CN115172523A - 太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 135
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 135
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- -1 silver-aluminum Chemical compound 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本申请涉及光伏领域，涉及一种太阳能电池的制备方法。该方法，包括：在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；对硅片在800℃‑1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。然后去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；在硅片正背面形成钝化层；进行丝网印刷。本申请创造性地提出了一种新的获得选择性发射极SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。
Description
技术领域
本申请涉及光伏领域，具体而言，涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
随着传统资源的日益枯竭，新型可替代能源—太阳能电池以其自身绿色、安全及可再生能力的优势，得到了长足发展，目前太阳能电池光伏发电早已十分成熟。随着光伏技术日新月异的发展，N型电池以光致衰减低，稳定性好,双面发电等优良受到了行业的热捧，其中N型电池已经在行业里各个头部公司陆续量产。SE(选择性发射极Selective Emitter，简称SE)结构通过在电极接触部分进行重掺杂，在电极之间进行轻掺杂，实现对发射区的优化，这样可以降低扩散层的复合，减少前金属电极与硅片的接触电阻，以增加太阳能电池的输出电流和电压，已在P型电池上成熟的量产，但由于硼在硅中的溶解度问题，N型电池无法与P型电池一样直接在PSG上进行激光掺杂，相较于传统的单一硼扩散工艺，硼扩SE技术可以提高转换效率0.2％以上，所以开发新量产的硼扩SE技术是有必要的。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法。
本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；
利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；
对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区；
去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；
在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；
对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；
在硅片正背面形成钝化层；
进行丝网印刷。
本申请创造性地提出了一种新的获得选择性发射极SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。
在本申请一些实施方式中，采用本申请方法能够形成选择性发射极，SE结构。重扩区方阻在20Ω/sq-100Ω/sq，轻扩区方阻在150Ω/sq-600Ω/sq。
在本申请的其他实施例中，上述的掺硼非晶硅薄膜层的厚度10nm-120nm。
在本申请的其他实施例中，上述的激光的功率为10W-100W；可选地，激光的速度为200mm/s-80000mm/s；可选地，激光的频率为200kHz-600kHz；可选地，激光的波长为200nm-1100nm。
在本申请的其他实施例中，上述的对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散步骤，包括：
对硅片在800℃-1100℃高温推进；可选地，氧气流量为0-30000sccm；可选地，氮气流量为0-30000sccm，可选地，高温推进时间为10min-180min。
在本申请的其他实施例中，上述的对硅片在800℃-1100℃高温推进是在管式设备中进行。
在本申请的其他实施例中，上述的制备方法还包括：
对硅片进行RCA清洗的步骤；对硅片进行RCA清洗的步骤在利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区步骤之后，且在对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散的步骤之前。
在本申请的其他实施例中，上述的制绒后的硅片的制备方法包括：
将硅片制绒获得倒金字塔结构，制绒后硅片减重0.3g-0.5g，制绒后的硅片的反射率8％-10％。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例制得的太阳能电池的重扩区/轻扩区不同方阻的ECV曲线貌图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
因此，以下对本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施方式提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、获得制绒后的硅片。
进一步地，在本申请一些实施方式中，制绒后的硅片的制备方法包括：
将硅片制绒获得倒金字塔结构。
需要说明的是，上述将硅片制绒获得倒金字塔结构是采用本领域常规制绒技术获得。例如采用本领域常规的碱制绒工艺。
在本申请其他可选的实施方式中，也可以直接购买制绒后的硅片。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片减重0.3g-0.5g。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片减重0.31g-0.49g。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片减重0.32g-0.48g。
示例性地，上述制绒后的硅片减重0.35g、0.38g、0.40g、0.42g、0.45g、0.48g、0.50g。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片反射率8％-10％。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片反射率8.1％-9.9％。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述制绒后的硅片反射率8.2％-9.8％。
示例性地，上述制绒后的硅片反射率8.3％、8.5％、8.8％、9.0％、9.2％、9.5％或者9.7％。
在本申请一些具体的实施方式中，将N型硅片制绒，获得倒金字塔结构，增加入射光的利用率，制绒后硅片减重0.3-0.5g，反射率8-10％。
步骤S2、在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层。
进一步地，掺硼非晶硅薄膜层的厚度10nm-120nm。
进一步可选地，掺硼非晶硅薄膜层的厚度11nm-119nm。
进一步可选地，掺硼非晶硅薄膜层的厚度15nm-110nm。
示例性地，掺硼非晶硅薄膜层的厚度20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或者100nm。
需要说明的是，可以选择本领域常规的沉积方法沉积掺硼非晶硅薄膜层。例如可以采用PECVD的方法在硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层。
通过在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层，能够作为硼源层，从而能够在后续利用该硼源层进行硼扩。
目前，现有技术中，硼扩通常采用将硅片置于管式炉内采用溴化硼等进行硼扩。然而这种硼扩方式工艺非常复杂，需要多次将硅片置于管式炉中，利用溴化硼等进行硼扩，不容易获得SE结构(选择性发射极Selective Emitter，简称SE)。
本申请创造性地提出了一种新的获得SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。
在本申请一些具体的实施方式中，在正面沉积10nm-120nm的掺硼非晶硅薄膜层，作为硼源层。
步骤S3、利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的功率为10W-100W。
进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的功率为11W-99W。进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的功率为15W-90W。
示例性地，上述利用激光对发射极区进行硼扩散时，激光的功率为15W、20W、25W、30W、35W、40W、45W、50W、55W、60W、65W、70W、75W、80W或者85W。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的速度为200mm/s-80000mm/s。
进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的速度为300mm/s-79900mm/s。
示例性地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的速度为500mm/s、1000mm/s、1500mm/s、2000mm/s、3000mm/s、4000mm/s、5000mm/s、6000mm/s、7000mm/s、8000mm/s、9000mm/s、10000mm/s、20000mm/s、30000mm/s、40000mm/s、50000mm/s或者60000mm/s。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的频率为200kHz-600kHz。
进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的频率为210kHz-590kHz。进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的频率为220kHz-580kHz。
示例性地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的频率为250kHz、300kHz、350kHz、400kHz、450kHz、500kHz或者550kHz。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的波长为200nm-1100nm。
进一步可选地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的波长为210nm-1090nm。
示例性地，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区时，激光的波长为250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm、750nm、800nm、850nm、900nm、950nm或者1000nm。
在本申请一些具体的实施方式中，上述利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区包括：在非晶硅薄膜上利用激光进行图形化工艺，激光功率在10-100W，激光速度在200-80000mm/s，激光频率在200-600kHz，激光波长在200-1100nm。
步骤S4、对硅片进行RCA清洗。
通过对硅片进行RCA清洗能够去除硅片表面的污染物，保证硅片质量，保证后续工艺的效果。
需要说明的是，上述的RCA清洗的具体步骤可以采用本领域常规的清洗步骤。例如采用多槽浸泡式清洗。
步骤S5、对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述对硅片在810℃-1090℃进行硼扩散，形成重扩区。进一步可选地，在本申请一些实施方式中，上述对硅片在820℃-1080℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。
示例性地，上述对硅片在850℃、900℃、950℃、1000℃或者1050℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。
进一步地，在本申请一些实施方式中，对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区的步骤，包括：
对硅片在800℃-1100℃高温推进。
进一步地，在本申请一些实施方式中，氧气流量为0-30000sccm。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，氧气流量为100sccm-29900sccm。进一步可选地，在本申请一些实施方式中，氧气流量为1000sccm-28000sccm。
示例性地，氧气流量为2000sccm、5000sccm、8000sccm、10000sccm、15000sccm、18000sccm或者20000sccm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，氮气流量为0-30000sccm。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，氮气流量为1000sccm-30000sccm。进一步可选地，在本申请一些实施方式中，氮气流量为1200sccm-28000sccm。
示例性地，氮气流量为2000sccm、5000sccm、8000sccm、10000sccm、15000sccm、18000sccm或者20000sccm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，高温推进时间为10min-180min。进一步可选地，在本申请一些实施方式中，高温推进时间为15min-175min。
示例性地，高温推进时间为20min、50min、80min、100min、120min或者150min。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述对硅片在800℃-1100℃高温推进是在管式设备中进行。
在本申请具体的实施方式中，将硅片送入管式设备进行高温推进，推进温度在800℃-1100℃，氧气流量在0-30000sccm，氮气流量在0-30000sccm，时间在10min-180min，从而形成重扩区/轻扩区，重扩区方阻在20-100Ω/sq；轻扩区方阻在150-600Ω/sq。
步骤S1-步骤S5制备得到选择性发射极结构。该选择性发射极结构重扩区方阻在20Ω/sq-100Ω/sq；轻扩区方阻在150Ω/sq-600Ω/sq。
进一步地，该选择性发射极结构重扩区方阻为25Ω/sq-95Ω/sq；轻扩区方阻在155Ω/sq-595Ω/sq。进一步可选地，该选择性发射极结构重扩区方阻为30Ω/sq-90Ω/sq；轻扩区方阻为160Ω/sq-590Ω/sq。
示例性地，该选择性发射极结构重扩区方阻为30Ω/sq、35Ω/sq、40Ω/sq、45Ω/sq、50Ω/sq、55Ω/sq、60Ω/sq、65Ω/sq、70Ω/sq、75Ω/sq、80Ω/sq或者85Ω/sq。
示例性地，该选择性发射极结构轻扩区方阻为170Ω/sq、200Ω/sq、250Ω/sq、300Ω/sq、350Ω/sq、400Ω/sq、450Ω/sq、500Ω/sq或者550Ω/sq。
步骤S6、去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩。
对步骤S5得到的选择性发射极结构去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩。
进一步地，在本申请一些实施方式中，利用链式HF，去除硅片背面BSG，然后将硅片置于KOH和添加剂的混合溶液中去除背面和边缘的P+绕扩。
需要说明的是，上述的添加剂可以选择本领域常规添加剂。
步骤S7、在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层。
对步骤S6得到的硅片在其背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层。
进一步地，在本申请一些实施方式中，将步骤S6得到的硅片背面生长一层隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，其中隧穿氧化层厚度1nm-2nm，掺杂非晶硅层厚度30nm-200nm。
进一步可选地，隧穿氧化层厚度1.1nm-1.9nm；进一步可选地，隧穿氧化层厚度1.2nm-1.8nm。
示例性地，隧穿氧化层厚度1.3nm、1.4nm、1.5nm、1.6nm、1.7nm或者1.8nm。
进一步可选地，掺杂非晶硅层厚度31nm-190nm。进一步可选地，掺杂非晶硅层厚度35nm-185nm。
示例性地，掺杂非晶硅层厚度40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm或者180nm。
需要说明的是，上述在硅片背面生长一层隧穿氧化层和掺杂非晶硅层采用本领域常规方法实现。
步骤S8、对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅。
对步骤S7得到的硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅。
进一步地，在本申请一些实施方式中，将步骤S7得到的硅片置于管式炉管中进行退火，让掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅，掺杂浓度为1E20-6E20。
进一步可选地，上述的掺杂浓度为2E20-5E20。
示例性地，上述的掺杂浓度为2E20、3E20、4E20或5E20。
步骤S9、在硅片正背面形成钝化层。
对步骤S8得到的硅片，在其正面和背面形成钝化层。
需要说明的是，上述在硅片的正面和背面形成钝化层可以采用本领域常规方法获得。示例性地，可以采用PECVD工艺在硅片的正面和背面形成钝化层。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述在硅片背面形成的钝化层为SiN。
进一步可选地，上述在硅片背面形成的钝化层SiN的厚度为70nm-100nm。进一步可选地，上述在硅片背面形成的钝化层SiN的厚度为75nm-95nm。
示例性地，上述在硅片背面形成的钝化层SiN的厚度为80nm、85nm、88nm、90nm、92nm或者94nm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述在硅片正面形成的钝化层为AlO+SiN。
进一步可选地，上述在硅片正面形成的钝化层AlO的厚度为3nm-10nm；进一步可选地，上述在硅片正面形成的钝化层AlO的厚度为3.5nm-9.5nm。
示例性地，上述在硅片正面形成的钝化层AlO的厚度为3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm或者9nm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，上述在硅片正面形成的钝化层SiN的厚度为70nm-90nm。进一步可选地，上述在硅片背面形成的钝化层SiN的厚度为75nm-85nm。
示例性地，上述在硅片正面形成的钝化层SiN的厚度为76nm、78nm、80nm、82nm或者84nm。
步骤S10、进行丝网印刷。
对步骤S9得到的硅片进行丝网印刷。
需要说明的是，上述对步骤S9得到的硅片进行丝网印刷可以采用本领域常规的丝网印刷方法进行印刷。
进一步地，在本申请一些实施方式中，对步骤S9得到的硅片进行丝网印刷，在硅片正面用银铝浆形成接触，在硅片背面采用银浆形成接触。
本申请一些实施方式提供一种太阳能电池，采用前述任一实施方式提供的太阳能电池的制备方法制得。
进一步地，在本申请一些实施方式中，该太阳能电池的重扩区的方阻为20Ω/sq-100Ω/sq，轻扩区的方阻为150Ω/sq-600Ω/sq。
进一步地，该太阳能电池的重扩区方阻为25Ω/sq-95Ω/sq；轻扩区方阻在155Ω/sq-595Ω/sq。进一步可选地，该太阳能电池的重扩区方阻为30Ω/sq-90Ω/sq；该太阳能电池的轻扩区方阻为160Ω/sq-590Ω/sq。
示例性地，该太阳能电池的重扩区方阻为30Ω/sq、35Ω/sq、40Ω/sq、45Ω/sq、50Ω/sq、55Ω/sq、60Ω/sq、65Ω/sq、70Ω/sq、75Ω/sq、80Ω/sq或者85Ω/sq。
示例性地，该太阳能电池的轻扩区方阻为170Ω/sq、200Ω/sq、250Ω/sq、300Ω/sq、350Ω/sq、400Ω/sq、450Ω/sq、500Ω/sq或者550Ω/sq。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述：
实施例1
提供一种太阳能电池，按照以下步骤制备：
1、将N型硅片制绒，获得倒金字塔结构，增加入射光的利用率，减重0.3g，反射率8％；
2、在正面沉积10nm的掺硼非晶硅薄膜层，作为硼源层；
3、在非晶硅薄膜上利用激光进行图形化工艺，激光功率10W，激光速度200mm/s，激光频率200kHz，激光波长200nm；
4、对硅片进行RCA清洗；
5、将硅片送入管式设备进行高温推进，推进温度800℃，氧气流量100sccm，氮气流量100sccm，时间10min，从而形成重扩区/轻扩区；
6、将第5步后的硅片利用链式HF，去除背面BSG，然后将硅片置于KOH和添加剂的混合溶液中去除背面和边缘的P+绕扩；
7、将第6步后的硅片背面生长一层隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，其中隧穿氧化层厚度1nm，掺杂非晶硅层厚度30nm；
8、将第7步后硅片置于管式炉管中进行退火，让掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅，掺杂浓度为1E20；
9、将第8步后的硅片利用PECVD在正背面形成钝化层，正面为ALO+SiN，ALO厚度3nm，SiN厚度70nm；背面为SiN，厚度70nm；
10、将第9步后的硅片利用丝网印刷方式，在正面用银铝浆形成接触，背面采用银浆形成接触。
实施例2
提供一种太阳能电池，按照以下步骤制备：
1、将N型硅片制绒，获得倒金字塔结构，增加入射光的利用率，减重0.5g，反射率10％；
2、在正面沉积120nm的掺硼非晶硅薄膜层，作为硼源层；
3、在非晶硅薄膜上利用激光进行图形化工艺，激光功率100W，激光速度80000mm/s，激光频率600kHz，激光波长1100nm；
4、对硅片进行RCA清洗；
5、将硅片送入管式设备进行高温推进，推进温度1100℃，氧气流量30000sccm，氮气流量30000sccm，时间180min，从而形成重扩区/轻扩区；
6、将第5步后的硅片利用链式HF，去除背面BSG，然后将硅片置于KOH和添加剂的混合溶液中去除背面和边缘的P+绕扩；
7、将第6步后的硅片背面生长一层隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，其中隧穿氧化层厚度2nm，掺杂非晶硅层厚度200nm；
8、将第7步后硅片置于管式炉管中进行退火，让掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅，掺杂浓度为6E20；
9、将第8步后的硅片利用PECVD在正背面形成钝化层，正面为ALO+SiN，ALO厚度10nm，SiN厚度90nm；背面为SiN，厚度100nm；
10、将第9步后的硅片利用丝网印刷方式，在正面用银铝浆形成接触，背面采用银浆形成接触。
实施例3
提供一种太阳能电池，按照以下步骤制备：
1、将N型硅片制绒，获得倒金字塔结构，增加入射光的利用率，减重0.4g，反射率9％；
2、在正面沉积60nm的掺硼非晶硅薄膜层，作为硼源层；
3、在非晶硅薄膜上利用激光进行图形化工艺，激光功率在50W，激光速度10000mm/s，激光频率400kHz，激光波长800nm；
4、对硅片进行RCA清洗；
5、将硅片送入管式设备进行高温推进，推进温度900℃，氧气流量10000sccm，氮气流量10000sccm，时间90min，从而形成重扩区/轻扩区；
6、将第5步后的硅片利用链式HF，去除背面BSG，然后将硅片置于KOH和添加剂的混合溶液中去除背面和边缘的P+绕扩；
7、将第6步后的硅片背面生长一层隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，其中隧穿氧化层厚度1.5nm，掺杂非晶硅层厚度120nm；
8、将第7步后硅片置于管式炉管中进行退火，让掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅，掺杂浓度为3E20；
9、将第8步后的硅片利用PECVD在正背面形成钝化层，正面为ALO+SiN，ALO厚度5nm，SiN厚度80nm；背面为SiN，厚度85nm；
10、将第9步后的硅片利用丝网印刷方式，在正面用银铝浆形成接触，背面采用银浆形成接触。
实验例
对实施例1～实施例3得到的太阳能电池的性能进行检测，结果如下：
图1示出了重扩区/轻扩区不同方阻的ECV曲线。
表1示出了重扩区/轻扩区方阻。
表1
| 方阻(ohm/sq) | 方阻(ohm/sq) | ||
| 重扩区-1 | 30 | 轻扩区-1 | 188 |
| 重扩区-2 | 45 | 轻扩区-2 | 250 |
| 重扩区-3 | 62 | 轻扩区-3 | 310 |
| 重扩区-4 | 80 | 轻扩区-4 | 429 |
| 重扩区-5 | 94 | 轻扩区-5 | 586 |
从表1和图1可以看出，本申请实施例制得的太阳能电池形成了选择性发射极，SE结构。重扩区方阻在30Ω/sq-94Ω/sq，轻扩区方阻在188Ω/sq-586Ω/sq。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；
利用激光在所述掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；
对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使所述发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区；
去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；
在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；
对硅片退火，以使所述掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；
在硅片正背面形成钝化层；
进行丝网印刷。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺硼非晶硅薄膜层的厚度10nm-120nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为10W-100W。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的速度为200mm/s-80000mm/s。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的频率为200kHz-600kHz。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的波长为200nm-1100nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散的步骤，包括：
对硅片在800℃-1100℃高温推进；可选地，氧气流量为0-30000sccm；可选地，氮气流量为0-30000sccm，可选地，高温推进时间为10min-180min。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片在800℃-1100℃高温推进是在管式设备中进行。
9.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述制备方法还包括：
对硅片进行RCA清洗的步骤；所述对硅片进行RCA清洗的步骤在所述利用激光在所述掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区步骤之后，且在所述对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散的步骤之前。
10.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述制绒后的硅片的制备方法包括：
将硅片制绒获得倒金字塔结构，可选地，制绒后所述硅片减重0.3g-0.5g，可选地，制绒后的所述硅片的反射率8％-10％。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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