CN115245926A - 零部件的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种零部件的处理方法，涉及半导体领域。一种零部件的处理方法，包括：将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；对经过第一次除污后的零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对零部件进行第二次除污；对经过两次除污后的零部件进行干燥。本申请至少能够解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。

Description

零部件的处理方法
技术领域
本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种零部件的处理方法。
背景技术
SiC(碳化硅)零部件具有高硬度、高熔点、高耐磨性和耐腐蚀性，以及优良的抗氧化性、高温强度、化学稳定性、抗热震性、导热性和良好的气密性等，因而，SiC在半导体领域得到了广泛的应用。例如，刻蚀机的托盘、氧化/退火炉的炉管、舟等。对于复杂结构的SiC零部件来说，其表面的污染物难以去除，其原因包括：其一，零部件结构复杂(如，带有微细孔、凹陷等结构的零部件)，内部污染物难以去除；其二，SiC材料的化学稳定性高，表面难以氧化形成SiO2(二氧化硅)。因此，无法单纯利用化学试剂腐蚀SiC表面SiO2的方式去除污染物及金属杂质。由于SiC零部件的生产工艺复杂，诸多工艺都有可能引入一些有机物、金属杂质等污染物，而这些污染物限制了SiC零部件在半导体设备中的应用，因此，保证SiC零部件的洁净度显得尤为重要。
相关技术中对SiC零部件表面处理的方式中，首先通过高温氧化热处理，在SiC零部件的表面上形成氧化膜，然后再利用HF(氢氟酸)进行清洗，从而去除从SiC零部件中扩散出的杂质。然而，该种方法耗时较长、成本较高、处理效率较低，且处理过程使用高温氧化设备进行氧化，由此会由于金属杂质的残留导致设备的金属污染。
相关技术中还提供了另一种处理方式，其通过SiC烧结体浸入清洁液中，并施加高于要去除的杂质金属元素的氧化还原电势的正电势，烧结体的表面附近金属杂质被电离，并将其释放到清洁溶液中，以实现SiC烧结体的清洁。然而，该种处理方式的清洁能力较弱，污染物容易残留且不能清除金属以外的其他污染物。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种零部件的处理方法，至少能够解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
本申请实施例提供了一种零部件的处理方法，该处理方法包括：
将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；
对经过第一次除污后的所述零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对所述零部件进行第二次除污；
对经过两次除污后的所述零部件进行干燥。
本申请实施例中，先利用除污腔室对其内部的零部件进行第一次除污，以清除零部件局部的污染物；采用超声波对零部件进行清洗，且超声清洗与去离子水冲洗相配合，以对零部件进行第二次除污，进一步清洗掉零部件上粘有的污染物；待两次除污后，对零部件进行干燥，以保证零部件干燥和洁净。基于上述过程，通过清除零部件粘有的污染物，可以满足半导体设备的使用需求；并且，上述过程包括的步骤相对较少，且每个步骤相对简单，在一定程度上可以缩短处理工时，从而可以节省处理的时间，提高处理效率。
附图说明
图1为本申请实施例公开的零部件的处理方法的第一实施方式的流程图；
图2为本申请实施例公开的零部件的处理方法的第二实施方式的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。
本申请实施例公开了一种零部件的处理方法，该处理方法可以对零部件进行全面处理，以去除零部件的污染物，保证其洁净度。如图1所示，所公开的零部件的处理方法包括：
S100、将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；
S200、对经过第一次除污后的零部件进行超声清洗，并进行去离子水清洗，以对零部件进行第二次除污；
S300、对经过两次除污后的零部件进行干燥。
本申请实施例中，先利用除污腔室对其内部的零部件进行第一次除污，以清除零部件局部的污染物；采用超声波对零部件进行清洗，且超声清洗与去离子水冲洗相配合，以对零部件进行第二次除污，进一步清洗掉零部件粘有的污染物；待两次除污后，对零部件进行干燥，以保证零部件干燥和洁净。基于上述过程，通过清除零部件的污染物，可以满足半导体设备的使用需求；并且，上述过程包括的步骤相对较少，且每个步骤相对简单，在一定程度上可以缩短处理工时，从而可以节省处理的时间，提高处理效率。
在一些实施例中，对零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，包括：
将零部件浸入复合清洗剂中进行第一次超声清洗，并进行第一次去离子水冲洗；
将零部件进入HF酸和臭氧水混合溶液中进行第二次超声清洗，并进行第二次去离子水冲洗。
本申请实施例中，利用复合清洗剂进行第一次超声清洗，利用HF酸和臭氧水混合溶液进行第二次超声清洗，且每次清洗都与去离子水冲洗相配合，从而可以有效除去零部件粘有的颗粒物、有机物、金属杂质等污染物。基于上述过程，使得零部件的金属杂质小于0.05ppm，可以满足半导体设备的使用需求。
为了进一步提升对零部件的小颗粒污染物、部分有机物及部分金属杂质的去除效果，一些实施例中，复合清洗剂可以包括盐酸、硝酸和去离子水，以便于与待清除的污染物相对应，进而可以提高清除效果。
进一步地，复合清洗剂中的盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：(1～3)：(2～10)，基于此混合比例，可以有利于提高对零部件的小颗粒污染物、部分有机物及部分金属杂质的去除率，进而提高零部件的洁净度。
需要指出的是，上述盐酸为纯盐酸，即浓度为100％或接近100％的盐酸。上述硝酸为纯硝酸，即浓度为100％或接近100％的硝酸。
本申请实施例中，第一次超声清洗可以在装有混合酸超声槽中进行，且超声槽内设置有循环滤芯，以提升对零部件的处理效果。
其中，第一次超声清洗的条件包括：超声频率为40～80KHz，具体可以包括40KHz，50KHz、60KHz、70KHz、80KHz等，除此以外，还可以包括40～80KHz之间的其他任意值。
超声槽内设有的循环滤芯≤0.2μm，具体可以包括0.05μm、0.1μm、0.15μm和0.2μm等，除此以外，还可以包括≤0.2范围内的其他任意值。
第一次超声清洗的浸泡时间为5～10min，具体可以包括5min、6min、7min、8min、9min、10min等，除此以外，还可以包括5～10min范围内的其他任意值。
另外，利用低频清洗程序不仅可以利用化学试剂对零部件的污染物进行有效去除，还可以缩短清洗时间，提高清洗效率。
本申请实施例中，第一次去离子水冲洗的过程是在冲洗槽中进行的，可选地，冲洗槽可以是快排冲洗槽(即，QDR槽)，其排水时间较短，为2～4s，包括2s、3s、4s或前述范围之间的任意值。
另外，第一次去离子水的冲洗时间为6～10min，具体包括6min、7min、8min、9min、10min或前述范围之间的任意值。具体地，将零部件从混合酸中取出后，置于快排冲洗槽内利用去离子水进行冲水清洗，以便于有效去除零部件上残留的化学试剂及金属杂质污染，进一步提高零部件的洁净度。
本申请实施例中，第二次超声清洗采用HF酸和臭氧水混合溶液，该混合溶液中，HF酸的质量浓度为1％～3％，具体包括1％、1.5％、2％、2.5％、3％或前述范围之间的任意值。臭氧水的质量浓度为10～30ppm，具体包括10ppm、15ppm、20ppm、25ppm、30ppm或前述范围之间的任意值。基于此，采用上述浓度范围之内的HF酸和上述浓度范围之内的臭氧水混合形成的混合溶液，不仅可以对零部件上残留的金属杂质进行有效清除，还可以避免酸浓度过高对零部件表面造成损伤。
本申请实施例中，第二次超声清洗可以在装有稀HF酸和臭氧水混合溶液的超声槽中进行，且超声槽内设置有循环滤芯，以提升对零部件的处理效果。
其中，第二次超声清洗的条件包括：超声频率为60～120KHz，具体包括60KHz、70KHz、80KHz、90KHz、100KHz、110KHz、120KHz或前述范围之间的任意值；循环滤芯≤0.2μm，具体包括0.05μm、0.1μm、0.15μm、0.2μm或前述范围内的任意值；第二次超声清洗的浸泡时间为3～5min，具体可以包括3min、3.5min、4min、4.5min、5min或前述范围之间的任意值。
基于上述设置，不仅可以对零部件上的有机物和金属杂质进行有效去除，还能够将药液的使用寿命延长，有效节约清洗的成本。
本申请实施例中，第二次去离子水冲洗的过程是在冲洗槽中进行的，可选地，冲洗槽可以是快排冲洗槽(即，QDR槽)，其排水时间较短，为2～4s，包括2s、3s、4s或前述范围之间的任意值。
另外，第二次去离子水的冲洗时间为6～10min，具体包括6min、7min、8min、9min、10min或前述范围之间的任意值。具体地，将零部件从混合酸中取出后，置于快排冲洗槽内利用去离子水进行冲水清洗，以便于有效去除零部件上残留的化学试剂及金属杂质污染，进一步提高零部件的洁净度。
在一些实施例中，除污腔室可以为紫外光催化-臭氧(即，UV-O3)腔室。
此处需要说明的是，当零部件为带有微细孔、凹陷的复杂结构时，可以通过UV-O3可以对复杂结构零部件的内部污染物进行清除，以保证其该区域的洁净度。
一些实施例中，紫外光催化-臭氧腔室中的灯管的功率可以为20～40W，具体可以包括：20W、25W、30W、35W、40W等，除此以外，还可以包括20～40W之间的其他任意值。
在紫外光催化-臭氧腔室中对零部件进行第一次除污的处理时间可以为5min～20min，具体可以包括5min、10min、15min、20min等，除此以外，还可以包括5～20min之间的其他任意值。
在一些实施例中，对经过两次除污后的零部件进行干燥，包括：
对零部件表面进行第一次吹扫，并进行烘烤；
对零部件进行第二次吹扫。
基于上述步骤，可以保证零部件不会粘有清洗液，保证了零部件干燥和洁净度。
进一步地，对零部件的表面进行第一次吹扫，包括：
采用滤膜孔径不大于0.1μm的过滤器对氮气进行过滤，具体可以包括0.05μm、0.1μm或前述范围内的任意值；采用过滤后的氮气对零部件表面进行第一次吹扫，其中氮气的纯度为99.99％～99.999％，具体可以包括99.99％、99.999％或前述范围之间的任意值。
在一些实施例中，进行烘烤，包括：
将经过第一次吹扫的零部件放入干燥箱中进行烘烤，其中，烘烤的温度为80～100℃，具体可以包括80℃、85℃、90℃、95℃、100℃或前述范围之间的任意值；烘烤的时间为30～60min，具体包括30min、40min、50min、60min或前述范围之间的任意值。
基于上述过程，可加快干燥速率，有利于保持零部件的洁净度。
在一些实施例中，对零部件进行第二次吹扫，包括：
采用滤膜孔径不大于0.1μm的过滤器对氮气进行过滤，具体可以包括0.05μm、0.1μm或前述范围内的任意值；采用过滤后的氮气对零部件进行第二次吹扫，其中氮气的纯度为99.99％～99.999％，具体可以包括99.99％、99.999％或前述范围之间的任意值。
本申请实施例中，零部件为至少带有微细孔或凹陷结构的复杂结构的零部件。除此以外，零部件还可以带有凸起结构等，具体形式不作具体限定。
采用上述零部件的处理方法可以对带有复杂结构的零部件进行除污，以保证带有复杂结构的零部件的各个部位均能够被处理干净，以保证其清洁度。
一些实施例中，零部件可以为带有复杂结构的SiC零部件、Al2O3零部件等，例如，SiC舟槽、带有孔洞的真空吸盘等。
基于上述情况，本申请实施例公开了一种较为优选的实施例，如图2所示，具体为：
零部件的处理方法，包括以下步骤：
S100、将零部件放入UV-O3腔室中进行第一次除污。
具体为，对零部件内部(即，零部件带有微细孔、凹陷等结构)污染物的清除，且UV-O3腔室中的灯管采用紫外灯，紫外灯的功率为20～40W，处理时间为5～20min。
S210、将经过第一次除污后的零部件浸入复合清洗剂中进行第一次超声清洗，并进行第一次去离子水冲洗。
具体为，将步骤S100处理后的零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中并进行超声清洗，超声频率为40～80KHz，循环滤芯不大于0.2μm，浸泡时间为5～10min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为6～10min，排水时间为2～4s；其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：(1～3)：(2～10)。
S220、将经过第一次去离子水冲洗后的零部件浸入HF酸和臭氧水混合溶液中进行第二次超声清洗，并进行第二次去离子水冲洗。
具体为，将步骤S210处理后的零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为60～120KHz，循环滤芯不大于0.2μm，浸泡时间为3～5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为6～10min，排水时间为2～4s；其中，HF酸和臭氧水混合溶液中，HF酸的浓度为1％～3％，臭氧水的浓度为10～30ppm。
S310、对零部件表面进行第一次吹扫，并进行烘烤。
具体为，使用不大于0.1μm的过滤器过滤的氮气吹掉零部件表面的液体(如，去离子水等)，其中，氮气的浓度为99.99％～99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为80～100℃，时间为30～60min。
S320、对经过烘烤后的零部件进行第二次吹扫。
具体为，烘烤结束后冷却取出，使用不大于0.1μm的过滤器过滤的氮气对零部件进行全面吹扫，其中，氮气的浓度为99.99％～99.999％。
下面将通过多个具体的实施例对本申请实施例进行详细阐述，另外，下述实施例中，在无特殊说明的情况下，原料、实际均为市售品，均容易买到，且室温为25±5℃；另外，以复杂结构的SiC零部件为例进行阐述，而复杂结构的SiC零部件可以理解为携带微细孔、凹陷等结构的SiC零部件等。
实施例1：
1)将复杂结构的SiC零部件放入UV-O3腔室中进行复杂结构的SiC零部件内部污染物的清除，紫外灯的功率为30W，处理时间为15min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中，并进行超声清洗，超声频率为60KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为8min，然后放掉冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：1：5。
3)将步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为80KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中HF酸和臭氧水混合溶液中看，HF酸的浓度为2％，臭氧水的浓度为20ppm。
4)使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气吹掉SiC零部件表面的水分，其中，氮气的纯度为99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为100℃，时间为60min。
5)烘烤结束后冷却取出，使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气对SiC零部件进行全面吹扫，其中，氮气的纯度为99.999％。
基于上述实施例1中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.05ppm，且SiC零部件的表面及内部无大颗粒及其他污染物，保证了SiC零部件的洁净度。
实施例2：
1)将复杂结构的SiC零部件放入UV-O3腔室中进行复杂结构的SiC零部件内部污染物的清除，紫外灯的功率为40W，处理时间为20min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中，并进行超声清洗，超声频率为60KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为8min，然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：1：5。
3)将步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为80KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中HF酸和臭氧水混合溶液中看，HF酸的浓度为2％，臭氧水的浓度为20ppm。
4)使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气吹掉SiC零部件表面的水分，其中，氮气的纯度为99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为100℃，时间为60min。
5)烘烤结束后冷却取出，使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气对SiC零部件进行全面吹扫，其中，氮气的纯度为99.999％。
基于上述实施例2中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.04ppm，且SiC零部件的表面及内部无大颗粒及其他污染物，保证了SiC零部件的洁净度。
实施例3：
1)将复杂结构的SiC零部件放入UV-O3腔室中进行复杂结构的SiC零部件内部污染物的清除，紫外灯的功率为40W，处理时间为20min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中，并进行超声清洗，超声频率为60KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为8min，然后放掉冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：2：10。
3)将步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为80KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中HF酸和臭氧水混合溶液中看，HF酸的浓度为2％，臭氧水的浓度为20ppm。
4)使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气吹掉SiC零部件表面的水分，其中，氮气的纯度为99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为100℃，时间为60min。
5)烘烤结束后冷却取出，使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气对SiC零部件进行全面吹扫，其中，氮气的纯度为99.999％。
基于上述实施例3中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.05ppm，且SiC零部件的表面及内部无大颗粒及其他污染物，保证了SiC零部件的洁净度。
实施例4：
1)将复杂结构的SiC零部件放入UV-O3腔室中进行复杂结构的SiC零部件内部污染物的清除，紫外灯的功率为40W，处理时间为20min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中，并进行超声清洗，超声频率为60KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为8min，然后放掉冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：2：10。
3)将步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为80KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中HF酸和臭氧水混合溶液中看，HF酸的浓度为2％，臭氧水的浓度为30ppm。
4)使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气吹掉SiC零部件表面的水分，其中，氮气的纯度为99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为100℃，时间为60min。
5)烘烤结束后冷却取出，使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气对SiC零部件进行全面吹扫，其中，氮气的纯度为99.999％。
基于上述实施例4中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.03ppm，且SiC零部件的表面及内部无大颗粒及其他污染物，保证了SiC零部件的洁净度。
实施例5：
1)将复杂结构的SiC零部件放入UV-O3腔室中进行复杂结构的SiC零部件内部污染物的清除，紫外灯的功率为40W，处理时间为20min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入盐酸、硝酸和去离子水复合清洗剂中，并进行超声清洗，超声频率为60KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为8min，然后放掉冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中，复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：2：10。
3)将步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入稀HF酸和臭氧水混合溶液中，并再次进行超声清洗，超声频率为80KHz，循环滤芯为0.1μm，浸泡时间为5min；然后放入冲洗槽中进行去离子水冲洗，冲洗时间为8min，排水时间为2s。其中HF酸和臭氧水混合溶液中看，HF酸的浓度为1％，臭氧水的浓度为30ppm。
4)使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气吹掉SiC零部件表面的水分，其中，氮气的纯度为99.999％，并放入干燥箱中烘烤，干燥箱温度为100℃，时间为60min。
5)烘烤结束后冷却取出，使用0.05μm的过滤器过滤氮气，并通过氮气对SiC零部件进行全面吹扫，其中，氮气的纯度为99.999％。
基于上述实施例5中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.04ppm，且SiC零部件的表面及内部无大颗粒及其他污染物，保证了SiC零部件的洁净度。
对比例1：
1)将复杂结构的SiC零部件浸入HF溶液中(HF：DI＝1:4)，浸泡10min。
2)将步骤1)处理后的复杂结构的SiC零部件浸入去离子水中，浸泡5min，晃动零部件。
3)使用去离子水加压喷淋冲洗步骤2)处理后的复杂结构的SiC零部件，喷淋压力为60psi，喷淋时间为3min。
4)使用0.1μm过滤器过滤后的干燥空气或氮气吹掉产品上的水分。
5)放入干燥箱中烘烤，干燥箱的烘烤温度为100℃，烘烤时间为100min。
6)冷却后取出，用0.1μm的过滤器过滤后的干燥氮气对SiC零部件进行全面吹扫。
基于上述对比例1中的各个步骤处理后的复杂结构的SiC零部件，Na、Al、K、Zn、Ca、Ni、Fe、Cu的金属杂质均小于0.3ppm，且SiC零部件的表面无大颗粒，表面及内部存在部分污染物。
基于上述实施例1～5与对比例1得到下述表1。
金属杂质 表面大颗粒 表面污染物 内部污染物
实施例1 ＜0.05ppm 无 无 无
实施例2 ＜0.04ppm 无 无 无
实施例3 ＜0.05ppm 无 无 无
实施例4 ＜0.03ppm 无 无 无
实施例5 ＜0.04ppm 无 无 无
对比例1 ＜0.3ppm 无 污染物残留 污染物残留
根据表1可知，实施例1～5相比于对比例1，对于SiC零部件上的污染物的清除效果具有显著的效果，从而对SiC零部件的洁净度具有较大的提升。
综上所述，本申请实施例通过UV-O3处理，可以适用于复杂结构的SiC零部件的污染物的清除，以便于彻底清除带有的微细孔、凹陷的复杂结构SiC零部件的内部污染物；通过符合清洁剂和稀HF酸/臭氧水混合溶液分别进行超声清洗，并分别与去离子水冲洗相配合，能够有效除去复杂结构SiC零部件上的颗粒、有机物、金属杂质等污染物；且每个工步处理的时间相对较短，不仅可以有效延长药液的使用寿命，节约清洗成本，还可以节约清洗制程的时间，提高清洗效率。通过本申请实施例中的处理方法处理后的SiC零部件上无有机污染物、有机污染物，且金属杂质均＜0.05ppm，相比于相关技术中的清洗效果具有显著提升。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种零部件的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；
对经过第一次除污后的所述零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对所述零部件进行第二次除污；
对经过两次除污后的所述零部件进行干燥。
2.根据权利要求1所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述经过第一次除污后的所述对零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，包括：
将所述零部件浸入复合清洗剂中进行第一次超声清洗，并进行第一次去离子水冲洗；
将经过第一次去离子水冲洗后的所述零部件浸入HF酸和臭氧水混合溶液中进行第二次超声清洗，并进行第二次去离子水冲洗。
3.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述复合清洗剂包括盐酸、硝酸和去离子水。
4.根据权利要求3所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：(1～3)：(2～10)。
5.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述HF酸和臭氧水混合溶液中，HF酸的质量浓度为1％～3％，臭氧水的质量浓度为10ppm～30ppm。
6.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述第一次超声清洗的条件包括：超声频率为40～80KHz，循环滤芯≤0.2μm，浸泡时间为5min～10min；
和/或，所述第一次去离子水冲洗的条件包括：冲洗时间为6min～10min，排水时间为2s～4s；
和/或，所述第二次超声清洗的条件包括：超声频率为60～120KHz，循环滤芯≤0.2μm，浸泡时间为3min～5min；
和/或，所述第二次去离子水冲洗的条件包括：冲洗时间为6min～10min，排水时间为2s～4s。
7.根据权利要求1所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述除污腔室为紫外光催化-臭氧腔室；
所述紫外光催化-臭氧腔室中的灯管的功率为20W～40W，处理时间为5min～20min。
8.根据权利要求1所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述对经过两次除污后的零部件进行干燥，包括：
对所述零部件表面进行第一次吹扫，并进行烘烤；
对经过烘烤后的所述零部件进行第二次吹扫。
9.根据权利要求8所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述对所述零部件表面进行第一次吹扫，包括：
采用滤膜孔径不大于0.1μm的过滤器对氮气进行过滤；
采用过滤后的氮气对所述零部件表面进行所述第一次吹扫；
和/或，所述进行烘烤，包括：
将经过所述第一次吹扫的所述零部件放入干燥箱中进行烘烤，其中，烘烤的温度为80℃～100℃，烘烤的时间为30min～60min；
和/或，所述对所述零部件进行第二次吹扫，包括：
采用滤膜孔径不大于0.1μm的过滤器对氮气进行过滤；
采用过滤后的氮气对所述零部件的表面进行所述第二次吹扫；
其中，所述第一次吹扫及所述第二次吹扫所使用的氮气的纯度均为99.99％～99.999％。
10.根据权利要求1所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述零部件为至少带有微细孔或凹陷结构的复杂结构的零部件。
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