CN115193498B - 一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 - Google Patents
一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115193498B CN115193498B CN202210895169.2A CN202210895169A CN115193498B CN 115193498 B CN115193498 B CN 115193498B CN 202210895169 A CN202210895169 A CN 202210895169A CN 115193498 B CN115193498 B CN 115193498B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic
- transparent ceramic
- microfluidic chip
- micro
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 59
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 40
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 18
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 16
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 8
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 claims description 6
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 4
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 4
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000280 densification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- OSGMVZPLTVJAFX-UHFFFAOYSA-N [Gd].[Lu] Chemical compound [Gd].[Lu] OSGMVZPLTVJAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004737 colorimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000835 electrochemical detection Methods 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000671 polyethylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
- B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
- B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
- B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
- B01L3/502707—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip characterised by the manufacture of the container or its components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
- C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Hematology (AREA)
- Clinical Laboratory Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用，该陶瓷微流控芯片是由掺杂稀土离子的透明陶瓷基体与微通道构成，且微通道分布在透明陶瓷基体内部。其中掺杂于透明陶瓷中的稀土离子为Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+等中的一种或者多种。透明陶瓷基体为Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1‑x‑y)3(GaZAl1‑z)5O12(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)中的一种。该陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体由高温致密化烧结得到，具有高的致密度与透过率。该陶瓷微流控芯片的微通道内径尺寸为数十到数百微米，且微通道通过牺牲模板法形成。该陶瓷微流控芯片具有物化性能稳定，成本低以及应用范围广等优点。
Description
技术领域
本发明涉及微流控技术领域，特别是一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用。
背景技术
微流控芯片将传统反应体系缩小到微米级的通道中操作纳升到微升流体。微流控芯片中进行的化学反应具有快速、简便及易于精准操作的特点。微流控芯片包括反应溶液的输送、特定设计的微反应通道或管道以及反应液收集。科学合理的设计微反应通道有利于精准控制反应进行。目前主流微流控芯片采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)等有机物，其具有易成型，制备工艺简单快捷，且微反应通道完成精度高等特点。然而有机物材质的微流控芯片一般存在不耐高温，抗化学腐蚀性能差等问题。中国专利CN110523449B采用羟基磷灰石陶瓷作为微流控芯片的基体，利用陶瓷光固化技术打印出陶瓷基底生坯，而后经高温高压烧制形成透明陶瓷基底，最后将透明陶瓷基体与PDMS盖板进行封接，形成透明陶瓷微流控芯片。该方法制备的微流控芯片采用无机羟基磷灰石作为陶瓷基底与有机PDMS盖板进行封接，封接工艺难度较大，且有机PDMS盖板的应用也降低了微流控芯片的耐腐蚀性能。
发明内容
本发明的目的在于制备一种透明陶瓷微流控芯片，这种微流控芯片的最高使用温度可达1500℃，且抗酸碱腐蚀。同时可通过激光激发陶瓷基体中的稀土离子对微通道实现分段精准控温处理。
本发明的技术解决方案为：
本发明实施例的第一方面提供了一种陶瓷微流控芯片，该陶瓷微流控芯片是由掺杂稀土离子的透明陶瓷基体与微通道构成，且微通道存在于透明陶瓷基体内部；其中掺杂于透明陶瓷基体中的稀土离子为Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+中的一种或者多种；透明陶瓷基体为Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1-x-y)3(GazAl1-z)5O12中的一种，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；该陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体通过高温致密化烧结获得；该陶瓷微流控芯片的微通道通过牺牲模板法形成。
进一步地，所述微通道的内径尺寸为5-100微米。
进一步地，所述透明陶瓷基体在可见光或近红外光区的透过率大于60％。
本发明实施例的第二方面提供了一种陶瓷微流控芯片的制备方法，所述方法包括下列步骤：
①选定陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体成分参数，根据透明陶瓷基体成分参数称量原料粉体，并以占原料粉体质量的0-1wt％的聚乙二醇和占原料粉体质量的0-1wt％的正硅酸四乙酯作为添加剂；
②再步骤①将称量好的原料粉体采用湿法球磨，以无水乙醇或去离子水为球磨介质进行球磨混合，原料粉料经干燥、过筛后得到流动性与分散性好的粉料；将粉料导入模具，并将具有所需微结构的模板埋入粉体中，而后进行单轴加压成型，再对其施以150MPa以上冷等静压形成陶瓷坯体；
③将所述的陶瓷坯体放入马弗炉中缓慢升温，并在400-1000℃下进行模板灼烧去除，形成陶瓷微流控芯片素坯；而后再将陶瓷微流控芯片素坯放入高温真空烧结炉中在1600℃-1900℃真空度10-3Pa～10-5Pa条件下进行烧结，获得透明陶瓷微流控芯片。
进一步地，所述的原料粉体为纯度为99.999％的纳米粉体。
进一步地，所述具有微结构的模板由包括尼龙线、聚乙二醇二丙烯酸脂、聚ε-己内酯在内的复杂聚合物或碳基材料采用3D打印方式制成。
本发明实施例的第三方面提供了一种陶瓷微流控传感器，包括陶瓷微流控芯片；所述陶瓷微流控芯片的两侧分别分布有激光器、光电探测器；所述激光器与光电探测器的波长范围为可见光与近红外光。
本发明实施例的第四方面提供了一种陶瓷微流控传感器在高温高压以及腐蚀环境下的纳米化学合成中对气体、液体以及液体中分散的纳米固体成分以及反应进程的实时在线检测中的应用。
进一步地，所述陶瓷微流控传感器最高温度可以承受1500℃，最高压力可以承受5Mpa，且耐酸碱腐蚀。
进一步地，所述应用的方法包括以下步骤：
固定激光器与光电探测器的位置，移动调节透明陶瓷基体位置；激光器所发出激光穿过透明陶瓷微流控基体被光电探测器所探测，同时调节透明陶瓷基体的位置可实现激光穿过目标部位，传导出透明陶瓷基体中微通道所填充的流体相关信息。
本发明的有益效果：
1)本发明公开的陶瓷微流控芯片有别于传统的微流控芯片，本发明的微流控芯片整体为透明陶瓷材质，经过高温烧结，物化性能稳定，抗热冲击性能好。
2)本发明的透明陶瓷微流控芯片，采用高温烧结与牺牲模板相结合。采用牺牲模板法一体化成型技术，免去了微流控芯片制备的基体与盖板封接的工艺流程。所得透明陶瓷微流控芯片，物化性能稳定，耐高温，耐酸碱腐蚀，且具有良好的透明性。
3)本发明的透明陶瓷微流控芯片，掺杂稀土离子，可采用激光激发，使稀土离子吸收激光产生辐射跃迁以及非辐射跃迁产生热量，进而实现对微流控通道分段精准加热控温处理。
4)本发明的透明陶瓷微流控芯片，可应用于气体与液体的成分检测、生物检测与分离(如：DNA分离、蛋白质分离以及病毒分离检测等)，纳米化学合成等领域。
5)本发明提出的陶瓷微流控传感器集成激光激发以及光电检测系统，该陶瓷微流控传感器相较于电化学检测系统以及比色分析系统，其具有更高的检测灵敏度以及准确性。
6)本发明通过牺牲模板法形成微通道，不采用透明陶瓷基体与PDMS盖板进行封接，不仅能提高微通道的抗压能力，而且简化了制备工艺。
7)本发明通过在透明陶瓷基体中掺杂稀土离子，并采用激光激发，使稀土离子吸收激光产生辐射跃迁以及非辐射跃迁产生热量，对透明陶瓷基体进行定点加热，进而实现对微流控通道分段精准加热控温处理。
附图说明
图1是本发明透明陶瓷微流控芯片简要制备工艺流程；
图2是本发明透明陶瓷微流控芯片的结构示意图；
图3是本发明陶瓷微流控传感器的结构示意图；
图中，11-陶瓷粉体；12-模板；13-陶瓷坯体；14-透明陶瓷微流控芯片；21-透明陶瓷基体；22-微通道；23-流体入口；24-流体出口；25-荧光探测器；26-激光器。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
如图2所示，本发明提供了一种陶瓷微流控芯片，该陶瓷微流控芯片是由掺杂稀土离子的透明陶瓷材料与微通道构成。其中掺杂于透明陶瓷基体中的稀土离子为Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+等中的一种或者多种。透明陶瓷基体为Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1-x-y)3(GazAl1-z)5O12中的一种，其中x，y，z的取值范围分别为：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。该陶瓷微流控芯片的透明陶瓷材料为高温致密化烧结，具有高的透过率以及低的气孔率。该陶瓷微流控芯片的微管道横向尺寸为数十到数百微米(5-100微米)，且该微管道是通过牺牲模板法在陶瓷中形成。
如图1所示，所述的陶瓷微流控芯片的制备方法，包括下列步骤：
(1)选定陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体成分参数，根据透明陶瓷基体成分参数称量原料粉体，原料粉体包括氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化镥(Lu2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化镓(Ga2O3)，掺杂于透明陶瓷基体中的稀土离子的原料包括氧化铈(CeO2)、二氧化锰(MnO2)、氧化铬(Cr2O3)、氧化镨(Pr6O11)、氧化钕(Nd2O3)、氧化镱(Yb2O3)、氧化铒(Er2O3)、氧化钬(Ho2O3)、氧化铥(Tm2O3)、氧化铕(Eu2O3)，并以聚乙二醇(PEG，原料粉体质量的0-1wt％)和正硅酸四乙酯(TEOS，原料粉体质量的0-1wt％)作为添加剂。其中，所述掺杂于透明陶瓷基体中的稀土离子的原料的重量不超过总质量的0.1wt％。所述的原料粉体为纯度为99.999％的纳米粉体。
(2)再将称量好的粉体用湿法球磨以无水乙醇或去离子水为球磨介质进行球磨混合，粉料经干燥、过筛后得到流动性与分散性好的陶瓷粉体11。将陶瓷粉体11倒入模具，并将由尼龙线、聚乙二醇二丙烯酸脂(PEGDA)、聚ε-己内酯(PCL)等复杂聚合物或碳基材料制成的具有所需微结构的模板12埋入粉体中，而后进行单轴加压成型，再对其施以150MPa以上冷等静压形成陶瓷坯体13；
(3)将所述的陶瓷坯体13放入马弗炉中缓慢升温，并在400-1000℃区间内选择合适的温度进行模板灼烧去除，形成陶瓷微流控芯片素坯。再将该陶瓷微流控芯片素坯放入高温真空烧结炉中在1600℃-1900℃真空度10-3Pa～10-5Pa条件下进行烧结，获得透明陶瓷微流控芯片14。
本发明的透明陶瓷微流控芯片掺杂稀土离子，可采用激光激发，使稀土离子吸收激光产生辐射跃迁以及非辐射跃迁产生热量，对透明陶瓷基体进行定点加热，进而实现对微流控通道分段精准加热控温处理。
实施例1
设计铬掺杂氧化铝为微流控芯片的陶瓷基体材料，并以(Cr0.002Al0.998)2O3化学式进行原料配比称量。采用氧化铝(Al2O3)与氧化铬(Cr2O3)为原料，以及聚乙二醇(PEG，原料粉体质量的0.4wt％)和正硅酸四乙酯(TEOS，原料粉体质量的0.2wt％)作为添加剂。配料中氧化铬的重量占总质量的0.1wt％。按组成配方配置好粉体原料，再以湿法球磨的方法并以无水乙醇为球磨介质制备陶瓷粉料，粉料经干燥、过筛；再进行布粉并埋入具有所需微结构的模板，后进行单轴压成型脱模后再对其施以200MPa冷等静压形成坯体，然后将坯体放入马弗炉中，缓慢升温，并在500℃以及800℃分别保温10小时。马弗炉中预烧结束后。将坯体放入真空烧结炉中在1700℃真空度10-3Pa条件下烧结24小时，获得透明陶瓷微流控芯片。
实施例2
设计铈掺杂钇铝石榴石为微流控芯片的陶瓷基体材料，并以(Ce0.003Y0.997)3Al5O12化学式进行原料配比称量。采用氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)、氧化铈(CeO2)为原料，以及聚乙二醇(PEG，原料粉体质量的0.2wt％)和正硅酸四乙酯(TEOS，原料粉体质量的0.1wt％)作为添加剂。按组成配方配置好粉体原料，再以湿法球磨的方法并以无水乙醇为球磨介质制备陶瓷粉料，粉料经干燥、过筛；再进行布粉并埋入具有所需微结构的模板，后进行单轴压成型脱模后再对其施以200MPa冷等静压形成坯体，然后将坯体放入马弗炉中，缓慢升温，并在500℃以及800℃分别保温10小时。马弗炉中预烧结束后。将坯体放入真空烧结炉中在1700℃真空度10-3Pa条件下烧结24小时，获得透明陶瓷微流控芯片。
实施例3
设计锰掺杂氧化钇为微流控芯片的陶瓷基体材料，并以(Mn0.01Y0.99)2O3化学式进行原料配比称量。采用氧化钇(Y2O3)、氧化锰(MnO2)为原料，以及正硅酸乙酯(TEOS原料粉体质量的0.1wt％)作为添加剂。按组成配方配置好粉体原料，再以湿法球磨的方法并以无水乙醇为球磨介质制备陶瓷粉料，粉料经干燥、过筛；再进行布粉并埋入具有所需微结构的模板，后进行单轴压成型脱模后再对其施以200MPa冷等静压形成坯体，然后将坯体放入马弗炉中，缓慢升温，并在400℃以及800℃分别保温10小时。马弗炉中预烧结束后。将坯体放入真空烧结炉中在1600℃真空度10-3Pa条件下烧结24小时，获得透明陶瓷微流控芯片。
实施例4
设计镨掺杂镥钆镓铝石榴石为微流控芯片的陶瓷基体材料，并以(Pr0.005Gd0.5Lu0.45)3(Ga0.5Al0.5)5O12化学式进行原料配比称量。采用氧化铝(Al2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化镥(Lu2O3)、氧化镨(Pr6O11)为原料，以及聚乙二醇(PEG，原料粉体质量的0.1wt％)和正硅酸乙酯(TEOS，原料粉体质量的0.2wt％)作为添加剂。按组成配方配置好粉体原料，再以湿法球磨的方法并以无水乙醇为球磨介质制备陶瓷粉料，粉料经干燥、过筛；再进行布粉并埋入具有所需微结构的模板，后进行单轴压成型脱模后再对其施以200MPa冷等静压形成坯体，然后将坯体放入马弗炉中，缓慢升温，并在400℃以及800℃分别保温10小时。马弗炉中预烧结束后。将坯体放入真空烧结炉中在1800℃真空度10-3Pa条件下烧结24小时，获得透明陶瓷微流控芯片。
实施例5
设计铕掺杂镁铝尖晶石为微流控芯片的陶瓷基体材料，并以Eu0.01Mg0.99Al2O4化学式进行原料配比称量。采用氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)、氧化铕(Eu2O3)为原料，以及聚乙二醇(PEG，原料粉体质量的0.5wt％)作为添加剂。按组成配方配置好粉体原料，再以湿法球磨的方法并以无水乙醇为球磨介质制备陶瓷粉料，粉料经干燥、过筛；再进行布粉并埋入具有所需微结构的模板，后进行单轴压成型脱模后再对其施以200MPa冷等静压形成坯体，然后将坯体放入马弗炉中，缓慢升温，并在600℃以及1000℃分别保温10小时。马弗炉中预烧结束后。将坯体放入真空烧结炉中在1900℃真空度10-3Pa条件下烧结24小时，获得透明陶瓷微流控芯片。
实施例6
具有微结构的模板的制备过程具体为：采用由包括尼龙线、聚乙二醇二丙烯酸脂、聚ε龙己内酯在内的复杂聚合物或碳基材料，经3D打印方式制备具有所需微结构的牺牲模板，打印精度达到纳米量级。本发明实施例微结构设置为螺线形。
实施例7
如图3所示，本发明实施例提供了一种透明陶瓷微流控传感器，包括上述的陶瓷微流控芯片和分布在其两侧的激光器26、光电探测器25；所述激光器26与光电探测器25的波长范围为可见光与近红外光。所述透明陶瓷微流控传感器还包括封接在流体入口23的用于引入待测流体的进口软管，以及封接在流体出口24的出口软管。
进一步地，流体入口23还可通入洗涤液对微通道22进行清洗，陶瓷微流控基体通过包括水洗、酸碱洗以及高温烧灼在内的方法对微通道22进行清洗从而实现重复利用，多次进行纳米化学合成实验，节约实验成本。
实施例8
本发明实施例的另一方面提供了一种透明陶瓷微流控传感器在高温高压以及腐蚀环境下的纳米化学合成中气体、液体以及液体中分散纳米固体的成分以及反应进程的实时在线检测中的应用。具体地，本发明实施例提供的透明陶瓷微流控传感器最高使用温度为1500℃；最高承受压力为5Mpa，并且可耐酸碱腐蚀。
其应用方法具体包括以下步骤：
首先固定激光器与荧光探测器的位置，移动调节透明陶瓷基体位置；激光器所发出激光穿过透明陶瓷微流控基体被荧光探测器所探测，同时调节透明陶瓷基体的位置可实现激光穿过目标部位，传导出透明陶瓷基体中微通道所填充的流体信息。
实施例9
本发明实施例提供一种透明陶瓷微流控芯片的耐高温、耐高压以及耐酸碱腐蚀性能的测试。将透明陶瓷微流控芯片移除流体入口23与流体出口24的进出口软管，并将其放置于1500℃的马弗炉中保温10小时后，待马弗炉温度降至室温后，取出透明陶瓷微流控芯片观察其外观以及微通道状态是否改变。通过测试，其在1500℃条件下热处理后，透明陶瓷微流控芯片无变化，从而证实陶瓷微流控芯片可耐1500℃高温。将透明陶瓷微流控芯片的流体入口23与流体出口24转接上进出软管，并封堵流体出口24的软管，将流体入口23的转接软管与压力泵连接，通过压力泵向陶瓷微流控芯片的微通道内泵入5Mpa的水压，保持10小时以上，陶瓷微流控芯片未出现任何漏液现象，证实其可承受5Mpa的压力。将透明陶瓷微流控芯片移除流体入口23与流体出口24的进出口软管，并将其分别放置于浓盐酸与氢氧化钠溶液中各浸泡24小时以上，陶瓷微流控芯片的质量较酸碱浸泡前的质量差值小于0.005％，证明陶瓷微流控芯片可耐酸碱腐蚀。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。
Claims (6)
1.一种陶瓷微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述陶瓷微流控芯片是由掺杂稀土离子的透明陶瓷基体与微通道构成，且微通道存在于透明陶瓷基体内部；其中掺杂于透明陶瓷基体中的稀土离子为Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+中的一种或者多种；透明陶瓷基体为Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1-x-y)3(GazAl1-z)5O12中的一种，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；该陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体通过高温致密化烧结获得；该陶瓷微流控芯片的微通道通过牺牲模板法形成；
其中，所述微通道的内径尺寸为5-100微米；所述透明陶瓷基体在可见光或近红外光区的透过率大于60%；
所述制备方法包括下列步骤：
①选定陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体成分参数，根据透明陶瓷基体成分参数称量原料粉体，并以占原料粉体质量的0-1wt%的聚乙二醇和占原料粉体质量的0-1wt%的正硅酸四乙酯作为添加剂；
②将步骤①称量好的原料粉体采用湿法球磨，以无水乙醇或去离子水为球磨介质进行球磨混合，原料粉料经干燥、过筛后得到流动性与分散性好的粉料；将粉料导入模具，并将具有所需微结构的模板埋入粉体中，而后进行单轴加压成型，再对其施以150MPa以上冷等静压形成陶瓷坯体；其中，微结构的模板由包括尼龙线、聚乙二醇二丙烯酸脂、聚ε-己内酯在内的复杂聚合物或碳基材料采用3D打印方式制成；
③将所述的陶瓷坯体放入马弗炉中缓慢升温，并在400-1000℃下进行模板灼烧去除，形成陶瓷微流控芯片素坯；而后再将陶瓷微流控芯片素坯放入高温真空烧结炉中在1600℃-1900℃真空度10-3Pa~10-5Pa条件下进行烧结，获得透明陶瓷微流控芯片。
2.根据权利要求1所述的陶瓷微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述的原料粉体为纯度为99.999%的纳米粉体。
3.一种陶瓷微流控传感器，其特征在于，包括由权利要求1~2任一项所述的制备方法制得的陶瓷微流控芯片；所述陶瓷微流控芯片的两侧分别分布有激光器、光电探测器；所述激光器与光电探测器的波长范围为可见光与近红外光。
4.一种权利要求3所述的陶瓷微流控传感器应用于高温高压以及腐蚀环境下的纳米化学合成中对气体、液体以及液体中分散的纳米固体成分以及反应进程的实时在线检测。
5.根据权利要求4中的应用，其特征在于，所述陶瓷微流控传感器最高温度可以承受1500℃，最高压力可以承受5Mpa，且耐酸碱腐蚀。
6.根据权利要求4中的应用，其特征在于，所述应用的方法包括以下步骤：
固定激光器与光电探测器的位置，移动调节透明陶瓷基体位置；激光器所发出激光穿过透明陶瓷微流控基体被光电探测器所探测，同时调节透明陶瓷基体的位置可实现激光穿过目标部位，传导出透明陶瓷基体中微通道所填充的流体相关信息。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210895169.2A CN115193498B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210895169.2A CN115193498B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115193498A CN115193498A (zh) | 2022-10-18 |
| CN115193498B true CN115193498B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=83583576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210895169.2A Active CN115193498B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115193498B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115974554A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-18 | 之江实验室 | 基于3d打印一体化成型的透明陶瓷微反应器及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108558408A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-09-21 | 李钰龙 | 一种一体化微通道板的制备方法 |
| CN108704678A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-10-26 | 上海理工大学 | 摩斯码生成的t型微流控芯片装置 |
| CN110523449A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-03 | 华南理工大学 | 一种透明陶瓷微流控芯片的制备方法 |
| CN110841728A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-28 | 武夷学院 | 一种3d微通道的制作方法 |
| CN214472560U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-10-22 | 无锡源清天木生物科技有限公司 | 一种液滴识别系统 |
| CN114763305A (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-19 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种稀土共掺氧化钇透明陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102276232B1 (ko) * | 2019-08-22 | 2021-07-12 | 주식회사 엠오피(M.O.P Co., Ltd.) | 세라믹 재질의 미세유체 반응기 및 이의 제조방법 |
-
2022
- 2022-07-26 CN CN202210895169.2A patent/CN115193498B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108704678A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-10-26 | 上海理工大学 | 摩斯码生成的t型微流控芯片装置 |
| CN108558408A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-09-21 | 李钰龙 | 一种一体化微通道板的制备方法 |
| CN110523449A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-03 | 华南理工大学 | 一种透明陶瓷微流控芯片的制备方法 |
| CN110841728A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-28 | 武夷学院 | 一种3d微通道的制作方法 |
| CN214472560U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-10-22 | 无锡源清天木生物科技有限公司 | 一种液滴识别系统 |
| CN114763305A (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-19 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种稀土共掺氧化钇透明陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115193498A (zh) | 2022-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Guo et al. | Fabrication of highly porous Y2O3: Ho, Yb ceramic and its thermometric applications | |
| CN115193498B (zh) | 一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 | |
| Liu et al. | Color-tunable upconversion luminescence and multiple temperature sensing and optical heating properties of Ba3Y4O9: Er3+/Yb3+ phosphors | |
| KR102583377B1 (ko) | 겔 조성물, 형상화된 겔 물품 및 소결 물품의 제조 방법 | |
| JP6119528B2 (ja) | 透明セスキオキサイド焼結体の製造方法 | |
| CN103102156A (zh) | 凝胶注模成型制备Re:YAG透明陶瓷 | |
| Hostaša et al. | Transparent laser ceramics by stereolithography | |
| Boulesteix et al. | Highly transparent Nd: Lu2O3 ceramics obtained by coupling slip-casting and spark plasma sintering | |
| CN110078504A (zh) | 一种原位合成赝二元复相稀土铌酸盐陶瓷及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Three-dimensional printing of transparent ceramics by lithography-based digital projection | |
| CN101218188A (zh) | 氧化钇烧结体和耐腐蚀性部件、其制造方法 | |
| Stastny et al. | High strength alumina tapes prepared by gel-tape casting method | |
| JP2017179219A (ja) | 蛍光材料及びその製造方法 | |
| Liu et al. | Transmittance enhancement of La0. 4Gd1. 6Zr2O7 transparent ceramic by aqueous AM gel-casting with pretreated powder | |
| CN109328184A (zh) | 陶瓷烧结体 | |
| CN107459354A (zh) | 高透过率高纯氮氧化铝透明陶瓷及其制备方法 | |
| Ge et al. | Densification behavior, doping profile and planar waveguide laser performance of the tape casting YAG/Nd: YAG/YAG ceramics | |
| CN103911153B (zh) | 一种上转换发射荧光粉前驱体及其制备方法 | |
| Saidi et al. | Temperature and Pressure Sensing Using an Optical Platform Based on Upconversion Luminescence in NaSrY (MoO4) 3 Codoped with Er3+ and Yb3+ Nanophosphors | |
| Tian et al. | A manufacturing method of integrated ceramic heat spreaders embedded with interconnected microchannels | |
| Chen et al. | Aqueous-based tape casting of multilayer transparent Nd: YAG ceramics | |
| CN109574649A (zh) | 一种钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法 | |
| US20230138537A1 (en) | Lithography-based process for the production of transparent ceramic bodies with at least two zones of different composition and transparent ceramic bodies thus obtained | |
| Gao et al. | A novel route to fabricate Yb: YAG ceramic fiber and its optical performance | |
| CN113603475A (zh) | 一种三价铬离子掺杂镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |