CN115185324B - 带隙基准电压源的电压调节电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种带隙基准电压源的电压调节电路，包括：保护电阻，被配置为连接在输出电压耦合点和第1个调节电阻之间；第1个、第2个、…第N个调节电阻，被配置为依次串联在保护电阻和地之间，其中：第N个调节电阻的阻值大于等于第N‑1个调节电阻的阻值，第N‑1个调节电阻的阻值大于等于第N‑2个调节电阻的阻值，…，第2个调节电阻的阻值大于等于第1个调节电阻的阻值；第1个、第2个、…第N个调节开关，被配置为一端接地，另一端连接第1个、第2个、…第N个调节电阻远离地的一端。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种带隙基准电压源的电压调节电路。
背景技术
目前，基准电压源已作为半导体集成电路中不可缺少的基本模块，其广泛用于放大器、模数转换器、数模转换器、射频、传感器和电源管理芯片中。传统的基准电压源包括基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、基于PN结正向导通特性的电压基准和带隙基准等多种实现方式，其中，由于带隙基准具有结构简单、电压稳定等优点，因此，得到了广泛应用。
随着半导体技术和便携式电子产品的发展，对低功耗、高电源电压范围的基准电压源的需求大大增加，也导致带隙基准的设计要求有很大的提高。带隙基准可以产生与电源和工艺无关、具有确定温度特性的基准电压。带隙基准的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。带隙基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。随着系统精度的提高，对基准的温度、电压和工艺的稳定性的要求也越来越高。
在电源管理芯片以及模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)、Flash存储器等芯片设计中，低温度系数、低功耗、高电源抑制比(PSRR)的带隙基准设计十分关键。
但现有技术的带隙基准电路中，存在以下问题：电路设计本身会随失配导致补偿的精度较差，某些电路的过多粗糙的理论近似结果带来的实际带隙基准高阶温度补偿精度差、电压调节线性度差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带隙基准电压源的电压调节电路，以解决现有的带隙基准电路精度较差的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种带隙基准电压源的电压调节电路，包括：
保护电阻，被配置为连接在输出电压耦合点和第1个调节电阻之间；
第1个、第2个、…第N个调节电阻，被配置为依次串联在保护电阻和地之间，其中：
第N个调节电阻的阻值大于等于第N-1个调节电阻的阻值，第N-1个调节电阻的阻值大于等于第N-2个调节电阻的阻值，…，第2个调节电阻的阻值大于等于第1个调节电阻的阻值；
第1个、第2个、…第N个调节开关，被配置为一端接地，另一端连接其对应的第1个、第2个、…第N个调节电阻远离地的一端。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，所述第N个调节电阻的阻值大于第1个调节电阻的阻值。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，带隙基准电压源的调节电压与第一采样电阻Ri正相关；
当所有调节开关打开时，Ri＝Rm+R1+…+RN，
其中，R1、…、RN分别是第1个调节电阻的阻值、…、第N个调节电阻的阻值。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，
若闭合第1个调节开关，则第1个、第2个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm；
若闭合第2个调节开关，则第2个、第3个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1；
…
若闭合第k个调节开关，则第k个、第k+1个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1+…+Rk-1，k为3、…、N。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+a＝R2、R2+a＝R3、…、RN-1+a＝RN，其中，a为正数。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+b1＝R2，R2+b2＝R3、…、RN-1+bN-1＝RN，其中，b1+a＝b2、b2+a＝b3、…、bN-1+a＝bN。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1＝R2…＝Rk＝A，Rk+1＝Rk+2…＝B，…，…＝RN-1＝RN＝C，其中C＞B＞A＞0。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1＝R2…＝Rk＝D，Rk+1＝Rk+2…＝RN＝E，其中2k＝N，E＞D＞0。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，带隙基准电压源包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第二采样电阻、运放和第三电阻，其中：
第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的栅极均连接至运放的输出端，其源极均连接至电源电压；
第一三极管、第二三极管、第三三极管的集电极和基极均接地，第一三极管和第二三极管的基极相连；
第二采样电阻一端连接输出电压耦合点和第三MOS管的漏极，另一端连接第三三极管的发射极和第四MOS管的漏极；
运放的正输入端连接第二MOS管的漏极，并通过第三电阻连接第二三极管的发射极，运放的负输入端连接第一三极管的发射极和第一MOS管的漏极。
可选的，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，带隙基准电压源的调节电压为：
其中，Rj为第二采样电阻的阻值，Ri为第一采样电阻的阻值，C为常数。
在本发明提供的带隙基准电压源的电压调节电路中，通过将第1个、第2个、…、第N个调节电阻的阻值不断增加，可以提高带隙基准电压源的调节电压的线性度。
附图说明
图1是本发明一实施例带隙基准电压源示意图；
图2是现有的带隙基准电压源的电压调节电路示意图；
图3是本发明一实施例带隙基准电压源的电压调节电路示意图；
图4是本发明一实施例带隙基准电压源的电压调节电路示意图；
图5是本发明一实施例带隙基准电压源的电压调节电路试验结果示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式参考附图进一步阐述本发明。
应当指出，各附图中的各组件可能为了图解说明而被夸大地示出，而不一定是比例正确的。在各附图中，给相同或功能相同的组件配备了相同的附图标记。
在本发明中，除非特别指出，“布置在…上”、“布置在…上方”以及“布置在…之上”并未排除二者之间存在中间物的情况。此外，“布置在…上或上方”仅仅表示两个部件之间的相对位置关系，而在一定情况下、如在颠倒产品方向后，也可以转换为“布置在…下或下方”，反之亦然。
在本发明中，各实施例仅仅旨在说明本发明的方案，而不应被理解为限制性的。
在本发明中，除非特别指出，量词“一个”、“一”并未排除多个元素的场景。
在此还应当指出，在本发明的实施例中，为清楚、简单起见，可能示出了仅仅一部分部件或组件，但是本领域的普通技术人员能够理解，在本发明的教导下，可根据具体场景需要添加所需的部件或组件。另外，除非另行说明，本发明的不同实施例中的特征可以相互组合。例如，可以用第二实施例中的某特征替换第一实施例中相对应或功能相同或相似的特征，所得到的实施例同样落入本申请的公开范围或记载范围。
在此还应当指出，在本发明的范围内，“相同”、“相等”、“等于”等措辞并不意味着二者数值绝对相等，而是允许一定的合理误差，也就是说，所述措辞也涵盖了“基本上相同”、“基本上相等”、“基本上等于”。以此类推，在本发明中，表方向的术语“垂直于”、“平行于”等等同样涵盖了“基本上垂直于”、“基本上平行于”的含义。
另外，本发明的各方法的步骤的编号并未限定所述方法步骤的执行顺序。除非特别指出，各方法步骤可以以不同顺序执行。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的带隙基准电压源的电压调节电路作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
另外，除非另行说明，本发明的不同实施例中的特征可以相互组合。例如，可以用第二实施例中的某特征替换第一实施例中相对应或功能相同或相似的特征，所得到的实施例同样落入本申请的公开范围或记载范围。
本发明的核心思想在于提供一种带隙基准电压源的电压调节电路，以解决现有的带隙基准电路精度较差的问题。
为实现上述思想，本发明提供了一种带隙基准电压源的电压调节电路，包括：保护电阻，被配置为连接在输出电压耦合点和第1个调节电阻之间；第1个、第2个、…第N个调节电阻，被配置为依次串联在保护电阻和地之间，其中：第N个调节电阻的阻值大于等于第N-1个调节电阻的阻值，第N-1个调节电阻的阻值大于等于第N-2个调节电阻的阻值，…，第2个调节电阻的阻值大于等于第1个调节电阻的阻值；第1个、第2个、…第N个调节开关，被配置为一端接地，另一端连接第1个、第2个、…第N个调节电阻远离地的一端。
如图1所示，图1示出了一般的带隙基准电路的电路结构，该电路结构也适用于本发明的实施例，所述带隙基准电压源包括第一MOS管MP1、第二MOS管MP2、第三MOS管MP3、第四MOS管MP4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第二采样电阻Rj、运放U1和第三电阻R0，其中：第一MOS管MP1、第二MOS管MP2、第三MOS管MP3、第四MOS管MP4的栅极均连接至运放U1的输出端，第一MOS管MP1、第二MOS管MP2、第三MOS管MP3、第四MOS管MP4的源极均连接至电源电压VCC；第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3的集电极和基极均接地，第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极相连；第二采样电阻Rj一端连接输出电压耦合点VBGR和第三MOS管MP3的漏极，另一端连接第三三极管Q3的发射极和第四MOS管MP4的漏极；运放U1的正输入端连接第二MOS管MP2的漏极，并通过第三电阻R0连接第二三极管Q2的发射极，运放U1的负输入端连接第一三极管Q1的发射极和第一MOS管MP1的漏极。第一采样电阻Ri连接在输出电压耦合点VBGR和地之间。
输出电压耦合点处的调节电压VBGR为：
其中，ΔVEB＝VEB1-VEB2，VEB1和VEB2，分别为第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极和基极电压差，|VBE|为Q3的发射极和基极电压差的绝对值。
图2是现有结构的采用温度计码控制的电压调节电路，通过式(1)可知，通过调节第一采样电阻的阻值Ri的阻值可以调节VBGR电压，图2中开关SW1～SW8闭合，SW9～SW16断开，因此第一采样电阻的阻值Ri如下：
Ri＝Rm+8·Ra (2)
由式(1)可知，当括号中的多项式不随温度变化，且为固定值时，即：
带隙基准电压源的调节电压为：
通过调节第一采样电阻的阻值Ri的阻值可以使VBGR电压保持较平坦的温度特性曲线前提下，调节VBGR电压值的大小。如图5所示，曲线2的形状表明，VBGR电压和Ri的关系是抛物线，并不是线性关系。由公式(4)可知：分子Ri增加时，分母Ri+Rj也增加，为了补偿Ri+Rj的增加带来的对VBGR电压和Ri线性关系的影响，使得VBGR电压和Ri的关系由抛物线转换为线性关系，在Ri增加时，可以适当的增大其所要增加的步长。
另外，本发明的发明人经研究发现，降低VBGR电压时，即SW8闭合，△VBGR变化为：
抬高VBGR电压时，即SW9断开，△VBGR变化为：
比较(5)和(6)可得，△VBGR2<△VBGR1，即抬高VBGR电压值的步长小于降低VBGR电压值的步长，因此导致VBGR电压值向上调节的范围小于向下降低的范围。若需要满足向上调节的电压范围，则向下调节的电压范围浪费较多，因此会产生面积的浪费。每次调节相同的单位电阻的方式，会导致向上的调节范围小于向下的调节电压范围。
本实施例提供一种带隙基准电压源的电压调节电路，带隙基准电压源的电压调节电路相对于图1中连接在输出电压耦合点VBGR和地之间的第一采样电阻Ri，如图3所示，其包括：保护电阻Rm，被配置为连接在输出电压耦合点VBGR和第1个调节电阻R1之间；第1个调节电阻R1、第2个调节电阻R2、…第N个调节电阻RN，被配置为依次串联在保护电阻Rm和地之间，其中：第N个调节电阻RN的阻值大于等于第N-1个调节电阻RN-1的阻值，第N-1个调节电阻RN-1的阻值大于等于第N-2个调节电阻RN-2的阻值，…，以此类推第2个调节电阻R2的阻值大于等于第1个调节电阻R1的阻值；第1个调节开关SW1、第2个调节开关SW2、…第N个调节开关SWN，被配置为一端接地，另一端连接第1个调节电阻R1、第2个调节电阻R2、…第N个调节电阻RN远离地的一端。其中，R1、…、RN也代表第1个调节电阻的阻值、…、第N个调节电阻的阻值，N为正整数。
其中，为了保证不能出现所有的调节电阻的阻值一样的情况，所述第N个调节电阻RN的阻值大于第1个调节电阻R1的阻值。
通过以上分析，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，带隙基准电压源的调节电压VBGR与第一采样电阻Ri正相关；
当所有调节开关打开时，Ri＝Rm+R1+…+RN，
其中，R1、…、RN分别是第1个调节电阻的阻值、…、第N个调节电阻的阻值。
通过图3可知，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，
若闭合第1个调节开关，则第1个、第2个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm；
若闭合第2个调节开关，则第2个、第3个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1；
…
若闭合第k个调节开关，则第k个、第k+1个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1+…+Rk-1，k为3、…、N。通过打开或闭合调节开关，可以调节Ri的阻值。
由公式(4)可知：分子Ri增加时，分母Ri+Rj也增加，为了补偿Ri+Rj的增加带来的对VBGR电压和Ri线性关系的影响，使得VBGR电压和Ri的关系由抛物线转换为线性关系，在Ri增加时，可以适当的增大其所要增加的步长。
在本发明的一个实施例中，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+a＝R2、R2+a＝R3、…、RN-1+a＝RN，其中，a为正数。例如，100、105、110、115、…，以一个恒定不变的步长增加值来扩大步长。
在本发明的另一个实施例中，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+b1＝R2，R2+b2＝R3、…、RN-1+bN-1＝RN，其中，b1+a＝b2、b2+a＝b3、…、bN-1+a＝bN。例如，100、101(100+1)、103(101+2)、106(103+3)、…，以渐进增大的步长增加值来扩大步长。
在本发明的另一个实施例中，在所述的带隙基准电压源的电压调节电路中，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1＝R2…＝Rk＝A，Rk+1＝Rk+2…＝B，…，…＝RN-1＝RN＝C，其中C＞B＞A＞0。例如如图4所示，R1＝R2…＝R8＝Ra，R9＝R10…＝R16＝Rb，通过改变向上调节的单位电阻大小，使Rb>Ra，扩大VBGR电压向上调节范围。该实施例的优势是电阻选取非常简单，对工艺的简化具有很高的价值。
通过将SW9～SW16对应的调节电阻改变为Rb，其中Rb>Ra，增大VBGR向上调节的步长，因此也会相应的增大VBGR电压向上调节的范围。如图4所示，当SW9断开时，△VBGR变化为：
根据式(5)和式(7)，当调节单位电阻Rb，使得Rb>Ra时，△VBGR3≥△VBGR1，可以使得VBGR向上调节的范围扩大，更加接近向下调节的电压范围。
图5为采用图4中的电路结构后的VBGR调节范围与调节电路修改前的VBGR电压调节范围对比图，即向上调节电阻为Ra与Rb的VBGR电压曲线对比，横坐标为R1中接入的单位电阻个数，曲线1为采用图4中的电路结构后的电压调节范围，曲线2为修改前的电压调节范围，图5最大接入127个电阻，纵坐标为VBGR电压。由图5可知，调节电路修改后VBGR向上调节范围：83mV，VBGR向下调节范围：85mV；调节电路修改前VBGR电压向上调节范围：58mV，VBGR向下调节范围：85mV。通过图5可知，VBGR电压向上调节电阻修改为Rb后，向上调节电压范围扩大25mV，并且向上向下的调节范围基本一致。通过改变向上调节的单位电阻Rb，使得Rb>Ra，这种向上和向下调节单位电阻不相同的调节方式，可以有效扩大VBGR向上的电压调节范围。在本发明提供的带隙基准电压源的电压调节电路中，通过将第1个、第2个、…、第N个调节电阻的阻值不断增加，可以提高带隙基准电压源的调节电压的线性度。
综上，上述实施例对带隙基准电压源的电压调节电路的不同构型进行了详细说明，当然，本发明包括但不局限于上述实施中所列举的构型，任何在上述实施例提供的构型基础上进行变换的内容，均属于本发明所保护的范围。本领域技术人员可以根据上述实施例的内容举一反三。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (8)
1.一种带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，包括：
保护电阻，被配置为连接在输出电压耦合点和第1个调节电阻之间；
第1个、第2个、…第N个调节电阻，被配置为依次串联在保护电阻和地之间，其中：
第N个调节电阻的阻值大于等于第N-1个调节电阻的阻值，第N-1个调节电阻的阻值大于等于第N-2个调节电阻的阻值，…，第2个调节电阻的阻值大于等于第1个调节电阻的阻值；
第1个、第2个、…第N个调节开关，被配置为一端接地，另一端连接其对应的第1个、第2个、…第N个调节电阻远离地的一端，
其中所述带隙基准电压源包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第二采样电阻、运放和第三电阻，其中：
第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的栅极均连接至运放的输出端，其源极均连接至电源电压；
第一三极管、第二三极管、第三三极管的集电极和基极均接地，第一三极管和第二三极管的基极相连；
第二采样电阻一端连接输出电压耦合点和第三MOS管的漏极，另一端连接第三三极管的发射极和第四MOS管的漏极；
运放的正输入端连接第二MOS管的漏极，并通过第三电阻连接第二三极管的发射极，运放的负输入端连接第一三极管的发射极和第一MOS管的漏极，
所述带隙基准电压源的调节电压为：
其中，Rj为第二采样电阻的阻值，Ri为第一采样电阻的阻值，C为常数。
2.如权利要求1所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，所述第N个调节电阻的阻值大于第1个调节电阻的阻值。
3.如权利要求2所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，带隙基准电压源的调节电压与第一采样电阻Ri正相关；
当所有调节开关打开时，Ri＝Rm+R1+…+RN，
其中，R1、…、RN分别是第1个调节电阻的阻值、…、第N个调节电阻的阻值。
4.如权利要求2或3所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，
若闭合第1个调节开关，则第1个、第2个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm；
若闭合第2个调节开关，则第2个、第3个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1；
…
若闭合第k个调节开关，则第k个、第k+1个、…第N个调节电阻被短路，Ri＝Rm+R1+…+Rk-1，k为3、…、N。
5.如权利要求4所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+a＝R2、R2+a＝R3、…、RN-1+a＝RN，其中，a为正数。
6.如权利要求4所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1+b1＝R2，R2+b2＝R3、…、RN-1+bN-1＝RN，其中，b1+a＝b2、b 2+a＝
b 3、…、b N-1+a＝b N。
7.如权利要求4所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1＝R2…＝Rk＝A，Rk+1＝Rk+2…＝B，…，…＝R N-1＝R N＝C，其中C＞B＞
A＞0。
8.如权利要求4所述的带隙基准电压源的电压调节电路，其特征在于，第1个、第2个、…第N个调节电阻的阻值为：
R1＝R2…＝Rk＝D，Rk+1＝Rk+2…＝R N＝E，其中2k＝N，E＞D＞0。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005267003A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | バンドギャップレファレンス回路 |
| CN101093401A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 联发科技股份有限公司 | 能带隙电压参考电路 |
| CN104502688A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-08 | 上海交通大学 | 一种变直流低频包络数字检测器 |
| CN108693913A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-10-23 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 温度系数可调节的电流产生电路 |
| CN208351358U (zh) * | 2018-05-11 | 2019-01-08 | 佛山华芯微特科技有限公司 | 一种高精度基准电压的修调电路 |
| CN112506262A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-16 | 上海华力微电子有限公司 | 高利用率的带隙基准电路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7170274B2 (en) * | 2003-11-26 | 2007-01-30 | Scintera Networks, Inc. | Trimmable bandgap voltage reference |
| US11231736B2 (en) * | 2017-11-17 | 2022-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reference voltage generating circuit method of generating reference voltage and integrated circuit including the same |
| KR20210001215A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전압 트리밍 회로 및 이를 포함하는 전압 생성 회로 |
-
2021
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005267003A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | バンドギャップレファレンス回路 |
| CN101093401A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 联发科技股份有限公司 | 能带隙电压参考电路 |
| CN104502688A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-08 | 上海交通大学 | 一种变直流低频包络数字检测器 |
| CN208351358U (zh) * | 2018-05-11 | 2019-01-08 | 佛山华芯微特科技有限公司 | 一种高精度基准电压的修调电路 |
| CN108693913A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-10-23 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 温度系数可调节的电流产生电路 |
| CN112506262A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-16 | 上海华力微电子有限公司 | 高利用率的带隙基准电路 |
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