CN115172522B - 太阳能电池、制备方法及光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、制备方法及光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：提供基底，所述基底具有相对的正面以及背面；在所述基底的背面形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行预处理，所述预处理为通入一氧化二氮气体，所述预处理的工艺参数包括：反应时间为2s～30s，反应温度为200℃～600℃，反应压力为0.2mbar～2mbar；形成氧化铝层，所述氧化铝层位于所述氧化硅层的表面。本申请实施例所提供的太阳能电池、制备方法及光伏组件至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池、制备方法及光伏组件。
背景技术
影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极和背面)电池一般在电池的背面形成电介质膜作为背面钝化膜，然后采用局域金属接触，从而降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。PERC电池通过形成电介质钝化膜提升电池背表面的光反射减少光学损失以及降低硅基底表面及体内的光生载流子复合以提升太阳能电池的光电转换效率。
然而，在制备PERC电池过程中，影响PERC电池的电池性能的原因仍有很多，进而限制PERC电池的光电转换效率的进一步提升。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池、制备方法及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有相对的正面以及背面；在基底的背面形成氧化硅层；对氧化硅层进行预处理，预处理为通入一氧化二氮气体，预处理的工艺参数包括：反应时间为2s～30s，反应温度为200℃～600℃，反应压力为0.2mbar～2mbar；形成氧化铝层，氧化铝层位于氧化硅层的表面。
在一些实施例中，形成氧化铝层的反应气体包括一氧化二氮气体；形成氧化铝层的一氧化二氮气体的流量大于预处理中通入一氧化二氮气体的流量。
在一些实施例中，通入一氧化二氮气体的流量范围为300sccm-1000sccm。
在一些实施例中，反应时间包括第一预设时间以及第二预设时间，第一预设反应时间的一氧化二氮气体的流量大于第二预设反应时间的一氧化二氮气体的流量。
在一些实施例中，形成氧化硅层的反应温度小于预处理的反应温度。
在一些实施例中，预处理的气体还包括惰性气体，一氧化二氮气体与惰性气体的流量比值为0.3:1～1:1.5。
在一些实施例中，氧化硅层的密度范围为2.2g/cm3～2.6g/cm3。
在一些实施例中，还包括：在氧化铝层的表面形成钝化层；钝化层的材料包括氮氧化硅、氮化硅或者氧化硅的任意一种或者两种。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池，包括：基底，基底具有相对的正面以及背面；氧化硅层，氧化硅层位于基底的背面；氧化铝层，氧化铝层位于氧化硅层的表面。
根据本申请一些实施例，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个如上述实施例的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖电池串的表面；盖板，用于覆盖封装胶膜背离电池串的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的技术方案中，通过对形成的氧化硅层进行预处理可以提高氧化硅层的致密性，主要通过预处理中通入一氧化二氮气体，一氧化二氮气体可以与基底的材料反应从而使氧化硅层的孔隙率降低或者密度提高，有利于提高氧化硅层的致密性，进而使得太阳能电池表面的钝化效果好，降低基底表面的载流子复合速率，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。此外，预处理中形成的氧化硅可以进一步使基底表面的悬挂键的数量减少，从而降低基底表面的载流子复合速率，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。且一氧化二氮气体可以作为氧化铝层的源材料，形成氧化铝层的另一源材料三甲基铝的价格高于一氧化二氮气体，一氧化二氮气体的浓度高，有利于形成氧化铝层以及降低生产成本。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成氧化硅层的太阳能电池的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成氧化铝层的太阳能电池的结构示意图；
图3为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成钝化层的太阳能电池的结构示意图；
图4为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成电极的太阳能电池的结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有太阳能电池的光电转换效率欠佳。
分析发现，导致现有太阳能电池的光电转换效率欠佳的原因之一在于，一般在PERC电池的背面形成一层氧化硅层作为氧化铝层和硅基底的中间桥梁，氧化硅层通过化学钝化降低硅基底与氧化铝层之间的界面态密度，增加少数载流子的寿命，从而可以减少包括氧化铝层在内的钝化层与硅基底之间的接触电阻。然而现有技术中制备的氧化硅层内的缺陷较多，且厚度较薄；或者厚度较厚，但制备的氧化硅层结构比较松散，钝化效果较差，从而影响太阳能电池的光电转换效率的提升。
本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，通过在形成氧化硅层之后、在形成氧化铝层之前，增加一步预处理工艺，预处理可以提高已经形成的氧化硅层的致密性。本申请实施例主要通过预处理的一氧化二氮气体，可以与基底的材料进一步反应从而使氧化硅层的孔隙率降低或者密度提高，有利于提高氧化硅层的致密性，形成的氧化硅层的致密性好可以保证太阳能电池表面的钝化效果好，从而降低基底表面的载流子复合速率，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。此外，形成氧化硅层的厚度较厚，硅基底表面的悬挂键的数量减少，从而降低基底表面的载流子复合速率，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。而且一氧化二氮气体可以作为形成氧化铝层的源材料，形成氧化铝层的另一源材料三甲基铝的价格高于一氧化二氮气体，预处理通入一氧化二氮气体，使得反应腔室内的一氧化二氮气体的浓度较高，从而可以减少三甲基铝的用量，有利于降低太阳能电池的生产成本。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成氧化硅层的太阳能电池的结构示意图；图2为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成氧化铝层的太阳能电池的结构示意图；图3为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成钝化层的太阳能电池的结构示意图；图4为本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法中一种形成电极的太阳能电池的结构示意图。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池的制备方法，参考图1，提供基底100，基底100具有相对的正面101以及背面102。
基底100为吸收入射光子而产生光生载流子的区域。在一些实施例中，基底100为硅基底，可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅中的一种或多种。在另一些实施例中，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物。多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。示例性地，本申请实施例中基底100为单晶硅基底。
在一些实施例中，基底100的正面101为受光面吸收入射光，基底100的背面102为背光面。基底100内具有掺杂元素，掺杂元素类型为N型或者P型，N型元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素，P型元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或铟(In)元素等Ⅲ族元素。例如，当基底100为P型基底时，其内部掺杂元素类型为P型。又例如，当基底100为N型基底时，其内部掺杂元素类型为N型。在本申请实施例中，基底100为P型基底，即太阳能电池为P-PERC电池。
在一些实施例中，对基底100的正面101和背面102进行制绒处理，在基底100的正面101和背面102形成绒面结构，绒面结构可以为金字塔状结构，金字塔状结构的斜面可以增加入射光的反射，从而增加入射光的内反射，降低光学损失，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。制绒处理可以包括溶液制绒处理、激光制绒处理、反应离子刻蚀(Reactiveion etching，RIE)制绒处理。当基底100的材料为单晶硅时，溶液制绒处理的溶液为碱溶液和醇溶液的混和溶液；当基底100的材料为多晶硅时，溶液制绒处理的溶液为酸溶液。
在一些实施例中，参考图1，在基底100的正面101形成发射极110。基底100与发射极110形成PN结，例如基底100内具有P型掺杂元素，发射极110内具有N型掺杂元素。在另一些实施例中，发射极110可以视为基底100的一部分，或者说，视为基底100的延伸。此外，发射极110的表面可以设置为金字塔绒面，以降低发射极110表面对光线的反射，增加对光线的吸收利用率，提升太阳能电池的转换效率。本申请实施例可以通过离子扩散的方式在基底100的正面101形成发射极110，首先在基底100表面形成含有扩散源的膜层，然后通过扩散设备进行离子扩散形成PN结。扩散设备可以包括横向石英管或链式扩散炉。在另一些实施例中，可以采用激光掺杂的方式形成发射极110。
在一些实施例中，参考图1，可以采用碱性溶液或者酸性溶液进行抛光处理，使基底100的背面102为抛光面，抛光面可以增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。可以理解的是，对基底100的背面102进行抛光处理时，可以通过控制抛光处理的工艺参数控制抛光面的抛光程度，即控制背面102的绒面结构的刻蚀程度。在一个具体的例子中，基底100的背面102为一个完整的平面，即无明显的凸起结构。在另一个具体的例子中，基底100的背面102仍存在部分平台凸起结构，平台凸起结构可以视为部分厚度被刻蚀后的绒面结构，绒面结构的顶面构成平台。
在一些实施例中，在基底100的背面102形成氧化硅层103。可以通过热氧化法在基底100的背面102形成氧化硅层103。热氧化法形成的氧化硅层103稳定性以及致密性较好，可以降低基底表面悬挂键从而使基底与氧化硅层界面态密度减小，且能很好的控制界面陷阱和固定电荷，有利于提升钝化效果。热氧化法根据氧化气氛的不同，又可以分为干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。在另一些实施例中，可以通过等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，利用硅烷和笑气(一氧化二氮)沉积氧化硅，PECVD法形成的氧化硅生长速度较快，可沉积的氧化硅薄膜也较厚。
在一些实施例中，硅基底表面存在大量悬挂键，大部分悬挂键与氧结合，形成Si-O键，降低了硅基底表面的悬挂键密度。但仍存在少量的悬挂键，且这些悬挂键上有一个未配对的电子，可以得失电子而表现为界面态；本申请实施例可以在形成氧化硅层103的反应气体中加入一定量的含氯气氛(如HCl、C2HCl3)，氯原子的加入可以减少氧化硅层103中的杂质(例如钠离子)污染，有利于提升氧化硅层103的生长速率；且氯离子进入基底100与氧化硅层103界面，使基底100与氧化硅层103界面态密度减小，表面固定电荷密度减小。
在一些实施例中，对氧化硅层103进行预处理，预处理为通入一氧化二氮气体。反应腔室为PECVD设备，可以在形成的氧化硅层103的反应腔室内通入一氧化二氮气体。一氧化二氮气体在等离子体中被分解，产生氧原子或氧自由基，被激活的氧自由基或者氧原子与基底表面的硅原子反应，生成(SiH3)2O中间物质，反应物(SiH3)2O被吸附在基底表面与氧原子反应生成二氧化硅，从而在已经形成的氧化硅层103内以及表面继续反应生成更多的氧化硅，可以减小氧化硅层103内的缺陷，从而降低氧化硅层103的界面缺陷密度，还可以减小氧化硅的孔隙率或者提高氧化硅的密度，提升氧化硅层103的致密性，使其钝化效果更好，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。具体地，氧化硅层103的密度范围为2.2g/cm3～2.6g/cm3，进一步地，氧化硅层103的密度范围为2.4g/cm3～2.6g/cm3，氧化硅层103的密度具体可以为2.43g/cm3、2.49g/cm3、2.56或者2.6g/cm3。经过预处理后的氧化硅层的孔隙率比未经过笑气处理的氧化硅的孔隙率的范围小，且差值范围为未经过笑气处理的氧化硅的孔隙直径的1％～30％，例如预处理后的氧化硅层的孔隙率比未经过笑气处理的氧化硅的孔隙直径小15％的氧化硅的孔隙直径。
在一些实施例中，预处理的工艺参数包括：反应时间为2s～30s，反应温度为200℃～600℃，反应压力为0.2mbar～2mbar；进一步地，反应时间为10s～25s，反应温度为400℃～600℃，反应压力为1mbar～2mbar。在一个具体的例子中，预处理的反应时间为18s，反应温度为550℃，反应压力为1.8mbar。在另一个具体的例子中，预处理的反应时间为20s，反应温度为590℃，反应压力为1.5mbar。
在一些实施例中，通入一氧化二氮气体的流量范围为300sccm-1000sccm，进一步地，通入一氧化二氮气体的流量范围为500sccm～800sccm。通入一氧化二氮气体的流量具体可以为500sccm、589sccm、632sccm、709sccm或者788sccm。一氧化二氮气体的流量范围既可以满足预处理中形成氧化硅的一氧化二氮气体的腔室浓度较大，即一氧化二氮气体过量，使一氧化二氮气体可以与硅原子继续反应形成氧化硅；同时可以满足后续形成的氧化铝层中的一氧化二氮气体为过量反应物，使得形成氧化铝层的另一源材料三甲基铝为少量反应物，降低生产成本。
在一些实施例中，反应时间包括第一预设时间以及第二预设时间，第一预设反应时间的一氧化二氮气体的流量大于第二预设反应时间的一氧化二氮气体的流量。在预处理前期通入大量的一氧化二氮气体，使一氧化二氮气体的浓度较大，促使氧化硅可以快速且大量形成，后期保持稳态的一氧化二氮气体输入从而使得形成氧化硅层的反应可以稳态进行。
在一些实施例中，参考图2，形成氧化铝层104，氧化铝层104位于氧化硅层103的表面。形成氧化硅层103的反应温度小于预处理的反应温度。已经形成的氧化硅层103内缺陷较多，且结构较疏松，钝化效果较差。热处理法形成的氧化硅层103的温度较低，可以减少氧化过程的诱生缺陷、应力和杂质再分布效应，预处理的反应温度大于形成氧化硅层103的反应温度，温度较高可以降低氧化硅层103的缺陷，从而使得氧化硅层103的界面缺陷密度较小。温度较高可以使部分氧化硅层的晶态从非结晶态转变为结晶态，其中，与非结晶态的氧化硅层的密度(2.15～2.25g/cm3)相比，结晶态的氧化硅层的密度(2.65g/cm3)较大，从而整体的致密性较好，有利于提升氧化硅层的钝化效果。
在一些实施例中，可以在形成氧化硅层103之后进行氢离子注入处理，形成富氢层，氢原子可以与硅基底表面的硅原子结合成硅氢键，降低基底的100的表面复合速率，提升电池的钝化效果。预处理的反应温度较高还可以提升硅氢键结合能力，进一步提升钝化效果。
在一些实施例中，预处理的气体还包括惰性气体，一氧化二氮气体与惰性气体的流量比值为0.3:1～1:1.5，进一步地，一氧化二氮气体与惰性气体的流量比值为0.8:1～1:1.3。一氧化二氮气体与惰性气体的流量比值具体为0.8:1、0.93:1、1:1或者1:1.24。惰性气体的加入使反应比较平缓，降低一氧化二氮气体的反应压力，从而可以控制形成的氧化硅层103的厚度以及氧化硅层103的孔隙率，降低形成的氧化硅内的缺陷，有利于提高氧化硅层的致密性。
在一些实施例中，参考图2，由氧化铝层104组成的后钝化层与基底100接触面具有较高的固定负电荷密度Qf(Qf约为1012～1013cm-2)，在基底100表面形成具有负极性的电场，通过屏蔽P型硅表面的相同极性的少子(少数载流子)以及电子可以为P型表面提供良好的场效应钝化效果。此外，氧化铝层104具有很低的界面态缺陷密度(Dit)以及良好的化学钝化效果，可以作为高效的氢原子储库，在后续的热处理过程中提供充足的氢原子，使基底100表面的悬空键达到饱和。氧化铝的带隙为6.4eV，可以容许一部分的太阳光穿过氧化铝层104组成的后钝化层到达基底100表面，提升太阳能电池的光电转换效率。基底100与氧化硅层103界面起主导作用的是饱和悬挂键的化学钝化效果，在基底100与氧化硅层103界面带有一定的固定正电荷，相较于氧化铝层104的固定负电荷可以忽略不计。氧化硅层103的存在不会影响氧化铝层104的钝化效果，还可以降低氧化铝层104与基底100的界面缺陷影响，从而提升太阳能电池的钝化效果。
在一些实施例中，形成氧化铝层104的反应气体包括一氧化二氮气体；形成氧化铝层的一氧化二氮气体的流量大于预处理中通入一氧化二氮气体的流量。通过PECVD法形成氧化铝层104，氧化铝层104的两种源材料为一氧化二氮气体以及三甲基铝，其中一氧化二氮气体流量为950sccm，三甲基铝的流量为640sccm。在另一些实施例中，可以通过原子层沉积工艺形成氧化铝层。
参考图2，太阳能电池的制备方法还包括：在发射极110的表面形成前钝化层111，前钝化层111可以为单层结构或者叠层结构；前钝化层111的材料包括氧化铝、氮氧化硅、氮化硅或者氧化硅的任意一种或者两种。
在一些实施例中，参考图3，太阳能电池的制备方法还包括：在氧化铝层104的表面形成钝化层105，钝化层105也可以为减反射层；钝化层105的材料包括氮氧化硅、氮化硅或者氧化硅的任意一种或者两种。减反射层的折射率较高，减少电池背面的反射损伤。
在一些实施例中，参考图4，太阳能电池的制备方法还包括：形成电极121以及背电极122，电极121贯穿前钝化层111与发射极110接触，背电极122贯穿钝化层105、氧化铝层104以及氧化硅层103与基底100表面电接触。
在一些实施例中，电极121可以由烧穿型浆料烧结而成。电极121沿第一方向X间隔排布。电极121与发射极110的接触可以为局域接触或完全接触。电极121的材料可以为铝、银、镍、金、钼或铜的一种或多种。电极121为上电极或正面电极。在一些情况下，电极121是指细栅线或指状栅线，以区别于主栅线或者汇流条。
在一些实施例中，可以通过丝网印刷工艺形成电极121以及背电极122。丝网印刷工艺中的浆料为含铝银浆料，含铝浆料可以与基底100形成良好的接触，含银浆料的银自身电阻小，降低电极121与基底100的接触电阻。在另一些实施例中，采用激光开槽工艺形成局部接触槽，形成电极或者背电极的浆料位于接触槽内，然后经过退火处理形成电极或者背电极。
在一些实施例中，在形成背电极122之前还包括背面开槽工艺，通过形成具有实虚比的槽线作为背电极122的接触窗，实线为贯穿钝化层105、氧化铝层104以及氧化硅层103的槽线，虚线为未经激光处理的钝化层105表面。如此，可以通过控制实虚比的比例控制激光槽的面积，一方面避免形成的激光槽的面积过大，从而影响钝化层的膜层的完整性，影响钝化层的钝化效果；另一方面避免形成的激光槽的面积过小，背电极122与基底100接触的面积过小，降低接触电阻且影响载流子收集面积，从而影响电池效率。
可以理解的是，形成单个槽线的面积不宜过小，含铝银浆料不可以完全渗透开槽区域，形成铝空洞，铝空洞区域背电极122与基底100无法形成良好的欧姆接触，影响串联电阻以及填充因子。
相应地，本申请实施例另一方面提供一种太阳能电池，可采用上述实施例所提供的太阳能电池的制备方法制备。
参考图4，太阳能电池包括：基底100，基底100具有相对的正面101以及背面102；氧化硅层103，氧化硅层103位于基底100的背面102；氧化铝层104，氧化铝层104位于氧化硅层103的表面。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：发射极110，发射极110位于基底100的正面101；前钝化层111，前钝化层111位于发射极110的表面。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：钝化层105，钝化层105位于氧化铝层104的表面；电极121以及背电极122，电极121贯穿前钝化层111与发射极110接触，背电极122贯穿钝化层105、氧化铝层104以及氧化硅层103与基底100表面电接触。
图5为本申请一实施例提供的光伏组件的一种结构示意图。
相应地，参考图5，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件，光伏组件用于将接收的光能转化为电能以及传输给外部负载。光伏组件包括：至少一个电池串，电池串由多个上述实施例(例如，图4)中任一项太阳能电池10连接而成；封装胶膜21，用于覆盖电池串的表面；盖板22，用于覆盖封装胶膜21背离电池串的表面。
封装胶膜21可以为EVA或POE等有机封装胶膜，封装胶膜21覆盖在电池串的表面以密封保护电池串。在一些实施例中，封装胶膜21包括分别覆盖在电池串表面的两侧的上层封装胶膜和下层封装胶膜。盖板22可以为玻璃盖板或塑料盖板等用于保护电池串的盖板，盖板22覆盖在封装胶膜21背离电池串的表面。在一些实施例中，盖板22上设置有陷光结构以增加入射光的利用率。光伏组件具有较高的电流收集能力和较低的载流子复合率，可实现较高的光电转换效率。在一些实施例中，盖板22包括位于电池串两侧的上盖板和下盖板。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (9)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有相对的正面以及背面；
在所述基底的背面形成氧化硅层；
对所述氧化硅层进行预处理，所述预处理为通入一氧化二氮气体，所述预处理的工艺参数包括：反应时间为2s~30s，反应温度为200℃~600℃，反应压力为0.2mbar~2mbar；其中，经过预处理后的所述氧化硅层的孔隙率小于未经过预处理后的所述氧化硅层的孔隙率或者经过预处理后的所述氧化硅层的密度大于未经过预处理后的所述氧化硅层的密度；
形成氧化铝层，所述氧化铝层位于所述氧化硅层的表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述氧化铝层的反应气体包括所述一氧化二氮气体；形成所述氧化铝层的一氧化二氮气体的流量大于预处理中通入所述一氧化二氮气体的流量。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述氧化硅层进行预处理的工艺步骤中，通入所述一氧化二氮气体的流量范围为300sccm~1000sccm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述反应时间包括第一预设时间以及第二预设时间，所述第一预设时间的所述一氧化二氮气体的流量大于第二预设时间的所述一氧化二氮气体的流量。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述氧化硅层的反应温度小于所述预处理的反应温度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预处理的气体还包括惰性气体，所述一氧化二氮气体与惰性气体的流量比值为0.3:1~1:1.5。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述氧化铝层的表面形成钝化层；所述钝化层的材料包括氮氧化硅、氮化硅或者氧化硅的任意一种或者两种。
8.一种如权利要求1~7任一项所述的太阳能电池的制备方法制备的太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有相对的正面以及背面；
氧化硅层，所述氧化硅层位于所述基底的背面；
氧化铝层，所述氧化铝层位于所述氧化硅层的表面。
9.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，由多个如权利要求8所述的太阳能电池连接而成；
封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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