信号线提供的发射控制信号EM控制。当在将数据信号Vdata施加到电容器Cst并且将在其中阈值电压被补偿的高电位电源信号EVDD施加到第二晶体管T2的栅电极的状态下施加具有导通电平的发射控制信号EM时，第五晶体管T5被导通。因此，电流可以流过有机发光二极管EL。
第六晶体管T6电连接在通过其提供初始化信号Vini的初始化信号线与有机发光二极管EL的阳极之间，并且可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1控制。
当通过第一扫描线施加具有导通电平的第一扫描信号SCAN1时，第六晶体管T6可以利用初始化信号Vini初始化有机发光二极管EL的阳极或位于第二晶体管T2与第五晶体管T5之间的节点。
电容器Cst可以是存储施加到用作驱动晶体管的第二晶体管T2的栅电极的电压的存储电容器。电容器Cst可以被电连接在第二晶体管T2的栅电极与有机发光二极管EL的阳极之间。因此，电容器Cst可以存储第二晶体管T2的栅电极的电压与施加到有机发光二极管EL的阳极的电压之间的电压差。
作为示例，上面已经描述了所述多个子像素SP中的每一个的像素电路被配置成包括第一至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst，但是本公开不限于如上所述的内容。
在下文中，将参照图3和图4更详细地描述根据本公开的第一示例性实施例的显示装置100的子像素SP。
图3是根据本公开的第一示例性实施例的子像素的放大平面图。
图4是沿图3的线III-III′截取的截面图。
尽管图3示出所述多个子像素SP(例如，第一、第二和第三子像素R、G、B)中的每一个具有矩形形状，本公开不限于子像素的形状。在图4中，一个任意晶体管120被包括在图3的截面结构中。即，在图4中，为了便于描述，仅示出了一个子像素(例如，第一子像素R、第二子像素G或第三子像素B)的像素电路的多个晶体管和电容器中的一个晶体管120。作为示例，图4示出了在两个任意子像素(例如，第一和第三子像素R和B)之间穿过的(横)截面。然而，本公开不限于图4的下部结构。
本公开不限于图3的实型像素结构，而是也适用于视觉型像素结构。本公开的泄漏电流抑制结构和有机材料的沉积程度可以相同，而与像素结构的类型无关。
显示装置可以包括：显示面板PN，其包括多个子像素SP；向显示面板PN提供各种信号的栅极驱动器和数据驱动器；以及控制栅极驱动器和数据驱动器的时序控制器。
参照图3和图4，根据本公开的第一示例性实施例的显示面板PN可以包括基板110、晶体管120、有机发光二极管EL、堤部114和封装单元(未示出)。显示装置100可以被实现为顶部发射型显示装置，但不限于此。
显示面板PN呈向用户显示图像的配置(或构型)，并且可以包括多个子像素SP。在显示面板PN中，多条扫描线和多条数据线彼此相交并且所述多个子像素SP中的每一个可以被连接到扫描线和数据线。此外，所述多个子像素SP中的每一个可以被连接到高电位电源线、低电位电源线、初始化信号线、发射控制信号线等。
子像素是配置(或构造)显示面板PN的屏幕的最小单元，并且所述多个子像素SP中的每一个可以包括有机发光二极管EL和用于驱动有机发光二极管的像素电路。
像素电路是用于控制有机发光二极管EL的驱动的电路。例如，像素电路可以被配置成包括多个晶体管120和电容器，但不限于此。
所述多个子像素SP是发光的各个单元，并且有机发光二极管EL可以被设置在所述多个子像素SP中的每一个中。所述多个子像素SP可以包括发出不同颜色的光的第一子像素R、第二子像素G和第三子像素B，但本公开不限于此。例如，第一子像素R为红色子像素，第二子像素G为绿色子像素，并且第三子像素B为蓝色子像素，但本公开不限于此。
所述多个子像素SP的区域可以由堤部114限定。即，堤部114可以被设置成覆盖所述多个子像素SP中的有机发光二极管EL的第一电极131和平坦化层113的一部分。
基板110可以被划分为发射(发光)区EA和非发射(非发光)区NEA。例如，在非发射区NEA中，堤部114被设置于第一电极131上，以阻止在非发射区NEA中产生光。与之相对照，堤部114未设置于发射区EA中，并且有机层140直接位于第一电极131上，以允许有机层140产生光。
堤部114可以包括暴露第一电极131的一部分的开口OP。
与此同时，根据本公开的第一示例性实施例，诸如沟槽T的泄漏电流抑制结构被设置于所述多个子像素SP之间。然而，泄漏电流抑制结构不限于沟槽T，而是可以包括具有倒锥度的间隔件和其它结构。
沟槽T可以与开口OP一起被图案化。
在沟槽T中，堤部114被去除至预定厚度，使得堤部114的侧表面可以被暴露。尽管在图4中，堤部114的整个厚度被去除以暴露平坦化层113的表面，但本公开不限于此。此外，尽管在图4中，作为示例示出了单个沟槽T，但本公开不限于此。可以在所述多个子像素SP之间设置多个沟槽T。
在根据本公开的第一示例性实施例的沟槽T中，沟槽T的侧表面具有斜率比堤部114的开口OP的斜率更陡的锥度。例如，在发射区EA中，开口OP的侧表面具有约5°至10°的锥角，但沟槽T的侧表面具有约80°的锥角。这里，锥角是指由侧表面与水平轴线形成的角度。
即，泄漏电流的路径通过沟槽T而增加(或加长)，以减少横向泄漏电流。当有机层140具有多叠层结构(所述多叠层结构具有两个或更多叠层)时，由于公共层、例如空穴注入层(HIL)和电荷产生层(CGL)的高迁移率而产生横向泄漏电流。因此，为了减少横向泄漏电流，诸如具有倒锥度的间隔件或沟槽T的泄漏电流抑制结构被应用。然而，当应用泄漏电流抑制结构时，例如，由于沟槽T的倾斜界面处的陡峭锥角，有机层140被沉积薄的厚度，使得电荷产生层与第二电极132之间的间距被减小。因此，可能由于电子隧穿而产生提前导通(ETO)现象。
因此，根据本公开的第一示例性实施例，电荷阻挡层被插置于泄漏电流抑制结构中，即，沟槽T的有机层140中，使得可以改善低灰度区域中的偏蓝色。
参照图3，例如，多个第三子像素B被设置于同一列中，并且多个第一子像素R与多个第二子像素G可以被交替地设置于同一列中。
更具体地说，所述多个第三子像素B被设置于第二列和第四列中，并且所述多个第一子像素R与所述多个第二子像素G可以被交替地设置于第一列和第三列中，但本公开不限于此。
例如，第一子像素R和第二子像素G可以被设置于第三子像素B的左侧和右侧(左右两侧)，但本公开不限于此。
因此，在水平方向上，多个第三子像素B与多个第一和第二子像素R和G被交替地设置。在垂直(竖直)方向上，所述多个第三子像素B被重复地设置或者所述多个第一子像素R与所述多个第二子像素G被交替地设置。在这种情况下，沟槽T可以被设置于多个第一、第二和第三子像素R、G和B之间。例如，沟槽T可以被垂直地(沿垂直方向)设置于多个第三子像素B与多个第一和第二子像素R和G之间，并且沟槽T可以被水平地(沿水平方向)设置于多个第一子像素R与多个第二子像素G之间，但本公开不限于此。这里，水平沟槽T可以从垂直沟槽T水平地延伸，但不限于此。多个沟槽T中的一些可以被配置成单一(单件)型，而所述多个沟槽T中的其它一些可以被配置成双重(双件)型。
在根据本公开的第一示例性实施例的沟槽T中，如上所述，可以减少在多叠层结构中产生的横向泄漏电流。然而，本公开不仅限于多叠层结构，还可以应用于其中在普通有机发光显示装置中产生横向泄漏电流的情况。
此外，本公开能够有效地减少归因于由于有机发光显示装置的工艺特性对公共层的使用而产生的泄漏电流，更具体地说，归因于在低灰度区域中形成的强电流路径而产生的泄漏电流。
此外，本公开不仅可以减少泄漏电流，而且可以通过抑制电子隧穿现象来解决偏蓝色的问题。即，当应用泄漏电流抑制结构时，出于结构原因，由于沟槽T的倾斜界面处的较陡锥角，有机层140被沉积薄的厚度，使得电荷产生层与第二电极132之间的间距在锥形界面处被减小。因此，可能由于电子隧穿而产生提前导通(ETO)现象。在这种情况下，在可靠性测试之后，由于电荷产生层的电阻增加而产生ETO偏移，并且由于在3-灰度区域中的亮度降低而导致偏蓝色。即，在具有相对高效率的红色和绿色子像素(即，第一和第二子像素R和G)的情况下，如果它们在可靠性测试之前被补偿，由于ETO现象，低灰度补偿通过第一发光层的发光来完成。在可靠性测试之后，由于电荷产生层的劣化，电阻被增大，使得并不产生ETO现象。因此，被补偿的红色和绿色子像素(即，第一和第二子像素R和G)并不发光，使得颜色是偏蓝色的。这种ETO现象随着电荷产生层与第二电极132之间的间距减小而产生，使得在沟槽T中，在锥形界面处产生ETO现象，且在具有倒锥度的间隔件中，ETO现象主要产生于该间隔件的下界面处。即，沟槽T的锥形界面和具有倒锥度的间隔件的下端与另一区域相比具有有机层140的相对薄的沉积厚度，使得电荷产生层与第二电极132之间的间距被显著减小。
因此，根据本公开的第一示例性实施例，例如，电荷阻挡层被插置于沟槽T的有机层140中，以部分地切断电荷产生层的电荷移动路径，从而抑制电子隧穿。下面将参照图5A至5C和图6至9对其进行详细描述。
参照图4，基板110是用于支撑显示装置的其它部件的支撑构件，并且可以由绝缘材料构造。
例如，基板110可以由玻璃或树脂形成。此外，基板110可以被配置成包括诸如聚合物或聚酰亚胺PI的塑料，或者可以由具有柔性的材料形成。
缓冲层111可以被设置在基板110上。缓冲层111可以减少湿气或杂质渗透通过基板110。缓冲层111可以由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx构造，但不限于此。然而，根据基板110的类型或晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但不限于此。
晶体管120可以被设置在缓冲层111上。晶体管120可以包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。
图4所示的晶体管120为底栅型晶体管，其中，有源层122被设置在栅电极121上，源电极123和漏电极124被设置在有源层122上，但本公开不限于此。
栅电极121可以被设置在缓冲层111上。
栅电极121可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构造，但不限于此。
栅绝缘层112可以被设置在栅电极121上。
栅绝缘层112是使有源层122与栅电极121绝缘的绝缘层，并且可以由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx构造，但不限于此。
有源层122可以被设置在栅绝缘层112上。
有源层122可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当有源层122由氧化物半导体形成时，有源层122由沟道区、源极区和漏极区构造，并且源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。
蚀刻阻挡件117被设置在有源层122上。蚀刻阻挡件117可以被附加地形成，以抑制当在使用蚀刻法对源电极123和漏电极124进行图案化时由于等离子体而导致的对于有源层122的表面的损坏。蚀刻阻挡件117的一端可以与源电极123重叠(或交叠)，而另一端可以与漏电极124重叠(或交叠)。然而，可以省略蚀刻阻挡件117。
源电极123和漏电极124可以被设置在有源层122和蚀刻阻挡件117上。被设置为彼此间隔开的源电极123和漏电极124可以被电连接到有源层122。源电极123和漏电极124可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构造，但不限于此。
平坦化层113可以被设置在晶体管120的上方。平坦化层113是使基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层113可以由有机材料形成，并且例如可以由单层或双层的聚酰亚胺或光丙烯酸(photo acryl)构造，但不限于此。
有机发光二极管EL可以被设置在平坦化层113上的多个子像素SP(更具体地说，第一、第二和第三子像素R、G和B)中的每一个中。有机发光二极管EL可以包括第一电极131、有机层140和第二电极132。这里，第一电极131可以是阳极，第二电极132可以是阴极，但本公开不限于此。
第一电极131可以被设置在平坦化层113上。
第一电极131被电连接到晶体管120，以被提供像素电路的驱动电流。第一电极131向发光层提供空穴，使得第一电极可以由具有高功函数的导电材料形成。例如，第一电极131可以由诸如氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO的透明导电材料形成，但不限于此。
与此同时，显示装置可以通过顶部发射型显示装置或底部发射型显示装置来实现。当显示装置是顶部发射型显示装置时，可以在第一电极131的下方添加由诸如铝(Al)或银(Ag)的具有优异反射效率的金属材料形成的反射层。因此，从发光层发出的光从第一电极131被反射，以被朝向向上方向(即，朝向第二电极132)引导。与之相对照，当显示装置为底部发射型显示装置时，第一电极131可以仅由透明导电材料形成。在下文中，本公开的显示装置被假定为顶部发射型显示装置。
例如，第一电极131可以具有堆叠结构，其具有包括反射层在内的两个或更多层。
堤部114可以被设置在第一电极131和平坦化层113上。
堤部114是被设置在第一、第二和第三子像素R、G和B之间以划分第一、第二和第三子像素R、G和B的绝缘层。
堤部114可以包括暴露第一电极131的一部分的开口OP。堤部114可以由被设置为覆盖第一电极131的边缘或边界的有机绝缘材料构造。例如，堤部114可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂形成，但不限于此。
可以在非发射区NEA的堤部114上设置多个间隔件(未示出)。即，所述间隔件可以被设置在非发射区NEA的堤部114上，以在形成有机发光二极管EL时保持与沉积掩模相距恒定的距离。可以通过所述间隔件在沉积掩模与位于所述间隔件下方的堤部114和第一电极131之间保持预定距离，并且可以抑制由于所述沉积掩模与所述堤部114和所述第一电极131之间的接触而造成的损坏。所述多个间隔件可以被形成为具有朝向其上部较窄的形状，例如锥形形状，以最小化与沉积掩模接触的区域，但本公开不限于此。
有机层140可以被设置在第一电极131上。有机层140是通过从第一电极131和第二电极132提供的电子和空穴的耦合而发光的区域。有机层140可以包括设置在第一、第二和第三子像素R、G和B中的每一个中的发光层以及为第一、第二和第三子像素R、G和B共同设置的公共层，但不限于此。发光层是发射具有特定颜色的光的有机层，并且不同的发光层可以被设置在第一子像素R、第二子像素G和第三子像素B中。然而，本公开不限于此，使得在所有的第一、第二和第三子像素R、G和B中可以设置多个发光层，以发出白光。
公共层是为了提高发光层的发光效率而设置的有机层。公共层可以被形成为位于第一、第二和第三子像素R、G和B的上方的一个层。即，第一、第二和第三子像素R、G和B的公共层可以被彼此连接以及一体地形成。公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等，但不限于此。
第二电极132可以被设置在有机层140上。
第二电极132是向根据本公开的第一示例性实施例的有机发光二极管EL供应电子的电极。第二电极132可以由具有低功函数的材料形成。第二电极132可以包括透明导电材料。例如，第二电极132可以由氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化铟镓锌IGZO等形成。备选地，第二电极132可以包括由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)、铜(Cu)及其合金的金属材料组成的组群中的任何一种。例如，第二电极132可以由镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。备选地，第二电极132可以通过层压由诸如氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或氧化铟镓锌IGZO的透明导电材料形成的层和由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)、铜(Cu)或其合金的金属材料形成的层而构造，但不限于此。
第二电极132可以被电连接到低电位电源线，以被提供低电位电源信号。
封装单元(未示出)可以被设置在第二电极132上。
封装单元可以被设置在堤部114和有机发光二极管EL的上方。
封装单元可以阻挡氧气和湿气从外部渗入到显示装置中。例如，当显示装置被暴露于湿气或氧气中时，会出现发射区缩小的像素收缩现象或者在发射区中产生死像素。因此，封装单元阻挡氧气和湿气，以保护显示装置。
封装单元可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。
第一封装层可以被设置在第二电极132上，以抑制湿气或氧气的渗透。
例如，第一封装层可以由诸如氮化硅SiNx、氮氧化硅SiNxOy或氧化铝AlyOz的无机材料形成，但不限于此。
第二封装层可以被设置在第一封装层上，以使其表面平坦化。此外，第二封装层可以覆盖在显示装置的制造过程中可能产生的异物或颗粒。第二封装层可以由诸如硅氧碳SiOxCz、丙烯酸或环氧树脂的有机材料形成，但不限于此。
第三封装层可以被设置在第二封装层上，以抑制湿气或氧气的渗透。例如，第三封装层可以由诸如氮化硅SiNx、氮氧化硅SiNxOy、氧化硅SiOx或氧化铝AlyOz的无机材料形成，但不限于此。
与此同时，已经提出了用于提高有机发光二极管的效率和寿命以及降低功耗的多种有机发光二极管结构，以提高有机发光显示装置的质量和生产率。
因此，除了应用一个叠层(即，一个电致发光单元)的有机发光二极管之外，还提出了一种具有串联(tandem)结构的有机发光二极管，其中所述串联结构使用多个叠层(即，层叠的多个电致发光单元)，以实现提高的效率和寿命特性。在下文中，为了方便起见，作为示例，将描述双叠层串联结构。
在具有串联结构(即，使用层叠的第一电致发光单元和第二电致发光单元的双叠层结构)的有机发光二极管EL中，通过电子和空穴的重新组合而发光的发射区被设置在第一电致发光单元和第二电致发光单元中的每一个中。因此，与具有单一叠层结构的有机发光二极管相比，从第一电致发光单元的第一发光层和第二电致发光单元的第二发光层发出的光引起相长干涉，以提供高亮度。
在下文中，将共同参照图5A至图5C详细描述根据本公开的第一示例性实施例的叠层结构。
图5A是图4中的部分P1的放大截面图。
图5B是图4中的部分P2的放大截面图。
图5C是图4中的部分P3的放大截面图。
图6是根据比较实施例的子像素的放大截面图。
图7是示出了根据沟槽的锥角的有机材料的沉积程度的示例的曲线图。
图8A至图8C是示出了根据红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的电压的电流密度的示例的曲线图。
图9A和图9B是示出了显示面板的可靠性结果的照片。
图5A是发射区EA的平坦部分P1中的有机发光二极管EL的放大截面图。图5B是发射区EA的锥形部分P2中的有机发光二极管EL的放大截面图。图5C是沟槽T的锥形部分P3中的有机发光二极管EL的放大截面图。
例如，在发射区EA的平坦部分P1(或开口OP)中，锥角约为0°，在发射区EA的锥形部分P2中，锥角约为5°至10°，并且在沟槽T的锥形部分P3中，锥角约为80°。此时，在沟槽T的锥形部分P3和发射区EA的锥形部分P2中，有机层140的沉积厚度比发射区EA的平坦部分P1的沉积厚度更薄。此外，沟槽T的锥形部分P3中的有机层140的沉积厚度比发射区EA的锥形部分P2的沉积厚度更薄。例如，当假定发射区EA的平坦部分P1的有机层140的沉积厚度为100％(参见图5A)时，发射区EA的锥形部分P2的有机层140的厚度为约90％至95％(参见图5B)。此外，沟槽T的锥形部分P3的有机层140的厚度可以为约28％(参见图5C)。
在图6中，除了不包括电荷阻挡层以外，示出了与图5C的子像素相同的配置。因此，将省略对于相同配置的冗余描述。
参照图4、图5A至图5C，具有叠层结构的有机层140可以包括设置在第一电极131与第二电极132之间的电荷产生层144a和144b、第一叠层和第二叠层。第一叠层被设置在电荷产生层144a和144b与第一电极131之间，第二叠层被设置在第二电极132与电荷产生层144a和144b之间。电荷产生层144a和144b被设置在第一叠层与第二叠层之间，以产生电荷。电荷产生层144a和144b可以其中p型电荷产生层144b和n型电荷产生层144a被层叠的结构形成。即，电荷产生层144a和144b可由在两个方向上产生正电荷和负电荷的p型电荷产生层144b和n型电荷产生层144a构造，并且基本上可用作电极。
第一叠层和第二叠层中的每一个可以包括至少一个或更多(多个)发光层142和146并且包括位于每个发光层142和146的上方和下方的公共层，其中发光层142和146位于这些公共层之间。例如，特别是，第一叠层可以包括第一空穴传输层141、第一发光层142和第一电子传输层143。此外，第二叠层可以包括第二空穴传输层145、第二发光层146和第二电子传输层147。此外，第一叠层和第二叠层还可以包括第一和第二空穴注入层以及第一和第二电子注入层。
在如上所述的有机发光二极管EL的情况下，当在第一电极131与第二电极132之间施加电压时，通过形成在有机发光二极管EL中的公共层(例如，电荷产生层144a和144b)在有机发光二极管EL的侧表面方向上产生横向泄漏电流。因此，导致其中不仅要求发光的子像素发光、而且不要求发光的相邻子像素也发光的混色问题。
混色问题在具有双叠层结构的有机发光二极管EL中可能比在具有单叠层结构的有机发光二极管中更显著，其中所述双叠层结构使用层叠的第一电致发光单元和第二电致发光单元(其利用光的相长干涉)。
因此，根据本公开的第一示例性实施例，沟槽T被形成于多个子像素之间，以增加电流路径，从而可以最小化在具有多叠层结构的显示装置的驱动期间的泄漏电流。
此外，根据本公开的第一示例性实施例，第一和第二电荷阻挡层150a和150b被插置于泄漏电流抑制结构、即沟槽T的有机层140中，使得可以改善低灰度区域中的偏蓝色。例如，第一电荷阻挡层150a可以被插置于电荷产生层144a和144b与第二电极132之间，第二电荷阻挡层150b可以被插置于电荷产生层144a和144b与第一电极131之间，但本公开不限于此。
根据本公开，无论沟槽T是单一结构还是双重结构，沟槽T的截面形状可以相同。此外，无论沟槽T被水平设置还是垂直设置，沟槽T的截面形状可以相同。因此，可以使用一个掩模通过相同的工艺同时形成沟槽T，并且还可以同时形成第一和第二电荷阻挡层150a和150b。
参考图4和图5A，在发射区EA的平坦部分P1中，锥角可以为约0°。在这种情况下，有机材料的沉积率可以被视为100％。
与之相对照，参考图4和图5B，在发射区EA的锥形部分P2中，锥角可以为约5°至10°。在这种情况下，有机材料的沉积率可以为约90％至95％，并且当发射区EA的平坦部分P1的有机层140的厚度可以被假定为100％时，发射区EA的锥形部分P2的有机层140的厚度可以为约90％至95％。
参考图4、图5C和图7，沟槽T的锥形部分P3中的锥角可以为约80°。可以理解，倾斜表面上的有机材料的沉积率与锥角成比例地降低，并且在这种情况下，有机材料的沉积率为平坦部分P1的有机材料的沉积率的20％至30％，例如可以为28％。在这种情况下，当将发射区EA的平坦部分P1的有机层140的厚度假定为100％时，沟槽T的锥形部分P3的有机层140的厚度可以为约28％。
参考图6，在比较实施例的沟槽的锥形部分中，有机材料的沉积速率由于陡峭的锥角而降低，使得有机层140被沉积薄的厚度。因此，电荷产生层144a和144b与第二电极132之间的间距可能在沟槽的锥形界面处被减小。这是因为有机材料通过精细金属掩模(FMM)形成，使得沿箭头方向形成电子隧穿，这可能导致提前导通(ETO)现象。
参照图4和图5C，根据本公开的第一示例性实施例，第一和第二电荷阻挡层150a和150b被插置于沟槽T的有机层140中。例如，第一电荷阻挡层150a可以被插置于电荷产生层144a和144b与第二电极132之间，并且第二电荷阻挡层150b可以被插置于电荷产生层144a和144b与第一电极131之间。在图5C中，已经示出了第一电荷阻挡层150a被插置于第二空穴传输层145与第二发光层146之间并且第二电荷阻挡层150b被插置于第一发光层142与第一电子传输层143之间的示例。然而，本公开不限于此。第一和第二电荷阻挡层150a和150b可以在沟槽T的倾斜界面处以预定距离朝向(向着)发射区EA延伸。因此，包括延伸的第一和第二电荷阻挡层150a和150b的有机层140的厚度大于其它部分中的有机层140的厚度，使得可以在有机发光二极管EL的表面上形成台阶。
ETO由于p型电荷产生层144b与第二电极132之间的减小的厚度而产生，因此第一电荷阻挡层150a可以被插置于沟槽T的有机层140中的p型电荷产生层144b与第二电极132之间。此时(在这种情况下)，第一电荷阻挡层150a在沟槽T的倾斜界面处被插置于第二电极132与电荷产生层144a和144b之间，以抑制上述电子隧穿。此外，为了不允许第一发光层142发光，第二电荷阻挡层150b可以被进一步插置于沟槽T的有机层140中的第一发光层142与p型电荷产生层144b之间。在这种情况下，电荷产生层144a和144b的电荷移动路径可以借助于第二电荷阻挡层150b的厚度被部分地切断。
作为另一示例，为了抑制电子的注入，在沉积第二电极132之前形成第一电荷阻挡层150a，并且为了不允许第一发光层142发光，可以在沉积第一发光层142之后进一步形成第二电荷阻挡层150b。
如上所述，第一和第二电荷阻挡层150a和150b被插置于沟槽T的有机层140中，以借助于第一和第二电荷阻挡层150a和150b的厚度部分地切断电荷产生层144a和144b的电荷移动路径。通过这种方式，可以阻止电子隧穿。
第一和第二电荷阻挡层150a和150b可以由抑制电荷产生层144a和144b与第二电极132之间的电子隧穿现象的高电阻非导电有机材料或具有低LUMO(最低未占分子轨道)值的导电有机材料构造。
高电阻非导电有机材料具有非导电特性，并且与其它沉积导电有机材料类似，可以包括玻璃化转变温度为110℃或更高的聚碳酸酯PC和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
具有低LUMO值的导电有机材料是具有-2.5eV或更低的LUMO值的材料，并且可以包括空穴注入层和发光层的功函数水平为5.6eV的材料，例如TCTA[4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯胺]、NPD[N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺]和TPD[N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺]。
随着沉积厚度增加，根据本公开的第一示例性实施例的第一和第二电荷阻挡层150a和150b的电阻增加，使得有利于抑制电子隧穿。此外，第一和第二电荷阻挡层150a和150b可以具有
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或更大的最小厚度，以切断电荷产生层144a和144b的横向泄漏电流的路径。
图8A示出了根据红色子像素中的电压的电流密度的示例，图8B示出了根据绿色子像素中的电压的电流密度的示例，并且图8C示出了根据蓝色子像素中的电压的电流密度的示例。
在图8A至图8C中，虚线图示出了其中未插置电荷阻挡层的比较实施例(作为示例)的结果，并且实线图示出了其中插置有电荷阻挡层的示例性实施例(作为示例)的结果。
参照图8A至图8C，可以理解，在其中电荷阻挡层被插置于沟槽的有机层中的示例性实施例中，J-V曲线向右侧移动并且驱动电压被增大，使得与比较实施例相比，ETO被抑制。
图9A示出了其中未插置电荷阻挡层的比较实施例的显示面板的可靠性结果，并且图9B示出了其中插置有电荷阻挡层的示例性实施例的显示面板的可靠性结果。
参考图9A和图9B，根据显示面板的UV可靠性结果，可以理解，在其中插置有电荷阻挡层的示例性实施例中，与比较实施例相比，在低灰度3-灰中，亮度被降低，以改善偏蓝色。
图10是根据本公开的第二示例性实施例的子像素的放大截面图。
除了第一电荷阻挡层250a位于第二电子传输层147与第二电极132之间以外，图10中所示的本公开的第二示例性实施例通过与本公开的第一示例性实施例基本相同的配置进行配设。因此，将省略关于相同配置的冗余描述。
图10是在沟槽的锥形部分中具有叠层结构的有机发光二极管的放大截面图。
参照图10，如上所述，具有叠层结构的有机层140可以包括被设置在第一电极131与第二电极132之间的电荷产生层144a和144b、第一叠层和第二叠层。第一叠层被设置在电荷产生层144a和144b与第一电极131之间，并且第二叠层被设置在第二电极132与电荷产生层144a和144b之间。电荷产生层144a和144b可以其中p型电荷产生层144b和n型电荷产生层144a被层叠的结构形成。
第一叠层和第二叠层中的每一个可以包括至少一个或更多发光层142和146并且包括位于每个发光层142和146的上方和下方的公共层，其中发光层142和146位于这些公共层之间。例如，特别是，第一叠层可以包括第一空穴传输层141、第一发光层142和第一电子传输层143。此外，第二叠层可以包括第二空穴传输层145、第二发光层146和第二电子传输层147。此外，第一叠层和第二叠层还可以包括第一和第二空穴注入层以及第一和第二电子注入层。
与此同时，根据本公开的第二示例性实施例，沟槽被形成于多个子像素之间，以增加电流路径，从而可以最小化在特别是具有多叠层结构的显示装置的驱动期间的泄漏电流。
此外，根据本公开的第二示例性实施例，电荷阻挡层250a和250b被插置于沟槽的有机层140中。特别是，根据本公开的第二示例性实施例，为了抑制电子的注入，可以在沉积第二电极132之前形成第一电荷阻挡层250a，并且为了不允许第一发光层142发光，可以在沉积第一发光层142之后形成第二电荷阻挡层250b。即，根据本公开的第二示例性实施例的第一电荷阻挡层250a可以位于第二电子传输层147与第二电极132之间。此外，第二电荷阻挡层250b可以位于第一发光层142与第一电子传输层143之间，但本公开不限于此。
与此同时，第一和第二电荷阻挡层250a和250b可以在沟槽的倾斜界面处以预定距离朝向发射区延伸。因此，包括延伸的第一和第二电荷阻挡层250a和250b的有机层140的厚度大于其它部分中的有机层140的厚度，使得可以在有机发光二极管的表面上形成台阶。
与此同时，根据本公开，可以仅设置第一电荷阻挡层，这一点将结合本公开的第三示例性实施例被更详细地描述。
图11是根据本公开的第三示例性实施例的子像素的放大截面图。
除了在电荷产生层144a和144b与第二电极132之间设置单一电荷阻挡层350以外，图11中所示的本公开的第三示例性实施例通过与本公开的第一示例性实施例基本相同的配置进行配设。因此，将省略关于相同配置的冗余描述。
图11是在沟槽的锥形部分中具有叠层结构的有机发光二极管的放大截面图。
参考图11，根据本公开的第三示例性实施例，沟槽被形成于多个子像素之间，以增加电流路径，从而可以最小化在特别是具有多叠层结构的显示装置的驱动期间的泄漏电流。
根据本公开的第三示例性实施例，单个电荷阻挡层350被插置于沟槽的有机层140中的电荷产生层144a和144b与第二电极132之间。特别是，根据本公开的第三示例性实施例的电荷阻挡层350可以位于空穴传输层145与第二发光层146之间，但本公开不限于此。作为另一示例，根据本公开的第三示例性实施例的电荷阻挡层350可以位于第二电子传输层147与第二电极132之间。
与此同时，电荷阻挡层350可以在沟槽的倾斜界面处以预定距离朝向发射区延伸。因此，包括延伸的电荷阻挡层350的有机层140的厚度大于其它部分中的有机层140的厚度，使得可以在有机发光二极管的表面上形成台阶。
与此同时，根据本公开，作为泄漏电流抑制结构，除了上述沟槽之外，还可以应用具有倒锥度的间隔件，这一点将结合本公开的第四示例性实施例被详细描述。
图12是根据本公开的第四示例性实施例的子像素的截面图。
图13是图12中的部分P4的放大截面图。
在图12中，包括一个任意晶体管120。即，在图12中，为了便于描述，仅示出了一个子像素的像素电路的多个晶体管和电容器中的一个晶体管120。然而，本公开不限于图12的下部结构。
图13是包括在具有倒锥度的间隔件460的下端处的倾斜界面的有机发光二极管EL的放大截面图。
参照图12和图13，根据本公开的第四示例性实施例的显示面板可以包括基板110、晶体管120、有机发光二极管EL、堤部114和封装单元(未示出)。
与此同时，根据本公开的第四示例性实施例，在多个子像素之间设置诸如具有倒锥度的间隔件(或分隔件)460的泄漏电流抑制结构。
具有倒锥度的间隔件460可以由非发射区NEA的堤部114上的预定有机材料形成。尽管在图12中，作为示例示出了具有单一倒锥度的单一间隔件460，本公开不限于此。可以在多个子像素之间设置具有倒锥度的多个间隔件460。
根据本公开的第四示例性实施例，由于具有倒锥度的间隔件460，沉积在具有倒锥度的间隔件460上的有机层440和第二电极132可以与沉积在发射区EA中的有机层440和第二电极132断开。通过这种方式，横向泄漏电流可以被阻止。
参照图12和图13，如上所述，具有叠层结构的有机层440可以包括被设置在第一电极131与第二电极132之间的电荷产生层444a和444b、第一叠层和第二叠层。第一叠层可以被设置在电荷产生层444a和444b与第一电极131之间，并且第二叠层可以被设置在第二电极132与电荷产生层444a和444b之间。电荷产生层444a和444b可以其中p型电荷产生层444b和n型电荷产生层444a被层叠的结构形成。
第一叠层和第二叠层中的每一个可以包括至少一个或更多发光层442和446并且包括位于每个发光层442和446的上方和下方的公共层，其中发光层442和446位于这些公共层之间。例如，特别是，第一叠层可以包括第一空穴传输层441、第一发光层442和第一电子传输层443。此外，第二叠层可以包括第二空穴传输层445、第二发光层446和第二电子传输层447。此外，第一和第二叠层还可以包括第一和第二空穴注入层以及第一和第二电子注入层。
与此同时，根据本公开的第四示例性实施例，具有倒锥度的间隔件460被形成于多个子像素之间，以使有机层440与相邻的子像素部分地断开。通过这种方式，在具有多叠层结构的显示装置被驱动时，泄漏电流被最小化。
根据本公开的第四示例性实施例，在具有倒锥度的间隔件460的下端处的有机层440被沉积在堤部114上，使得其侧表面是倾斜的，并且倾斜界面具有陡峭的倾角。此外，有机层440的沉积厚度比其它区域的沉积厚度相对薄，使得电荷产生层444a和444b与第二电极132之间的间距被显著减小。
因此，根据本公开的第四示例性实施例，第一和第二电荷阻挡层450a和450b被插置于具有倒锥度的间隔件460的下端处的有机层440的倾斜界面中。即，例如，第一电荷阻挡层450a可以被插置于电荷产生层444a和444b与第二电极132之间，并且第二电荷阻挡层450b可以被插置于电荷产生层444a和444b与第一电极131之间。在图13中，已经示出了一种示例，其中，第一电荷阻挡层450a被插置于第二空穴传输层445与第二发光层446之间，并且第二电荷阻挡层450b被插置于第一发光层442与第一电子传输层443之间。然而，本公开不限于此。与此同时，第一和第二电荷阻挡层450a和450b可以在倾斜界面处以预定距离朝向发射区EA延伸。因此，包括延伸的第一和第二电荷阻挡层450a和450b的有机层440的厚度大于其它部分中的有机层440的厚度，使得可以在有机发光二极管EL的表面上形成台阶。
图14是根据本公开的第五示例性实施例的子像素的截面图。
除了设置有多个沟槽T以外，图14中所示的本公开的第五示例性实施例通过与本公开的第一示例性实施例基本相同的配置进行配设。因此，将省略关于相同配置的冗余描述。
参照图14，根据本公开的第五示例性实施例，在多个子像素之间形成多个沟槽T，以进一步增加电流路径，从而可以进一步最小化在特别是具有多叠层结构的显示装置的驱动期间的泄漏电流。
此外，根据本公开的第五示例性实施例，电荷阻挡层被插置于沟槽T中的有机层540中。例如，根据本公开的第五示例性实施例的第一电荷阻挡层可以位于第二电子传输层与第二电极之间，并且第二电荷阻挡层可以位于第一发光层与第一电子传输层之间，但本公开不限于此。与此同时，第一和第二电荷阻挡层可以在倾斜界面处以预定距离朝向发射区EA或相邻沟槽T延伸。因此，包括延伸的第一和第二电荷阻挡层的有机层540的厚度大于其它部分中的有机层540的厚度，使得可以在有机发光二极管EL的表面上形成台阶。
与此同时，考虑到构造像素电路的多个晶体管的功能，有源层可以由不同的材料构造，这一点将结合本公开的第六示例性实施例进行详细描述。
图15是根据本公开的第六示例性实施例的子像素的截面图。
除了第一和第二晶体管620a和620b以外，图15中所示的本公开的第六示例性实施例具有与本公开的第一示例性实施例的显示装置基本相同的配置。因此，将省略关于相同配置的冗余描述。
图15作为示例示出了下部结构，但不限于此。
此外，为了便于描述，在图15中，仅示出了子像素的像素电路的多个晶体管中的任意第一和第二晶体管620a和620b。
参照图15，根据本公开的第六示例性实施例的显示装置可以包括第一和第二基板610a和610b、第一和第二晶体管620a和620b、平坦化层113、有机发光二极管EL、堤部114和封装单元(未示出)。
即，根据本公开的第六示例性实施例的显示装置可以包括第一基板610a和第二基板610b，并且还包括在第一基板610a与第二基板610b之间的缓冲层611b。
第一基板610a和第二基板610b是用于支撑显示装置的其它部件的支撑构件并且可以由绝缘材料构造。例如，第一基板610a和第二基板610b可以被配置成包括诸如聚合物或聚酰亚胺PI的塑料，或者可以由具有柔性的材料形成。此外，缓冲层611b可以由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx构造，但不限于此。
另一缓冲层611a可以被设置在第一基板610a上。
所述另一缓冲层611a可以减少通过第一基板610a的湿气或杂质的渗透。所述另一缓冲层611a可以例如由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx构造，但不限于此。
尽管未示出，又一缓冲层可以被进一步设置在所述另一缓冲层611a上。
所述又一缓冲层可以抑制在第一晶体管620a的结晶工艺期间产生的离子或杂质的渗透。
第一和第二晶体管620a和620b可以被设置在所述另一缓冲层611a上。
第一晶体管620a可以包括第一有源层622a、第一栅电极621a、第一源电极623a和第一漏电极624a。
第二晶体管620b可以包括第二有源层622b、第二栅电极621b、第二源电极623b和第二漏电极624b。
第一有源层622a可以被设置在另一缓冲层611a上。
例如，第一有源层622a可以由低温多晶硅LTPS形成。所述多晶硅具有高迁移率，使得能耗低且可靠性高。因此，所述多晶硅可应用于驱动晶体管等。
栅绝缘层612可以被设置在第一有源层622a上。
第一栅电极621a可以被设置在栅绝缘层612上。
第一存储电极ST1和遮光层625b可以设置在栅绝缘层612上。
遮光层625b被设置成与第二晶体管620b的第二有源层622b重叠，以保护第二晶体管620b使其免受从外部引入的光或从外部引入的湿气的影响，以最小化第二晶体管620b的器件特性的变化。尽管在图15中示出遮光层625b是浮置的，遮光层625b可以被电连接到其它配置(例如，多条布线)，但不限于此。
层间绝缘层613可以设置在第一栅电极621a、第一存储电极ST1和遮光层625b上。
第二存储电极ST2可以设置在层间绝缘层613上，以与第一存储电极ST1部分地重叠。
第一和第二钝化层614a和614b可以设置在第二存储电极ST2上。在第一和第二钝化层614a和614b中，可以形成接触孔，第一源电极623a和第一漏电极624a分别通过所述接触孔被连接到第一有源层622a。此外，在第二钝化层614b中，可以形成接触孔，第二源电极623b和第二漏电极624b分别通过所述接触孔被连接到第二有源层622b。
第二有源层622b可以设置在第一钝化层614a上。
第二有源层622b可以由氧化物半导体材料形成。氧化物半导体材料的带隙大于硅的带隙，使得电子在截止状态下无法跨越该带隙。因此，氧化物半导体材料具有低截止电流。因此，由氧化物半导体材料形成的晶体管可以被应用于具有短导通时间并保持长截止时间的开关晶体管。
栅绝缘层可以设置在第二有源层622b上，并且第二栅电极621b可以被设置在栅绝缘层上。
栅绝缘层可以按照与第二栅电极621b相同的方式被图案化。
第一源电极623a和第一漏电极624a可以被设置在第二钝化层614b上。设置为彼此间隔开的第一源电极623a和第一漏电极624a可以被电连接到第一有源层622a。此外，第二源电极623b和第二漏电极624b可以被设置在第二钝化层614b上。设置为彼此间隔开的第二源电极623b和第二漏电极624b可以被电连接到第二有源层622b。
平坦化层113可以被设置在第二钝化层614b上。
在图15中，第一晶体管620a的第一有源层622a由低温多晶硅构造，第二晶体管620b的第二有源层622b由氧化物半导体材料构造。然而，第一有源层622a可以由氧化物半导体材料构造，或者第二有源层622b可以由低温多晶硅构造，但不限于此。
在根据本公开的第六示例性实施例的显示装置中，像素电路的多个晶体管620a和620b以不同的类型构造，以提高像素电路的性能。像素电路可以包括多个晶体管620a和620b以及电容器，并且所述多个晶体管620a和620b可以由不同类型的晶体管构造。例如，所述多个晶体管620a和620b中的第一晶体管620a具有由低温多晶硅构造的第一有源层622a，并且第二晶体管620b具有由氧化物半导体材料构造的第二有源层622b。包括低温多晶硅的第一晶体管620a具有高迁移率和低功耗，使得该晶体管可以被用作驱动晶体管。包括氧化物半导体材料的第二晶体管620b具有短的导通时间并保持长的截止时间，使得该晶体管可以被用作开关晶体管。因此，在根据本公开的第六示例性实施例的显示装置中，考虑到构造像素电路的多个晶体管620a和620b的功能，第一和第二有源层622a和622b可以由不同的材料构造，并且可以改善像素电路的性能。
参照图15，根据本公开的第六示例性实施例，在多个子像素之间形成沟槽T，以增加电流路径，从而可以最小化在尤其是具有多叠层结构的显示装置的驱动期间的泄漏电流。
此外，根据本公开的第六示例性实施例，电荷阻挡层插置于沟槽T中的有机层640中。与此同时，电荷阻挡层可以在沟槽T的倾斜界面处以预定距离朝向发射区EA延伸。因此，包括延伸的电荷阻挡层的有机层640的厚度可以大于其它部分中的有机层640的厚度，使得可以在有机发光二极管的表面上形成台阶。
本公开的示例性实施例还可以被描述如下：
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在所述基板中可以被划分出发射区和非发射区并且可以被限定出多个子像素；设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；堤部，其可以被设置在所述基板上方的绝缘层上并且通过开口暴露所述第一电极；沟槽，其可以通过去除在所述多个子像素之间的所述堤部的部分区域以暴露所述绝缘层而形成；有机层，其设置于其上可设有所述堤部的所述基板的上方；电荷阻挡层，其插置于在所述沟槽中的所述有机层中；以及设置在所述有机层上的第二电极。
所述沟槽可以暴露所述堤部的侧表面。
所述有机层可以与所述堤部的暴露的侧表面和所述绝缘层的暴露的上表面接触。
可以在所述多个子像素之间设置多个沟槽。
所述沟槽的侧表面可以具有比所述开口的侧表面更陡的锥度，并且所述沟槽中的有机层可以比所述开口中的有机层更薄。
所述电荷阻挡层可以在所述沟槽的倾斜界面处以预定距离朝向所述发射区延伸，并且包括延伸的电荷阻挡层的有机层可以比其它部分中的有机层更厚。
所述多个子像素可以包括发射第一颜色的光的第一子像素、可以发射第二颜色的光的第二子像素和可以发射第三颜色的光的第三子像素。
多个第三子像素可以设置在同一列中，多个第一子像素与多个第二子像素可以交替地设置在同一列中，所述第一子像素和所述第二子像素可以设置于所述第三子像素的左侧和右侧。
在水平方向上，所述多个第三子像素与所述多个第一和第二子像素可以交替地设置，并且在垂直方向上，所述多个第三子像素可以重复地设置或者所述多个第一子像素与所述多个第二子像素可以交替地设置。
所述沟槽可以垂直地设置在所述多个第三子像素与所述多个第一和第二子像素之间，并且可以水平地设置在所述多个第一子像素与所述多个第二子像素之间。
所述多个沟槽中的一些沟槽可以被配置成单一沟槽，所述多个沟槽中的其它沟槽可以被配置成双沟槽。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在所述基板中可以被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；堤部，其可以被设置在所述基板上方的绝缘层上并且可以通过开口暴露所述第一电极；间隔件，其可以被设置于在所述多个子像素之间的所述堤部上并且可以具有倒锥度；有机层，其设置于其上可设有所述堤部和所述间隔件的所述基板的上方；电荷阻挡层，其插置于在所述间隔件的下端处的所述有机层中；以及设置在所述有机层上的第二电极。
所述间隔件的下端处的有机层可以具有位于所述堤部上的倾斜侧表面。
所述间隔件的下端处的有机层的倾斜侧表面可以具有比所述开口的侧表面的倾角更陡的倾角，并且所述间隔件的下端处的有机层可以比所述开口中的有机层更薄。
所述有机层可以包括设置于第一电极与第二电极之间的电荷产生层、设置于电荷产生层与第一电极之间的第一叠层、以及设置于第二电极与电荷产生层之间的第二叠层。
所述电荷阻挡层可以包括设置于电荷产生层与第二电极之间的第一电荷阻挡层以及设置于电荷产生层与第一电极之间的第二电荷阻挡层。
所述电荷阻挡层可以包括设置于第二叠层的第二空穴传输层和第二发光层之间的第一电荷阻挡层以及设置于第一叠层的第一发光层和第一电子传输层之间的第二电荷阻挡层。
所述电荷阻挡层可以包括设置于第二叠层的第二电子传输层与所述第二电极之间的第一电荷阻挡层以及设置于第一叠层的第一发光层和第一电子传输层之间的第二电荷阻挡层。
所述电荷阻挡层可以包括聚碳酸酯PC和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
所述电荷阻挡层可以包括诸如TCTA[4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯胺]、NPD[N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺]和TPD[N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺]的、具有-2.5eV或更低的LUMO值的材料。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术构思的情况下以多种不同的形式具体体现或实施。因此，本公开的示例性实施例仅出于说明的目的被提供，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面均是说明性的且并不限制本公开。本公开的保护范围应被基于所附权利要求加以解释，并且其等效范围中的所有技术概念均应被解释为落入本公开的范围之内。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
基板，在所述基板中被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；
设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；
堤部，其设置在所述基板上方的绝缘层上并通过开口暴露所述第一电极；
沟槽，其通过去除在所述多个子像素之间的所述堤部的部分区域以暴露所述绝缘层而形成；
有机层，其设置于其上设有所述堤部的所述基板的上方；
电荷阻挡层，其插置于在所述沟槽中的所述有机层中；以及
设置在所述有机层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽暴露所述堤部的侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机层与所述堤部的暴露的侧表面和所述绝缘层的暴露的上表面接触。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，多个沟槽设置于所述多个子像素之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的侧表面具有比所述开口的侧表面更陡的锥度，并且所述沟槽中的有机层比所述开口中的有机层更薄。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层在所述沟槽的倾斜界面处以预定距离朝向所述发射区延伸，并且包括延伸的电荷阻挡层的有机层比其它部分中的有机层更厚。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素包括：
第一子像素，所述第一子像素发出第一颜色的光；
第二子像素，所述第二子像素发出第二颜色的光；以及
第三子像素，所述第三子像素发出第三颜色的光。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，多个第三子像素被设置于同一列中，多个第一子像素与多个第二子像素被交替地设置于同一列中，并且所述第一子像素和所述第二子像素被设置于所述第三子像素的左侧和右侧。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在水平方向上，多个第三子像素与多个第一和第二子像素被交替地设置，并且在垂直方向上，多个第三子像素被重复地设置或者多个第一子像素与多个第二子像素被交替地设置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述沟槽被垂直地设置于所述多个第三子像素与所述多个第一和第二子像素之间，并且被水平地设置于所述多个第一子像素与所述多个第二子像素之间。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，多个沟槽中的一些沟槽被配置成单一沟槽，所述多个沟槽中的其它沟槽被配置成双沟槽。
12.一种显示装置，包括：
基板，在所述基板中被划分出发射区和非发射区并且被限定出多个子像素；
设置于所述多个子像素中的每一个中的第一电极；
堤部，其设置在所述基板上方的绝缘层上并通过开口暴露所述第一电极；
间隔件，其设置于在所述多个子像素之间的所述堤部上并具有倒锥度；
有机层，其设置于其上设有所述堤部和所述间隔件的所述基板的上方；
电荷阻挡层，其插置于在所述间隔件的下端处的所述有机层中；以及
设置在所述有机层上的第二电极。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述间隔件的下端处的有机层具有位于所述堤部上方的倾斜侧表面。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述间隔件的下端处的有机层的倾斜侧表面具有比所述开口的侧表面的倾角更陡的倾角，并且所述间隔件的下端处的有机层比所述开口中的有机层更薄。
15.根据权利要求1和12中的任一项所述的显示装置，其中，所述有机层包括：
设置于所述第一电极与所述第二电极之间的电荷产生层；
设置于所述电荷产生层与所述第一电极之间的第一叠层；以及
设置于所述第二电极与所述电荷产生层之间的第二叠层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层包括：
设置于所述电荷产生层与所述第二电极之间的第一电荷阻挡层；以及
设置于所述电荷产生层与所述第一电极之间的第二电荷阻挡层。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层包括：
设置于所述第二叠层的第二空穴传输层和第二发光层之间的第一电荷阻挡层；以及
设置于所述第一叠层的第一发光层和第一电子传输层之间的第二电荷阻挡层。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层包括：
设置于所述第二叠层的第二电子传输层与所述第二电极之间的第一电荷阻挡层；以及
设置于所述第一叠层的第一发光层和第一电子传输层之间的第二电荷阻挡层。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层包括聚碳酸酯PC和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电荷阻挡层包括具有-2.5eV或更低的LUMO值的材料。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述材料为TCTA[4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯胺]、NPD[N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺]或TPD[N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺]。
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