CN115219103B - 一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
Description
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法。
背景技术
电容薄膜真空计，又称为薄膜规，广泛用于真空测量行业中。具有量程宽，响应快，重复性好，性能稳定及结构紧凑灵活等特点，电容式薄膜真空计的原理是弹性检测膜片在其两侧不同真空环境的压差作用下产生变形，导致电容变化，转换电路将此电容变化信号转化为电压或电流信号输出，通过信号处理即可得到待测腔体当前气压值。
电容薄膜真空计传感器的关键技术在于传感器上的膜片的制作以及膜片与外壳之间的连接密封，现有技术中，普遍应用的连接密封工艺是通过上下壳体夹紧陶瓷膜片并通过涂抹玻璃浆料等密封材料对上下壳体以及陶瓷膜片进行焊接，而在焊接过程中需要施加压力来校正膜间距，因此，密封材料的焊接可能带来不应有的应力，影响陶瓷薄膜规的性能。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
第一方面，本申请提供了一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，该制作方法包括以下步骤:
S100、制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；
S200、利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；
S300、冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；
S400 、向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板；
S500、对外壳进行密封得到电容薄膜真空计传感器。
本申请通过气相沉积反应在芯轴组件外生成一层外壳，后将芯轴组件上的上支撑杆与下支撑杆拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板与下支撑板氧化消除，最终对外壳上与上支撑杆的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳为一体式成型，膜片嵌入外壳中而无需通过密封材料对外壳与膜片进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，感应电极通过沉积或涂刷的方式生成在膜片的上表面，固定电极通过沉积或涂刷的方式生成在上支撑板的上表面。
本申请通过沉积或涂刷的方式在膜片上表面生成感应电极，在上支撑板的上表面生成固定电极，感应电极与固定电极之间产生电容，该电容受感应电极与固定电极之间的距离的影响，通过改变固定电极与感应电极之间的距离可使电容发生变化。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，上支撑板顶部设置有第一螺纹孔，用于安装上支撑杆，下支撑板底部设置有第二螺纹孔，用于安装下支撑杆。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，在对外壳进行密封的步骤中，使用玻璃浆将第一螺纹孔焊接密封。
本申请在下支撑板与上支撑板上设置螺纹孔，该螺纹孔为通孔，在进行氧化反应时可通过第一螺纹孔和第二螺纹孔向外壳内部通入氧化气体，从而进行氧化反应消除上支撑板和下支撑板。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，上支撑杆设置在上支撑板上表面未被固定电极覆盖的区域，下支撑杆设置在下支撑板下表面的中心。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，上支撑板和下支撑板为石墨材料。
本申请选择石墨材料制作上支撑板与下支撑板，由于石墨材料的收缩率较高，在制成外壳后进行冷却时，上支撑板与下支撑板与外壳之间会产生间隙，便于后续的氧化反应的进行。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，步骤S200包括以下步骤：
S210、将芯轴组件放入气相沉积室中；
S220、通入沉积气体并将芯轴组件加热到大于或等于900℃，使在芯轴组件外生成外壳。
本申请通过气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳，该外壳为一体成型，提高了外壳与膜片之间的密封性，减少产生不必要的应力影响膜片的性能。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，步骤S400包括以下步骤：
S410、向外壳内通入氧化气体；
S420、将外壳加热到大于或等于300℃，使氧化气体氧化消除上支撑板和下支撑板。
本申请通过向外壳内通入氧化气体并加热，使上支撑板和下支撑板进行氧化反应而消失。
可选地，本申请提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，固定电极的面积小于上支撑板上表面的面积。
本申请提供的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，通过气相沉积反应在芯轴组件外生成一层外壳，后将芯轴组件上的上支撑杆与下支撑杆拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板与下支撑板氧化消除，最终对外壳上与上支撑杆的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该传感器的外壳为一体式成型，膜片嵌入外壳中而无需通过密封材料对外壳与膜片进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
第二方面，本申请提供了一种电容薄膜真空计传感器，电容薄膜真空计传感器由第一方面所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法制作而成。
本申请提供的一种电容薄膜真空计传感器，通过气相沉积反应在芯轴组件外生成一层外壳，后将芯轴组件上的上支撑杆与下支撑杆拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板与下支撑板氧化消除，最终对外壳上与上支撑杆的连接处进行密封，最终制得该电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳为一体式成型，膜片嵌入外壳中而无需通过密封材料对外壳与膜片进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
由上可知，本申请提供的一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，通过气相沉积反应在芯轴组件外生成一层外壳，后将芯轴组件上的上支撑杆与下支撑杆拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板与下支撑板氧化消除，最终对外壳上与上支撑杆的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳为一体式成型，膜片嵌入外壳中而无需通过密封材料对外壳与膜片进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
本申请的他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法的步骤流程图。
图2为本申请实施例提供的利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳的步骤流程图。
图3为本申请实施例提供的向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板的步骤流程图。
图4为本申请实施例提供的芯轴组件的半剖结构示意图。
图5为本申请实施例提供的一种电容薄膜真空计传感器的结构示意图。
标号说明：100、芯轴组件；110、固定电极；120、上支撑板；130、感应电极；140、膜片；150、下支撑板；160、上支撑杆；170、下支撑杆；180、外壳；181、第一螺纹孔；182、第二螺纹孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在一般情况下，在制作电容薄膜真空计传感器时的密封工艺通常为在陶瓷膜片以外的区域涂抹玻璃浆料等密封材料进行焊接，而在焊接过程中需要施加压力来校正膜间距，因此，密封材料的焊接可能带来不应有的应力，影响陶瓷薄膜规的性能。
第一方面，参照图1，图1为本申请实施例提供的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法的步骤流程图，图1所示的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，该制作方法包括以下步骤:
S100、制作芯轴组件100，芯轴组件100包括由上到下依次连接的固定电极110、上支撑板120、感应电极130、膜片140和下支撑板150，感应电极130与膜片140在周向上凸出于上支撑板120与下支撑板150，上支撑板120的上表面安装有上支撑杆160，下支撑板150的下表面安装有下支撑杆170；
S200、利用气相沉积反应在芯轴组件100外生成外壳180；
S300、冷却芯轴组件100以及外壳180，并拆除上支撑杆160和下支撑杆170；
S400 、向外壳180内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板120和下支撑板150；
S500、对外壳180进行密封得到电容薄膜真空计传感器。
具体地，在本实施例中，膜片140的材质为成本较低且耐腐蚀性强的陶瓷。
具体地，在制作芯轴组件100时，先在膜片140的上表面生成感应电极130，在上支撑板120的上表面生成固定电极110，然后将固定电极110、上支撑板120、感应电极130、膜片140和下支撑板150依次连接得到芯轴组件100，参照图4，图4为本申请实施例提供的芯轴组件100的半剖结构示意图。
更具体地，感应电极130与膜片140在周向上凸出于上支撑板120和下支撑板150，使在生成外壳180后，感应电极130与膜片140嵌入在外壳180中进行固定，从而无需将外壳180分为两个部分对感应电极130与膜片140进行夹紧后焊接密封，避免在电容薄膜真空计传感器的制作过程中产生不必要的应力从而影响电容薄膜真空计传感器的性能。
更具体地，参照图4，在上支撑板120的上表面安装有上支撑杆160，在下支撑板150的下表面安装有下支撑杆170，通过设置上支撑杆160和下支撑杆170，一方面可对芯轴组件100进行固定，另一方面在生成外壳180后，将上支撑杆160和下支撑杆170拆下后，外壳180上下两侧具有通孔，便于将氧化气体通入外壳180内部以进行氧化反应消除上支撑板120和下支撑板150。
本申请实施例提出的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，通过气相沉积反应在芯轴组件100外生成一层外壳180，后将芯轴组件100上的上支撑杆160与下支撑杆170拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板120与下支撑板150氧化消除，最终对外壳180上与上支撑杆160的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳180为一体式成型，膜片140嵌入外壳180中而无需通过密封材料对外壳180与膜片140进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
在一些优选的实施方式中，感应电极130通过沉积或涂刷的方式生成在膜片140的上表面，固定电极110通过沉积或涂刷的方式生成在上支撑板120的上表面。
一般地，感应电极130与固定电极110为金属材料，优选地，在本实施例中，感应电极130和固定电极110由金元素组成。
具体地，在本申请中，感应电极130和固定电极110均可通过沉积或涂刷的方式生成，具体地，通过沉积的方式生成感应电极130和固定电极110时，选用气相沉积PVD（物理气相沉积）的形式即可生成，即先对金属表面进行轰击，将金属原子溅射到真空中缓慢沉积到载体（在本申请中载体为膜片140和上支撑板120）表面，即可形成金属薄膜，该金属薄膜即为本申请中的感应电极130和固定电极110；通过涂刷的方式生成感应电极130和固定电极110时，为直接将金属薄膜通过类似丝印的方式印在载体（在本申请中载体为膜片140和上支撑板120）表面，即可形成金属薄膜，该金属薄膜即为本申请中的感应电极130和固定电极110，具体地，可根据实际情况选择使用沉积或涂刷的方式进行。
在一些优选的实施方式中，上支撑板120顶部设置有第一螺纹孔181，用于安装上支撑杆160，下支撑板150底部设置有第二螺纹孔182，用于安装下支撑杆170。
具体地，在进行氧化反应时需要向外壳180内部通入氧化气体，为便于通入氧化气体，在制作外壳180时需要在上支撑板120顶部设置上支撑杆160，在下支撑板150底部设置下支撑杆170，在生成外壳180后，外壳180中原本连接上支撑杆160和下支撑杆170处将得到两个直孔，在需要通入氧化气体时，仅需将上支撑杆160和下支撑杆170拆下即可将氧化气体通过这两个直孔导入外壳180内部进行氧化反应，因此，为了便于拆卸上支撑杆160和下支撑杆170，优选地，在本实施例中，上支撑杆160通过第一螺纹孔181与上支撑板120安装，下支撑杆170通过第二螺纹孔182与下支撑板150安装。
可选的，上支撑杆160与上支撑板120可为一体式结构，下支撑杆170与下支撑板150为一体结构，在氧化过程中，从上支撑杆160和下支撑杆170开始逐渐氧化，直到上支撑杆160、下支撑杆170、上支撑板120和下支撑板150完全氧化消除，由于氧化过程所消耗的时间较长，为提高氧化效率，将上支撑杆160和下支撑杆170设置为可拆卸结构，减少氧化所需的时间。
在一些优选的实施方式中，在对外壳180进行密封的步骤中，使用玻璃浆将第一螺纹孔181焊接密封。
具体地，通过使用玻璃浆对第一螺纹孔181进行焊接密封，可保持电容薄膜真空计传感器内的真空度，保证固定电极110与感应电极130之间的电容测量稳定。
在一些优选的实施方式中，上支撑杆160设置在上支撑板120上表面未被固定电极110覆盖的区域，下支撑杆170设置在下支撑板150下表面的中心。
具体地，在本申请中，上支撑板120顶面有固定电极110，为防止上支撑杆160穿过固定电极110影响固定电极110与感应电极130之间产生电容的能力，上支撑杆160需设置在上支撑板120上表面未被固定电极110覆盖的区域，而在生成外壳180时，下支撑杆170处得到的直孔与待测腔室连接，由于本申请为通过外壳180内上下两个腔室的压差使膜片140产生形变，从而改变感应电极130与固定电极110之间的距离，进而导致感应电极130与固定电极110之间产生的电容发生改变，为保证膜片140形变更均匀，在本实施例中，下支撑杆170设置在下支撑板150下表面的中心，使最终测得的待测腔室中的气压值更准确。
在一些优选的实施方式中，上支撑板120和下支撑板150为石墨材料。
具体地，在本实施例中，需要对外壳180内的上支撑板120和下支撑板150进行氧化反应，因此，上支撑板120与下支撑板150的材料可与氧化气体进行反应进行氧化反应，在本实施例中，选用石墨材料作为上支撑板120和下支撑板150的制作材料，一方面石墨可以与氧化气体发生氧化反应从而被消除，另一方面，石墨的收缩性较高，在加热冷却后上支撑板120和下支撑板150与外壳180之间将产生缝隙，使得氧化气体可通入缝隙中，增加氧化气体与上支撑板120和下支撑板150的接触面积，提高氧化效率，可选地，常用的氧化气体为氧气、过氧化氢等气体，在本实施例中也可选用空气作为氧化气体，此外，由于固定电极110为金属材料，收缩率小于石墨材料的上支撑板120，且在生成外壳180时，外壳180在固定电极110处产生一个凹槽使固定电极110嵌入，因此在冷却后固定电极110会附着在外壳180上而与上支撑板120分离产生间隙。
在一些优选的实施方式中，参照图2，图2为本申请实施例提供的利用气相沉积反应在芯轴组件100外生成外壳180的步骤流程图，包括以下步骤：
S210、将芯轴组件100放入气相沉积室中；
S220、通入沉积气体并将芯轴组件100加热到大于或等于900℃，使在芯轴组件100外生成外壳180。
具体地，在本实施例中，通过气相沉积形成的外壳180的内壁形状与轴心组件的形状相同，得到的外壳180的材质为氧化铝，氧化铝的收缩率小于石墨，因此在加热冷却后外壳180与上支撑板120和下支撑板150之间将产生缝隙，增大氧化过程中氧化气体与上支撑板120和下支撑板150的接触面积，提高氧化效率。
可选地，在现有的气相沉积方法中，通过气相沉积的制成氧化铝外壳的方法包括物理法和化学法，具体地，物理气相沉积的方式为：将芯轴组件100加热到900℃以上并对气相沉积室进行抽真空处理，后对铝进行撞击使铝离子溅射到真空中，后降低温度至350℃-600℃使铝离子沉积到芯轴组件100外表面形成氧化铝外壳；化学气相沉积的方法为：通过在气相沉积室内通入沉积气体（氯化铝和氢气以及二氧化碳）并在300℃以上的温度中进行反应，使在芯轴组件100外表面生成氧化铝外壳，同时生成一氧化碳和氯化氢气体，优选地，在本实施例中，选用更常见的化学气象沉积方法生成氧化铝外壳。
需要考虑的是，在进行气相沉积时，在上支撑杆160和下支撑杆170外也会沉积产生氧化铝外壳，为避免氧化铝在上支撑杆160和下支撑杆170外产生，可选地，在上支撑杆160和下支撑杆170外设置一层隔膜将上支撑杆160和下支撑杆170进行包裹，当沉积结束生成外壳180后将隔膜抽出，再将上支撑杆160和下支撑杆170拆出，即可得到具有上下两个直孔的外壳180。
在一些优选的实施方式中，参照图3，图3为本申请实施例提供的向外壳180内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板120和下支撑板150的步骤流程图，包括以下步骤：
S410、向外壳180内通入氧化气体；
S420、将外壳180加热到大于或等于300℃，使氧化气体氧化消除上支撑板120和下支撑板150。
具体地，在氧化过程中需要向外壳180内通入氧化气体使上支撑板120与下支撑板150反应被消除，可选地，常用的氧化气体为氧气、过氧化氢等气体，在本实施例中也可选用空气作为氧化气体，在本实施例中，若向外壳180中通入空气，则需要将外壳180内的温度加热到700℃左右，持续30-40小时，即可完成上支撑板120与下支撑板150的氧化反应，消除上支撑板120与下支撑板150。
在一些优选的实施方式中，固定电极110的面积小于上支撑板120上表面的面积。
具体地，由于在氧化过程中需要通过外壳180向外壳180内通入氧化气体，因此需要在上表面设置用于通入氧化气体的通孔（在本实施例中为螺纹孔），若固定电极110的面积大于或等于上支撑板120上表面的面积，则在上支撑板120上表面开孔会穿过固定电极110，从而影响固定电极110与感应电极130之间产生的电容，因此，在本实施例中，固定电极110的面积需小于上支撑板120上表面的面积，使螺纹孔开在固定电极110的外侧。
本申请提供的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，通过气相沉积反应在芯轴组件100外生成一层外壳180，后将芯轴组件100上的上支撑杆160与下支撑杆170拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板120与下支撑板150氧化消除，最终对外壳180上与上支撑杆160的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳180为一体式成型，膜片140嵌入外壳180中而无需通过密封材料对外壳180与膜片140进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
第二方面，参照图5，图5为本实施例提供的一种电容薄膜真空计传感器的结构示意图，图5所示的一种电容薄膜真空计传感器，由第一方面所示的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法制作而成。
具体地，该电容薄膜真空计传感器内部包括两个腔室，其中上腔室为固定电极110、感应电极130与外壳180所包围形成的真空腔，在上腔室中，固定电极110与感应电极130之间的距离保持相同，因此固定电极110与感应电极130之间产生的电容保持稳定，下腔室为膜片140与外壳180形成的腔室，下腔室底部有一个通孔，用于与待测腔室连通，当连通后下腔室的压强产生变化，使膜片140产生形变，从而使固定电极110与感应电极130之间的距离产生变化，进而改变固定电极110与感应电极130之间的电容，最终通过信号转化即可得到待测腔室中的气压值大小。
本申请实施例提出的一种电容薄膜真空计传感器，通过气相沉积反应在芯轴组件100外生成一层外壳180，后将芯轴组件100上的上支撑杆160与下支撑杆170拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板120与下支撑板150氧化消除，最终对外壳180上与上支撑杆160的连接处进行密封，最终制得该电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳180为一体式成型，膜片140嵌入外壳180中而无需通过密封材料对外壳180与膜片140进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
由上可知，本申请提供的一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，通过气相沉积反应在芯轴组件100外生成一层外壳180，后将芯轴组件100上的上支撑杆160与下支撑杆170拆除，通入氧化气体并进行加热，使上支撑板120与下支撑板150氧化消除，最终对外壳180上与上支撑杆160的连接处进行密封，得到电容薄膜真空计传感器，该电容薄膜真空计传感器的外壳180为一体式成型，膜片140嵌入外壳180中而无需通过密封材料对外壳180与膜片140进行焊接固定，密封效果好，且无需对电容薄膜真空计传感器施加外力，因此可减少在加工过程中产生的应力，保证陶瓷薄膜规的性能。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤:
S100、制作芯轴组件（100），所述芯轴组件（100）包括由上到下依次连接的固定电极（110）、上支撑板（120）、感应电极（130）、膜片（140）和下支撑板（150），所述感应电极（130）与所述膜片（140）在周向上凸出于所述上支撑板（120）与所述下支撑板（150），所述上支撑板（120）的上表面安装有上支撑杆（160），所述下支撑板（150）的下表面安装有下支撑杆（170）；
S200、利用气相沉积反应在所述芯轴组件（100）外生成外壳（180）；
S300、冷却所述芯轴组件（100）以及所述外壳（180），并拆除所述上支撑杆（160）和所述下支撑杆（170）；
S400、向所述外壳（180）内通入氧化气体并加热氧化以消除所述上支撑板（120）和所述下支撑板（150）；
S500、对所述外壳（180）进行密封得到所述电容薄膜真空计传感器。
2.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述感应电极（130）通过沉积或涂刷的方式生成在所述膜片（140）的上表面，所述固定电极（110）通过沉积或涂刷的方式生成在所述上支撑板（120）的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述上支撑板（120）顶部设置有第一螺纹孔（181），用于安装上支撑杆（160），所述下支撑板（150）底部设置有第二螺纹孔（182），用于安装下支撑杆（170）。
4.根据权利要求3所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，在对所述外壳（180）进行密封的步骤中，使用玻璃浆将所述第一螺纹孔（181）焊接密封。
5.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述上支撑杆（160）设置在所述上支撑板（120）上表面未被所述固定电极（110）覆盖的区域，所述下支撑杆（170）设置在所述下支撑板（150）下表面的中心。
6.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述上支撑板（120）和所述下支撑板（150）为石墨材料。
7.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤S200包括以下步骤：
S210、将所述芯轴组件（100）放入气相沉积室中；
S220、通入沉积气体并将所述芯轴组件（100）加热到大于或等于900℃，使在所述芯轴组件（100）外生成所述外壳（180）。
8.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤S400包括以下步骤：
S410、向所述外壳（180）内通入氧化气体；
S420、将所述外壳（180）加热到大于或等于300℃，使所述氧化气体氧化消除所述上支撑板（120）和所述下支撑板（150）。
9.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述固定电极（110）的面积小于所述上支撑板（120）上表面的面积。
10.一种电容薄膜真空计传感器，其特征在于，所述电容薄膜真空计传感器由权利要求1-9任一项所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法制作而成。
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