CN115209598A - 静电消除装置及方法和蒸镀设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及静电消除装置及方法和蒸镀设备。所述静电消除装置,包括:气体离化模组,连接于真空腔体,用于离化所述真空腔体内的气体产生正离子和负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷;电荷吸附模组,连接于所述真空腔体,所述电荷吸附模组包括相连接的金属导电网、电源,所述金属导电网置于所述真空腔体内,所述金属导电网用于在接收到所述电源施加的电压时,吸附所述正离子和所述负离子中的另一种。采用本装置能够在消除基板所携带的原静电荷的基础上,进一步消除真空腔体内残留电荷,实现消除静电的目的。
Description
技术领域
本申请涉及工艺设备生产领域,特别是涉及静电消除装置及方法和蒸镀设备。
背景技术
随着工艺设备生产技术的发展,真空镀膜技术的运用愈加频繁与广泛,与此同时,行业内通常采用掩模版来实现真空镀膜图形化。工作过程中掩模版需与基板贴合,但当掩模版与基板分离时二者表面则会产生静电荷。现有技术中无法准确消除基板上的电荷,但是,若电荷积累达到一定量值,将会导致基板在后续工艺过程中存在因电荷放电而被损坏的风险。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供静电消除装置及方法和蒸镀设备。
第一方面,本申请提供了一种静电消除装置。所述静电消除装置包括:
气体离化模组,连接于真空腔体,用于离化所述真空腔体内的气体产生正离子和负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷;
电荷吸附模组,连接于所述真空腔体,所述电荷吸附模组包括相连接的金属导电网、电源,所述金属导电网置于所述真空腔体内,所述金属导电网用于在接收到所述电源施加的电压时,吸附所述正离子和所述负离子中的另一种。
在其中一个实施例中,所述气体离化模组包括:真空紫外光源,连接于所述真空腔体,用于发出真空紫外光线,以离化所述真空腔体内的气体产生等量的正离子与负离子;遮挡片,连接于所述真空腔体,被配置有第一工作位置和第二工作位置,所述遮挡片用于在处于第一工作位置时暴露所述真空紫外光源,并用于在处于第二工作位置时遮挡所述真空紫外光源。
在其中一个实施例中,所述气体离化模组还包括:马达,与所述遮挡片连接,所述马达用于带动所述遮挡片在所述第一工作位置和所述第二工作位置之间切换。
在其中一个实施例中,所述真空腔体设有第一通孔,所述电荷吸附模组包括:导线,用于连接所述金属导电网和所述电源;穿通密封件,设于所述第一通孔中,且所述穿通密封件设有用于供所述导线通过的第二通孔;绝缘部,包裹于所述导线的外侧,用于隔离所述穿通密封件与所述金属导电网。
在其中一个实施例中,所述电荷吸附模组还包括:电源开关,置于所述真空腔体外,设于所述电源和所述金属导电网所在的回路上,用于控制所述回路的通断。
第二方面,本申请还提供了一种静电消除方法。所述静电消除方法包括:
控制气体离化模组离化真空腔体内气体生成正离子与负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷;
控制电源施加电压至金属导电网,以使所述金属导电网吸附所述正离子和所述负离子中的另一种,所述金属导电网置于所述真空腔体内,所述金属导电网与所述电源相连接。
在其中一个实施例中,所述控制气体离化模组离化真空腔体内气体生成正离子与负离子,包括:控制真空紫外光源发出真空紫外光线,所述真空紫外光线用于离化所述真空腔体内的气体产生等量的正离子与负离子,所述真空紫外光源连接于所述真空腔体;控制遮挡片置于第一工作位置或第二工作位置,所述遮挡片用于在处于第一工作位置时暴露所述真空紫外光源,并在处于第二工作位置时遮挡所述真空紫外光源。
在其中一个实施例中,所述控制遮挡片置于第一工作位置或第二工作位置,包括:控制马达带动所述遮挡片在所述第一工作位置和所述第二工作位置之间切换,所述马达与所述遮挡片连接。
在其中一个实施例中,所述控制电源施加电压至金属导电网,包括:控制电源开关导通或断开所述电源与所述金属导电网所在的回路,所述电源用于在所述回路导通时施加电压至所述金属导电网。
第三方面,本申请还提供了一种蒸镀设备。所述蒸镀设备包括以上所述静电消除装置;或
包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述静电消除方法的步骤。
上述静电消除装置包括气体离化模组和电荷吸附模组,气体离化模组用于离化真空腔体内的气体产生带相反电荷的正离子与负离子,正离子与负离子中的一种离子与基板所带的电荷发生中和,此时另一种带相反电荷的离子存在于真空腔体内。电荷吸附模组中当电源给金属导电网施加电压,置于真空腔体内的金属导电网中有直流电流通过,此时真空腔体内的电荷将被金属导电网所吸附。基于此,基板表面及真空腔体内的残留电荷被消除,即消除静电的目的得以更好实现。
附图说明
图1为一实施例的静电消除装置的结构框图之一;
图2为一实施例的气体离化模组的结构框图之一;
图3为一实施例的气体离化模组的结构框图之二;
图4为一实施例的静电消除装置的局部示意图;
图5为一实施例的静电消除装置的结构框图之二;
图6为一实施例的静电消除方法的流程图;
图7为一实施例的控制气体离化模组离化真空腔体内气体生成正离子与负离子的流程图;
图8为一实施例的静电消除装置的结构框图之三;
图9为一实施例的蒸镀设备的内部结构图。
元件标号说明:
真空腔体:110;电荷吸附模组:130;金属导电网:131;电源:132;电源开关:133;第一通孔:134;穿通密封件:135;第二通孔:136;导线:137;绝缘部:138;气体离化模组:120;真空紫外光源:121;遮挡片:122;马达:123。
具体实施方式
为了便于理解本申请实施例,下面将参照相关附图对本申请实施例进行更全面的描述。附图中给出了本申请实施例的首选实施例。但是,本申请实施例可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请实施例的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请实施例。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
可以理解,本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件,但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说,在不脱离本申请的范围的情况下,可以将第一通孔称为第二通孔,且类似地,可将第二通孔称为第一通孔。第一通孔和第二通孔都是装置中的结构,但其不是同一结构。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
本申请实施例提供了一种应用于工艺设备生产领域的静电消除装置。图1为一实施例的静电消除装置的结构框图之一,参考图1,在本实施例中,静电消除装置包括气体离化模组120和电荷吸附模组130。
气体离化模组120连接于真空腔体110,可以置于真空腔体110的侧壁或顶部或底部。气体离化模组120用于离化真空腔体110内的气体,以产生带两种相反电荷的正离子和负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷,几秒左右可以中和结束。具体地,如当带电基板的表面携带正电荷,此时气体离化所产生的带负电荷的离子与其发生中和;当带电基板的表面携带负电荷,此时气体离化所产生的带正电荷的离子与其发生中和。
电荷吸附模组130连接于真空腔体110,同样可以置于真空腔体110的侧壁或顶部或底部。电荷吸附模组130包括相连接的金属导电网131、电源132。金属导电网131位于真空腔体110内部,用于在接收到电源132施加的电压时,吸附所述正离子和所述负离子中的另一种。具体地,当电源132施加电压到金属导电网131时,金属导电网131中有电流通过,从而可以吸附真空腔体110内残留的离子。如当气体离化所产生的带负电荷的离子中和带电基板的表面所携带的正电荷,则金属导电网131吸附真空腔体110内残留的带正电荷的离子;当气体离化所产生的带正电荷的离子中和带电基板的表面所携带的负电荷,则金属导电网131吸附真空腔体110内残留的带负电荷的离子。本实施例中,金属导电网131两端直接分别连接电源132的正负极,金属导电网131的网孔可以小于40目。
电源132可以置于真空腔体110内部或外部,电源132可以为低压直流电源,例如可以选择5V直流电源。具体地,当带电基板与离化产生的电荷进行中和时,低压直流电源线路断开,金属导电网131中没有电流流过。待真空腔体110内电荷中和结束后,低压直流电源线路连通,金属导电网131中有电流通过,同时真空腔体110内残留的电荷被金属导电网131吸附。可以理解的是,电源线路中的电流及线路连通时长以满足吸附残留电荷为前提。鉴于离气体离化模组120更近,气体离化所产生的电荷密度更大,金属导电网131应尽可能置于离气体离化模组120更近的位置,以更高效率吸附电荷。本实施例中,气体离化模组120使气体离化产生离子中和真空腔体110内基板所携带的静电荷后,电荷吸附模组130吸附真空腔体110内残留的多余电荷,达到消除真空腔体110内静电的目的。
在其中一个实施例中,参考图2,气体离化模组120包括真空紫外光源121与遮挡片122。真空紫外光源121用于发出真空紫外光线。在高能量的真空紫外光线的照射下,真空腔体110内的气体离化产生等量且带相反电荷的正离子与负离子。可以理解的是,由于真空紫外光线具有较高的能量,其对于物体表面镀膜,特别是对于OLED蒸发镀膜有机材料有不可逆的影响,所以当基板在真空腔体110时,需要将真空紫外光源121关闭或予以遮挡。考虑关闭真空紫外光源121后若想重新开启,需要进行预热才能正常工作,需要时间较长,即连续使用的话会严重影响生产节拍。因此,在本实施例中,为了避免真空紫外光线损坏基板,可以采用遮挡片122对真空紫外光源121进行遮挡。
具体地,图2与图3分别为一实施例的气体离化模组120在两个不同工作位置的结构框图,参考图2与图3,遮挡片122被配置有如图2所示的第一工作位置和如图3所示的第二工作位置。当基板进入真空腔体110前2分钟左右,遮挡片122处于如图2所示的第一工作位置,此时真空紫外光源121暴露,其发出的真空紫外光线照射在真空腔体110内使气体离化。待气体离化结束,遮挡片122处于如图3所示的第二工作位置遮挡住真空紫外光源121,同时携带静电荷的基板进入该真空腔体110准备进行工艺程序,气体离化所产生的离子中和基板表面所带静电荷。
在其中一个实施例中,在不损坏真空腔体110内部结构与材料、不损坏基板的前提下,可以通过其他短波长射线的光源代替真空紫外光源121离化气体,或通过热电离、碰撞电离等具有可行性的方式使真空腔体110内残余气体离化生成离子。
在其中一个实施例中,遮挡片122可以用遮挡盖代替,当遮挡盖打开时真空紫外光源121暴露,真空紫外光线离化气体;当遮挡盖盖住真空紫外光源121时,基板进入真空腔体110内。
继续参考图2与图3,在其中一个实施例中,气体离化模组120还包括马达123,马达123与遮挡片122连接,用于带动遮挡片122在如图2所示的第一工作位置和如图3所示的第二工作位置之间切换。
图4为一实施例的静电消除装置的局部示意图,参考图4,在其中一个实施例中,真空腔体110腔壁上设有第一通孔134,电荷吸附模组130还包括导线137、穿通密封件135和绝缘部138。导线137用于将金属导电网131的两端与电源132的正负极连接起来。穿通密封件135设于第一通孔134中,且穿通密封件135设有用于供导线137通过的第二通孔136,如图4的左边所示。图4的右边同样存在第一通孔134、穿通密封件135、第二通孔136与导线137,相应结构与具体限定与左边相同,但图未示。穿通密封件135通常是金属部件,真空腔体110亦为金属材质,且穿通密封件135通过第一通孔134直接与真空腔体110紧密接触,为防止当电源线路连通时真空腔体110带电,应当将穿通密封件135与会有电流通过的金属导电网131分隔开。绝缘部138包裹于导线137的外侧,用于隔离穿通密封件135与金属导电网131。基于本实施例的局部结构,电荷吸附模组130能正常工作且能防止真空腔体110导电。
图5为一实施例的静电消除装置的结构框图之二,参考图5,在其中一个实施例中,电荷吸附模组130还包括电源开关133,电源开关133置于真空腔体110外且设于电源132和金属导电网131所在的回路上,用于控制回路的通断。具体地,当电源开关133断开时,电荷吸附模组130处于不工作状态;当电源开关133导通时,金属导电网131接收到电源132施加的电压并吸附真空腔体110内残留的电荷。
基于同样的发明构思,本申请实施例还提供了一种适用于上述静电消除装置的静电消除方法。其中,关于静电消除方法的具体限定可以参见上文中对于静电消除装置的限定,在此简单描述。
图6为一实施例的静电消除方法的流程图,参考图6,在本实施例中,静电消除方法包括步骤200和步骤300。
步骤200,控制气体离化模组120离化真空腔体110内气体生成正离子与负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷。
步骤300,控制电源132施加电压至金属导电网131,以使金属导电网131吸附所述正离子和所述负离子中的另一种。金属导电网131置于真空腔体110内,金属导电网131与电源132相连接。
本实施例通过上述静电消除方法,可以使静电消除装置有序高效地运作,从而实现消除真空腔体110内电荷的目的。
图7为一实施例的控制气体离化模组120离化真空腔体110内气体生成正离子与负离子的流程图,参考图7,在其中一个实施例中,步骤200控制气体离化模组120离化真空腔体110内气体生成正离子与负离子包括步骤201和步骤202。步骤201,控制真空紫外光源121发出真空紫外光线,真空紫外光线用于离化真空腔体110内的气体产生等量的正离子与负离子,真空紫外光源121连接于真空腔体110;步骤202,控制遮挡片122置于第一工作位置或第二工作位置,遮挡片122用于在处于第一工作位置时暴露真空紫外光源121,并在处于第二工作位置时遮挡真空紫外光源121。
在其中一个实施例中,步骤202控制遮挡片122置于第一工作位置或第二工作位置包括控制马达123带动遮挡片122在如图2所示的第一工作位置或如图3所示的第二工作位置之间切换,马达123与遮挡片122连接。
在其中一个实施例中,步骤300控制电源132施加电压至金属导电网131包括控制电源开关133导通或断开电源132与金属导电网131所在的回路,电源132用于在回路导通时施加电压至金属导电网131。
应该理解的是,虽然图6-图7的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图6-图7中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
图8为一实施例的静电消除装置的结构框图之三,参考图8,控制真空紫外光源121发出真空紫外光线,真空紫外光线用于离化真空腔体110内的气体产生等量的正离子与负离子,真空紫外光源121连接于真空腔体110。控制马达123带动遮挡片122在如图2所示第一工作位置和如图3所示第二工作位置之间切换,马达123与遮挡片122连接,遮挡片122用于在处于如图2所示第一工作位置时暴露真空紫外光源121,并在处于如图3所示第二工作位置时遮挡真空紫外光源121。可以理解的是,基板表面携带正电荷,控制马达123带动遮挡片122遮挡真空光源121,且基板进入真空腔体110后,真空腔体110内的负离子中和基板表面所携带的正电荷,真空腔体110内残留有气体离化所产生的正离子。
控制电源开关133导通电源132与金属导电网131所在的回路,电源132用于在所述回路导通时施加电压至金属导电网131,使金属导电网131吸附真空腔体110内残留的正离子,金属导电网131置于真空腔体110内,金属导电网131与电源132相连接。在本实施例中,基板表面及真空腔体110内残留的电荷被吸附,避免了基板承担因电荷放电而被损坏的风险。
本申请实施例还提供了一种蒸镀设备。该蒸镀设备可以是包括上述静电消除装置的工艺设备,也可以是服务器。当蒸镀设备作为服务器,其内部结构图可以如图9所示。参考图9,蒸镀设备包括存储器和处理器,存储器存储有计算机程序,处理器执行所述计算机程序时实现上述静电消除方法的步骤。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种静电消除装置,其特征在于,包括:
气体离化模组,连接于真空腔体,用于离化所述真空腔体内的气体产生正离子和负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷;
电荷吸附模组,连接于所述真空腔体,所述电荷吸附模组包括相连接的金属导电网、电源,所述金属导电网置于所述真空腔体内,所述金属导电网用于在接收到所述电源施加的电压时,吸附所述正离子和所述负离子中的另一种。
2.根据权利要求1所述的静电消除装置,其特征在于,所述气体离化模组包括:
真空紫外光源,连接于所述真空腔体,用于发出真空紫外光线,以离化所述真空腔体内的气体产生等量的正离子与负离子;
遮挡片,连接于所述真空腔体,被配置有第一工作位置和第二工作位置,所述遮挡片用于在处于第一工作位置时暴露所述真空紫外光源,并用于在处于第二工作位置时遮挡所述真空紫外光源。
3.根据权利要求2所述的静电消除装置,其特征在于,所述气体离化模组还包括:
马达,与所述遮挡片连接,所述马达用于带动所述遮挡片在所述第一工作位置和所述第二工作位置之间切换。
4.根据权利要求1所述的静电消除装置,其特征在于,所述真空腔体设有第一通孔,所述电荷吸附模组包括:
导线,用于连接所述金属导电网和所述电源;
穿通密封件,设于所述第一通孔中,且所述穿通密封件设有用于供所述导线通过的第二通孔;
绝缘部,包裹于所述导线的外侧,用于隔离所述穿通密封件与所述金属导电网。
5.根据权利要求1或4所述的静电消除装置,其特征在于,所述电荷吸附模组还包括:
电源开关,置于所述真空腔体外,设于所述电源和所述金属导电网所在的回路上,用于控制所述回路的通断。
6.一种静电消除方法,其特征在于,包括:
控制气体离化模组离化真空腔体内气体生成正离子与负离子,所述正离子和所述负离子中的一种用于中和带电基板携带的电荷;
控制电源施加电压至金属导电网,以使所述金属导电网吸附所述正离子和所述负离子中的另一种,所述金属导电网置于所述真空腔体内,所述金属导电网与所述电源相连接。
7.根据权利要求6所述的静电消除方法,其特征在于,所述控制气体离化模组离化真空腔体内气体生成正离子与负离子,包括:
控制真空紫外光源发出真空紫外光线,所述真空紫外光线用于离化所述真空腔体内的气体产生等量的正离子与负离子,所述真空紫外光源连接于所述真空腔体;
控制遮挡片置于第一工作位置或第二工作位置,所述遮挡片用于在处于第一工作位置时暴露所述真空紫外光源,并在处于第二工作位置时遮挡所述真空紫外光源。
8.根据权利要求7所述的静电消除方法,其特征在于,所述控制遮挡片置于第一工作位置或第二工作位置,包括:
控制马达带动所述遮挡片在所述第一工作位置和所述第二工作位置之间切换,所述马达与所述遮挡片连接。
9.根据权利要求6所述的静电消除方法,其特征在于,所述控制电源施加电压至所述金属导电网,包括:
控制电源开关导通或断开所述电源与所述金属导电网所在的回路,所述电源用于在所述回路导通时施加电压至所述金属导电网。
10.一种蒸镀设备,其特征在于,包括如权利要求1至5任一项所述静电消除装置;或
包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求6至9中任一项所述静电消除方法的步骤。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2737115Y (zh) * | 2004-03-11 | 2005-10-26 | 富科海科技(苏州)有限公司 | 离子静电消除装置 |
CN1771592A (zh) * | 2004-05-07 | 2006-05-10 | 信越工程株式会社 | 工件除静电方法及其装置 |
CN101031178A (zh) * | 2006-03-02 | 2007-09-05 | 株式会社Trinc | 等离子体放电静电消除器 |
CN101155458A (zh) * | 2007-09-11 | 2008-04-02 | 天津大学 | 气溶胶静电中和器 |
CN101449628A (zh) * | 2006-06-07 | 2009-06-03 | 株式会社小金井 | 离子发生装置 |
CN110042348A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-07-23 | 深圳奥拦科技有限责任公司 | 等离子表面处理装置及方法 |
CN215187528U (zh) * | 2021-05-18 | 2021-12-14 | 马鞍山市安马电子设备实业有限公司 | 一种真空腔室静电消除结构 |
-
2022
- 2022-08-03 CN CN202210927766.9A patent/CN115209598A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2737115Y (zh) * | 2004-03-11 | 2005-10-26 | 富科海科技(苏州)有限公司 | 离子静电消除装置 |
CN1771592A (zh) * | 2004-05-07 | 2006-05-10 | 信越工程株式会社 | 工件除静电方法及其装置 |
CN101031178A (zh) * | 2006-03-02 | 2007-09-05 | 株式会社Trinc | 等离子体放电静电消除器 |
CN101449628A (zh) * | 2006-06-07 | 2009-06-03 | 株式会社小金井 | 离子发生装置 |
CN101155458A (zh) * | 2007-09-11 | 2008-04-02 | 天津大学 | 气溶胶静电中和器 |
CN110042348A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-07-23 | 深圳奥拦科技有限责任公司 | 等离子表面处理装置及方法 |
CN215187528U (zh) * | 2021-05-18 | 2021-12-14 | 马鞍山市安马电子设备实业有限公司 | 一种真空腔室静电消除结构 |
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