CN115159745A - 一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 - Google Patents
一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115159745A CN115159745A CN202210905037.3A CN202210905037A CN115159745A CN 115159745 A CN115159745 A CN 115159745A CN 202210905037 A CN202210905037 A CN 202210905037A CN 115159745 A CN115159745 A CN 115159745A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- tank
- coagulation
- magnetic
- effluent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000011049 filling Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 210000000416 exudates and transudate Anatomy 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims abstract description 8
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 claims description 39
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 35
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 33
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 29
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 26
- 239000010865 sewage Substances 0.000 claims description 24
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 17
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 17
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims description 16
- 239000003657 drainage water Substances 0.000 claims description 13
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 10
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 9
- 238000011001 backwashing Methods 0.000 claims description 7
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 claims description 5
- 239000003245 coal Substances 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 4
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 4
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 claims 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 7
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 6
- 239000002674 ointment Substances 0.000 description 5
- 239000002352 surface water Substances 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 239000002455 scale inhibitor Substances 0.000 description 3
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- 239000011398 Portland cement Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F9/00—Multistage treatment of water, waste water or sewage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/001—Processes for the treatment of water whereby the filtration technique is of importance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
- C02F1/444—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by ultrafiltration or microfiltration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
- C02F1/461—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
- C02F1/461—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
- C02F1/463—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis by electrocoagulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
- C02F1/54—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using organic material
- C02F1/56—Macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F2001/007—Processes including a sedimentation step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/10—Inorganic compounds
- C02F2101/12—Halogens or halogen-containing compounds
- C02F2101/14—Fluorine or fluorine-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/10—Inorganic compounds
- C02F2101/20—Heavy metals or heavy metal compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/10—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from quarries or from mining activities
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Separation Of Suspended Particles By Flocculating Agents (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
Abstract
本发明涉及水处理技术领域，具体是一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，包括如下步骤：(1)预处理；(2)混凝加药；(3)电解池；(4)磁絮凝系统：将步骤(3)中电解池的出水依次进入混凝池、磁混池和助凝池；(5)深度处理系统：将步骤(4)中磁絮凝出水进入到深度处理系统中，将疏干水中所含重金属和氟化物等污染物含量降低至排放标准以下，达标出水，本发明含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，通过混凝加药池、电解池和磁絮凝系统，将疏干水中二氧化硅总含量降低至40mg/L以下，保证后续膜深度处理系统的安全运行，疏干水经过整个工艺系统处理后，其所含重金属和氟化物等污染物含量可满足排放标准。
Description
技术领域
本发明涉及水处理技术领域，具体是一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法。
背景技术
矿山内部经过开采后，会产生大量尾矿渣，同时也会在矿山内部产生地底采空区，使得地表塌陷、井下巷道事故频发。为解决上述问题，常采用充填采矿法来抑制地表沉陷和围岩崩落，填充采矿法通常有干式充填法、水砂充填法和胶结充填法。胶结充填法以河砂或尾砂等为充填材料，与普通硅酸盐水泥等胶结剂搅拌形成质量浓度较低的浆体或膏体，输送至待填充区。
在开采过程中，当地下水或者矿井水流经填充区域时，会造成膏体填区内部物质渗出，并随疏干水一同进入到尾矿库中。膏体填充渗出物中主要物质为二氧化硅，在传统疏干水处理工艺中，若对二氧化硅处理不当，会对深度处理系统中的膜结构造成严重影响，降低膜的寿命，提高污水处理成本，因此，针对以上现状，迫切需要开发一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，以克服当前实际应用中的不足。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，包括如下步骤：
(1)预处理：疏干水进入预沉淀池，均衡水质水量，去除水中大颗粒悬浮物，得到预处理出水；
(2)混凝加药：将步骤(1)中上清液进入混凝加药池中，向疏干水中加入氯化镁溶液和PAM，在碱性条件下与胶体二氧化硅和活体二氧化硅反应，生成难溶于水的硅酸镁沉淀，经过滤后得到上清液出水；
(3)电解池：将步骤(2)中混凝加药池出水进入电解池中，通过电解作用生成吸附聚合体，对水体中二氧化硅进行吸附去除；
(4)磁絮凝系统：将步骤(3)中电解池的出水进入磁絮凝反应池，依次进入混凝池、磁混池和助凝池；
(5)深度处理系统：将步骤(4)中磁絮凝出水进入到深度处理系统中，此时污水中二氧化硅含量已降低至40mg/L以下，深度处理系统中的超滤膜设备安全高效的运行，将疏干水中的污染物含量降低至排放标准以下，达标出水。
作为本发明进一步的方案：在步骤(1)中，疏干水进入预处理沉淀池的pH为10-12，在预处理沉淀池中停留时间为0.5h-5.5h。
作为本发明进一步的方案：在步骤(2)中，氯化镁溶液浓度为1％-10％，混凝剂为5％-15％的PAM，通过自动加药机投加至混凝加药池中；混凝池产生絮体经管道进入污泥浓缩池。
作为本发明进一步的方案：在步骤(3)中，在电解池中，阳极为铝板，阴极为铁板，池中污水为电解液，持续通入220V、1.0A-5.0A的直流电，板间距为1.0cm-5.0cm，底部设有搅拌装置，水力停留时间为0.5h-1.5h。
作为本发明进一步的方案：在步骤(4)中，首先，向混凝池中投加100mg/L-3000mg/L聚合氯化铝，PAC溶液浓度达8％-15％，对进水起到絮凝作用；
然后，向磁混池中投加磁粉，与电解池输入的含二氧化硅絮体结合；
最后，向助凝池中投加0.05％-1％聚丙烯酰胺5-80mg/L，促进池内含二氧化硅絮体聚合，形成以磁种为核心的絮凝体；
助凝池出水经过斜板沉淀池进行泥水分离，上清液出水，底部含二氧化硅磁性污泥经过磁粉回收机回收。
作为本发明进一步的方案：所述回收机为转鼓式磁粉回收机；
所述沉淀池为斜板沉淀池，倾斜角度为65°-75°；
斜板沉淀池下层沉淀污泥，经过压滤机脱水后外运，压滤产生污水回流至预处理沉淀池中，提高污水处理量。
作为本发明进一步的方案：在步骤(5)中，所述深度处理系统由多介质过滤器和超滤膜设备组成。
作为本发明进一步的方案：所述多介质过滤器内部填料分别为石英砂层、锰砂层和无烟煤层，罐体底部设有布水帽，均匀布水。
作为本发明进一步的方案：多介质过滤器反冲洗水由超滤膜设备出水提供，反洗出水回流至预处理沉淀中，提高污水回用率。
作为本发明进一步的方案：所述超滤膜设备由超滤过滤器和多个管状超滤膜串联组成，产生浓水排放至预处理沉淀池中。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)通过在混凝加药池加入氯化镁溶液，产生硅酸镁沉淀，大幅降低疏干水中二氧化硅含量；
(2)通过电解池的电解作用深度去除二氧化硅，保护膜系统的高效运行；
(3)在对疏干水进行膏体充填渗出物深度去除的同时，对污水中其他污染物保持高效的去除效率，保证了污水的达标排放；
(4)通过混凝加药池、电解池和磁絮凝系统，将疏干水中二氧化硅总含量降低至40mg/L以下，保证后续膜深度处理系统的安全运行，疏干水经过整个工艺系统处理后，其所含重金属和氟化物等污染物含量可满足《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准。
附图说明
图1为本发明实施例中含有膏体充填渗出物的疏干水处理的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
请参阅图1，一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，通过混凝加药、电解絮凝和磁絮凝系统，将疏干水中二氧化硅总含量降低至40mg/L以下，保护深度处理系统中的超滤膜；通过深度处理系统，将疏干水中污染物含量降低，满足《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准，所述含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法包括如下步骤：(1)、预处理：疏干水进入预处理沉淀池，将污水中悬浮物和大颗粒物质去除，均衡水质水；(2)、混凝加药：所述步骤(2)中上清液出水进入混凝加药池，向疏干水中加入氯化镁溶液和PAM，在碱性条件下与膏体填充渗出物中的主要成分胶体二氧化硅和活体二氧化硅反应，生成难溶于水的硅酸镁沉淀，经过滤后得到上清液出水；(3)、电解池：所述步骤(2)中混凝加药池出水进入电解池中，通过电解作用生成吸附聚合体，对水体中二氧化硅进行吸附去除；(4)、磁絮凝系统：所述步骤(3)中电解池的出水进入磁絮凝反应池，依次进入混凝池、磁混池和助凝池，混凝池中投加聚合氯化铝，对进水起到絮凝作用。磁混池中投加磁粉，与电解池输入的含二氧化硅絮体结合。助凝池中投加聚丙烯酰胺，促进池内含二氧化硅絮体聚合，形成以磁种为核心的絮凝体。助凝池出水经过斜板沉淀池进行泥水分离，上清液出水，底部含二氧化硅磁性污泥经过磁粉回收机回收；(5)、深度处理系统：所述步骤(4)中磁絮凝出水进入到深度处理系统中，此时污水中二氧化硅含量已降低至40mg/L以下，深度处理系统中的超滤膜设备可安全高效运行，将疏干水中所含重金属和氟化物等污染物含量降低至《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准以下，达标出水。
步骤(1)中疏干水进入预处理沉淀池内的pH为10-12；预处理沉淀池总水力停留时间为0.5h-5.0h，调节进水流量和温度，为后续处理流程提供稳定的条件。
步骤(2)中混凝加药池中所投加药剂分别为：溶液浓度为1％-10％的氯化镁溶液和浓度为5％-15％的PAM，在自动加药机的作用下连续不断进入加药池中，在氯化镁和PAM的共同作用下，与水中二氧化硅反应生成硅酸镁沉淀，去除疏干水中大部分游离二氧化硅和部分胶体二氧化硅。
步骤(3)中电解池pH范围为7-10，电解池中阳极为铝板，阴极为铁板，池中污水为电解液，板间距为1.0cm-5.0cm，持续通入200V、1.0A-5.0A的直流电，在碱性条件下，与疏干水中金属离子反应生成絮体，吸附水中剩余少量胶体二氧化硅，并协同去除重金属离子；电解池底部设有搅拌器，辅助池内电解液的流动，加快絮体的产生与吸附速度，提高二氧化硅去除效率。
步骤(4)中磁絮凝系统分为：絮凝池：通过加药装置，向池中加入100mg/L-3000mg/L浓度8％-15％的聚合氯化铝作为絮凝剂，通过络合、吸附等作用，将疏干水中细小颗粒物和电解池产生的絮体吸附共沉淀；混合池：通过加药装置向混合池中加入磁粉，水中的絮体以磁粉为核心，形成易分离的磁性絮体，便于后续磁粉回收机进行磁粉和污泥的分离；助凝池:通过加药机向池中加入0.05％-1％聚丙烯酰胺5-80mg/L作为助凝剂，辅助磁粉与絮体结合的同时防止絮体在水流的作用下解体；沉淀池:所述沉淀池为斜板沉淀池，倾斜角度为65°-75°，池中絮体在重力的作用下沉淀形成污泥，经过池底的管道进入污泥池，并通过压滤机进行脱水，脱水后污泥外运，压滤产生污水回流至预处理沉淀池循环处理，减少水资源损失。
步骤(5)中深度处理系统由多介质过滤器和超滤膜设备组成。多介质过滤器：罐体内部填料层分别为石英砂层、锰砂层和无烟煤层，污水下进上出，通过罐体底部的布水帽均匀布水，增加接触面积，内部填料比表面积大、孔隙度高、强度大，确保在多次反洗后内部填料层不发生形；内部填料定时进行反冲洗，反冲洗用水由后续超滤设备出水提供，反冲洗废水排放至预处理沉淀池，提高污水利用率；超滤膜设备：多介质过滤器出水口与超滤过滤器相连，保护超滤膜设备，超滤加药设备向管状超滤膜内部投加1％-10％次氯酸钠和1-10mg/L阻垢剂，同时消毒与去除污垢。超滤产水率设计为85％-95％，即进水流量1.5-20m3/h，产水流量1.35-18m3/h，浓水流量0.15-2.0m3/h。超滤产生浓水回流至预处理沉淀池，提高污水处理量，产生清水可满足《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准，达标排放。
实施例1
采用上述工艺流程处理含有膏体充填渗出物的疏干水，工艺步骤如下：
含有膏体填充渗出物的疏干水主要成分为：COD80mg/L，总氮9.6mg/L，氟化物3.65mg/L，砷0.45mg/L，总镉0.021mg/L，六价铬0.008mg/L，总铅0.09mg/L，二氧化硅42.7mg/L。疏干水首先进入预处理沉淀池中，pH值为12，总水利停留时间为2.5h；预处理沉淀池出水进入混凝加药池中，自动加药机向池中加入浓度为5％的氯化镁溶液和浓度为10％的PAM，在池底搅拌器的作用下生成硅酸镁沉淀并形成絮体，部分沉淀经过底部管道进入污泥浓缩池，上清液进入电解池；絮凝加药池出水进入电解池，池内溶液pH为8，池内板间距为2.5cm，通入220V、4.0A的直流电，池底搅拌器持续运转，水中胶体二氧化硅和游离二氧化硅被池中产生的絮体进一步吸附；电解池出水进入磁絮凝系统中，在絮凝池中加入2000mg/L浓度为12％的聚合氯化铝，在磁混池中加入磁粉，在助凝池中加入1％聚丙烯酰胺60mg/L；多介质过滤器由底部进水，在布水帽的作用下由中间向四周均匀进水，依次通过石英砂层、锰砂层和无烟煤层，通过填料巨大的比表面积将磁絮凝系统中残留的细小颗粒物去除，出水由多介质过滤器顶部连接至超滤膜设备；多介质过滤器出水中的二氧化硅含量已大幅降低，不会对超滤的运行造成影响；污水进入超滤设备并依次经过超滤过滤器和超滤加药设备，超滤加药设备向管状超滤膜内部投加2％次氯酸钠和5mg/L阻垢剂，消毒并去除附着在膜上的水垢，设计产水率为90％，设备产生浓水回流至预处理沉淀池，产生清水可达标排放。
具体检测结果如表1所示：
表1
通过检测结果可以看出，通过设置的絮凝加药、电解池和磁絮凝污水处理系统对二氧化硅的去除率为58.78％，满足超滤进水要求。
经过上述工艺流程处理后的出水水质：
COD：5mg/L，总氮：0.07mg/L，氟化物：0.01mg/L，总砷：0.0008mg/L，总镉：0.005mg/L，六价铬：0.05mg/L，总铅：0.009mg/L。同时满足《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准和《铁矿采选工业污染物排放标准》(GB28661-2012)间接排放标准。
实施例2
取某铅锌矿企业疏干水废水进行处理，进水水质如下：COD75mg/L，总氮10.6mg/L，氟化物4.43mg/L，砷0.55mg/L，总镉0.035mg/L，六价铬0.009mg/L，总铅0.06mg/L，二氧化硅44.0mg/L。预处理沉淀池中进水pH为13，总水力停留时间3h；向混凝加药池中加入7％的氯化镁溶液和15％的PAM，在池底搅拌器的作用下生成硅酸镁沉淀并形成絮体，部分沉淀经过底部管道进入污泥浓缩池，上清液进入电解池；电解池内pH为7，池内板间距为3cm，通入220V、5A的直流电，水中胶体二氧化硅和游离二氧化硅被池中产生的絮体进一步吸附；电解池出水进入磁絮凝系统中，在絮凝池中加入1500mg/L浓度为10％的聚合氯化铝，在磁混池中加入磁粉，在助凝池中加入2％聚丙烯酰胺50mg/L；多介质过滤器由底部进水，在布水帽的作用下由中间向四周均匀进水，依次通过石英砂层、锰砂层和无烟煤层，通过填料巨大的比表面积将磁絮凝系统中残留的细小颗粒物去除，出水由多介质过滤器顶部连接至超滤膜设备；多介质过滤器出水中的二氧化硅含量已大幅降低，不会对超滤的运行造成影响；污水进入超滤设备并依次经过超滤过滤器和超滤加药设备，超滤加药设备向管状超滤膜内部投加1％次氯酸钠和10mg/L阻垢剂，消毒并去除附着在膜上的水垢，设计产水率为95％，设备产生浓水回流至预处理沉淀池，产生清水可达标排放。
具体检测结果如表2所示：
表2
通过检测结果可以看出，通过设置的絮凝加药、电解池和磁絮凝污水处理系统对二氧化硅的去除率为55.3％，满足超滤进水要求。
经过上述工艺流程处理后的出水水质：
COD：5.5mg/L，总氮：0.08mg/L，氟化物：0.01mg/L，总砷：0.0009mg/L，总镉：0.007mg/L，六价铬：0.06mg/L，总铅：0.008mg/L。同时满足《地表水环境质量标准》GB3838-2002中地表Ⅴ类水体排放标准和《铁矿采选工业污染物排放标准》(GB28661-2012)间接排放标准。
需要说明的是，在本发明中，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)预处理：疏干水进入预沉淀池，均衡水质水量，去除水中大颗粒悬浮物，得到预处理出水；
(2)混凝加药：将步骤(1)中上清液进入混凝加药池中，向疏干水中加入氯化镁溶液和PAM，在碱性条件下与胶体二氧化硅和活体二氧化硅反应，生成难溶于水的硅酸镁沉淀，经过滤后得到上清液出水；
(3)电解池：将步骤(2)中混凝加药池出水进入电解池中，通过电解作用生成吸附聚合体，对水体中二氧化硅进行吸附去除；
(4)磁絮凝系统：将步骤(3)中电解池的出水进入磁絮凝反应池，依次进入混凝池、磁混池和助凝池；
(5)深度处理系统：将步骤(4)中磁絮凝出水进入到深度处理系统中，此时污水中二氧化硅含量已降低至40mg/L以下，深度处理系统中的超滤膜设备安全高效的运行，将疏干水中的污染物含量降低至排放标准以下，达标出水。
2.根据权利要求1所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，在步骤(1)中，疏干水进入预处理沉淀池的pH为10-12，在预处理沉淀池中停留时间为0.5h-5.5h。
3.根据权利要求2所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，氯化镁溶液浓度为1％-10％，混凝剂为5％-15％的PAM，通过自动加药机投加至混凝加药池中；
混凝池产生絮体经管道进入污泥浓缩池。
4.根据权利要求1-3任一项所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，在步骤(3)中，在电解池中，阳极为铝板，阴极为铁板，池中污水为电解液，持续通入220V、1.0A-5.0A的直流电，板间距为1.0cm-5.0cm，底部设有搅拌装置，水力停留时间为0.5h-1.5h。
5.根据权利要求4所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，在步骤(4)中，首先，向混凝池中投加100mg/L-3000mg/L聚合氯化铝，PAC溶液浓度达8％-15％，对进水起到絮凝作用；
然后，向磁混池中投加磁粉，与电解池输入的含二氧化硅絮体结合；
最后，向助凝池中投加0.05％-1％聚丙烯酰胺5-80mg/L，促进池内含二氧化硅絮体聚合，形成以磁种为核心的絮凝体；
助凝池出水经过斜板沉淀池进行泥水分离，上清液出水，底部含二氧化硅磁性污泥经过磁粉回收机回收。
6.根据权利要求5所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，所述回收机为转鼓式磁粉回收机；
所述沉淀池为斜板沉淀池，倾斜角度为65°-75°；
斜板沉淀池下层沉淀污泥，经过压滤机脱水后外运，压滤产生污水回流至预处理沉淀池中，提高污水处理量。
7.根据权利要求1所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述深度处理系统由多介质过滤器和超滤膜设备组成。
8.根据权利要求7所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，所述多介质过滤器内部填料分别为石英砂层、锰砂层和无烟煤层，罐体底部设有布水帽，均匀布水。
9.根据权利要求8所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，多介质过滤器反冲洗水由超滤膜设备出水提供，反洗出水回流至预处理沉淀中，提高污水回用率。
10.根据权利要求7所述的含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法，其特征在于，所述超滤膜设备由超滤过滤器和多个管状超滤膜串联组成，产生浓水排放至预处理沉淀池中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210905037.3A CN115159745A (zh) | 2022-07-29 | 2022-07-29 | 一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210905037.3A CN115159745A (zh) | 2022-07-29 | 2022-07-29 | 一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115159745A true CN115159745A (zh) | 2022-10-11 |
Family
ID=83476629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210905037.3A Pending CN115159745A (zh) | 2022-07-29 | 2022-07-29 | 一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115159745A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416668B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-07-09 | Riad A. Al-Samadi | Water treatment process for membranes |
| JP2005125316A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ataka Construction & Engineering Co Ltd | 重金属含有排水処理方法およびその装置 |
| CN203440183U (zh) * | 2013-08-22 | 2014-02-19 | 国家电网公司 | 矿井疏矸排水回用电厂的深度处理系统 |
| US20140251914A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Brandon Ryan Ball | Method for treating acid mine drainage |
| CN105036408A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-11-11 | 江苏德邦工程有限公司 | 含高浓度活性硅废水的处理方法 |
| CN105800820A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 北京清大国华环境股份有限公司 | 一种含硅废水处理的方法与装置 |
| CN207567053U (zh) * | 2017-11-25 | 2018-07-03 | 昆明有色冶金设计研究院股份公司 | 一种可移动式含氟废水处理装置 |
| CN108439669A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-08-24 | 成都飞创科技有限公司 | 一种水中二氧化硅去除方法 |
| CN112520912A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-19 | 南京大学 | 一种高盐高硬度矿井水近零排放工艺 |
| CN114644423A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-06-21 | 北京耐特尔环境工程技术有限公司 | 一种尾矿废水磁核絮分处理工艺 |
-
2022
- 2022-07-29 CN CN202210905037.3A patent/CN115159745A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6416668B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-07-09 | Riad A. Al-Samadi | Water treatment process for membranes |
| JP2005125316A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ataka Construction & Engineering Co Ltd | 重金属含有排水処理方法およびその装置 |
| US20140251914A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Brandon Ryan Ball | Method for treating acid mine drainage |
| CN203440183U (zh) * | 2013-08-22 | 2014-02-19 | 国家电网公司 | 矿井疏矸排水回用电厂的深度处理系统 |
| CN105800820A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 北京清大国华环境股份有限公司 | 一种含硅废水处理的方法与装置 |
| CN105036408A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-11-11 | 江苏德邦工程有限公司 | 含高浓度活性硅废水的处理方法 |
| CN207567053U (zh) * | 2017-11-25 | 2018-07-03 | 昆明有色冶金设计研究院股份公司 | 一种可移动式含氟废水处理装置 |
| CN108439669A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-08-24 | 成都飞创科技有限公司 | 一种水中二氧化硅去除方法 |
| CN112520912A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-19 | 南京大学 | 一种高盐高硬度矿井水近零排放工艺 |
| CN114644423A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-06-21 | 北京耐特尔环境工程技术有限公司 | 一种尾矿废水磁核絮分处理工艺 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 林峰;姜素华;涂云鹏;: "高压脉冲电絮凝+加载磁絮凝工艺处理电镀废水", 广州化工, no. 08, pages 149 - 150 * |
| 王文豪: "磁混凝、臭氧氧化技术处理煤化工不同工段废水试验研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》, no. 07, pages 017 - 18 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104628185B (zh) | 一种油气田压裂返排液的处理工艺 | |
| CN101475290B (zh) | 一种压裂返排液回收处理工艺 | |
| CN104803504B (zh) | 一种新型脱硫废水处理工艺 | |
| CN104944636B (zh) | 一种有色金属矿山酸性废水治理方法 | |
| CN101786769A (zh) | 一种油田污水处理工艺 | |
| CN103771630A (zh) | 一种矿山酸性重金属废水处理及回用工艺 | |
| CN104743750B (zh) | 一种纸浆造纸工业废水的处理方法 | |
| CN106045107A (zh) | 一种含重金属浮选废水处理及资源化循环回用工艺 | |
| CN105330060A (zh) | 一种石墨烯废水处理和回用系统及其处理、回用工艺 | |
| CN111777135A (zh) | 一种石灰石脱硫系统浆液脱盐系统及脱盐方法 | |
| CN106396191A (zh) | 一种高cod高nh3‑n废水的应急处理工艺及装置 | |
| CN109626627B (zh) | 高盐灰渣渗滤液预处理方法 | |
| CN103951139A (zh) | 一种油田污水处理工艺 | |
| CN107285421B (zh) | 一种有利于污泥资源化的酸性含氟废水的分段处理方法 | |
| CN108706762A (zh) | 一种脱硫废水处理工艺及设备 | |
| CN1475451A (zh) | 液体处理方法和装置 | |
| CN111573808A (zh) | 一种给水处理净化站的排泥水处理工艺 | |
| CN115159745A (zh) | 一种含有膏体充填渗出物的疏干水处理方法 | |
| CN102642901A (zh) | 一种电解抛光废水的三级聚合氯化铝混凝处理方法 | |
| CN215924586U (zh) | 用于深度去除氟化物的水处理系统 | |
| CN102229450A (zh) | 膜净化赤铁矿选矿污水处理集成工艺 | |
| CN212864234U (zh) | 一种石灰石脱硫系统浆液脱盐装置 | |
| CN112479502A (zh) | 一种矿井水深度净化处理回用于生产的装置及处理方法 | |
| CN114644423A (zh) | 一种尾矿废水磁核絮分处理工艺 | |
| CN211311154U (zh) | 一种矿井水深度处理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20221011 |