CN115261797B - 一种腔室漏率检测方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种腔室漏率检测方法，将多个半导体腔室中满足漏率检测条件的腔室作为目标腔室；根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室，设定目标腔室的检测状态，其中，若是，则将目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将目标腔室的检测状态从待定状态更新为执行状态，开始对目标腔室进行漏率检测；若否，则在目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对目标腔室进行漏率检测，从而避免了加工件报废、同一半导体加工任务对应的加工件的工艺结果不一致及加工件加工超时的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体加工领域，尤其涉及一种腔室漏率检测方法。
背景技术
半导体设备的腔室包括：同时具备工艺功能和传输功能的工艺腔室，及只具备传输功能的传输腔室。对于加工晶圆的半导体设备来说，在晶圆PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)制成过程中，需确保腔室(工艺腔室+传输腔室)的真空度条件。
为了确保半导体设备的腔室的真空度条件，需要定期对腔室进行漏率(Rate OfRise，简称ROR)检测。目前，基于腔室的漏率检测方案通常为：若腔室到达预设漏率检测时间，则对腔室进行漏率检测。但是，腔室到达预设漏率检测时间便立即对腔室进行漏率检测，则可能存在如下情况：
若腔室开始漏率检测时，在同一批次的晶圆(即同一半导体加工任务对应的晶圆)中，有的晶圆已加工完成等待传出工艺腔室，有的晶圆还未加工等待传入工艺腔室，而开始漏率检测的腔室恰巧是此批次的晶圆在传输时经过的腔室，导致此批次的晶圆的传输被迫中断，从而导致已在工艺腔室加工完成的晶圆无法及时传出，特别是对于高温工艺腔室的晶圆，长时间停留可能会影响晶圆的工艺结果，甚至导致晶圆报废，且同一批次的还未加工的晶圆无法进入工艺腔室加工，从而造成同一批次的晶圆的工艺结果不一致的情况；此外，如果腔室漏率检测耗时较长，可能导致本批次的晶圆加工超时，从而导致加工异常。
发明内容
本申请的目的是提供一种腔室漏率检测方法，在满足预设漏率检测条件的腔室为已下发的半导体加工任务对应的加工件所经过的腔室时，先对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，再对这些腔室进行漏率检测，从而避免了加工件报废、同一半导体加工任务对应的加工件的工艺结果不一致及加工件加工超时的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供了一种腔室漏率检测方法，应用于半导体设备，所述半导体设备包括多个半导体腔室，包括：
将多个所述半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室；
根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过所述目标腔室，设定所述目标腔室的检测状态，其中，
若是，则将所述目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对所述半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将所述目标腔室的检测状态从所述待定状态更新为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测；
若否，则在所述目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测。
可选地，在所述将多个所述半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室之前，还包括：
判断多个所述半导体腔室是否满足预设漏率检测条件，其中，所述预设漏率检测条件包括漏率检测自动化能力、腔室在线状态以及预设漏率检测时间；
若所述半导体腔室具备漏率检测自动化能力、所述半导体腔室处于在线状态以及到达预设漏率检测时间，则判定所述半导体腔室满足预设漏率检测条件，可作为所述目标腔室。
可选地，在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室之后，还包括：
判断所述目标腔室内是否遗留有遗留件；
若否，则将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测；
若是，则将所述目标腔室的检测状态设置为不执行状态，并将设置为所述不执行状态的所述目标腔室离线，待清除所述遗留件后，将所述目标腔室上线。
可选地，所述将所述目标腔室的检测状态设置为待定状态，包括：将所述目标腔室的检测标记位标记为第一检测标识符，所述第一检测标识符表示所述目标腔室正等待执行漏率检测；
所述将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，包括：将所述目标腔室的检测标记位标记为第二检测标识符，所述第二检测标识符表示所述目标腔室正执行漏率检测。
可选地，所述将所述目标腔室的检测状态设置为不执行状态，包括：
将所述目标腔室的检测标记位标记为第三检测标识符；其中，所述第三检测标识符表示所述目标腔室当前不执行漏率检测。
可选地，所述对所述半导体设备中的加工件执行继续传输过程，具体包括：
将当前执行的半导体加工任务对应的传输模式保持在管道模式，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从所述管道模式更新为串行模式；
在所述当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将所述下一个半导体加工任务对应的传输模式从所述串行模式恢复为所述管道模式；
若所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，则开始传输所述下一个半导体加工任务对应的加工件；
其中，所述传输模式默认为所述管道模式；所述管道模式表示下一个半导体加工任务对应的加工件跟随上一个半导体加工任务对应的最后一个加工件传输；所述串行模式表示上一个半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，下一个半导体加工任务对应的加工件才开始传输。
可选地，在所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件之前，还包括：
基于所述下一个半导体加工任务对应的加工传输路径，从多个所述半导体腔室中确定与所述加工传输路径匹配的传输途经腔室；其中，所述传输途经腔室包括：无并行腔室的第一腔室和有并行腔室的第二腔室；
若所述第一腔室可用，且所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
可选地，所述若所述第一腔室可用，且所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，包括：
若所述第一腔室处于在线状态且未执行漏率检测，所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室处于在线状态且未执行漏率检测，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
可选地，还包括：
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件经过所述目标腔室之后，将所述目标腔室的工作状态设置为第一状态；
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室之后，将所述目标腔室的工作状态设置为第二状态。
可选地，所述将所述目标腔室的工作状态设置为第一状态，包括：将所述目标腔室的工作标记位标记为第一工作标识符，所述第一工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件经过所述目标腔室；
所述将所述目标腔室的工作状态设置为第二状态，包括：将所述目标腔室的工作标记位标记为第二工作标识符，所述第二工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室。
本申请提供了一种腔室漏率检测方法，将半导体设备中多个半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室；根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室，设定目标腔室的检测状态，其中，若是，则将目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将目标腔室的检测状态从待定状态更新为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测；若否，则在目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测。可见，本申请在满足预设漏率检测条件的腔室为已下发的半导体加工任务对应的加工件所经过的腔室时，先对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，再对这些腔室进行漏率检测，从而避免了加工件报废、同一半导体加工任务对应的加工件的工艺结果不一致及加工件加工超时的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种腔室漏率检测方法的流程图；
图2为本申请实施例提供的一种半导体设备的腔室结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种腔室漏率检测方法的具体流程图。
具体实施方式
本申请的核心是提供一种腔室漏率检测方法，在满足预设漏率检测条件的腔室为已下发的半导体加工任务对应的加工件所经过的腔室时，先对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，再对这些腔室进行漏率检测，从而避免了加工件报废、同一半导体加工任务对应的加工件的工艺结果不一致及加工件加工超时的问题。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
半导体设备包括多个半导体腔室，在多个半导体腔室中，包含同时具备工艺功能和传输功能的工艺腔室，也包含只具备传输功能的传输腔室。现有的半导体设备的腔室漏率检测方案为：若腔室到达预设漏率检测时间，则对腔室进行漏率检测。但是，若腔室开始漏率检测时，在同一批次的晶圆(即同一半导体加工任务对应的晶圆)中，有的晶圆已加工完成等待传出工艺腔室，有的晶圆还未加工等待传入工艺腔室，而开始漏率检测的腔室恰巧是此批次的晶圆在传输时经过的腔室，导致此批次的晶圆的传输被迫中断，从而导致已在工艺腔室加工完成的晶圆无法及时传出，特别是对于高温工艺腔室的晶圆，长时间停留可能会影响晶圆的工艺结果，甚至导致晶圆报废，且同一批次的还未加工的晶圆无法进入工艺腔室加工，从而造成同一批次的晶圆的工艺结果不一致的情况；此外，如果腔室漏率检测耗时较长，可能导致本批次的晶圆加工超时，从而导致加工异常。为了解决现有的半导体设备的腔室漏率检测方案存在的一系列技术问题，本申请提供了一种新的腔室漏率检测方法，应用于半导体设备。该半导体设备可以为PVD设备。请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种腔室漏率检测方法的流程图，该腔室漏率检测方法包括：
步骤S101：将多个半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室。
本申请实施例中，预设漏率检测条件是提前设置好的，其作为判断半导体设备包含的半导体腔室是否需要执行漏率检测的依据。在半导体设备包含的多个半导体腔室中，满足预设漏率检测条件的腔室称为目标腔室。
步骤S102：根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室，设定目标腔室的检测状态，其中，若是，则执行步骤S103；若否，则执行步骤S104。
步骤S103：将目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将目标腔室的检测状态从待定状态更新为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测；
步骤S104：在目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测。
本申请实施例中，加工件(如晶圆)的加工传输路径是与加工件提前绑定好的。加工传输路径表示：加工件从最开始的传输流程到最终的传输流程，先后要经过的腔室。需要说明的是，同一半导体加工任务对应的加工件的加工传输路径相同；不同半导体加工任务对应的加工件的加工传输路径可能相同，也可能不同。当前执行的半导体加工任务(称为Job)对应的加工件的数量可为一个，也可为多个。
具体应用中，本申请可获取已下发的半导体加工任务对应的加工件的加工传输路径，然后基于获取的加工传输路径，从多个半导体腔室(工艺腔室+传输腔室)中确定与获取的加工传输路径相匹配的腔室，这里确定匹配的腔室即为已下发的半导体加工任务对应的加工件在加工过程中要经过的腔室。
基于此，本申请判断已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室(满足预设漏率检测条件的腔室)，若经过目标腔室，说明：在当前执行的半导体加工任务未完成的情况下，目标腔室执行漏率检测可能会影响当前的半导体加工任务的执行，则此情况下，本申请将目标腔室的检测状态设置为待定状态(等待执行漏率检测)，并对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时(即当前执行的半导体加工任务对应的加工件均返回至用于装载加工件的片盒中)，将目标腔室的检测状态从待定状态更新为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测，以避免目标腔室的漏率检测影响到当前的半导体加工任务的执行。若不经过目标腔室，说明：即使当前执行的半导体加工任务未完成，目标腔室执行漏率检测也不会影响当前的半导体加工任务的执行，则此情况下，本申请无需等待当前的半导体加工任务的执行，在目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将目标腔室的检测状态直接设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测。
本申请提供的腔室漏率检测方法，在满足预设漏率检测条件的腔室为已下发的半导体加工任务对应的加工件所经过的腔室时，先对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，再对这些腔室进行漏率检测，从而避免了加工件报废、同一半导体加工任务对应的加工件的工艺结果不一致及加工件加工超时的问题。
作为一种可选的实施例，在将多个半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室之前，还包括：
判断多个半导体腔室是否满足预设漏率检测条件，其中，预设漏率检测条件包括漏率检测自动化能力、腔室在线状态以及预设漏率检测时间；
若半导体腔室具备漏率检测自动化能力、半导体腔室处于在线状态以及到达预设漏率检测时间，则判定半导体腔室满足预设漏率检测条件，可作为目标腔室。
本申请实施例中，预设漏率检测条件包含三个条件：1)漏率检测自动化能力，具体实现是：腔室使能(Enable)定时漏率检测功能，该腔室具备漏率检测自动化能力；2)腔室在线状态(online)，这是因为：如果腔室不处于online状态，则腔室可能处于维护等不能进行漏率检测的状态，此情况下如果进行漏率检测的话，可能会因漏率检测造成不必要的损失；3)预设漏率检测时间。
具体应用中，以第一半导体腔室为例，本申请判断第一半导体腔室是否满足预设漏率检测条件包含的三个条件；若第一半导体腔室同时满足预设漏率检测条件包含的三个条件，则判定第一半导体腔室满足预设漏率检测条件，可作为目标腔室；若第一半导体腔室未同时满足预设漏率检测条件包含的三个条件，则判定第一半导体腔室不满足预设漏率检测条件。
作为一种可选的实施例，在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室之后，还包括：
判断目标腔室内是否遗留有遗留件；
若否，则将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测；
若是，则将目标腔室的检测状态设置为不执行状态，并将设置为不执行状态的目标腔室离线，待清除遗留件后，将目标腔室上线。
具体应用中，考虑到在半导体设备异常时，半导体腔室会被置于离线状态(offline)，此时可能会有遗留件(加工件或其它，如shutter，即假的晶圆)遗留在半导体腔室，此情况下如果遗留在半导体腔室的遗留件未被处理，便直接将遗留有遗留件的半导体腔室置于online状态并投入新的工艺加工，则会影响此半导体腔室的后续漏率检测，因此，本申请在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室之后，先判断目标腔室内是否遗留有遗留件，若目标腔室内未遗留有遗留件，则将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测；若目标腔室内遗留有遗留件，则将目标腔室的检测状态设置为不执行状态，并将设置为不执行状态的目标腔室离线，待清除遗留件(可由人工检查目标腔室内是否真正遗留有遗留件，若真正遗留有遗留件，则将遗留件取出)后，将目标腔室上线，从而避免目标腔室内遗留有遗留件，影响目标腔室的漏率检测。
作为一种可选的实施例，将目标腔室的检测状态设置为待定状态，包括：将目标腔室的检测标记位标记为第一检测标识符，第一检测标识符表示目标腔室正等待执行漏率检测；
将目标腔室的检测状态设置为执行状态，包括：将目标腔室的检测标记位标记为第二检测标识符，第二检测标识符表示目标腔室正执行漏率检测；
将目标腔室的检测状态设置为不执行状态，包括：
将目标腔室的检测标记位标记为第三检测标识符；其中，第三检测标识符表示目标腔室当前不执行漏率检测。
本申请实施例中，每个半导体腔室都有一个检测标记位(可命名为IsAutoROR)，检测标记位用于表征半导体腔室当前的检测状态，即表征半导体腔室是否正执行漏率检测或正等待执行漏率检测，具体可通过将检测标记位标记为不同检测标识符，来区分半导体腔室的不同检测状态。
比如，检测标记位对应三种检测标识符，分别为第一检测标识符(如Pending)、第二检测标识符(如Yes)及第三检测标识符(如No)，第一检测标识符表示半导体腔室正等待执行漏率检测；第二检测标识符表示半导体腔室正执行漏率检测；第三检测标识符表示半导体腔室当前不执行漏率检测。需要说明的是，半导体腔室的检测标记位默认标记为第三检测标识符。
具体应用中，以满足预设漏率检测条件的目标腔室为例，若已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室，则先将目标腔室的检测标记位标记为第一检测标识符，此时目标腔室不会立即执行漏率检测，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将目标腔室的检测标记位标记为第二检测标识符，此时目标腔室才开始执行漏率检测。若已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室，且目标腔室内未遗留有遗留件，则将目标腔室的检测标记位标记为第二检测标识符，此时目标腔室开始执行漏率检测。若已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室，但目标腔室内遗留有遗留件，则将目标腔室的检测标记位标记为第三检测标识符，此时目标腔室不执行漏率检测。
需要说明的是，本申请借助下发CleanOnGo(即将清洁)服务触发如下操作：将可以开始执行漏率检测的腔室的检测标记位从第一检测标识符(Pending)更新为第二检测标识符(Yes)。
作为一种可选的实施例，对半导体设备中的加工件执行继续传输过程，具体包括：
将当前执行的半导体加工任务对应的传输模式保持在管道模式，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从管道模式更新为串行模式；
在当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将下一个半导体加工任务对应的传输模式从串行模式恢复为管道模式；
若下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，则开始传输下一个半导体加工任务对应的加工件。
本申请实施例中，每个半导体加工任务对应的加工件的传输模式均包括管道模式和串行模式。管道模式表示：下一个半导体加工任务对应的加工件跟随上一个半导体加工任务对应的最后一个加工件传输；串行模式表示：上一个半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，下一个半导体加工任务对应的加工件才开始传输。每个半导体加工任务对应的加工件的传输模式默认为管道模式。预设传输条件是提前设置好的，其作为判断下一个半导体加工任务对应的加工件是否可以开始传输的依据。
具体应用中，本申请在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室之后，将当前执行的半导体加工任务对应的传输模式保持在管道模式，此情况下，当前执行的半导体加工任务中未传输完成的加工件继续传输，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从管道模式更新为串行模式，此情况下，下一个半导体加工任务对应的加工件先不跟随上一个半导体加工任务对应的加工件传输，而是等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件完成最终的传输流程，若当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程，则将下一个半导体加工任务对应的传输模式从串行模式恢复为管道模式，然后判断下一个半导体加工任务对应的加工件是否满足预设传输条件，若下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，则按照正常的管道模式开始传输下一个半导体加工任务对应的加工件；若下一个半导体加工任务对应的加工件不满足预设传输条件，则先不传输下一个半导体加工任务对应的加工件，直至下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件时，才按照正常的管道模式开始传输下一个半导体加工任务对应的加工件。
作为一种可选的实施例，在下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件之前，还包括：
基于下一个半导体加工任务对应的加工传输路径，从多个半导体腔室中确定与加工传输路径匹配的传输途经腔室；其中，传输途经腔室包括：无并行腔室的第一腔室和有并行腔室的第二腔室；
若第一腔室可用，且第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
具体应用中，本申请可获取下一个半导体加工任务对应的加工传输路径，然后基于下一个半导体加工任务对应的加工传输路径，从多个半导体腔室中确定与下一个半导体加工任务对应的加工传输路径相匹配的腔室(称为传输途经腔室)，以基于传输途经腔室的可用性来判定下一个半导体加工任务对应的加工件是否满足预设传输条件。
需要说明的是，传输途经腔室包括：无并行腔室的腔室(称为第一腔室)和有并行腔室的腔室(称为第二腔室)。
基于此，本申请基于传输途经腔室的可用性来判定下一个半导体加工任务对应的加工件是否满足预设传输条件的原理为：若第一腔室可用，且第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，即下一个半导体加工任务对应的加工件可通过这些可用的腔室完成传输；若第一腔室不可用，或第二腔室对应的并行腔室均不可用，则判定下一个半导体加工任务对应的加工件不满足预设传输条件，即下一个半导体加工任务对应的加工件没有可用的加工传输路径完成传输。
请参照图2，图2为本申请实施例提供的一种半导体设备的腔室结构示意图。图2中，PM1、PM4为同类型的工艺腔室，PM2、PM3为同类型的工艺腔室，AL(Aligner)实现校准功能，LP1(load-port装载台)、LP2、ATR(大气机械手)所在腔室、LA(load-lockA)、LB(load-lockB)、VTR(真空机械手)所在腔室均为具备传输功能的传输腔室(传输通道)；其中，PM1与PM4、PM2与PM3、LP1与LP2、LA与LB为互为并行的腔室，ATR所在腔室、VTR所在腔室称为TC腔室无并行腔室，可按照上述实施例中的传输判定方式进行传输判定。需要说明的是，当前执行的半导体加工任务(Job)开始传输第一个加工件可称为“Job已出片”，即该Job的第一个加工件已经离开LP1/LP2腔室，进入机台。
另外，现有的腔室漏率检测方案在目标腔室执行漏率检测时，会将目标腔室置于offline状态，直至目标腔室完成漏率检测时，才将目标腔室恢复至online状态，目的是防止目标腔室在执行漏率检测时被后续半导体加工任务使用，但是，目标腔室处于offline状态容易使工作人员错误的判断目标腔室存在异常。而本申请可通过上述传输判定方式防止目标腔室在执行漏率检测时被后续半导体加工任务使用，因此，本申请在目标腔室执行漏率检测时，可保持目标腔室一直处于online状态，以避免工作人员错误的判断目标腔室存在异常。
作为一种可选的实施例，若第一腔室可用，且第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，包括：
若第一腔室处于在线状态且未执行漏率检测，第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室处于在线状态且未执行漏率检测，则判定下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
具体应用中，由于正在执行漏率检测的腔室、离线的腔室均无法供半导体加工任务使用，所以可通过腔室是否处于在线状态及腔室是否为正在执行漏率检测的腔室，来判断腔室是否可用。具体而言，若某一腔室处于在线状态且未执行漏率检测(可通过腔室的检测标记位确定腔室是否正在执行漏率检测)，则确定此腔室可用；否则，确定此腔室不可用。
作为一种可选的实施例，还包括：
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室之后，将目标腔室的工作状态设置为第一状态；
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室之后，将目标腔室的工作状态设置为第二状态。
本申请实施例中，目标腔室的工作状态处于第一状态表示：已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室；目标腔室的工作状态处于第二状态表示：已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室。
作为一种可选的实施例，将目标腔室的工作状态设置为第一状态，包括：将目标腔室的工作标记位标记为第一工作标识符，第一工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室；
将目标腔室的工作状态设置为第二状态，包括：将目标腔室的工作标记位标记为第二工作标识符，第二工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室。
本申请实施例中，每个半导体腔室都有一个工作标记位(可命名为IsInJobContext)，工作标记位用于表征半导体腔室当前的工作状态，即表征已下发的半导体加工任务对应的加工件是否要经过半导体腔室，具体可通过将工作标记位标记为不同工作标识符，来区分半导体腔室的不同工作状态。
比如，工作标记位对应两个工作标识符，分别为第一工作标识符(如Yes)和第二工作标识符(如No)，第一工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件经过半导体腔室；第二工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过半导体腔室。需要说明的是，半导体腔室的工作标记位默认标记为第二工作标识符。
具体应用中，以目标腔室为例，若已下发的半导体加工任务对应的加工件经过目标腔室，则将目标腔室的工作标记位标记为第一工作标识符；若已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过目标腔室，则将目标腔室的工作标记位保留在第二工作标识符。
基于上述叙述的腔室漏率检测方法，本申请的腔室漏率检测过程具体为(参照图3)：
1)判断半导体腔室是否具备漏率检测自动化能力；若是，则执行步骤2)；若否，则执行步骤13)；
2)判断半导体腔室是否处于在线状态；若是，则执行步骤3)；若否，则执行步骤13)；
3)判断半导体腔室是否到达预设漏率检测时间；若是，则执行步骤4)；若否，则执行步骤13)；
4)将半导体腔室作为目标腔室；
5)根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室，设定目标腔室的检测状态；其中，若否，则执行步骤6)；若是，则执行步骤9)；
6)判断目标腔室内是否遗留有遗留件；若否，则执行步骤7)；若是，则执行步骤8)；
7)将目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测，并执行步骤13)；
8)将目标腔室的检测状态设置为不执行状态，并将设置为不执行状态的目标腔室离线，待清除遗留件后，将目标腔室上线，并返回执行步骤1)；
9)将目标腔室的检测状态设置为待定状态；
10)将当前执行的半导体加工任务对应的传输模式保持在管道模式，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从管道模式更新为串行模式；
11)判断当前执行的半导体加工任务对应的加工件是否均完成最终的传输流程；若是，则执行步骤12)；若否，则返回执行步骤10)；
12)将目标腔室的检测状态从待定状态更新为执行状态，开始对设置为执行状态的目标腔室进行漏率检测，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从串行模式恢复为管道模式；
13)判断下一个半导体加工任务对应的加工件是否满足预设传输条件；若否，则执行步骤14)；若是，则执行步骤15)；
14)等待下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件；
15)开始传输下一个半导体加工任务对应的加工件。
本领域普通技术人员可知，随着技术的发展和新场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，这仅仅是描述本申请的实施例中对相同属性的对象在描述时所采用的区分方式。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，以便包含一系列单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它单元。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种腔室漏率检测方法，应用于半导体设备，所述半导体设备包括多个半导体腔室，其特征在于，包括：
将多个所述半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室；
根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过所述目标腔室，设定所述目标腔室的检测状态，其中，
若是，则将所述目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对所述半导体设备中的加工件执行继续传输过程，等待当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将所述目标腔室的检测状态从所述待定状态更新为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测；
若否，则在所述目标腔室内未遗留有遗留件的情况下，将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测。
2.如权利要求1所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，在所述将多个所述半导体腔室中满足预设漏率检测条件的腔室作为目标腔室之前，还包括：
判断多个所述半导体腔室是否满足预设漏率检测条件，其中，所述预设漏率检测条件包括漏率检测自动化能力、腔室在线状态以及预设漏率检测时间；
若所述半导体腔室具备漏率检测自动化能力、所述半导体腔室处于在线状态以及到达预设漏率检测时间，则判定所述半导体腔室满足预设漏率检测条件，可作为所述目标腔室。
3.如权利要求1所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室之后，还包括：
判断所述目标腔室内是否遗留有遗留件；
若否，则将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，开始对设置为所述执行状态的目标腔室进行漏率检测；
若是，则将所述目标腔室的检测状态设置为不执行状态，并将设置为所述不执行状态的所述目标腔室离线，待清除所述遗留件后，将所述目标腔室上线。
4.如权利要求1所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，所述将所述目标腔室的检测状态设置为待定状态，包括：将所述目标腔室的检测标记位标记为第一检测标识符，所述第一检测标识符表示所述目标腔室正等待执行漏率检测；
所述将所述目标腔室的检测状态设置为执行状态，包括：将所述目标腔室的检测标记位标记为第二检测标识符，所述第二检测标识符表示所述目标腔室正执行漏率检测。
5.如权利要求3所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，所述将所述目标腔室的检测状态设置为不执行状态，包括：
将所述目标腔室的检测标记位标记为第三检测标识符；其中，所述第三检测标识符表示所述目标腔室当前不执行漏率检测。
6.如权利要求1所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，所述对所述半导体设备中的加工件执行继续传输过程，具体包括：
将当前执行的半导体加工任务对应的传输模式保持在管道模式，并将下一个半导体加工任务对应的传输模式从所述管道模式更新为串行模式；
在所述当前执行的半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，将所述下一个半导体加工任务对应的传输模式从所述串行模式恢复为所述管道模式；
若所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，则开始传输所述下一个半导体加工任务对应的加工件；
其中，所述传输模式默认为所述管道模式；所述管道模式表示下一个半导体加工任务对应的加工件跟随上一个半导体加工任务对应的最后一个加工件传输；所述串行模式表示上一个半导体加工任务对应的加工件均完成最终的传输流程时，下一个半导体加工任务对应的加工件才开始传输。
7.如权利要求6所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，在所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件之前，还包括：
基于所述下一个半导体加工任务对应的加工传输路径，从多个所述半导体腔室中确定与所述加工传输路径匹配的传输途经腔室；其中，所述传输途经腔室包括：无并行腔室的第一腔室和有并行腔室的第二腔室；
若所述第一腔室可用，且所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
8.如权利要求7所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，所述若所述第一腔室可用，且所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室可用，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件，包括：
若所述第一腔室处于在线状态且未执行漏率检测，所述第二腔室对应的并行腔室中至少有一个腔室处于在线状态且未执行漏率检测，则判定所述下一个半导体加工任务对应的加工件满足预设传输条件。
9.如权利要求1所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，还包括：
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件经过所述目标腔室之后，将所述目标腔室的工作状态设置为第一状态；
在判定出已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室之后，将所述目标腔室的工作状态设置为第二状态。
10.如权利要求9所述的腔室漏率检测方法，其特征在于，所述将所述目标腔室的工作状态设置为第一状态，包括：将所述目标腔室的工作标记位标记为第一工作标识符，所述第一工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件经过所述目标腔室；
所述将所述目标腔室的工作状态设置为第二状态，包括：将所述目标腔室的工作标记位标记为第二工作标识符，所述第二工作标识符表示已下发的半导体加工任务对应的加工件不经过所述目标腔室。
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