CN115188876A - 半导体器件的制作方法以及半导体器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供基板；然后，在基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，且任意相邻的两个第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；在第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应的转接基板；之后，在各转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，且一个转接基板上任意相邻的两个第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，第二阈值小于第一阈值；最后，在第二PAD结构的裸露表面上设置一一对应的多个发光设备，得到目标结构。保证了基板上可以设置间距较大的转接基板，且转接基板上还可以设置间距较小的多个发光设备，保证了发光设备的间距较小。

Description

半导体器件的制作方法以及半导体器件

技术领域

本申请涉及芯片封装领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。

背景技术

国内现有Mini RGB(红绿蓝)灯珠分为单一像素封装与多像素封装(集成封装)，透过SMT(Surface Mounted Technology，表面组装技术)贴片工艺将Mini RGB灯珠与PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)模块板进行结合，最后透过数个模块板进行拼接组装后形成我们常见的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)直显屏。

但是，目前Pitch一般均大于0.46mm，PCB模块板上PAD间距需要大于75μm以上，才能与LED灯珠搭配，另外，在Pitch越小的情况下，一方面，模块板的层数越多，导致良率相对较低，另一方面，LED集成线路灯珠之PAD越多，造成维修上困难度提升。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，以解决现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，任意相邻的两个所述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板；在各所述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，一个所述转接基板上任意相邻的两个所述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值；在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构。

可选地，在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板，包括：通过焊接技术将所述转接基板一一对应的设置在所述第一PAD结构的裸露表面上。

可选地，在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板之后，所述方法还包括：使用电性测试确定所述第一PAD结构与对应的所述转接基板是否导通；在不导通的情况下，再次通过焊接技术将所述转接基板一一对应的设置在所述第一PAD结构的裸露表面上，使得所述第一PAD结构与所述转接基板导通。

可选地，在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，所述方法还包括：对多个所述发光设备进行区域性的点亮测试；在所述发光设备在所述点亮测试中点亮失败的情况下，重新连接所述发光设备与所述第二PAD结构，使得所述发光设备点亮成功。

可选地，在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，所述方法还包括：在所述目标结构的裸露表面上形成封装层，得到目标封装结构。

可选地，所述第一阈值的范围为75μm-150μm，所述第二阈值的范围为30μm-80μm。

可选地，所述转接基板的材料为BT、聚酰亚胺以及ABF中之一。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括基板、多个间隔设置的第一PAD结构、多个间隔设置的转接基板、多个间隔设置的第二PAD结构以及多个间隔设置的发光设备，其中，多个间隔设置的所述第一PAD结构位于所述基板的表面上，任意相邻的两个所述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；多个间隔设置的所述转接基板位于所述第一PAD结构的远离所述基板的表面上，所述转接基板与所述第一PAD结构一一对应；多个间隔设置的所述第二PAD结构位于各所述转接基板的远离所述基板的表面上，一个所述转接基板上任意相邻的两个所述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值；多个间隔设置的所述发光设备位于所述第二PAD结构的远离所述转接基板的表面上，所述发光设备与所述第二PAD结构一一对应，所述基板、多个所述第一PAD结构、多个所述转接基板、多个所述第二PAD结构以及多个所述发光设备组成目标结构。

可选地，各所述转接基板上的多个所述发光设备至少发出一种颜色的光。

可选地，所述半导体器件还包括封装层，所述封装层位于所述目标结构的部分表面上，所述封装层以及所述目标结构组成目标封装结构。

在本发明实施例中，所述半导体器件的制作方法中，首先，提供基板；然后，在所述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，且任意相邻的两个所述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；在所述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应的转接基板；之后，在各所述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，且一个所述转接基板上任意相邻的两个所述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值；最后，在所述第二PAD结构的裸露表面上设置一一对应的多个发光设备，得到目标结构。相比现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，本申请的所述半导体器件的制作方法，通过提供所述基板，并且在所述基板上设置多个间隔设置的所述第一PAD结构，再通过在所述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应接触的所述转接基板，并在各所述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的所述第二PAD结构，且各所述转接基板上的相邻的所述第二PAD结构之间的距离小于相邻的所述第一PAD之间的距离，即可以所述基板的表面上形成间距较大的所述转接基板，再通过设置与所述第二PAD结构一一对应接触的多个所述发光设备，即保证了在所述转接基板上形成的多个发光设备的间距较小，保证了所述基板上可以设置间距较大的所述转接基板，且所述转接基板上还可以设置间距较小的多个所述发光设备，使得所述发光设备之间的距离较小，解决了现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，保证了所述发光设备的间距较小。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本申请的实施例的半导体器件的制作方法流程示意图；

图2示出了根据本申请的实施例的通过压膜模具结合基板与转接基板的结构示意图；

图3示出了根据本申请的实施例的半导体器件的结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、基板；20、转接基板；30、发光设备；40、目标结构；50、封装层；60、目标封装结构；70、第一PAD结构；80、第二PAD结构；90、BGA；100、压膜模具。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术中所说的，现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。

根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件的制作方法。

图1是根据本申请实施例的半导体器件的制作方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤S101，提供基板；在上述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，任意相邻的两个上述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；

步骤S102，在上述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板；

步骤S103，在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，一个上述转接基板上任意相邻的两个上述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；

步骤S104，在上述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构。

上述半导体器件的制作方法中，首先，提供基板；然后，在上述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，且任意相邻的两个上述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应的转接基板；之后，在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，且一个上述转接基板上任意相邻的两个上述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；最后，在上述第二PAD结构的裸露表面上设置一一对应的多个发光设备，得到目标结构。相比现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，本申请的上述半导体器件的制作方法，通过提供上述基板，并且在上述基板上设置多个间隔设置的上述第一PAD结构，再通过在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应接触的上述转接基板，并在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的上述第二PAD结构，且各上述转接基板上的相邻的上述第二PAD结构之间的距离小于相邻的上述第一PAD之间的距离，即可以上述基板的表面上形成间距较大的上述转接基板，再通过设置与上述第二PAD结构一一对应接触的多个上述发光设备，即保证了在上述转接基板上形成的多个发光设备的间距较小，保证了上述基板上可以设置间距较大的上述转接基板，且上述转接基板上还可以设置间距较小的多个上述发光设备，使得上述发光设备之间的距离较小，解决了现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，保证了上述发光设备的间距较小。

现有技术中，由于目前的工艺限制，导致上述基板上的第一PAD结构之间的距离较大，另外发光设备与上述第一PAD结构搭配接触，即上述发光设备之间的距离较大，本申请的上述半导体器件的制作方法，通过在上述基板与上述发光设备之间设置转接基板，使得上述转接基板一面可以满足上述基板上的上述第一PAD的距离要求，同时上述转接基板的另一面实现与上述发光设备的较小间距的设置，保证了上述半导体器件中的上述发光设备的间距较小。

具体地，上述基板为PCB，上述发光设备包括Mini LED或者Micro LED，当然，还可以是其他的可以发光的设备。

需要说明的是，现有技术中的Pitch大于0.46mm，Pitch为相邻发光器件之间的距离，而本申请的上述半导体器件的制作过程，由于设置上述转接基板，使得上述半导体器件的Pitch可以小于0.43mm，另外，一个上述基板上的上述第一PAD结构之间的距离可以不相同，同样的，相邻的上述第二PAD结构之间的距离也可以不同，具体根据实际需求确定，即上述半导体器件可以满足不同Pitch的设计。

一种具体的实施例中，上述基板与上述转接基板通过上述第一PAD结构实现接触连接，上述转接基板与上述发光设备通过上述第二PAD结构实现接触连接。

根据本申请的一种具体实施例，在上述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板，包括：通过焊接技术将上述转接基板一一对应的设置在上述第一PAD结构的裸露表面上。通过焊接技术将上述转接基板一一对应的设置在上述第一PAD结构的表面上，保证了连接上述转接基板与上述第一PAD结构的工艺较为简单，保证了上述半导体器件的制作方法较为简单。

为了保证上述半导体器件的制作周期较短，根据本申请的另一种具体实施例，在上述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板之后，上述方法还包括：使用电性测试确定上述第一PAD结构与对应的上述转接基板是否导通；在不导通的情况下，再次通过焊接技术将上述转接基板一一对应的设置在上述第一PAD结构的裸露表面上，使得上述第一PAD结构与上述转接基板导通。通过在上述第一PAD结构的裸露表面上设置多个间隔设置上述转接基板后，就使用电性测试确定上述第一PAD结构与上述转接基板是否导通，并且在上述第一PAD结构与上述转接基板不导通的情况下，直接再次执行上述焊接技术，使得上述第一PAD结构与上述转接基板导通，使得可以在设置上述发光设备之前，就可以确保上述第一PAD结构与上述转接基板连接成功，避免了现有技术中由于在半导体器件制作完成后进行测试导致制作周期较短，保证了上述半导体器件的制作周期较短。

具体地，上述半导体器件的制作过程中，由于在设置上述发光设备之前，确定上述第一PAD结构与上述转接基板是否成功连接，并且在连接失败的情况下，通过维修工艺，使得上述第一PAD结构与上述转接基板成功连接，避免了后续在半导体制作完成后，如果发光设备点亮失败，需要考虑多个因素，难以较快的确定连接失败的点，保证了上述半导体器件的制作周期较短。

一种具体的实施例中，上述电性测试指开短路测试，又称为OPEN/SHORT测试或者O/S测试。

为了进一步保证上述半导体器件的制作周期较短，根据本申请的又一种具体实施例，在上述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，上述方法还包括：对多个上述发光设备进行区域性的点亮测试；在上述发光设备在上述点亮测试中点亮失败的情况下，重新连接上述发光设备与上述第二PAD结构，使得上述发光设备点亮成功。在设置多个上述发光设备后，通过直接对多个上述发光设备进行区域性的点亮测试，并且在点亮失败的情况下，通过重新连接上述发光设备与上述第二PAD结构，使得多个上述发光设备可以成功发光，进一步保证了上述半导体器件的制作周期较短。

具体地，通过在形成上述转接基板后进行电性测试，即提前确定上述第一PAD结构与上述转接基板是否接成功，保证了上述转接基板与上述PCB成功结合，再在设置上述发光设备后进行点亮测试，使得可以达到可量产性的超小间距的设计，此处的超小间距指小于0.43mm。

一种具体的实施例中，上述发光设备是贴片在上述第二PAD结构上的，如果上述点亮测试失败，重新进行贴片即可。

根据本申请的一种具体实施例，在上述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，上述方法还包括：在上述目标结构的裸露表面上形成封装层，得到目标封装结构。通过在上述目标结构的裸露表面上形成上述封装层，上述封装层可以保护上述目标结构，使得上述目标结构中的器件不会被破坏，保证了得到上述目标封装结构的性能较好。

具体地，上述半导体器件为封装结构。

根据本申请的另一种具体实施例，上述第一阈值的范围为75μm-150μm，上述第二阈值的范围为30μm-80μm。

具体地，由于工艺限制，目前上述第一PAD结构之间的距离最小为75μm，上述第二PAD结构之间的距离最小为30μm。

根据本申请的又一种具体实施例，上述转接基板的材料为BT、聚酰亚胺以及ABF中之一。

具体地，BT(Bismaleimide Triazine)的全称为BT树脂基板材料，是一种PCB的高性能基板材料，聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)指主链上含有酰亚胺环的一类聚合物，是综合性能最佳的有机高分子材料之一，ABF(Ajinomoto Build-up Film，味之素堆积膜)是一种在所有现代集成电路中充当绝缘体的树脂基板。

一种具体的实施例中，如图2所示，上述基板10与上述转接基板20通过上述第一PAD结构70连接，上述转接基板20的远离上述基板10的方向设置有多个上述第二PAD结构80，由于上述第一PAD结构70的间距不会小于75μm，因此，可以采用BGA90(Ball GridArray，球状引脚栅格阵列封装技术)方式进行结合，可达到高稳定度结合，但是由于Pitch需要小于0.43mm，会导致维修走道的长度d仅有130μm的大小，会导致底部填充过程时，无法确保完整填入，因此采用压膜方式进行，设计压膜模具100，让底部填充利用真空方式吸入进入上述基板10与上述转接基板20之间，即通过上述压膜模具100中的孔以及上述转接基板20的维修走道来灌入胶，达到完整结合程度。

本申请实施例还提供了一种半导体器件，如图2以及图3上述，上述半导体器件包括基板10、多个间隔设置的第一PAD结构70、多个间隔设置的转接基板20、多个间隔设置的第二PAD结构80以及多个间隔设置的发光设备30，其中，多个间隔设置的上述第一PAD结构70位于上述基板10的表面上，任意相邻的两个上述第一PAD结构70之间的距离大于第一阈值；多个间隔设置的上述转接基板20位于上述第一PAD结构70的远离上述基板10的表面上，上述转接基板20与上述第一PAD结构70一一对应；多个间隔设置的上述第二PAD结构80位于各上述转接基板20的远离上述基板10的表面上，一个上述转接基板20上任意相邻的两个上述第二PAD结构80之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；多个间隔设置的上述发光设备30位于上述第二PAD结构80的远离上述转接基板10的表面上，上述发光设备30与上述第二PAD结构80一一对应，上述基板10、多个上述第一PAD结构70、多个上述转接基板20、多个上述第二PAD结构80以及多个上述发光设备30组成目标结构40。

上述的半导体器件，包括基板、多个间隔设置的第一PAD结构、多个间隔设置的转接基板、多个间隔设置的第二PAD结构以及多个间隔设置的发光设备，其中，多个间隔设置的上述第一PAD结构位于上述基板的表面上，任意相邻的两个上述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；多个间隔设置的上述转接基板位于上述第一PAD结构的远离上述基板的表面上，上述转接基板与上述第一PAD结构一一对应；多个间隔设置的上述第二PAD结构位于各上述转接基板的远离上述基板的表面上，一个上述转接基板上任意相邻的两个上述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；多个间隔设置的上述发光设备位于上述第二PAD结构的远离上述转接基板的表面上，上述发光设备与上述第二PAD结构一一对应，上述基板、多个上述第一PAD结构、多个上述转接基板、多个上述第二PAD结构以及多个上述发光设备组成目标结构。相比现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，本申请的上述半导体器件，通过提供上述基板，并且在上述基板上设置多个间隔设置的上述第一PAD结构，再通过在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应接触的上述转接基板，并在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的上述第二PAD结构，且各上述转接基板上的相邻的上述第二PAD结构之间的距离小于相邻的上述第一PAD之间的距离，即可以上述基板的表面上形成间距较大的上述转接基板，再通过设置与上述第二PAD结构一一对应接触的多个上述发光设备，即保证了在上述转接基板上形成的多个发光设备的间距较小，保证了上述基板上可以设置间距较大的上述转接基板，且上述转接基板上还可以设置间距较小的多个上述发光设备，使得上述发光设备之间的距离较小，解决了现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，保证了上述发光设备的间距较小。

现有技术中，在Pitch越小的情况下，为了实现PCB基板与上述发光设备的连接，需要在上述基板中设置更多层线路，且线路连接方式较为复杂，使得上述半导体器件的良率较低，另外，Pitch越小，上述发光设备对应的PAD结构越多，造成维修上困难度提升导致维修较难，而本申请的上述半导体器件(封装结构)，通过设置上述转接基板，使得可以减少上述基板中的线路层数，保证了上述半导体器件的良率较高，同时保证了上述半导体器件的维修难度较小。

一种具体的实施例中，上述转接基板中的线路一般设计为两层，最多四层。

根据本申请的一种具体实施例，各上述转接基板上的多个上述发光设备至少发出一种颜色的光。由于各上述转接基板上的多个上述发光设备可以至少发出一种颜色的光，保证了上述半导体器件的应用范围较广。

根据本申请的另一种具体实施例，如图3所示，上述半导体器件还包括封装层50，上述封装层50位于上述目标结构40的部分表面上，上述封装层50以及上述目标结构40组成目标封装结构60。通过在上述目标结构的裸露表面上形成上述封装层，上述封装层可以保护上述目标结构，使得上述目标结构中的器件不会被破坏，保证了得到上述目标封装结构的性能较好。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请的上述半导体器件的制作方法中，首先，提供基板；然后，在上述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，且任意相邻的两个上述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应的转接基板；之后，在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，且一个上述转接基板上任意相邻的两个上述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；最后，在上述第二PAD结构的裸露表面上设置一一对应的多个发光设备，得到目标结构。相比现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，本申请的上述半导体器件的制作方法，通过提供上述基板，并且在上述基板上设置多个间隔设置的上述第一PAD结构，再通过在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应接触的上述转接基板，并在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的上述第二PAD结构，且各上述转接基板上的相邻的上述第二PAD结构之间的距离小于相邻的上述第一PAD之间的距离，即可以上述基板的表面上形成间距较大的上述转接基板，再通过设置与上述第二PAD结构一一对应接触的多个上述发光设备，即保证了在上述转接基板上形成的多个发光设备的间距较小，保证了上述基板上可以设置间距较大的上述转接基板，且上述转接基板上还可以设置间距较小的多个上述发光设备，使得上述发光设备之间的距离较小，解决了现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，保证了上述发光设备的间距较小。

2)、本申请的上述的半导体器件，包括基板、多个间隔设置的第一PAD结构、多个间隔设置的转接基板、多个间隔设置的第二PAD结构以及多个间隔设置的发光设备，其中，多个间隔设置的上述第一PAD结构位于上述基板的表面上，任意相邻的两个上述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；多个间隔设置的上述转接基板位于上述第一PAD结构的远离上述基板的表面上，上述转接基板与上述第一PAD结构一一对应；多个间隔设置的上述第二PAD结构位于各上述转接基板的远离上述基板的表面上，一个上述转接基板上任意相邻的两个上述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，上述第二阈值小于上述第一阈值；多个间隔设置的上述发光设备位于上述第二PAD结构的远离上述转接基板的表面上，上述发光设备与上述第二PAD结构一一对应，上述基板、多个上述第一PAD结构、多个上述转接基板、多个上述第二PAD结构以及多个上述发光设备组成目标结构。相比现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，本申请的上述半导体器件，通过提供上述基板，并且在上述基板上设置多个间隔设置的上述第一PAD结构，再通过在上述第一PAD结构的裸露表面上设置一一对应接触的上述转接基板，并在各上述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的上述第二PAD结构，且各上述转接基板上的相邻的上述第二PAD结构之间的距离小于相邻的上述第一PAD之间的距离，即可以上述基板的表面上形成间距较大的上述转接基板，再通过设置与上述第二PAD结构一一对应接触的多个上述发光设备，即保证了在上述转接基板上形成的多个发光设备的间距较小，保证了上述基板上可以设置间距较大的上述转接基板，且上述转接基板上还可以设置间距较小的多个上述发光设备，使得上述发光设备之间的距离较小，解决了现有技术中由于工艺限制导致灯珠距离较大的问题，保证了上述发光设备的间距较小。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板的裸露表面上形成多个间隔设置的第一PAD结构，任意相邻的两个所述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；

在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板；

在各所述转接基板的裸露表面上设置多个间隔设置的第二PAD结构，一个所述转接基板上任意相邻的两个所述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值；

在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板，包括：

通过焊接技术将所述转接基板一一对应的设置在所述第一PAD结构的裸露表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一PAD结构的裸露表面上一一对应的设置转接基板之后，所述方法还包括：

使用电性测试确定所述第一PAD结构与对应的所述转接基板是否导通；

在不导通的情况下，再次通过焊接技术将所述转接基板一一对应的设置在所述第一PAD结构的裸露表面上，使得所述第一PAD结构与所述转接基板导通。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，所述方法还包括：

对多个所述发光设备进行区域性的点亮测试；

在所述发光设备在所述点亮测试中点亮失败的情况下，重新连接所述发光设备与所述第二PAD结构，使得所述发光设备点亮成功。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二PAD结构的裸露表面上一一对应的设置多个发光设备，得到目标结构之后，所述方法还包括：

在所述目标结构的裸露表面上形成封装层，得到目标封装结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阈值的范围为75μm-150μm，所述第二阈值的范围为30μm-80μm。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述转接基板的材料为BT、聚酰亚胺以及ABF中之一。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基板；

多个间隔设置的第一PAD结构，位于所述基板的表面上，任意相邻的两个所述第一PAD结构之间的距离大于第一阈值；

多个间隔设置的转接基板，位于所述第一PAD结构的远离所述基板的表面上，所述转接基板与所述第一PAD结构一一对应；

多个间隔设置的第二PAD结构，位于各所述转接基板的远离所述基板的表面上，一个所述转接基板上任意相邻的两个所述第二PAD结构之间的距离大于第二阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值；

多个间隔设置的发光设备，位于所述第二PAD结构的远离所述转接基板的表面上，所述发光设备与所述第二PAD结构一一对应，所述基板、多个所述第一PAD结构、多个所述转接基板、多个所述第二PAD结构以及多个所述发光设备组成目标结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，各所述转接基板上的多个所述发光设备至少发出一种颜色的光。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

封装层，位于所述目标结构的部分表面上，所述封装层以及所述目标结构组成目标封装结构。

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