CN115223649A - 信息检测方法及装置、电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种信息检测方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域，可以应用于对DRAM内存条中SPD信息进行真实性检测的场景。该方法包括：获取待检测存储器，确定待检测存储器对应的存储器参数；存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；从待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；对存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。本公开可以检测出DRAM内存条中SPD信息是否真实。

Description

信息检测方法及装置、电子设备

技术领域

本公开涉及半导体生产与制造技术领域，具体而言，涉及一种信息检测方法、信息检测装置、电子设备。

背景技术

目前动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)内存条上均装有串行存在检测(serial presence detect，SPD)芯片，SPD芯片记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压等参数。

SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据DRAM芯片的实际性能写入到SPD芯片中。启动计算机时，主板基本输入输出系统(Basic Input Output System，BIOS)将根据SPD中的参数来配置内存工作时序和控制寄存器，从而充分发挥内存条的性能。然而SPD里面的参数信息却可以被工具进行修改，这将导致在实际使用中无法查询到真实的内存信息。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种信息检测方法、信息检测装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服无法检测DRAM内存条中的SPD信息是否真实的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种信息检测方法，包括：获取待检测存储器，确定所述待检测存储器对应的存储器参数；所述存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；从所述待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；对所述存储器参数与所述芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据所述对比结果确定所述芯片记录参数的真实性。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述存储器参数包括第一存储器参数，所述确定所述待检测存储器对应的存储器参数，包括：检测设备系统板的通电状态；响应于检测到所述通电状态为已通电状态，生成所述操作代码；通过所述操作代码从所述待检测存储器读取所述第一存储器参数；所述第一存储器参数包括所述待检测存储器的厂家信息与容量信息。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述存储器参数还包括第二存储器参数，确定所述待检测存储器对应的存储器参数，包括：生成用于获取所述存储器参数的测试向量；基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二存储器参数包括工作频率，所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：获取初始工作频率向量，在所述初始工作频率向量中写入寄存器参数，以得到工作频率向量；所述寄存器参数包括所述待检测存储器的候选工作频率；基于所述工作频率向量向所述待检测存储器中写入第一测试数据；基于数据写入操作对应的候选工作频率从所述待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据；将所述第一读出数据与所述第一测试数据一致的候选工作频率，作为目标工作频率。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述工作频率向量向所述待检测存储器中写入第一测试数据，包括：基于所述工作频率向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第一测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第一测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；响应于所述待检测存储器中当前行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令；针对所述当前行的下一行进行数据写入操作，直至所述待检测存储器的所有行和所有列均已写入所述第一测试数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于数据写入操作对应的候选工作频率从所述待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据，包括：基于所述候选工作频率发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器中的当前数据行读取所述第一测试数据；响应于所述当前数据行的读取完成事件，在第三时间间隔后发送预充电命令；重复针对数据行的数据读取操作，直至所述待检测存储器中所有第一测试数据读取完毕，得到所述第一读出数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二存储器参数包括存储器刷新时间，所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：获取初始刷新时间向量，在所述初始刷新时间向量中写入寄存器参数，以得到刷新时间向量；所述寄存器参数包括候选刷新时间值，所述候选刷新时间值基于存储器容量确定；基于所述刷新时间向量向所述待检测存储器中写入第二测试数据；从所述待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据；调整当前配置的所述候选刷新时间值，并确定不同所述候选刷新时间值对应的数据读写结果；根据所述第二读出数据与所述第二测试数据一致的候选刷新时间值，确定所述目标刷新时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述刷新时间向量向所述待检测存储器中写入第二测试数据，包括：基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第二测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第二测试数据逐个写入至所述待检测存储器中的特定位置；响应于所述待检测存储器的当前存储体的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述从所述待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据，包括：基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的所述第二测试数据；响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第二读出数据；在第四时间间隔后发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二存储器参数包括指令响应间隔时间，所述所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：获取初始响应间隔时间向量，在所述初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数，以得到响应间隔时间向量；所述寄存器参数包括响应间隔时间值；基于所述响应间隔时间向量向所述待检测存储器中写入第三测试数据；基于时钟周期进行自刷新配置操作，通过所述自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值；采用不同的所述响应间隔时间值从所述待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据；根据所述第三读出数据与所述第三测试数据一致的响应间隔时间值，确定目标响应间隔时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述响应间隔时间向量向所述待检测存储器中写入第三测试数据，包括：基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第三测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第三测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；响应于所述待检测存储器的所有数据行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述采用不同的所述响应间隔时间值从所述待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据，包括：基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的第三测试数据；响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第三读出数据，并发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述方法还包括：如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数不一致，则所述芯片记录参数不是真实存储器参数，将确定出所述存储器参数发送至待检测存储器对应的输入输出系统芯片；如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数一致，则所述芯片记录参数是真实存储器参数，基于所述芯片记录参数启动系统板运行。

根据本公开的第二方面，提供一种信息检测装置，包括：存储器参数确定模块，用于确定待检测存储器对应的存储器参数；所述存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；芯片参数获取模块，用于从所述待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；参数对比模块，用于对所述存储器参数与所述芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据所述对比结果确定所述芯片记录参数的真实性。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述存储器参数包括第一存储器参数，所述存储器参数确定模块包括第一参数确定模块，所述第一参数确定模块用于检测设备系统板的通电状态；响应于检测到所述通电状态为已通电状态，生成所述操作代码；通过所述操作代码从所述待检测存储器读取所述第一存储器参数；所述第一存储器参数包括所述待检测存储器的厂家信息与容量信息。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述存储器参数还包括第二存储器参数，所述存储器参数确定模块还包括第二参数确定模块，所述第一参数确定模块用于生成用于获取所述存储器参数的测试向量；基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二存储器参数包括工作频率，所述第二参数确定模块包括频率参数确定单元，所述频率参数确定单元用于获取初始工作频率向量，在所述初始工作频率向量中写入寄存器参数，以得到工作频率向量；所述寄存器参数包括所述待检测存储器的候选工作频率；基于所述工作频率向量向所述待检测存储器中写入第一测试数据；基于数据写入操作对应的候选工作频率从所述待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据；将所述第一读出数据与所述第一测试数据一致的候选工作频率，作为目标工作频率。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述频率参数确定单元第一数据写入子单元，所述第一数据写入子单元用于基于所述工作频率向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第一测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第一测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；响应于所述待检测存储器中当前行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令；针对所述当前行的下一行进行数据写入操作，直至所述待检测存储器的所有行和所有列均已写入所述第一测试数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述频率参数确定单元第一数据读取子单元，所述第一数据读取子单元用于基于所述候选工作频率发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器中的当前数据行读取所述第一测试数据；响应于所述当前数据行的读取完成事件，在第三时间间隔后发送预充电命令；重复针对数据行的数据读取操作，直至所述待检测存储器中所有第一测试数据读取完毕，得到所述第一读出数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二参数确定模块包括刷新时间确定单元，所述刷新时间确定单元用于获取初始刷新时间向量，在所述初始刷新时间向量中写入寄存器参数，以得到刷新时间向量；所述寄存器参数包括候选刷新时间值，所述候选刷新时间值基于存储器容量确定；基于所述刷新时间向量向所述待检测存储器中写入第二测试数据；从所述待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据；调整当前配置的所述候选刷新时间值，并确定不同所述候选刷新时间值对应的数据读写结果；根据所述第二读出数据与所述第二测试数据一致的候选刷新时间值，确定所述目标刷新时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述刷新时间确定单元包括第二数据写入子单元，所述第二数据写入子单元用于基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第二测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第二测试数据逐个写入至所述待检测存储器中的特定位置；响应于所述待检测存储器的当前存储体的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述刷新时间确定单元包括第二数据读取子单元，所述第二数据读取子单元用于基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的所述第二测试数据；响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第二读出数据；在第四时间间隔后发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述第二存储器参数包括指令响应间隔时间，所述第二参数确定模块包括响应间隔时间确定单元，所述响应间隔时间确定单元用于获取初始响应间隔时间向量，在所述初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数，以得到响应间隔时间向量；所述寄存器参数包括响应间隔时间值；基于所述响应间隔时间向量向所述待检测存储器中写入第三测试数据；基于时钟周期进行自刷新配置操作，通过所述自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值；采用不同的所述响应间隔时间值从所述待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据；根据所述第三读出数据与所述第三测试数据一致的响应间隔时间值，确定目标响应间隔时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述响应间隔时间确定单元包括第三数据写入子单元，所述第三数据写入子单元用于基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将所述第三测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第三测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；响应于所述待检测存储器的所有数据行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述响应间隔时间确定单元包括第三数据读取子单元，所述第三数据读取子单元用于基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的第三测试数据；响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第三读出数据，并发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，所述信息检测装置还包括参数使用模块，用于如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数不一致，则所述芯片记录参数不是真实存储器参数，将确定出所述存储器参数发送至待检测存储器对应的输入输出系统芯片；如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数一致，则所述芯片记录参数是真实存储器参数，基于所述芯片记录参数启动系统板运行。

根据本公开的第三方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据上述任意一项所述的信息检测方法。

根据本公开的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据上述任意一项所述的信息检测方法。

本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开的示例性实施例中的信息检测方法，将通过操作代码或测试向量得到的存储器参数与从检测芯片中直接获取到的芯片记录参数进行一致性对比，可以确定出芯片记录参数的真实性，基于检测芯片中的芯片记录参数启动系统板运行。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的信息检测方法的流程图；

图2示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的信息检测方法的执行主体包含的多个模块之间的连接关系图；

图3示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的进行参数真实性检测的整体流程图；

图4示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的向待监测存储器写入和读取第一测试数据的整体流程图；

图5示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的向待监测存储器写入和读取第二测试数据的整体流程图；

图6示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的向待监测存储器写入和读取第三测试数据的整体流程图；

图7示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的信息检测装置的方框图；

图8示意性示出了根据本公开一示例性实施例的电子设备的框图；

图9示意性示出了根据本公开一示例性实施例的计算机可读存储介质的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

目前，DRAM内存条，诸如带存储器的双列直插式存储模块(Registered-Dual-Inline-Memory-Modules，RDIMM)、无缓冲双列直插式储存模块(Unregistered Dual-Inline-Memory-Modules，UDIMM)以及无缓冲小型双列直插式存储模块(Small OutlineDual-Inline-Memory-Modules，SODIMM)等，均安装有SPD芯片，其本质是一个可擦写的电可擦编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)芯片。

启动计算机时，主板BIOS就会读取内存SPD中的信息，然后根据这些参数来自动配置相应的内存工作时序和控制寄存器，从而充分发挥内存条的性能。然而SPD里面的参数信息却可以被工具进行修改，如DRAM内存芯片只能支持2933Mhz的工作频率，但是SPD里的参数显示DRAM芯片可以支持3200Mhz的工作频率，当BIOS读取SPD信息时便会以3200Mhz的工作频率进行工作，这将造成主板不开机或者工作不稳定的情况。

基于此，在本示例实施例中，首先提供了一种信息检测方法，可以利用服务器来实现本公开的信息检测方法，也可以利用终端设备来实现本公开所述的方法，其中，本公开中描述的终端可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)等移动终端，以及诸如台式计算机等固定终端。图1示意性示出了根据本公开的一些实施例的信息检测方法流程的示意图。参考图1，该信息检测方法可以包括以下步骤：

步骤S110，获取待检测存储器，确定待检测存储器对应的存储器参数；存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；

步骤S120，从待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；

步骤S130，对存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。

根据本示例实施例中的信息检测方法，将通过操作代码或测试向量得到的存储器参数与从检测芯片中直接获取到的芯片记录参数进行一致性对比，可以确定出芯片记录参数的真实性，基于检测芯片中的芯片记录参数启动系统板运行。

下面，将对本示例实施例中的信息检测方法进行进一步的说明。

在步骤S110中，获取待检测存储器，确定待检测存储器对应的存储器参数；存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到。

在本公开的一些示例性实施方式中，待检测存储器可以是等待进行参数检测的存储器。存储器参数可以是基于操作代码和测试向量从待检测存储器本身中获取到的真实存储器参数。操作代码可以是信息检测方法的执行主体从待检测存储器中获取第一存储器参数所采用的参数获取代码。测试向量(pattern)可以是包含测试存储器的时序特征的向量，狭义意义上的测试pattern就是存储器芯片的真值表。

本公开的信息检测方法旨在检测DRAM内存条SPD内存信息是否真实，参考图2，图2示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的信息检测方法的执行主体包含的多个模块之间的连接关系图。该方法的执行主体(即信息检测主体210)可以包括主控模块211、存储模块212、供电模块213、显示模块214以及蜂鸣器215，并直接连接在系统板(即主板)上。在获取到待检测存储器时，信息检测主体210可以通过操作代码或测试向量确定出待检测存储器对应的存储器参数。

在本公开的一种示例性实施方案中，检测设备系统板的通电状态；响应于检测到通电状态为已通电状态，生成操作代码；通过操作代码从待检测存储器读取第一存储器参数；第一存储器参数包括待检测存储器的厂家信息与容量信息。

其中，设备系统板可以是信息检测方法执行主体所采用的设备的主板。通电状态可以是设备系统板是否通电的具体状态。已通电状态设备系统板通入电源的状态。第一存储器参数可以是待检测存储器的厂家信息与容量信息等相关参数。厂家信息可以是待检测存储器的生产厂家的相关信息。容量信息可以是待检测存储器的容量大小的相关信息。

通过信息检测主体的整体连接结构可知，信息检测主体是直接连接在计算机设备的主板上的。在确定待检测存储器的第一存储器参数时，可以先检测计算机设备的系统板的通电状态。参考图3，图3示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的进行参数真实性检测的整体流程图。在图3中，如果检测到检测设备的系统板的通电状态为已通电状态，则意味着检测设备的系统板已上电，此时信息检测主体210可以生成用于获取第一存储器参数的操作代码(Operation Code)，主控模块通过Operation Code获取待检测存储器(即DRAM颗粒)的生产厂家和存储容量等信息310。

在本公开的一种示例性实施方案中，生成用于获取存储器参数的测试向量；基于测试向量对待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定第二存储器参数。

其中，数据读写结果可以是向待检测存储器进行数据写入操作和数据读取操作后，对写入数据与读出数据进行一致性对比的结果。第二存储器参数可以是存储器的核心时间参数，第二存储器参数可以是基于测试向量确定出的待检测存储器的真实参数，例如，第二存储器参数可以包括工作频率、存储器刷新时间与指令响应间隔时间等参数。

由于待检测存储器还包括核心时序参数(Core Timing)、工作频率等第二存储器参数，这些第二存储器参数无法直接获取，可以通过不同的测试向量(测试Pattern)获得。因此，在图3中，信息检测主体还可以生成用于获取第二存储器参数的多个测试Pattern，再通过不同的测试Pattern获取DRAM颗粒的工作频率等工作参数320。具体的，信息检测主体可以基于测试向量对待检测存储器进行数据读写操作，如在特定的工作参数值下将测试数据写入至待检测存储器中，并按照此工作参数值从待检测存储器中读取已写入的测试数据，判断通过数据读取操作得到的读出数据与写入的测试数据两者是否一致，进而确定出对应的第二存储器参数。

在本公开的一种示例性实施方案中，获取初始工作频率向量，在初始工作频率向量中写入寄存器参数，以得到工作频率向量；寄存器参数包括待检测存储器的候选工作频率；基于工作频率向量向待检测存储器中写入第一测试数据；基于数据写入操作对应的候选工作频率从待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据；从第一读出数据与第一测试数据一致的候选工作频率中，确定目标工作频率。

其中，初始工作频率向量可以是初始配置的用于确定工作频率的测试向量。寄存器参数可以是在基于待检测数据存储器进行数据读写操作时所使用的参数。工作频率向量可以是在初始工作频率向量中写入寄存器参数后得到的向量。候选工作频率可以是对待检测存储器进行读写操作时所采用的多个工作频率。第一测试数据可以是用于确定待检测存储器的工作频率所使用的测试数据。第一读出数据可以是从已写入第一测试数据的待检测存储器中进行数据读取操作所得到的数据。目标工作频率可以是待检测存储器的真实工作频率。

寄存器参数可以包括单位时钟周期(Clock Cycle Time，tCK)、行寻址到列寻址延迟时间(RAS to CAS Delay，又可以称为：Acitve to CMD，tRCD)、列地址写入延迟时间(CASWrite Latency，tCWL)、写恢复延时时间(Write Recovery Time，tWR)、内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间(CAS Lantency Control，tCL)、读到预充电的时间(tRTP)以及内存行地址控制器预充电时间(Row Precharge Timing，又可以称为：Precharge to Active，tRP)。

本实施例可以根据工作频率测试向量读取出DRAM颗粒的最大工作频率信息，作为目标工作频率。具体处理过程如下：在确定目标工作频率时，可以先进行初始化处理。获取用于确定目标工作频率的初始工作频率向量，并将预先配置的DRAM颗粒的寄存器参数(Mode Register)的相关信息写入至初始工作频率向量，得到工作频率向量。由于在本实施例中，需要通过工作频率向量确定DRAM颗粒的最大工作频率信息，因此，寄存器参数可以包括多个候选工作频率，并根据多个候选工作频率下的数据读写结果确定出目标工作频率。

具体的，以2666Mhz的工作频率为例，根据联合电子设备工程委员会(JointElectron Device Engineering Council，JEDEC)标准规定，其余寄存器参数可以配置为tCK＝0.75ns，tRCD＝20ns，tCWL＝18ns，tWR＝24ns，tCL＝20ns，tRTP＝32ns，tRP＝20ns等。

在得到工作频率向量后，则可基于工作频率向量向待检测存储器写入第一检测数据。在写入第一检测数据时，可以向待检测存储器中的某一数据行(Row)进行数据写入操作。在当前数据行的数据写入操作完成时，则可以基于数据写入操作所使用的候选工作频率从待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，并将读取出的数据作为第一读出数据。

在得到第一读出数据后，可以将第一读出数据与第一测试数据进行一致性对比，从第一读出数据与第一测试数据一致的候选工作频率中确定目标工作频率。

以2666Mhz工作频率为例，在通过处理步骤后，得到的部分第一读出数据0x000000A9，0x00000065等，该第一读出数据与写入的第一测试数据一致，因此，在2666Mhz工作频率下DRAM颗粒可以正常工作。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于工作频率向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第一测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第一测试数据逐个写入至待检测存储器的特定位置；响应于待检测存储器中当前行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令；针对当前行的下一行进行数据写入操作，直至待检测存储器的所有行和所有列均已写入第一测试数据。

其中，激活命令可以是触发对待检测存储器进行数据写入操作的指令。第一时间间隔可以是根据行寻址到列寻址延迟时间确定的时间间隔值，例如，第一时间间隔可以等于行寻址到列寻址延迟时间。数据写入命令可以是指示向待检测存储器中写入数据的命令。第二时间间隔可以是根据写恢复延时确定出的时间间隔值，例如，第二时间间隔可以等于写恢复延时。写入完成事件可以是测试数据已写入待检测存储器的事件。预充电命令(Precharge命令)可以指关闭所打开的双倍速率同步动态随机存储器(Double Data RateSynchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRAM)中某一行的指令。刷新命令可以是为了防止由于存储单元(cell)漏电导致存储器中保存的数据丢失的指令。数据写入操作可以是向待检测存储器中写入数据的操作。

参考图4，图4示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的向待监测存储器写入和读取第一测试数据的整体流程图。在得到工作频率向量后，可以基于工作频率向量发送激活命令(Active命令)，然后等待第一时间间隔(如tRCD＝20ns)后发送数据写入命令(Write命令)，这时就可以将自定义的第一测试数据发送至DRAM颗粒，在等待第二时间间隔(如tWR＝24ns)后，将第一测试数据保存至待检测存储器的当前数据行(Row)的某一个数据列(Column)，即将第一检测数据写入至待检测存储器的特定位置。然后将下一个数据发送到这一Row的下一个Column中，在待检测存储器的同一数据行中写入数据可以通过LoopCol++操作进行，直至将当前数据行中均写入第一测试数据。

如果当前数据行的所有Column均已写入第一测试数据，此时将触发当前数据行的写入完成事件。响应于当前数据行的写入完成事件，发送预充电命令(Precharge命令)，将当前数据行关闭，同时为了防止由于Cell漏电导致其中保存的数据丢失，所以也需要发送刷新命令(Refresh命令)。

如果当前数据行的数据写入操作完成，则针对当前数据行的下一数据行进行数据写入操作，以对其他Row进行数据写入操作，对于其他数据行的数据写入操作可以通过LoopRow++进行。如果当前存储体(Bank)的所有数据行均已写入第一测试数据，则可以针对其他存储体进行数据写入操作，对于其他存储体的数据写入操作，可以通过Loop Bank++进行，以便后续基于写入的第一测试数据进行数据读取操作。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于候选工作频率发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器中的当前数据行读取第一测试数据；响应于当前数据行的读取完成事件，在第四时间间隔后发送预充电命令；重复针对数据行的数据读取操作，直至待检测存储器中所有第一测试数据读取完毕，得到第一读出数据。

其中，数据读取命令可以是从待检测存储器中读取数据的指令。当前数据行可以是数据读取操作当前所作用的数据行。第三时间间隔可以是根据列地址访问的延迟时间确定出的时间间隔值，例如，第三时间间隔可以等于列地址访问的延迟时间。读取完成事件可以是当前数据行中所有位置上的数据均已被读出的事件。数据读取操作可以是从待检测存储器中读取数据的操作。

如果待检测存储器的当前Row的所有Column都完成了数据写入操作后，即可进行数据读取操作。数据读取操作的具体步骤如下：基于工作频率向量发送Active命令，在等待第一时间间隔(tRCD＝20ns)后发送数据读取命令(Read命令)，并在第一时间间隔(tCL＝20ns)后从待检测存储器中的当前数据行读取已写入的第一测试数据。与数据写入操作类似，为了读取出当前Row的所有Column数据，同样需要进行Loop Col++操作，将当前Row中的所有Column数据读出。

如果当前Row的所有Column数据均已读出，则触发读取完成事件，此时可以等待第四时间间隔(tRTP＝32)后发送Precharge命令，此时，可以得到当前Row的第一读出数据。同样的，在从待检测存储器中读取已写入的第一测试数据时，对于不同数据行的数据读取操作可以通过Loop Row++进行。对于其他存储体的数据读取操作，可以通过Loop Bank++进行。

在针对所有Bank，Row完成数据写入操作后，可以从所有Bank，Row读取出写入的第一测试数据，将写入的第一测试数据与读出的第一读出数据进行对比，如果数据一致即可说明在该候选工作频率下DRAM颗粒可以正常工作。

综合上述处理步骤可知，工作频率的测试Pattern的处理序列(Sequence)可以为：初始化(Initial)→【激活命令(ACT)→数据写入命令(WR)→预充电命令(PRG)→刷新命令(REF)→激活命令(ACT)→数据读取命令(RD)→预充电命令(PRG)(数据行循环loop row→存储体循环loop bank)】。

在本公开的一种示例性实施方案中，获取初始刷新时间向量，在初始刷新时间向量中写入寄存器参数，以得到刷新时间向量；寄存器参数包括候选刷新时间值，候选刷新时间值基于存储器容量确定；基于刷新时间向量向待检测存储器中写入第二测试数据；从待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据；调整当前配置的候选刷新时间值，并确定不同候选刷新时间值对应的数据读写结果；根据第二读出数据与第二测试数据一致的候选刷新时间值，确定目标刷新时间值。

其中，存储器刷新时间(RowRefresh Cycle Time，tRFC)可以是SDRAM行刷新周期时间，即DRAM颗粒在同一bank中refresh一个单独的行所需的时间。初始刷新时间向量可以是初始配置的用于确定存储器刷新时间参数的测试向量。刷新时间向量可以是在初始刷新时间向量中写入寄存器参数后得到的向量。候选刷新时间值可以是预先配置的多个存储器刷新时间的具体数值。存储器容量可以是待检测存储器的存储容量。

确定存储器刷新时间的处理过程具体如下：首先进行初始化处理，获取用于确定目标刷新时间值的初始刷新时间向量，将预先配置的DRAM颗粒的Mode Register写入至初始刷新时间向量，得到刷新时间向量。以2666Mhz工作频率为例，根据JEDEC标准规定，tCK＝0.75ns，tRCD＝20ns，tCWL＝18ns，tWR＝24ns，tCL＝20ns，tRTP＝32ns，tRAS＝48ns，tRP＝20ns等。另外，寄存器参数中还包括候选刷新时间值，而候选刷新时间值可以基于存储器容量确定。

在得到刷新时间向量后，可以基于刷新时间向量向待检测存储器写入第二检测数据。在将第二测试数据写入至待检测存储器后，可以基于同样的当前刷新时间值从待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据。在当前刷新时间值下完成数据读写操作后，可以基于候选刷新时间值对当前刷新时间值进行调整，将调整后的刷新时间值作为新的当前刷新时间值，并基于此当前刷新时间值进行数据读写操作，以确定对应的数据读写结果。

具体的，在对当前刷新时间值进行调整时，可以通过下述步骤进行：在数据写入操作完成并且Refresh命令发送完成后，可以等待当前刷新时间值的时间间隔后，发送Active命令，并在等待tRAS＝48时间间隔后发送Precharge命令，这时就可以修改不同的tRFC值来进行测试，比如从150ns到500ns进行测试，一直循环测试8192次。通过上述步骤，可以确定出待检测存储器对应的目标刷新时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第二测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第二测试数据逐个写入至待检测存储器中的特定位置；响应于待检测存储器的当前数据行的写入完成事件，发送预充电命令；响应于待检测存储器的当前存储体的写入完成事件，发送刷新命令。

其中，第二测试数据可以是用于确定待检测存储器的存储器刷新时间所使用的测试数据。当前存储体可以是数据写入操作当前所作用的存储体(bank)。

参考图5，图5示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的向待监测存储器写入和读取第二测试数据的整体流程图。在得到刷新时间向量后，可以基于刷新时间向量发送激活命令(Active命令)，然后等待第一时间间隔(如tRCD＝20ns)后发送数据写入命令(Write命令)，这时就可以将自定义的第二测试数据发送至DRAM颗粒，在等待第二时间间隔(如tWR＝24ns)后，将第二测试数据保存至待检测存储器的当前Row的某一个数据列(Column)中。此时，可以进行Loop Col++操作，直至当前数据行中均写入第二测试数据。

如果当前Row的所有Column都写入完成后，即触发当前数据行的写入完成事件，响应于当前数据行的写入完成事件，发送Precharge命令，同时对所有Row都进行数据写入，即进行Loop Row++操作实现，如果待检测存储器的所有数据行中均已写入第二测试数据，则触发当前存储体(Bank)的写入完成事件，响应于当前Bank的写入完成事件，为了防止由于Cell漏电导致其中保存的数据丢失，可以发送Refresh命令。通过上述步骤，可以基于相应的测试向量将第二测试数据写入至待检测存储器中。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器的当前数据行读取已写入的第二测试数据；响应于待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到第二读出数据；在第四时间间隔后发送预充电命令。

其中，第二读出数据可以是从已写入第二测试数据的待检测存储器中进行数据读取操作所得到的数据。第四时间间隔可以是根据读到预充电的时间确定的时间间隔值，例如，第四时间间隔可以等于读到预充电的时间。

继续参考图5，当完成了数据写入后即可进行数据读取操作，与数据写入命令类似，可以先发送Active命令，然后等待第一时间间隔(tRCD＝20ns)后发送Read命令，等待第三时间间隔(tCL＝20ns)后即可从待检测存储器中读出第二测试数据。同样的，为了读出这一Row的所有Column数据，需要进行Loop Col++操作，然后进行Loop Row操作。在数据读取操作完成后，可以将读取出的第二读出数据与第二测试数据进行一致性对比。如果待检测存储器中当前存储体(Bank)完成数据读写操作，则等待第四时间间隔(tRTP＝32ns)后发送Precharge命令。

通过上述处理后，可以得到经过Pattern测试的测试结果，本次读写测试一共包括U1～U8共八个颗粒，tRFC参数均满足JEDEC标准的要求，具体如表1所示。

表1

综合上述处理步骤可知，存储器刷新时间的测试Pattern的处理序列(Sequence)可以为：初始化(Initial)→【激活命令(ACT)→数据写入命令(WR)→预充电命令(PRG)→刷新命令(REF)→修改tRFC命令(tRFC)→激活命令(ACT)→数据读取命令(RD)→预充电命令(PRG)(数据行循环loop row存储体循环loop bank)】。

在本公开的一种示例性实施方案中，获取初始响应间隔时间向量，在初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数，以得到响应间隔时间向量；寄存器参数包括响应间隔时间值；基于响应间隔时间向量向待检测存储器中写入第三测试数据；基于时钟周期进行自刷新配置操作，通过自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值；采用不同的响应间隔时间值从待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据；根据第三读出数据与第三测试数据一致的响应间隔时间值，确定目标响应间隔时间值。

其中，指令响应间隔时间(Exit Self Refresh to commands not requiring alocked DLL，tXS)可以是存储体在退出自刷新后进行下一个指令所需要的最小时间。初始响应间隔时间向量可以是初始配置的用于确定指令响应间隔时间的测试向量。响应间隔时间向量可以是在初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数后得到的向量。响应间隔时间值可以是预先配置的响应间隔时间的具体数值。

tXS参数的读取操作可以通过下述步骤进行：根据JEDEC标准规定，tXS的最小时间可以是Trfc+10ns，tRFC+10ns，即360ns，以工作频率为2666Mhz为例，tXS(min)＝480clk。

首先进行初始化处理，获取用于确定目标响应间隔时间值的初始响应间隔时间向量，将预先配置的DRAM颗粒的Mode Register写入至初始响应间隔时间向量，得到响应间隔时间向量。以2666Mhz工作频率为例，根据JEDEC标准规定，tCK＝0.75ns，tRCD＝20ns，tCWL＝18ns，tWR＝24ns，tCL＝20ns，tRTP＝32ns，tRAS＝48ns，tRP＝20ns等。另外，寄存器参数中还包括多个响应间隔时间值，在后续数据读写操作过程中，可以基于多个不同的响应间隔时间值进行。

在得到响应间隔时间向量后，可以基于响应间隔时间向量向待检测存储器中写入第三测试数据。在待检测存储器的当前存储体均已写入第三测试数据时，可以基于时钟周期进行自刷新配置操作，本实施例中可以通过自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值。在对当前的响应间隔时间值进行更新后，可以采用得到的多个不同的响应间隔时间值进行数据读取操作，以得到第三读出数据。

在得到第三读出数据后，可以将第三读出数据与写入的第三测试数据进行一致性对比，可以从第三读出数据与第三测试数据一致的响应间隔时间值中确定目标响应间隔时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第三测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第三测试数据逐个写入至待检测存储器的特定位置；响应于待检测存储器的所有数据行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

其中，第三测试数据可以是用于确定待检测存储器的指令响应间隔时间所使用的测试数据。特定位置可以是待检测存储器中某个数据行的存储位置。

参考图6，图6示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的确定指令响应间隔时间的整体流程图。在得到响应间隔时间向量后，可以基于响应间隔时间向量发送Active命令，然后等待第一时间间隔(tRCD＝20)后发送Write命令，这时就可以把自定义的第三测试数据发送给DRAM颗粒了，在等待第二时间间隔(tWR＝24)后，发送至DRAM颗粒的第三测试数据就可以保存到当前Row的某一个Column中，并且可以通过进行Loop Col++操作，把下一个数据发送到这一Row的下一个Column中，直至当前数据行中均写入第三测试数据。如果当前Row的所有Column都写入完毕，将触发当前数据行的写入完成事件。响应于当前Row的写入完成事件，发送Precharge命令，同时可以通过Loop Row++操作对所有Row均进行数据写入操作。

在Precharge命令完成后，可以进行自刷新配置操作，继续参考图6，具体如下：发送自刷新进入命令(即Self Refresh Entry命令)，等待第一指定数量个时钟周期的时间间隔(如19clk)之后再发送自刷新退出命令(Self Refresh Exit命令)，然后再等待tXS命令后重新发送Self Refresh Entry命令，等待第二指定数量个时钟周期的时间间隔(如24clk)之后再次发送Self Refresh Exit命令，最后等待1000clk，这时就可以修改不同的tXS值来进行测试，比如从480clk到900clk进行测试，一直循环测试8192次。通过上述处理步骤，可以基于相应的测试向量将第三测试数据写入至待检测存储器中。

在本公开的一种示例性实施方案中，基于响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器的当前数据行读取已写入的第三测试数据；响应于待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到第三读出数据，并发送预充电命令。

其中，第三测试数据可以是用于确定待检测存储器的指令响应间隔时间所使用的测试数据。第三读出数据可以是从已写入第三测试数据的待检测存储器中进行数据读取操作所得到的数据。

继续参考图6，在完成了8192次循环后即可进行数据读取操作了，和数据写入命令类似，首先发送Active命令，然后等待第一时间间隔(tRCD＝20)后发送Read命令，等待第三时间间隔(tCL＝20)后即可把数据读出，同样的，为了读出这一Row的所有Column数据，需要进行Loop Col++和Loop Row++操作，最后发送Precharge命令即可。

在完成数据读写操作后，可以把不同tXS值写入的第三测试数据与读出的第三读出数据进行对比，就可以得到tXS的实际参数值。在采用上述步骤进行数据对比操作后，得到对应的数据对比结果，在本次测试中，tXS值从488clk到968clk都是通过(pass)的。由于Spec规定tXS最小值是480clk，因此，在数据读写测试过程中就要尝试更大的值，判断结果能不能pass，如果出现了不通过(fail)，那就说明tXS不能满足Spec的最小值要求。同时，更小的tXS值则无需再次测试了，因为如果更小的值可以pass那就说明该参数值比Spec要求的更好。

综合上述处理步骤可知，指令响应间隔时间的测试Pattern的处理序列(Sequence)可以为：初始化(Initial)→激活命令(ACT)→数据写入命令(WR)→预充电命令(PRG)→【自刷新进入命令(SRE)→等待19个时钟周期(19T)→自刷新退出命令(SRX)→修改tXS命令(tXS)→自刷新进入命令(SRE)→等待24个时钟周期(24T)→自刷新退出命令(SRX)→激活命令(ACT)→数据读取命令(RD)→预充电命令(PRG)(数据行循环loop row→存储体循环loop bank)】。

本领域技术人员容易理解的是，第一检测数据、第二检测数据与第三检测数据可以相同，也可以不同，本公开对此不作任何特殊限定。

继续参考图1，在步骤S120中，从待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数。

在本公开的一些示例性实施方式中，检测芯片可以是待检测存储器对应的SPD芯片。芯片记录参数可以是SPD芯片中记录的待检测存储器的相关参数。

继续参考图2，在确定出存储器参数后，可以从DIMM模块220的串行存在检测SPD芯片(即检测芯片)中获取芯片记录参数。具体的，继续参考图3，可以通过集成电路总线(Inter-Integrated Circuit，IIC)通信方式读取SPD芯片330内的参数信息。IIC通信协议是一种半双工通信方式，其最主要的优点是其简单性和有效性，由于接口直接在组件之上，因此IIC总线占用的空间非常小，减少了电路板的空间和芯片管脚的数量，降低了互联成本；另外它支持多主控，其中任何能够进行发送和接收的设备都可以成为主总线。SPD芯片记录了许多重要信息，如Byte 4记录了DRAM的容量和Bank信息，Byte 25记录了DRAM的tRCD参数信息等。

继续参考图1，在步骤S130中，对存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。

在本公开的一些示例性实施方式中，对比结果可以是将存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到的两者是否一致的结果。

在获取到芯片记录参数后，继续参考图3，在步骤S310中，确定信息是否匹配。将芯片记录参数与DRAM颗粒内部的真实工作参数(即存储器参数)进行对比，根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。

在本公开的一种示例性实施方案中，如果对比结果为芯片记录参数与存储器参数不一致，则芯片记录参数不是真实存储器参数，将确定出存储器参数发送至待检测存储器对应的输入输出系统芯片；如果对比结果为芯片记录参数与存储器参数一致，则芯片记录参数是真实存储器参数，基于芯片记录参数启动系统板运行。

继续参考图3，当通过IIC通信协议读取到的芯片记录参数与Pattern测试出的存储器参数不一致，如Pattern测试出的tCL＝22，但SPD参数中显示tCL＝20时，则说明信息不匹配，芯片记录参数不是真实存储器参数，此时信息检测主体210的蜂鸣器215便进行报警，同时把真正的参数信息发送给BIOS芯片230进行采用，使主板以真实的参数信息进行工作。如果对比结果为芯片记录参数与存储器参数一致，则芯片记录参数是真实存储器参数，基于芯片记录参数启动系统板运行。因此，无论芯片记录参数是否真实，系统板均可以基于真实的存储器参数运行。

需要说明的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等，仅是为了区分不同的时间间隔、测试数据等，并不应对本公开造成任何限制。

综上所述，获取待检测存储器，确定待检测存储器对应的存储器参数；存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；从待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；对存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。一方面，将确定出的存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，可以确定出芯片记录参数的真实性，判断检测芯片中的芯片记录参数是否被恶意修改。另一方面，通过构建不同的测试向量进行读写操作，可以确定出待检测存储器的多个真实工作参数。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种信息检测装置。参考图7，该信息检测装置700可以包括：存储器参数确定模块710、芯片参数获取模块720以及参数对比模块730。

具体的，存储器参数确定模块710，用于确定待检测存储器对应的存储器参数；存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；芯片参数获取模块720，用于从待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；参数对比模块730，用于对存储器参数与芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据对比结果确定芯片记录参数的真实性。

在本公开的一种示例性实施方案中，存储器参数包括第一存储器参数，存储器参数确定模块710包括第一参数确定模块，第一参数确定模块用于检测设备系统板的通电状态；响应于检测到通电状态为已通电状态，生成操作代码；通过操作代码从待检测存储器读取第一存储器参数；第一存储器参数包括待检测存储器的厂家信息与容量信息。

在本公开的一种示例性实施方案中，存储器参数还包括第二存储器参数，存储器参数确定模块710还包括第二参数确定模块，第一参数确定模块用于生成用于获取存储器参数的测试向量；基于测试向量对待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定第二存储器参数。

在本公开的一种示例性实施方案中，第二存储器参数包括工作频率，第二参数确定模块包括频率参数确定单元，频率参数确定单元用于获取初始工作频率向量，在初始工作频率向量中写入寄存器参数，以得到工作频率向量；寄存器参数包括待检测存储器的候选工作频率；基于工作频率向量向待检测存储器中写入第一测试数据；基于数据写入操作对应的候选工作频率从待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据；将第一读出数据与第一测试数据一致的候选工作频率，作为目标工作频率。

在本公开的一种示例性实施方案中，频率参数确定单元第一数据写入子单元，第一数据写入子单元用于基于工作频率向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第一测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第一测试数据逐个写入至待检测存储器的特定位置；响应于待检测存储器中当前行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令；针对当前行的下一行进行数据写入操作，直至待检测存储器的所有行和所有列均已写入第一测试数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，频率参数确定单元第一数据读取子单元，第一数据读取子单元用于基于候选工作频率发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器中的当前数据行读取第一测试数据；响应于当前数据行的读取完成事件，在第三时间间隔后发送预充电命令；重复针对数据行的数据读取操作，直至待检测存储器中所有第一测试数据读取完毕，得到第一读出数据。

在本公开的一种示例性实施方案中，第二参数确定模块包括刷新时间确定单元，刷新时间确定单元用于获取初始刷新时间向量，在初始刷新时间向量中写入寄存器参数，以得到刷新时间向量；寄存器参数包括候选刷新时间值，候选刷新时间值基于存储器容量确定；基于刷新时间向量向待检测存储器中写入第二测试数据；从待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据；调整当前配置的候选刷新时间值，并确定不同候选刷新时间值对应的数据读写结果；根据第二读出数据与第二测试数据一致的候选刷新时间值，确定目标刷新时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，刷新时间确定单元包括第二数据写入子单元，第二数据写入子单元用于基于刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第二测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第二测试数据逐个写入至待检测存储器中的特定位置；响应于待检测存储器的当前存储体的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，刷新时间确定单元包括第二数据读取子单元，第二数据读取子单元用于基于刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器的当前数据行读取已写入的第二测试数据；响应于待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到第二读出数据；在第四时间间隔后发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，第二存储器参数包括指令响应间隔时间，第二参数确定模块包括响应间隔时间确定单元，响应间隔时间确定单元用于获取初始响应间隔时间向量，在初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数，以得到响应间隔时间向量；寄存器参数包括响应间隔时间值；基于响应间隔时间向量向待检测存储器中写入第三测试数据；基于时钟周期进行自刷新配置操作，通过自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值；采用不同的响应间隔时间值从待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据；根据第三读出数据与第三测试数据一致的响应间隔时间值，确定目标响应间隔时间值。

在本公开的一种示例性实施方案中，响应间隔时间确定单元包括第三数据写入子单元，第三数据写入子单元用于基于响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；将第三测试数据发送至待检测存储器，并在第二时间间隔后将第三测试数据逐个写入至待检测存储器的特定位置；响应于待检测存储器的所有数据行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，响应间隔时间确定单元包括第三数据读取子单元，第三数据读取子单元用于基于响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；在第三时间间隔后从待检测存储器的当前数据行读取已写入的第三测试数据；响应于待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到第三读出数据，并发送预充电命令。

在本公开的一种示例性实施方案中，信息检测装置700还包括参数使用模块，用于如果对比结果为芯片记录参数与存储器参数不一致，则芯片记录参数不是真实存储器参数，将确定出存储器参数发送至待检测存储器对应的输入输出系统芯片；如果对比结果为芯片记录参数与存储器参数一致，则芯片记录参数是真实存储器参数，基于芯片记录参数启动系统板运行。

上述中各信息检测装置的虚拟模块的具体细节已经在对应的信息检测方法中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了信息检测装置的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

此外，在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。

所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施例，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。

下面参考图8来描述根据本公开的这种实施例的电子设备800。图8显示的电子设备800仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图8所示，电子设备800以通用计算设备的形式表现。电子设备800的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元810、上述至少一个存储单元820、连接不同系统组件(包括存储单元820和处理单元810)的总线830、显示单元840。

其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元810执行，使得所述处理单元810执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施例的步骤。

存储单元820可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(RAM)821和/或高速缓存存储单元822，还可以进一步包括只读存储单元(ROM)823。

存储单元820可以包括具有一组(至少一个)程序模块825的程序/实用工具824，这样的程序模块825包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。

总线830可以表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。

电子设备800也可以与一个或多个外部设备870(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备800交互的设备通信，和/或与使得该电子设备800能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口850进行。并且，电子设备800还可以通过网络适配器860与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器860通过总线830与电子设备800的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备800使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。

通过以上的实施例的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施例可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。

参考图9所示，描述了根据本发明的实施例的用于实现上述方法的程序产品900，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。

所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。

计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。

可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。

可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。

此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (15)

1.一种信息检测方法，其特征在于，包括：

获取待检测存储器，确定所述待检测存储器对应的存储器参数；所述存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；

从所述待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；

对所述存储器参数与所述芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据所述对比结果确定所述芯片记录参数的真实性。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器参数包括第一存储器参数，所述确定所述待检测存储器对应的存储器参数，包括：

检测设备系统板的通电状态；

响应于检测到所述通电状态为已通电状态，生成所述操作代码；

通过所述操作代码从所述待检测存储器读取所述第一存储器参数；所述第一存储器参数包括所述待检测存储器的厂家信息与容量信息。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述存储器参数还包括第二存储器参数，确定所述待检测存储器对应的存储器参数，包括：

生成用于获取所述存储器参数的测试向量；

基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二存储器参数包括工作频率，所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：

获取初始工作频率向量，在所述初始工作频率向量中写入寄存器参数，以得到工作频率向量；所述寄存器参数包括所述待检测存储器的候选工作频率；

基于所述工作频率向量向所述待检测存储器中写入第一测试数据；

基于数据写入操作对应的候选工作频率从所述待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据；

将所述第一读出数据与所述第一测试数据一致的候选工作频率，作为目标工作频率。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述工作频率向量向所述待检测存储器中写入第一测试数据，包括：

基于所述工作频率向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；

将所述第一测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第一测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；

响应于所述待检测存储器中当前行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令；

针对所述当前行的下一行进行数据写入操作，直至所述待检测存储器的所有行和所有列均已写入所述第一测试数据。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于数据写入操作对应的候选工作频率从所述待检测存储器中读取已写入的第一测试数据，作为第一读出数据，包括：

基于所述候选工作频率发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；

在第三时间间隔后从所述待检测存储器中的当前数据行读取所述第一测试数据；

响应于所述当前数据行的读取完成事件，在第三时间间隔后发送预充电命令；

重复针对数据行的数据读取操作，直至所述待检测存储器中所有第一测试数据读取完毕，得到所述第一读出数据。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二存储器参数包括存储器刷新时间，所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：

获取初始刷新时间向量，在所述初始刷新时间向量中写入寄存器参数，以得到刷新时间向量；所述寄存器参数包括候选刷新时间值，所述候选刷新时间值基于存储器容量确定；

基于所述刷新时间向量向所述待检测存储器中写入第二测试数据；

从所述待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据；

调整当前配置的所述候选刷新时间值，并确定不同所述候选刷新时间值对应的数据读写结果；

根据所述第二读出数据与所述第二测试数据一致的候选刷新时间值，确定所述目标刷新时间值。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述刷新时间向量向所述待检测存储器中写入第二测试数据，包括：

基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；

将所述第二测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第二测试数据逐个写入至所述待检测存储器中的特定位置；

响应于所述待检测存储器的当前存储体的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述从所述待检测存储器中读取已写入的第二测试数据，作为第二读出数据，包括：

基于所述刷新时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；

在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的所述第二测试数据；

响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第二读出数据；

在第四时间间隔后发送预充电命令。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二存储器参数包括指令响应间隔时间，所述基于所述测试向量对所述待检测存储器进行数据读写操作，根据数据读写结果确定所述第二存储器参数，包括：

获取初始响应间隔时间向量，在所述初始响应间隔时间向量中写入寄存器参数，以得到响应间隔时间向量；所述寄存器参数包括响应间隔时间值；

基于所述响应间隔时间向量向所述待检测存储器中写入第三测试数据；

基于时钟周期进行自刷新配置操作，通过所述自刷新配置操作更新当前的响应间隔时间值；

采用不同的所述响应间隔时间值从所述待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据；

根据所述第三读出数据与所述第三测试数据一致的响应间隔时间值，确定目标响应间隔时间值。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基于所述响应间隔时间向量向所述待检测存储器中写入第三测试数据，包括：

基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据写入命令；

将所述第三测试数据发送至所述待检测存储器，并在第二时间间隔后将所述第三测试数据逐个写入至所述待检测存储器的特定位置；

响应于所述待检测存储器的所有数据行的写入完成事件，发送预充电命令与刷新命令。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述采用不同的所述响应间隔时间值从所述待检测存储器中读取已写入的第三测试数据，作为第三读出数据，包括：

基于所述响应间隔时间向量发送激活命令，在第一时间间隔后发送数据读取命令；

在第三时间间隔后从所述待检测存储器的当前数据行读取已写入的第三测试数据；

响应于所述待检测存储器中所有数据行的读取完成事件，得到所述第三读出数据，并发送预充电命令。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数不一致，则所述芯片记录参数不是真实存储器参数，将确定出所述存储器参数发送至待检测存储器对应的输入输出系统芯片；

如果所述对比结果为所述芯片记录参数与所述存储器参数一致，则所述芯片记录参数是真实存储器参数，基于所述芯片记录参数启动系统板运行。

14.一种信息检测装置，其特征在于，包括：

存储器参数确定模块，用于确定待检测存储器对应的存储器参数；所述存储器参数基于操作代码与测试向量的至少一种得到；

芯片参数获取模块，用于从所述待检测存储器对应的检测芯片中获取芯片记录参数；

参数对比模块，用于对所述存储器参数与所述芯片记录参数进行一致性对比，得到对比结果，以根据所述对比结果确定所述芯片记录参数的真实性。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；以及

存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据权利要求1至13中任一项所述的信息检测方法。

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