CN115298794A - 带电粒子束装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够在短时间内高效地求出装置的最佳参数的带电粒子束装置。本发明的带电粒子束装置具备:电子枪(1),其向试样(10)照射电子束(2);图像处理部(901),其根据因电子束(2)从试样(10)产生的信号(12)得到试样(10)的图像;数据库(604),其针对作为光学条件的第一参数、作为与装置性能相关的值的第二参数以及作为关于装置结构的信息的第三参数,保持相互的对应而存储多个解析值和测定值;以及学习器(605),其从数据库(604)中搜索并求出满足第二参数的目标值的第一参数。
Description
技术领域
本发明涉及向试样照射带电粒子束,检测包含从试样产生的二次电子的信号而得到图像的带电粒子束装置。
背景技术
作为对试样照射带电粒子束,检测从试样二次产生的信号(二次电子)而得到图像的带电粒子束装置,有扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope,以下称为“SEM”)。特别是在使用了SEM的半导体晶圆检查装置中,为了观察面积大的半导体晶圆的表面,要求在维持高生产量的同时取得高分辨率的SEM图像。另外,半导体晶圆的微细化逐年发展,对于SEM的测量再现性的提高、装置间的测量误差的降低等的要求提高。以下,将降低装置间的测量误差以在装置间得到相同的测定结果称为“匹配”。
为了得到高分辨率的SEM图像,需要正确地设定向晶圆照射电子束时的装置的光学条件。光学条件例如是电子束的加速电压、电子束的开角、电子束的电流值以及各电极的电压。为了匹配,不仅需要使光学条件相同,还需要使从SEM图像得到的信息、电子束的状态在装置间相同。从SEM图像得到的信息例如是晶圆的线轮廓和测长值。从SEM图像得到的信息根据晶圆的形状、装置的光学条件和构成条件等而不同。装置的构成条件例如是透镜的形状、透镜的高度方向的位置、透镜的横向的位置、透镜的倾斜角、以及透镜的扁平率。
在进行匹配时,需要考虑装置的光学条件、构成条件,并且以使装置间的测量误差成为预先决定的阈值以下的方式再次调整光学条件。在光学条件的调整作业中,对于匹配对象的各个装置,作业者需要知道装置的结构、各调整项目间的相互作用,根据作业者的见解,调整项目的选定不同。而且,由于同时处理多个光学条件,因此匹配作业花费较长时间。因此,要求能够在短时间内进行匹配作业的装置。
现有的带电粒子束装置的例子记载于专利文献1、2。
在专利文献1中公开了能够高精度地进行条件设定的带电粒子束装置。专利文献1的带电粒子束装置将通过轨道计算取得的计算上的光学条件与对得到的SEM图像进行图像调整而取得的光学条件进行比较,如果一致则存储该光学条件。
在专利文献2中,公开了降低装置间的测量尺寸差(机械差异)的带电粒子束装置,作为用于减少机械差异的校正中使用的晶圆,记载了使用排列有多个金字塔形状(四棱锥)的多面体构造物的样品。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-32202号公报
专利文献2:日本特开2007-187538号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1所记载的带电粒子束装置中,逐一变更装置的光学条件、构成条件等参数来进行比较,直到通过解析取得的光学条件与通过测定取得的光学条件一致为止。但是,由于参数的组合数量庞大,因此在这样的现有技术中,存在搜索一致的光学条件需要较长时间的课题。
本发明的目的在于提供一种能够在短时间内高效地求出装置的最佳参数的带电粒子束装置。
用于解决课题的手段
本发明的带电粒子束装置具备:电子枪,其向试样照射电子束;图像处理部,其根据因所述电子束从所述试样产生的信号来得到所述试样的图像;数据库,其针对作为光学条件的第一参数、作为与装置性能相关的值的第二参数、以及作为关于装置结构的信息的第三参数,保持相互的对应而存储多个解析值和测定值;以及学习器,其从所述数据库中搜索并求出满足所述第二参数的目标值的所述第一参数。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够在短时间内高效地求出装置的最佳参数的带电粒子束装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1的带电粒子束装置的结构的图。
图2A是表示实施例1中的工序1的处理的图。
图2B是表示实施例1中的工序2的处理的图。
图3是表示实施例1的工序1中的输入到数据库的项目和从数据库输出的项目的例子的图。
图4是表示实施例1中的数据库的结构的一例的图。
图5是表示实施例2中的使照射到试样上的电子束的入射角相同的步骤的图。
图6是表示实施例2中的输入到数据库的项目和从数据库输出的项目的例子的图。
图7是表示实施例2中的数据库的结构的一例的图。
图8是表示实施例3中的在多个带电粒子束装置的外部设置数据库的结构的系统的概要的图。
图9是表示实施例4中的成为匹配的基准的线轮廓的例子和设为匹配的对象的线轮廓的例子的图。
具体实施方式
本发明的带电粒子束装置具备针对与装置相关的参数存储解析值和测定值的数据库,使用该数据库求出最佳的参数。在数据库中,针对尽可能多的条件下的多个项目的参数,尽可能宽的范围的解析值和测定值保持参数间的相互的对应而进行存储。即,在数据库中,将任意一个参数的值与得到该值时的其他参数的值对应起来进行存储。在进行匹配时,通过从数据库中搜索满足参数的目标值的光学条件,能够在短时间内高效地求出装置的最佳参数。
以下,参照附图对本发明的实施例的带电粒子束装置进行说明。以下,作为带电粒子束装置的例子,对扫描型电子显微镜(SEM)进行说明。此外,在本说明书中使用的附图中,对相同或对应的构成要素标注相同的附图标记,对于这些构成要素有时省略重复的说明。
在本说明书中,将与带电粒子束装置相关的参数分为光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)、以及关于装置结构的信息(第三参数)这3种进行说明。光学条件(第一参数)包括电子束的加速电压和减速电压、电子束的开角、电子束的电流值、各电极的电压、透镜的电流值和电压值、偏转器的电流值和电压值、照射电压(电子束向试样的入射电压)以及探头电流。与装置性能相关的值(第二参数)是表示装置性能的项目的值,包括像差量、线轮廓、光束直径、角倍率、旋转角、偏转灵敏度、偏转量、检测率以及电子束的入射角。关于装置结构的信息(第三参数)是表示关于装置的构成要素的物理配置的信息的项目,包括透镜的形状、透镜的高度方向的位置、透镜的横向的位置、透镜的倾斜角、透镜的轴偏移量、透镜的扁平率、试样的高度方向的位置(工作距离)。
实施例1
图1是表示本发明的实施例1的带电粒子束装置的结构的图。本实施例的带电粒子束装置具备电子枪1、第一聚光透镜3、消隐器6、法拉第杯7、第二聚光透镜8、物镜9、偏转器11、二次电子检测器13、控制电极14以及高度传感器15。本实施例的带电粒子束装置还具备以下的构成要素701-710。
电子枪1由电子枪控制部701控制,通过施加于电子源101与引出电极102之间的引出电压和施加于电子源101的热能,放射作为带电粒子束的电子束2。电子束2通过施加于加速电极103的加速电压Vo被加速,从电子枪1向试样10进行照射。
第一聚光透镜3由透镜控制部702控制。电子束2通过第一聚光透镜3而聚光,通过光圈4被缩小而成为电子探头5。
消隐器6由消隐器控制部703控制,根据需要使电子探头5偏转。
法拉第杯7检测向试样10照射的探头电流Ip。探头电流Ip由电流测定部704测定。
第二聚光透镜8由透镜控制部705控制。物镜9由透镜控制部707控制。电子探头5通过第二聚光透镜8进一步聚光,通过物镜9在试样10上聚焦。此时,电子探头5通过施加于试样10的减速电压Vr而减速。减速电压Vr由高压控制部709控制。
偏转器11由偏转控制部706控制。电子探头5通过偏转器11在试样10上进行扫描。
二次电子检测器13检测通过电子探头5的照射而从试样10产生的信号即二次电子12。从试样10产生的信号中包含反射电子。
控制电极14配置在物镜9的附近,由电极控制部710控制,通过所施加的控制电压来控制二次电子12的轨道。控制电极14根据需要被施加比对试样10施加的电压高的电压,使由二次电子检测器13检测出的二次电子12的量增加,或者被施加比对试样10施加的电压低的电压,使二次电子12返回到试样10,从而控制试样10的带电量。
高度传感器15由高度传感器控制部708控制,测定试样10的高度方向的位置(工作距离)。
本实施例的带电粒子束装置还具备中央控制部801、手动操作部900、操作画面部903、结果显示部902以及图像处理部901。
中央控制部801与构成要素701-710和构成要素900-903连接,控制带电粒子束装置。
手动操作部900是用于供作业者经由中央控制部801来操作带电粒子束装置的输入部。
操作画面部903显示作业者为了操作带电粒子束装置所需的信息。例如,操作画面部903显示光学条件的列表。
结果显示部902显示光学条件、线轮廓等本实施例的带电粒子束装置求出的信息。
图像处理部901根据通过电子束2的照射而从试样10产生的信号,得到试样10的图像。另外,图像处理部901对带电粒子束装置取得的图像进行图像处理,计算电子束2向试样10的入射角,或者取得线轮廓等试样10的信息。
本实施例的带电粒子束装置还具备自诊断系统501。自诊断系统501具备输入部601、数据库604、学习器605、输出部606以及存储部607。
输入部601输入学习器605所需的信息。例如,输入部601输入与光学条件(第一参数)相关的值、与装置性能相关的值(第二参数)、关于装置结构的信息(第三参数)、与装置性能相关的值(第二参数)的目标值(期望的值)。
数据库604针对光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)以及关于装置结构的信息(第三参数),存储作为学习器605的解析结果的推定值(解析值)和带电粒子束装置的测量结果(测定值)。数据库604针对这些参数的多个项目分别存储多个值。这些参数的多个值保持相互的对应而进行存储。
学习器605使用存储在数据库604中的数据进行解析,搜索最佳的光学条件的值,或者推定装置的特征(关于装置结构的信息(第三参数))。学习器605能够使用预先设想的关于装置结构的信息(第三参数)和各种光学条件(第一参数)进行解析,求出与装置性能相关的值(第二参数)。
输出部606将学习器605搜索到的光学条件(第一参数)和关于装置结构的信息(第三参数)输出到中央控制部801和结果显示部902。
存储部607主要存储学习器605推定或搜索而求出的光学条件(第一参数)、关于装置结构的信息(第三参数)等信息。
数据库604和学习器605可以由设置于装置的内部的计算机装置构成,也可以由设置于装置的外部并通过电缆、网络与装置连接的计算机装置构成。另外,也可以将数据库604和学习器605设置在云上。
作业者从显示于操作画面部903的光学条件的列表中选择用于检查的光学条件,操作手动操作部900将这些值输入到中央控制部801,由此确定带电粒子束装置的控制值。带电粒子束装置的控制值是指用于控制物镜9等装置的构成要素的参数的值,例如包含加速电压Vo、减速电压Vr、探头电流Ip等光学条件。若控制值确定,则带电粒子束装置能够拍摄试样10而得到试样10的图像。操作画面部903显示存储在数据库604中的光学条件等控制值。
在以上那样的带电粒子束装置中,由于作业者配合晶圆的种类、图案形成工序来选择最佳的光学条件,因此需要将较多的光学条件预先存储于数据库604中。但是,为了求出包含匹配在内的最佳的光学条件,以关于装置结构的信息(第三参数)和装置的控制值为代表,需要考虑装置结构和控制值的变化对装置造成的影响来进行研究,在这些研究中,参数的组合数量庞大,因此花费较长的时间。
因此,本实施例的带电粒子束装置考虑装置的特征,为了求出包含匹配的最佳的光学条件而具备自诊断系统501。本实施例的带电粒子束装置通过使用数据库604、学习器605、带电粒子束装置测定出的结果,能够搜索包含匹配在内的最佳的光学条件。
接着,说明在本实施例的带电粒子束装置中,求出考虑了装置的特征的最佳光学条件的方法。本实施例的带电粒子束装置通过实施以下的2个工序,搜索考虑了装置的特征的最佳的光学条件。
工序1是制造时和组装时产生的各装置的特征(关于装置结构的信息(第三参数))的推定。带电粒子束装置在制造时和组装时在装置间结构产生差异,关于装置结构的信息(第三参数)在装置间不同。在工序1中,推定作为各装置的特征的关于装置结构的信息(第三参数)。
在工序2中,基于在工序1中推定出的关于装置结构的信息(第三参数),使用数据库604搜索满足作为目标的与装置性能相关的值(第二参数)的光学条件(第一参数)。
在数据库604中存储有与装置相关的尽可能多的条件下的光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)、以及关于装置结构的信息(第三参数)的解析结果和实验结果(测量结果)。在数据库604中,针对这些参数的多个项目的每一个,尽可能宽的范围的值的解析结果和实验结果(测定结果)保持相互的对应并进行存储。
首先,对工序1进行说明。在工序1中,推定多个项目的关于装置结构的信息(第三参数)。
图2A是表示工序1的处理的图。对带电粒子束装置的每个构成部件实施工序1。作为带电粒子束装置的构成部件的一例,图2A主要示出了关于物镜9的处理。
在S11中,带电粒子束装置在设定于装置中的条件下,通过透镜控制部707取得作用于物镜9的电流值和电压值(光学条件(第一参数)),通过高度传感器15取得试样10的高度方向的位置(工作距离)(关于装置结构的信息(第三参数))。
在S12中,将在S11中取得的作用于物镜9的电流值和电压值以及试样10的高度方向的位置输入到数据库604。在数据库604中预先存储有设想的与各装置的性能相关的值(第二参数)和关于结构的信息(第三参数)、以及在各种光学条件(第一参数)下进行的解析结果。
图3是表示在工序1中输入到数据库604的项目和从数据库604输出(搜索)的项目的例子的图。
图4是表示数据库604的结构的一例的图。在数据库604中,相互对应的光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)、以及关于装置结构的信息(第三参数)的值对应起来存储。
返回到图2A继续说明工序1的处理。
在S13中,学习器605从数据库604中搜索求出自动聚焦于在S11中取得的试样10的高度方向的位置时的物镜9的电流值和电压值(光学条件(第一参数))与在S11中取得的电流值和电压值相等时的物镜9的高度方向的位置(关于装置结构的信息(第三参数))。即,学习器605使用光学条件(第一参数)从数据库604中搜索作为关于装置结构的信息(第三参数)的物镜9的高度方向的位置来进行推定。
在S14中,透镜控制部707任意地变更作用于物镜9的电流值和电压值(光学条件(第一参数))。
在S15中,装置在变更了物镜9的电流值和电压值后,测定并取得像差量、光束直径、角倍率、旋转角以及偏转灵敏度等与装置性能相关的值(第二参数)。
在S16中,将在S14中变更后的物镜9的电流值和电压值(光学条件(第一参数))、以及在S15中测定出的与装置性能相关的值(第二参数)输入到数据库604。
在S17中,学习器605从数据库604中搜索并求出与在S16中输入的光学条件(第一参数)对应的关于装置结构的信息(第三参数)。在S17中,学习器605使用光学条件(第一参数)从数据库604中搜索物镜9的倾斜角、轴偏移量、扁平率等关于装置结构的信息(第三参数)来进行推定。
在S18中,学习器605将针对物镜9推定出的关于装置结构的信息(第三参数)存储于存储部607中。
学习器605针对第一聚光透镜3、第二聚光透镜8以及偏转器11等带电粒子束装置的构成部件,也按照与物镜9的步骤相同的步骤,推定关于装置结构的信息(第三参数),并存储到存储部607中。即,对于物镜9以外的构成部件,作用的控制值(例如,电流值和电压值等光学条件(第一参数))也被变更,变更后的控制值和测定出的与装置性能相关的值(第二参数)被输入到数据库604。学习器605针对带电粒子束装置的各构成部件,推定关于装置结构的信息(第三参数),并将推定出的关于装置结构的信息(第三参数)存储于存储部607中。
接着,对工序2进行说明。在工序2中,使用在工序1中推定并存储在存储部607中的关于装置结构的信息(第三参数),搜索多个项目的最佳的光学条件(第一参数)。
图2B是表示工序2的处理的图。
在S21中,输入部601取得存储在存储部607中的多个项目的关于装置结构的信息(第三参数)。而且,输入部601取得作业者操作手动操作部900而输入的、多个项目的与装置性能相关的值(第二参数)的目标值(期望的值)。与装置性能相关的值(第二参数)的目标值也可以使用成为匹配的基准的装置中的值。
在S22中,输入部601将在S21中取得的关于装置结构的信息(第三参数)和与装置性能相关的值(第二参数)的目标值输入到数据库604。
在S23中,学习器605从数据库604中搜索并求出满足输入部601在S21中取得的与装置性能相关的值(第二参数)的目标值的多个项目的光学条件(第一参数)。学习器605在输入部601在S21中取得的关于装置结构的信息(第三参数)的条件下,从数据库604中搜索提供输入部601取得的与装置性能相关的值(第二参数)的目标值的光学条件(第一参数)、或者提供与该装置性能相关的值(第二参数)的目标值最接近的值的光学条件(第一参数)。
在S24中,输出部606将在S23中学习器605使用数据库604搜索到的光学条件(第一参数)输出到结果显示部902。
在S25中,装置将在S23中搜索到的光学条件(第一参数)设定为装置的光学条件,测定像差量、偏转量以及检测率等与装置性能相关的值(第二参数)。
在S26中,学习器605判定测定出的与装置性能相关的值(第二参数)是否满足目标值。在测定出的与装置性能相关的值(第二参数)满足目标值的情况下进入S27,在不满足目标值的情况下进入S28。
在S27中,由于测定出的与装置性能相关的值(第二参数)满足目标值,因此学习器605将在S23中搜索出的光学条件(第一参数)作为新的光学条件存储于存储部607中。
在S28中,由于测定出的与装置性能相关的值(第二参数)不满足目标值,因此学习器605将该测定出的与装置性能相关的值(第二参数)和得到了与该装置性能相关的值(第二参数)时的光学条件(第一参数)相互对应起来存储于数据库604中。然后,返回到S23,学习器605再次从数据库604中搜索并求出满足输入部601在S21中取得的与装置性能相关的值(第二参数)的目标值的光学条件(第一参数)。学习器605反复进行搜索,直到测定出的与装置性能相关的值(第二参数)满足目标值为止。
在S28中,通过将与装置性能相关的值(第二参数)和光学条件(第一参数)存储在数据库604中,能够提高学习器605使用数据库604来搜索光学条件(第一参数)的精度,能够使学习器605进行学习。S28也可以不一定执行,但优选以学习器605能够高精度地搜索的方式执行。
在以往的带电粒子束装置中,将多个项目的参数(关于装置结构的信息(第三参数)、光学条件(第一参数))各改变1个,搜索满足与多个项目的装置性能相关的值(第二参数)的目标值的光学条件(第一参数)。
在本实施例的带电粒子束装置中,同时搜索数据库604中存储的多个项目的参数(关于装置结构的信息(第三参数)、光学条件(第一参数)),因此能够在短时间内高效地求出考虑了装置的特征的最佳的光学条件(第一参数)。
实施例2
在装置的匹配中,有时在同一装置中降低不同的光学条件下的测量误差。因此,即使在不同的光学条件下,也需要使电子束2的状态相同,且与装置性能相关的值(第二参数)相同。在实施例2中,作为其一例,说明使与装置性能相关的值(第二参数)中的照射到试样10上的电子束2的入射角相同的步骤。为了使电子束2的入射角相同,使用实施例1中说明的步骤和以下说明的步骤。
本实施例的带电粒子束装置的基本结构与图1所示的实施例1的带电粒子束装置的结构相同。偏转控制部706控制偏转器11,控制向试样10照射的电子束2的入射角。
图5是表示使照射到试样10上的电子束2的入射角相同的步骤的图。
图6是表示在本实施例中输入到数据库604的项目和从数据库604输出(搜索)的项目的例子的图。
图7是表示本实施例中的数据库604的结构的一例的图。在数据库604中,相互对应的光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)、以及关于装置结构的信息(第三参数)的值对应起来存储。
在S51中,作业者从显示于操作画面部903的光学条件的列表中选择成为匹配的基准的光学条件(以下,称为“基准光学条件”)。
在S52中,带电粒子束装置在成为匹配的对象的带电粒子束装置(以下,称为“匹配对象机”)中,测量并取得基准光学条件下的入射角、像差量以及检测率等与装置性能相关的值(第二参数)。此时,试样10能够使用任意的试样,但也可以使用专利文献2所记载的那样的排列有多个金字塔形状的多面体构造物的晶圆。
在S53中,作业者从显示于操作画面部903的光学条件的列表中选择成为匹配的对象的光学条件(第一参数)。
在S54中,将在S52中测量出的、基准光学条件下的与装置性能相关的值(第二参数)输入到数据库604。另外,将通过与实施例1所记载的工序1、2相同的方法求出的、关于匹配对象机的装置结构的信息(第三参数)和作为匹配对象的光学条件(在S53中选择的光学条件)的值输入到数据库604。
在S55中,学习器605从数据库604中搜索提供在S54中输入到数据库604的值的照射电压、偏转器11的电压值和电流值(光学条件)。
在S56中,带电粒子束装置将在S55中搜索到的照射电压、电压值以及电流值设定为光学条件,测量该光学条件下的入射角、像差量以及检测率等与装置性能相关的值(第二参数)。
在S57中,将在S56中测量出的与装置性能相关的值(第二参数)和在S52中测量出的基准光学条件下的与装置性能相关的值(第二参数)进行比较。在S56中测量出的值与基准光学条件下的值一致的情况下,进入S58,在不一致的情况下进入S59。
在S58中,由于在S56中测量出的与装置性能相关的值(第二参数)和基准光学条件下的与装置性能相关的值(第二参数)一致,因此学习器605将在S56中测量出的与装置性能相关的值设为作为匹配对象的光学条件下的与装置性能相关的值而存储于存储部607中。
在S59中,由于在S56中测量出的与装置性能相关的值(第二参数)和基准光学条件下的与装置性能相关的值(第二参数)不一致,所以学习器605将在S56中测量出的与装置性能相关的值存储在数据库604中。然后,返回到S55,学习器605再次进行搜索。学习器605反复进行搜索,直到在S56中测量出的值与基准光学条件下的值一致为止。
在以上的实施例中,说明了即使在不同的光学条件下也使电子束2的入射角相同的步骤。在本发明中,为了即使在不同的光学条件下也使电子束2的状态相同,能够通过与以上的说明相同的步骤搜索并求出其他参数。
实施例3
在本实施例中,对在多个带电粒子束装置中使用数据库604的结构进行说明。若在多个带电粒子束装置的外部设置数据库604,则能够在各装置中共享使用数据库604,能够容易地进行装置间的匹配。
图8是表示在多个带电粒子束装置的外部设置数据库604的结构的系统的概要的图。本实施例的带电粒子束装置的基本结构除了数据库604以外,与图1所示的实施例1的带电粒子束装置的结构相同。
在图8中,作为带电粒子束装置,示出了2台装置A(A1和A2)和1台装置B。装置A和装置B是彼此类型不同的带电粒子束装置。
数据库604具备标准数据库(DB)604A和多个各装置数据库(DB)604B这2种。标准数据库604A与所有的装置A1、装置A2以及装置B连接。各装置数据库604B设置有与带电粒子束装置对应的数量,与装置A1、装置A2以及装置B的每一个各自连接1个。
装置A1能够访问标准数据库604A和与装置A1连接的各装置数据库604B。装置A2能够访问标准数据库604A和与装置A2连接的各装置数据库604B。装置B能够访问标准数据库604A和与装置B连接的各装置数据库604B。
标准数据库604A存储各个带电粒子束装置的学习器605对各个带电粒子束装置进行的解析结果。例如,在标准数据库604A中,针对装置A1、装置A2以及装置B的每一个,将各个学习器605在各种光学条件(第一参数)下进行的、与装置性能相关的值(第二参数)的解析结果和光学条件一起保存。
各装置数据库604B存储所连接的带电粒子束装置中的测量结果。例如,在与装置A1连接的各装置数据库604B中,存储有关于装置A1的光学条件(第一参数)、与装置性能相关的值(第二参数)和关于装置结构的信息(第三参数)的测量结果。
在进行多个装置间的匹配时,匹配对象的带电粒子束装置在标准数据库604A与自身所连接的各装置数据库604B之间交换数据,取得必要的信息(例如,光学条件、与装置性能相关的值、关于装置结构的信息),按照在实施例1、实施例2中说明的步骤进行匹配。
如本实施例那样构成数据库604时,能够在多个装置中共享使用存储在标准数据库604A中的解析结果。因此,学习器605能够利用更多的数据进行学习,因此能够在短时间内高效地对多个装置进行匹配。
实施例4
在本实施例中,对使用了作为与装置性能相关的值(第二参数)的线轮廓的匹配的步骤进行说明。作为进行装置间的匹配的方法之一,有使用拍摄到的试样10的线轮廓来进行匹配的方法。线轮廓是从拍摄了试样10的图像得到的信息。以下,简单说明该匹配方法的步骤。本实施例的带电粒子束装置的基本结构与图1所示的实施例1的带电粒子束装置的结构相同。
图9是表示成为匹配的基准的线轮廓50的例子和成为匹配的对象的线轮廓51的例子的图。成为匹配的基准的线轮廓50是由成为匹配的基准的带电粒子束装置得到的试样10的线轮廓。成为匹配的对象的线轮廓51是由成为匹配的对象的带电粒子束装置得到的试样10的线轮廓。
在带电粒子束装置中,线轮廓的形状的差异是产生机械差异的原因之一。因此,需要搜索成为匹配的对象的线轮廓51的形状与成为匹配的基准的线轮廓50的形状一致的光学条件。
事先进行解析或实验,使电子束2的照射电压、加速电压、减速电压以及电流值等光学条件(第一参数)变化来拍摄试样10,取得试样10的线轮廓。数据库604存储所取得的线轮廓。另外,学习器605求出光学条件(第一参数)的值发生了变化时的线轮廓的变化,并将这些变化的关系也存储于数据库604中。
作业者操作手动操作部900而将得到成为匹配的基准的线轮廓50的光学条件(第一参数)和得到成为匹配的对象的线轮廓51的光学条件(第一参数)输入到装置。图像处理部901取得各个光学条件下的线轮廓。
在自诊断系统501中,将所取得的线轮廓、得到成为匹配的对象的线轮廓51时的光学条件(第一参数)和关于装置结构的信息(第三参数)输入到数据库604。学习器605从数据库604中搜索线轮廓51与成为匹配的基准的线轮廓50的形状一致的光学条件(第一参数)。结果显示部902显示搜索到的光学条件、在搜索到的光学条件下得到的线轮廓、线轮廓50。
作业者将结果显示部902所显示的光学条件(第一参数)输入到装置,再次拍摄试样10。图像处理部901取得该光学条件下的试样10的线轮廓。结果显示部902显示该线轮廓和线轮廓50。作业者将结果显示部902所显示的该线轮廓与线轮廓50进行比较。
在这些线轮廓彼此一致的情况下,学习器605将结果显示部902所显示的光学条件(第一参数)作为新的光学条件存储于存储部607中。
在这些线轮廓彼此不一致的情况下,将结果显示部902所显示的光学条件下的线轮廓存储在数据库604中。学习器605再次搜索线轮廓51与成为匹配的基准的线轮廓50的形状一致的光学条件(第一参数)。
在本实施例中,数据库604存储线轮廓(构成线轮廓的信息),使用从拍摄了试样10的图像得到的线轮廓,进行匹配。通过匹配,求出线轮廓彼此一致的光学条件(第一参数)。
此外,在本发明中,也能够使用线轮廓以外的、从拍摄了试样10的图像得到的信息来进行匹配。
此外,本发明并不限定于上述的实施例,能够进行各种变形。例如,上述的实施例是为了容易理解地说明本发明而详细地进行了说明的实施例,本发明并不限定于必须具备所说明的全部结构的方式。另外,能够将某实施例的结构的一部分置换为其他实施例的结构。另外,也可以在某实施例的结构中添加其他实施例的结构。另外,能够对各实施例的结构的一部分进行删除,或者追加、置换其他结构。
符号说明
1…电子枪、2…电子束、3…第一聚光透镜、4…光圈、5…电子探头、6…消隐器、7…法拉第杯、8…第二聚光透镜、9…物镜、10…试样、11…偏转器、12…二次电子、13…二次电子检测器、14…控制电极、15…高度传感器、50…成为匹配的基准的线轮廓、51…成为匹配的对象的线轮廓、101…电子源、102…引出电极、103…加速电极、501…自诊断系统、601…输入部、604…数据库、604A…标准数据库、604B…各装置数据库、605…学习器、606…输出部、607…存储部、701…电子枪控制部、702…透镜控制部、703…消隐器控制部、704…电流测定部、705…透镜控制部、706…偏转控制部、707…透镜控制部、708…高度传感器控制部、709…高压控制部、710…电极控制部、801…中央控制部、900…手动操作部、901…图像处理部、902…结果显示部、903…操作画面部、Ip…探头电流、Vo…加速电压、Vr…减速电压。
Claims (6)
1.一种带电粒子束装置,其特征在于,
所述带电粒子束装置具备:
电子枪,其向试样照射电子束;
图像处理部,其根据因所述电子束从所述试样产生的信号得到所述试样的图像;
数据库,其针对作为光学条件的第一参数、作为与装置性能相关的值的第二参数以及作为关于装置结构的信息的第三参数,保持相互的对应而存储多个解析值和测定值;以及
学习器,其从所述数据库中搜索并求出满足所述第二参数的目标值的所述第一参数。
2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其特征在于,
所述学习器进行如下处理:
使用所述第一参数,从所述数据库中搜索并求出所述第三参数;以及
在从所述数据库中搜索并求出的所述第三参数的条件下,从所述数据库中搜索并求出满足所述第二参数的目标值的所述第一参数。
3.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其特征在于,
在所述带电粒子束装置使用从所述数据库中搜索并求出的所述第一参数测定出的所述第二参数不满足所述目标值的情况下,所述学习器将该测定出的所述第二参数与该求出的所述第一参数相互对应起来存储于所述数据库中。
4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其特征在于,
所述数据库具备与多个所述带电粒子束装置连接的标准数据库,
所述标准数据库存储各个所述带电粒子束装置的所述学习器对各个所述带电粒子束装置进行的解析结果。
5.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其特征在于,
所述数据库设置于所述带电粒子束装置的外部。
6.根据权利要求1所述的带电粒子束装置,其特征在于,
所述带电粒子束装置具备显示存储于所述数据库的所述第一参数的操作画面部。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/014739 WO2021199235A1 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115298794A true CN115298794A (zh) | 2022-11-04 |
Family
ID=77928234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080098588.2A Pending CN115298794A (zh) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 带电粒子束装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230162943A1 (zh) |
JP (1) | JP7262914B2 (zh) |
KR (1) | KR20220139364A (zh) |
CN (1) | CN115298794A (zh) |
TW (1) | TWI771946B (zh) |
WO (1) | WO2021199235A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023242954A1 (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置および注目画像データを出力する方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2964591B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1999-10-18 | 株式会社島津製作所 | 電子線マイクロアナライザ用自動焦点検出装置 |
JP2003346695A (ja) | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線式パターン検査装置及び、電子線を用いた検査方法 |
KR20050121728A (ko) * | 2003-04-16 | 2005-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 결정 방법 및 시스템, 마스크의 제조 방법, 결상 성능조정 방법, 노광 방법 및 장치, 그리고 프로그램 및 정보기록 매체 |
JP4230968B2 (ja) | 2004-07-20 | 2009-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP4118847B2 (ja) | 2004-08-04 | 2008-07-16 | 有限責任中間法人 オンチップ・セロミクス・コンソーシアム | 細胞内の特定物質の採取のための生体試料チップおよび採取された細胞内の特定物質の測定方法 |
JP2007187538A (ja) | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及びそれを用いた画像取得方法 |
JP5204979B2 (ja) | 2006-02-17 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 撮像レシピの生成方法 |
CN102680507B (zh) * | 2006-02-17 | 2015-05-06 | 株式会社日立高新技术 | 扫描型电子显微镜装置以及使用它的摄影方法 |
JP2009099540A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の検査,測定方法、及び走査電子顕微鏡 |
JP4211862B1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-01-21 | トヨタ自動車株式会社 | 無段変速機の制御装置 |
JP2009269532A (ja) | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Toyota Motor Corp | 車両及びその制御方法 |
JP5758728B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-08-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2018106832A (ja) | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、及び制御方法 |
KR102132785B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2020-07-13 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 계산기, 처리의 제어 파라미터의 결정 방법, 대용 시료, 계측 시스템, 및 계측 방법 |
KR20200123480A (ko) * | 2018-03-20 | 2020-10-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 통합형 반도체 공정 모듈을 포함하는 자기 인식 및 보정 이종 플랫폼, 및 이를 사용하기 위한 방법 |
-
2020
- 2020-03-31 CN CN202080098588.2A patent/CN115298794A/zh active Pending
- 2020-03-31 JP JP2022512960A patent/JP7262914B2/ja active Active
- 2020-03-31 KR KR1020227031069A patent/KR20220139364A/ko unknown
- 2020-03-31 WO PCT/JP2020/014739 patent/WO2021199235A1/ja active Application Filing
- 2020-03-31 US US17/915,034 patent/US20230162943A1/en active Pending
-
2021
- 2021-03-10 TW TW110108505A patent/TWI771946B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2021199235A1 (zh) | 2021-10-07 |
KR20220139364A (ko) | 2022-10-14 |
WO2021199235A1 (ja) | 2021-10-07 |
TWI771946B (zh) | 2022-07-21 |
US20230162943A1 (en) | 2023-05-25 |
TW202139244A (zh) | 2021-10-16 |
JP7262914B2 (ja) | 2023-04-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |