CN115268228B - 套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件制造方法 - Google Patents

套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件制造方法。本发明提供一种套刻标记，其决定分别形成在两个以上的图案层或一个图案层上的两个以上的图案之间的相对交错，所述套刻标记包括配置于中心部的第一套刻标记、配置于第一套刻标记的上下或左右的第二套刻标记、隔着第一套刻标记配置于对角线上的第三套刻标记和第四套刻标记。

Description

套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种套刻标记、利用该套刻标记的套刻测量方法及半导体器件制造方法。
背景技术
在半导体基板上依次形成多个图案层。此外，也会通过双重图案化等将一个层的电路分成两个图案来形成。只有在这样的多个图案层或一个层的多个图案准确形成于预先设定的位置时，才能制造出期望的半导体器件。
因此，为了确认图案层是否准确对齐，使用与图案层同时形成的套刻标记。
利用套刻标记测量套刻的方法如下。首先，在前一工序，例如在蚀刻工序中形成的图案层上，形成图案层的同时，形成作为套刻标记的一部分的一个结构物。然后，在后续工序，例如光刻工序中，在光刻胶上形成套刻标记的其余结构物。然后，通过套刻测量装置获取在前一工序中形成的图案层的套刻结构物(透过光刻胶层来获取图像)和光刻胶层的套刻结构物的图像，并测量这些图像的中心之间的偏移值以测量套刻值。当套刻值超出容许范围时，去除光刻胶层，并进行再作业。
图1是以往的套刻标记的平面图。如图1所示，以往的套刻标记1具备4个工作区(working zone)组4、5、6、7。另外，每个工作区组4、5、6、7具备相互在对角线上配置的2个工作区。每个工作区组4、5、6、7用于在与相应工作区组一起形成的图案层的X轴或Y轴方向上的套刻测量。
每个工作区包括从套刻标记1的中心到套刻标记1的外廓以规定的间距配置的条。因此，可以利用套刻测量装置从属于工作区组4、5、6、7的两个工作区分别获取如图2所示的周期性的信号。图2的图表例如可以从在图1中选择的部分区域8获得。
在图2的图表中，峰出现在配置有条的部分。对于以往的套刻标记1，由于条是周期性地配置的，因而获得的信号也具有周期性。另外，通过从所选择的两个区域8、8'获得的两个周期性的信号的相关分析(correlation)来测量套刻。
如图2所示，由于从以往的套刻标记1获得的信号具有周期性，当两个周期性的信号之间出现一个周期以上的误差时，存在难以通过相关分析来区分一个周期以上的误差和不足一个周期的误差的问题。
此外，当周期性信号因焦点误差和工序影响而劣化时，还存在准确度可能会在相关分析过程中下降的问题。
此外，当以规定的间距配置条时，如果减小节距，则周期性信号的最大值和最小值之间的差(contrast)会减小，因此还存在难以提高密度来强化信号的问题。
此外，由于每个工作区是在从套刻标记1的中心到套刻标记1的外廓的较长区域上形成的，因此还存在受套刻测量装置的倾斜的光学元件，例如分束器引起的光学像差的影响较大的问题。尤其，在沿配置条的方向的与光学系统的距离的变化较大的特定方向的套刻测量用工作区中，由于到靠近套刻标记1的中心的条的光路与到配置在外廓的条的光路之间的差较大，因此受光学像差的影响较大。
此外，当使用扫描仪(scanner)式的曝光装备形成套刻标记1时，沿扫描方向配置的条的偏差较小，且沿与扫描方向正交的方向配置的条的偏差较大，但是，对于以往的套刻标记1，由于工作区与扫描方向无关地配置，因而还存在沿与扫描方向正交的方向配置的条的偏差可能也会在套刻测量步骤中产生影响的问题。
现有技术文献
专利文献：日本授权专利JP5180419
发明内容
技术问题
本发明的目的在于，提供一种能够通过容易地确认相邻的条之间的间距以上的大单位的套刻误差来容易地感测半导体制造工序中的意外事故的套刻标记。
此外，本发明的另一目的在于，提供一种能够使由于焦点误差和工序影响导致的信号劣化的影响最小化的套刻标记。
此外，本发明的另一目的在于，提供一种能够使单色像差的影响最小化的套刻标记。
此外，本发明的另一目的在于，提供一种面积较小的套刻标记。
此外，本发明的另一目的在于，提供一种利用这样的套刻标记的套刻测量方法及半导体器件制造方法。
技术方案
为了达成上述目的，本发明提供一种套刻标记，其决定分别形成在两个以上的图案层或一个图案层上的两个以上的图案之间的相对交错，其中，所述套刻标记包括第一套刻标记至第四套刻标记。
第一套刻标记包括第一套刻结构物和第二套刻结构物，并且配置于所述套刻标记的中心部，其中，所述第一套刻结构物包括沿第一方向间隔配置的多个第一条，所述第二套刻结构物包括沿所述第一方向间隔配置的多个第二条并且与所述第一套刻结构物呈180度旋转对称。
第二套刻标记包括第三套刻结构物和第四套刻结构物，其中，所述第三套刻结构物与所述第一套刻结构物在与所述第一方向正交的第二方向上偏移，并且包括沿所述第一方向间隔配置的多个第三条，所述第四套刻结构物包括沿所述第一方向间隔配置的多个第四条，并且被配置为隔着所述第一套刻标记与所述第三套刻结构物面对，并且与所述第三套刻结构物呈180度旋转对称。
第三套刻标记包括隔着所述第一套刻标记配置于第一对角线上的第五套刻结构物和第六套刻结构物，其中，所述第五套刻结构物和所述第六套刻结构物呈180度旋转对称，所述第五套刻结构物包括沿所述第二方向间隔配置的多个第五条，所述第六套刻结构物包括沿所述第二方向间隔配置的多个第六条。
第四套刻标记包括隔着所述第一套刻标记配置于与所述第一对角线交叉的第二对角线上的第七套刻结构物和第八套刻结构物，其中，所述第七套刻结构物和所述第八套刻结构物呈180度旋转对称，所述第七套刻结构物包括沿第二方向间隔配置的多个第七条，所述第八套刻结构物包括沿第二方向间隔配置的多个第八条。
此外，本发明提供的套刻标记的特征在于，所述第一套刻结构物以所述第二方向的中心线为基准对称，并且相邻的所述第一条之间的间距彼此不同。
此外，本发明提供的套刻标记的特征在于，随着远离所述第二方向的中心线，相邻的第一条之间的间距变窄。
此外，本发明提供的套刻标记的特征在于，随着远离所述第二方向的中心线，相邻的第一条之间的间距变宽。
此外，本发明提供的套刻标记的特征在于，所述第一条和所述第二条沿所述第二方向相互连接。
此外，本发明提供的套刻标记的特征在于，所述套刻标记利用扫描式的曝光装置而形成，所述第二方向与所述曝光装置的扫描方向平行。
此外，本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的同时，形成套刻标记的步骤；利用所述套刻标记测量套刻值的步骤；以及将测量的套刻值利用于形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的工序控制的步骤，并且所述套刻标记是上述的套刻标记。
此外，本发明提供的半导体器件的制造方法的特征在于，形成所述套刻标记的步骤是利用扫描式的曝光装置形成所述套刻标记的步骤，并且所述第二方向与所述曝光装置的扫描方向平行。
此外，本发明提供一种套刻测量方法，用于测量分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案之间的套刻，所述套刻测量方法的特征在于，包括：获取在形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的同时形成的套刻标记图像的步骤；以及分析所述套刻标记图像的步骤，并且所述套刻标记是上述的套刻标记。
此外，本发明提供的套刻测量方法的特征在于，获取所述套刻标记图像的步骤是利用具备倾斜的光学元件的套刻测量装置获取套刻标记图像的步骤，并且在获取所述套刻标记图像的步骤中，所述套刻测量装置被配置为所述倾斜的光学元件与所述套刻标记之间的距离随着沿所述第一方向行进而增加或减小，并且在沿所述第二方向行进时恒定。
此外，本发明提供的套刻测量方法的特征在于，所述倾斜的光学元件是分束器。
发明的效果
本发明的套刻标记具有如下优点，即，由于条之间的间距彼此不同，因此当发生相邻的条之间的间距以上的大单位的套刻误差时能够容易地确认的优点。因此，能够感测在半导体制造工序中发生的意外事故。
此外，本发明的套刻标记具有如下优点，即，通过使条之间的间距彼此不同并使信号密度存在差异，能够使因焦点误差和工序影响导致的信号劣化最小化。
此外，本发明的套刻标记具有如下优点，即，能够使单色像差的影响最小化。
附图说明
图1是以往的套刻标记的平面图。
图2示出从图1所示的套刻标记的一个工作区获得的信号。
图3是本发明的套刻标记的一实施例的平面图。
图4是用于说明套刻标记图像获取步骤的图。
图5示出从图3所示的套刻标记获得的信号。
图6和图7是本发明的套刻标记的一实施例的平面图。
附图标记
10、20、30：套刻标记，100、500、900：第一套刻标记，110、510、910：第一套刻结构物，120、520、920：第二套刻结构物，200、600、1000：第二套刻标记，210、610、1010：第三套刻结构物，220、620、1020：第四套刻结构物，300、700、1100：第三套刻标记，310、710、1110：第五套刻结构物，320、720、1120：第六套刻结构物，400、800、1200：第四套刻标记，410、810、1210：第七套刻结构物，420、820、1220：第八套刻结构物。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施例进行详细描述。然而，本发明的实施例可以变形为多种其他形态，本发明的范围不应被解释为限于以下详细描述的实施例。本发明的实施例是为了向本领域普通技术人员更完整地说明本发明而提供的。因此，附图中的要素的形状等被夸张以强调更清楚的说明，并且附图中由相同的附图标记标示的要素指相同的要素。
图3是本发明的套刻标记的一实施例的平面图。图3示出第一套刻标记100、第二套刻标记200、第三套刻标记300、第四套刻标记400都对齐的状态。由于是对齐的状态，第一至第四套刻标记100、200、300、400的对称中心相互一致。当存在套刻误差时，第一至第四套刻标记100、200、300、400中与彼此不同的图案层一起形成的标记的对称中心不相互一致。
在图3中，为了使第一至第四套刻标记100、200、300、400区分开，使用了彼此不同的晕线(hatching)图案进行了标示。所使用的晕线图案仅用于便于区分第一至第四套刻标记100、200、300、400，与第一至第四套刻标记100、200、300、4000的形态无关。
参考图3，本发明的套刻标记10的一实施例包括第一至第四套刻标记100、200、300、400。本实施例的套刻标记10可以形成在半导体晶圆的划片槽上，以供测量半导体晶圆上的两个以上的图案层之间或单层上的两个以上的图案之间的套刻。
当利用于彼此不同的两个图案层之间的套刻测量时，例如，第一套刻标记100和第三套刻标记300可以与第一图案层一起形成，第二套刻标记200和第四套刻标记400可以与第二图案层一起形成。此外，也可以是，第一套刻标记100和第四套刻标记400与第一图案层一起形成，第二套刻标记200和第三套刻标记300与第二图案层一起形成。
在这种情况下，可以测量第一图案层和第二图案层之间的第一方向的套刻值和与第一方向正交的第二方向的套刻值。第一方向可以是X轴方向或Y轴方向。在本实施例中，第一方向为X轴方向，第二方向为Y轴方向。
另外，当利用于同一层的彼此不同的图案，例如，双重图案化工序中形成的两个图案之间的套刻测量时，第一套刻标记100可以和第三套刻标记300与第一图案一起形成，第二套刻标记200和第四套刻标记400可以与第二图案一起形成。此外，也可以是，第一套刻标记100和第四套刻标记400与第一图案一起形成，第二套刻标记200和第三套刻标记300与第二图案一起形成。
当利用于彼此不同的3个图案层之间的套刻测量时，例如，第一套刻标记100和第三套刻标记300可以与第一图案层一起形成，第二套刻标记200和第四套刻标记400可以分别与第二图案层和第三图案层一起形成。在这种情况下，可以测量第一图案层与第二图案层之间的X轴方向的套刻值和第一图案层与第三图案层之间的Y轴方向的套刻值，而无法测量第一图案层与第二图案层之间的Y轴方向的套刻值和第一图案层与第三图案层之间的X轴方向的套刻值。
在下文中，为了方便起见，以彼此不同的2个图案层之间的套刻测量为基准进行描述。
如图3所示，第一套刻标记100配置于套刻标记10的中心部。第一套刻标记100包括第一套刻结构物110和第二套刻结构物120。第一套刻标记100以第一套刻标记100的对称中心为基准呈180度旋转对称。
在本实施例中，第一套刻结构物110和第二套刻结构物120用于找出第一套刻标记100的X轴方向中心。
第一套刻结构物110包括沿Y轴方向较长地形成的多个第一条112。第一条112沿X轴方向间隔配置。第一套刻结构物110以经过第一套刻标记100的中心的Y轴方向中心线(与Y轴一致)为基准对称。第一条112被配置为随着远离Y轴方向中心线，间距变窄。
第二套刻结构物120也包括沿Y轴方向较长地形成的多个第二条122。第二条122沿X轴方向间隔配置。第二套刻结构物120以经过第一套刻标记100的中心的Y轴方向中心线(与Y轴一致)为基准对称。第二条122被配置为随着远离Y轴方向中心线，间距变窄。
在本实施例中，第一条112和第二条122在Y轴方向上相互连接，但第一条112和第二条122也可以相互分离。
虽然图示为第一条112和第二条122的数量分别是9个，但也可以是2个至8个，或者10个以上。
第二套刻标记200包括第三套刻结构物210和第四套刻结构物220。第二套刻标记200以第二套刻标记200的对称中心为基准呈180度旋转对称。第三套刻结构物210和第四套刻结构物220隔着第一套刻标记100上下配置。第二套刻标记200形成在与第一套刻标记100不同的图案层上。
在本实施例中，第三套刻结构物210和第四套刻结构物220用于找出第二套刻标记200的X轴方向中心。另外，第一套刻标记100和第二套刻标记200用于测量彼此不同的图案层之间的X轴方向的套刻。
第三套刻结构物210包括沿Y轴方向较长地形成的多个第三条212。第三条21沿X轴方向间隔配置。第三套刻结构物210以经过第三套刻结构物210的中心的Y轴方向中心线(与Y轴一致)为基准对称。第三条212被配置为随着远离Y轴方向中心线，间距变窄。
第四套刻结构物220也包括沿Y轴方向较长地形成的多个第四条222。第四条222沿X轴方向间隔配置。第四套刻结构物220以经过第四套刻结构物220的中心的Y轴方向中心线(与Y轴一致)为基准对称。第四条222被配置为随着远离Y轴方向中心线，间距变窄。
虽然图示为第三条212和第四条222的数量分别是9个，但也可以是2个至8个，或者10个以上。
虽然图示为第三条212及第四条222与第一条112及第二条122的数量和间距相同，但数量和间距也可以彼此不同。
第三套刻标记300包括第五套刻结构物310和第六套刻结构物320。第三套刻标记300以第三套刻标记300的对称中心为基准呈180度旋转对称。第五套刻结构物310和第六套刻结构物320隔着第一套刻标记100在第一对角线上配置。即，在图3中，第五套刻结构物310配置于右侧上端，第六套刻结构物320配置于左侧下端。
在本实施例中，第三套刻标记300可以形成在与第一套刻标记100相同的图案层上。
第五套刻结构物310包括沿X轴方向较长地形成的多个第五条312。第五条312沿Y轴方向间隔配置。第五套刻结构物310以第五套刻结构物310的X轴方向中心线315为基准对称。第五条312被配置为随着远离X轴方向中心线315，间距变窄。
第六套刻结构物320也包括沿X轴方向较长地形成的多个第六条322。第六条322沿Y轴方向间隔配置。第六套刻结构物320以第六套刻结构物320的X轴方向中心线325为基准对称。第六条被配置为随着远离X轴方向中心线325，间距变窄。
虽然图示为第五条312和第六条322的数量分别是9个，但也可以是2个至8个，或者10个以上。
第四套刻标记400包括第七套刻结构物410和第八套刻结构物420。第四套刻标记400以第四套刻标记400的对称中心为基准呈180度旋转对称。第七套刻结构物410和第八套刻结构物420隔着第一套刻标记100在第二对角线上配置。第一对角线和第二对角线相互交叉。在图3中，第七套刻结构物410配置于左侧上端，第八套刻结构物420配置于右侧上端。
在本实施例中，第四套刻标记400可以形成在与第二套刻标记200相同的图案层上。第四套刻标记400形成在与第三套刻标记300不同的层上。
在本实施例中，第七套刻结构物410和第八套刻结构物420用于找出第四套刻标记400的Y轴方向中心。另外，第三套刻标记300和第四套刻标记400用于测量彼此不同的图案层之间的Y轴方向的套刻。
第七套刻结构物410包括沿X轴方向较长地形成的多个第七条412。第七条412沿Y轴方向间隔配置。第七套刻结构物410以第七套刻结构物410的X轴方向中心线415为基准对称。第七条412被配置为随着远离X轴方向中心线415，间距变窄。
第八套刻结构物420也包括沿X轴方向较长地形成的多个第八条422。第八条422沿Y轴方向间隔配置。第八套刻结构物420以第八套刻结构物420的X轴方向中心线425为基准对称。第八条422被配置为随着远离X轴方向中心线425，间距变窄。
虽然图示为第七条412和第八条422的数量分别是9个，但也可以是2个至8个，或者10个以上。
下面对图3所示的利用套刻标记10的套刻测量方法进行描述。套刻测量方法包括：获取套刻标记10的图像的步骤；以及分析套刻标记10的图像的步骤。套刻标记10与分别形成在两个连续的图案层或一个图案层上的两个图案的形成同时形成。
获取套刻标记10的图像的步骤通常是利用套刻测量装置一次获取第一至第四套刻标记100、200、300、400的图像的步骤。
本步骤可以是利用具备倾斜的光学元件、透镜L、支撑形成有套刻标记10的装置D的镜台S的套刻测量装置来获取套刻标记图像的步骤。倾斜的光学元件例如可以是分束器BS。
图4是为了说明套刻标记图像获取步骤而示出套刻测量装置的一例的一部分的图。如图4所示，在本步骤中，优选套刻测量装置被配置为，作为倾斜的光学元件的分束器BS与形成有套刻标记10的装置D之间的距离随着沿作为配置第一套刻标记100和第二套刻标记200的条112、212的方向的X轴方向行进而增加或减小，而在沿Y轴方向行进时恒定。即，分束器BS相对于X轴倾斜地配置。
当这样在配置套刻测量装置的状态下获取套刻标记图像时，具有可以减少光学像差的影响的优点。这是因为第一套刻标记100和第二套刻标记200的条112、122、212、222以X轴方向为基准只形成在套刻标记10的中心部。
如果套刻标记10的总面积与图1所示的以往的套刻标记1相同，则配置于第一套刻标记100和第二套刻标记200的X轴方向的两端的条之间的距离(第一套刻标记100和第二套刻标记200的X轴方向宽度)比以往的套刻标记1相对短。
因此，配置在两端的条与作为倾斜的光学元件的分束器BS之间的Z轴方向的距离之差变得小于以往的套刻标记1。从而，使得与倾斜光学元件的距离差所致的光学像差的影响最小化。
虽然第三套刻标记300和第四套刻标记400的条312、322、412、422以Y轴方向为基准形成在套刻标记10的整体区域，但作为倾斜的光学元件的分束器BS相对于Y轴并非倾斜地配置，故Y轴方向上的失真较少，因而第三套刻标记300和第四套刻标记400的条312、322、412、422几乎不受倾斜的光学元件引起的光学像差的影响。
在本发明中，将在一侧方向(图3中为X轴方向)上配置的条112、122、212、222集中配置在中心部，在获取套刻标记10的图像时，考虑这一点将套刻测量装置配置为使作为倾斜的光学元件的分束器BS与该方向的轴(图3和图4中为X轴)成一角度，从而使光学像差的影响最小化。
分析套刻标记10的图像的步骤可以包括：从获得的套刻标记图像中测量第一套刻标记100的X轴方向中心与第二套刻标记200的X轴方向中心的偏移的步骤；以及测量第三套刻标记300的Y轴方向中心与第四套刻标记400的Y轴中心的偏移的步骤。
测量第一套刻标记100的X轴方向中心和第二套刻标记200的X轴方向中心的偏移的步骤可以包括如下步骤。
首先，求第一套刻标记100的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值之间的差(S11)。
如图3所示，从获得的套刻标记图像中选择第一套刻结构物110的部分区域A1。然后，还选择以获得的套刻标记图像的中心为基准呈180度对称的区域A2。该区域A2位于第二套刻结构物120。
然后，将所选择的两个区域A1、A2的二维图像分别投影成一维。即，将二维图像中具有相同的X值的像素的灰度值全部相加，或者对灰度值求平均，或者对灰度值进行归一化。
这样，如图5所示，可以绘制表示对应于X值的灰度值的变化的图表。由于竖条的灰度值与竖条之间的空间的灰度值存在差异，因而可以获得图5所示的图表。
由图5可知，在获得的图表中，峰之间的间距不是恒定的。因此，不同于提供图2所示的峰之间的间距恒定的周期性的图表的所图示的以往的套刻标记1，具有在套刻误差为一个周期以上时也可以检测到误差的优点。
此外，可以在一定程度上改善以往在信号劣化时相关分析过程中的准确度下降的问题。
此外，由于即使减小条之间的间距，信号的最大值与最小值之间的差(contrast)也不会减小，因此还具有能够提升条的密度来强化信号的优点。
此外，还具有可以通过对各个峰相互进行比较而不是对整个图标进行比较的方法来测量套刻的优点。
如果第一套刻标记100的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值相同，则两个图表应呈相同的形态。如果第一套刻标记100的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值不相同，则一个图表会呈相对于另一图表呈向X轴方向偏移的形态。此时的偏移值表示第一套刻标记100的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值之间的差。
接下来，以同样的方法求第二套刻标记200的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值之间的差(S12)。
接下来，利用前面求出的第一套刻标记100的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值之间的差和第二套刻标记200的中心的X值与获得的套刻标记图像的中心的X值之间的差来求X轴方向的套刻值(S13)。
接下来，以同样的方法求第三套刻标记300的中心的Y值与获得的套刻标记图像的中心的Y值之间的差(S14)。然后，求第四套刻标记400的中心的Y值和获得的套刻标记图像的中心的Y值之间的差(S15)。
接下来，利用前面求出的第三套刻标记300的中心的Y值与获得的套刻标记图像的中心的Y值之间的差和第四套刻标记400的中心的Y值与获得的套刻标记图像的中心的Y值之间的差来求Y轴方向的套刻值(S16)。
下面对利用图3所示的套刻标记10的半导体器件的制造方法进行描述。利用套刻标记10的半导体器件的制造方法始于形成套刻标记10的步骤。在形成分别形成在两个连续的图案层或一个图案层上的两个图案的同时，形成套刻标记10。
形成套刻标记10的步骤可以是利用扫描式的曝光装置形成套刻标记10的步骤。另外，此时，曝光装置的扫描方向优选与配置于中心部的第一套刻标记100和第二套刻标记200的条112、122、212、222的长度方向(图3中为Y轴方向)平行。这是因为，由于在曝光装置的扫描方向上可以进行等速控制，在条112、122、212、222的Y轴方向上的失真不大，但可能会发生X轴方向上的失真，因而优选将在垂直于扫描方向的X轴方向上配置的条112、122、212、222配置于中心部以使失真最小化。
接下来，利用套刻标记10测量套刻值。测量套刻值的步骤同上述套刻测量方法。
最后，将测量的套刻值利用于用以形成分别形成在两个连续的图案层或一个图案层上的两个图案的工序控制。即，将所导出的套刻利用于工序控制，使得连续的图案层或两个图案形成在既定的位置。
图6和图7是本发明的套刻标记的实施例的平面图。
图6所示的套刻标记20包括第一至第四套刻标记500、600、700、800。第一套刻标记500包括配置于中心部的第一套刻结构物510和第二套刻结构物520。第二套刻标记600包括分别配置于第一套刻标记500的上下的第三套刻结构物610和第四套刻结构物620。另外，第三套刻标记700包括隔着第一套刻标记500在对角线上配置的第五套刻结构物710和第六套刻结构物720。最后，第四套刻标记800包括隔着第一套刻标记500在对角线上配置的第七套刻结构物810和第八套刻结构物820。
套刻标记20与图3所示的实施例的不同之处在于，对于沿X轴方向配置的条512、522、612、622，随着远离Y轴方向中心线，相邻的条512、522、612、622之间的间距变窄；对于沿Y轴方向配置的条712、722、812、822，随着远离X轴方向中心线715、725、815、825，相邻的条712、722、812、822之间的间距变窄。此外，与图3所示的实施例的不同之处还在于，第一条712和第二条722分离。第一条712和第二条722也可以如同图3所示的实施例相互连接。
图7所示的套刻标记30包括第一至第四套刻标记900、1000、1100、1200。第一套刻标记900包括配置于中心部的第一套刻结构物910和第二套刻结构物920。第二套刻标记1000包括分别配置于第一套刻标记900的左右的第三套刻结构物1010和第四套刻结构物1020。另外，第三套刻标记1100包括隔着第一套刻标记500在对角线上配置的第五套刻结构物1110和第六套刻结构物1120。最后，第四套刻标记1200包括隔着第一套刻标记500在对角线上配置的第七套刻结构物1210和第八套刻结构物1220。
不同于图3所示的实施例，对于图7所示的套刻标记30，第一方向为Y轴方向，第二方向为X轴方向。在本实施例中，可以在曝光装置的扫描方向为Y轴方向的情况下使用。当使用本实施例的套刻标记30时，优选在套刻标记30的图像获取步骤中以使倾斜的光学元件与Y轴方向倾斜的方式配置套刻测量装置。
以上描述的实施例仅仅是对本发明的优选实施例的说明，本发明的权利范围不限于所描述的实施例，并且，在本发明的技术思想和权利要求书的范围内，本领域的技术人员将可以进行多样的变更、变形或置换，那样的实施例应被理解为落入本发明的范围内。

Claims (11)

1.一种套刻标记，其决定分别形成在两个以上的图案层或一个图案层上的两个以上的图案之间的相对交错，所述套刻标记的特征在于，包括：
第一套刻标记，其包括第一套刻结构物和第二套刻结构物，并且配置于所述套刻标记的中心部，其中，所述第一套刻结构物包括沿第一方向间隔配置的多个第一条，所述第二套刻结构物包括沿所述第一方向间隔配置的多个第二条并且与所述第一套刻结构物呈180度旋转对称；
第二套刻标记，其包括第三套刻结构物和第四套刻结构物，其中，所述第三套刻结构物与所述第一套刻结构物在与所述第一方向正交的第二方向上偏移，并且包括沿所述第一方向间隔配置的多个第三条，所述第四套刻结构物包括沿所述第一方向间隔配置的多个第四条，并且被配置为隔着所述第一套刻标记与所述第三套刻结构物面对，并且与所述第三套刻结构物呈180度旋转对称；
第三套刻标记，其包括隔着所述第一套刻标记配置于第一对角线上的第五套刻结构物和第六套刻结构物，其中，所述第五套刻结构物和所述第六套刻结构物呈180度旋转对称，所述第五套刻结构物包括沿所述第二方向间隔配置的多个第五条，所述第六套刻结构物包括沿所述第二方向间隔配置的多个第六条；以及
第四套刻标记，其包括隔着所述第一套刻标记配置于与所述第一对角线交叉的第二对角线上的第七套刻结构物和第八套刻结构物，其中，所述第七套刻结构物和所述第八套刻结构物呈180度旋转对称，所述第七套刻结构物包括沿第二方向间隔配置的多个第七条，所述第八套刻结构物包括沿第二方向间隔配置的多个第八条。
2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，
所述第一套刻结构物以所述第二方向的中心线为基准对称，并且相邻的所述第一条之间的间距彼此不同。
3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，
随着远离所述第二方向的中心线，相邻的第一条之间的间距变窄。
4.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，
随着远离所述第二方向的中心线，相邻的第一条之间的间距变宽。
5.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，
所述第一条和所述第二条沿所述第二方向相互连接。
6.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，
所述套刻标记利用扫描式的曝光装置而形成，
所述第二方向与所述曝光装置的扫描方向平行。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的同时，形成套刻标记的步骤；
利用所述套刻标记测量套刻值的步骤；以及
将测量的套刻值利用于形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的工序控制的步骤，并且
所述套刻标记是根据权利要求1至6中任一项所述的套刻标记。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
形成所述套刻标记的步骤是利用扫描式的曝光装置形成所述套刻标记的步骤，并且
所述第二方向与所述曝光装置的扫描方向平行。
9.一种套刻测量方法，用于测量分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案之间的套刻，所述套刻测量方法包括：
获取在形成分别形成在多个连续的图案层或一个图案层上的多个图案的同时形成的套刻标记图像的步骤；以及
分析所述套刻标记图像的步骤，并且
所述套刻标记是根据权利要求1至6中任一项所述的套刻标记。
10.根据权利要求9所述的套刻测量方法，其特征在于，
获取所述套刻标记图像的步骤是利用具备倾斜的光学元件的套刻测量装置获取套刻标记图像的步骤，并且
在获取所述套刻标记图像的步骤中，所述套刻测量装置被配置为所述倾斜的光学元件与所述套刻标记之间的距离随着沿所述第一方向行进而增加或减小，并且在沿所述第二方向行进时恒定。
11.根据权利要求10所述的套刻测量方法，其特征在于，所述倾斜的光学元件是分束器。
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