CN115159439A - Mems装置和电子设备 - Google Patents

Mems装置和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN115159439A
CN115159439A CN202210588556.1A CN202210588556A CN115159439A CN 115159439 A CN115159439 A CN 115159439A CN 202210588556 A CN202210588556 A CN 202210588556A CN 115159439 A CN115159439 A CN 115159439A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diaphragm
mems device
hollow
back plate
areas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210588556.1A
Other languages
English (en)
Inventor
刘波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goertek Microelectronics Inc
Original Assignee
Goertek Microelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Microelectronics Inc filed Critical Goertek Microelectronics Inc
Priority to CN202210588556.1A priority Critical patent/CN115159439A/zh
Publication of CN115159439A publication Critical patent/CN115159439A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/02—Loudspeakers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04—Plane diaphragms
    • H04R7/06—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2400/00—Loudspeakers
    • H04R2400/11—Aspects regarding the frame of loudspeaker transducers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本申请公开了一种MEMS装置和电子设备。所述MEMS装置包括：基底和设置于所述基底上的振动组件；所述振动组件包括背极板和位于所述背极板的第一侧的第一振膜；所述背极板沿其边缘处设置有多个第一镂空区；在所述第一振膜上与多个所述第一镂空区相对的位置处一一对应形成有多个非工作区，每个所述非工作区分别设置有多个微孔。本申请提供的MEMS装置能够在不改变振膜组件的低频性能以及中心区域的高机械灵敏度的情况下，改善MEMS装置的防水效果。

Description

MEMS装置和电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域，更具体地，涉及一种MEMS装置和电子设备。
背景技术
微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的独立智能系统。微机电系统由于其内部结构一般在微米甚至纳米量级，被普遍应用于电子设备中。
微机电系统在使用时通常需要设计较高的防水等级，以避免被外部空气中的水汽或杂质侵入，导致其功能受损。现有技术中，对于微机电系统具有较多的防水方案，但其防水效果均不理想。
发明内容
本申请的一个目的是提供一种MEMS装置和电子设备的新技术方案。
根据本申请的第一方面，提供了一种MEMS装置，包括：
基底和设置于所述基底上的振动组件；
所述振动组件包括背极板和位于所述背极板的第一侧的第一振膜；
所述背极板沿其边缘处设置有多个第一镂空区；
在所述第一振膜上与多个所述第一镂空区相对的位置处一一对应形成有多个非工作区，每个所述非工作区分别设置有多个微孔。
可选地，在所述第一振膜的至少位于所述非工作区的位置处设置有疏水涂层，所述疏水涂层采用疏水材料涂覆而成。
可选地，所述基底上具有与所述第一振膜形成的腔体结构，所述疏水涂层位于所述第一振膜上远离于所述背极板的一侧，并延伸至所述腔体结构的内表面。
可选地，在靠近于所述第一振膜边缘的位置处还设置有绝缘隔离带，所述第一振膜在位于所述缘隔离带的内侧形成工作区，所述工作区能够与外部电路连接。
可选地，多个所述第一镂空区沿所述背极板的边缘均匀分布。
可选地，每个所述非工作区在所述背极板上的投影与与之相对的所述第一镂空区重合。
可选地，所述振动组件还包括第二振膜，所述第二振膜位于所述背极板的第二侧；
所述第二振膜上设置有多个第二镂空区，所述第二镂空区与所述第一镂空区一一相对设置。
可选地，所述振动组件还包括连接结构，所述连接结构用于连接所述第一振膜和所述第二振膜，使所述第一振膜与所述第二振膜的振动状态一致。
可选地，所述连接结构包括多个连接柱，所述背极板还设置有多个透气孔；
每个所述连接柱穿过其中一个所述透气孔连接于所述第一振膜和所述第二振膜之间。
可选地，所述连接结构包括多个筒状的连接件，每个筒状的所述连接件穿过其中一个所述第一镂空区，将所述背极板封装在所述第一振膜和所述第二振膜之间。
根据本申请的第二方面，提供了一种电子设备，包括第一方面所述的MEMS装置。
本申请的一个技术效果为：本申请通过在背极板的边缘处设置对各第一镂空区，并在位于第一振膜上的与第一镂空区相对的多个非工作区设置微孔，一方面实现了使振动组件两侧的空气能够对流的作用；另一方面，由于微孔的尺寸较小，能够很大程度上阻挡空气中的水汽或杂质通过，实现了很好的防水、防尘效果。另外，将微孔设置于非工作区，即将其设置于第一振膜的边缘处，在实际使用中，不会改变振膜组件的低频性能以及中心区域的高机械灵敏度，对振动组件的声学性能影响较小。
通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
图1是本发明提供的第一种MEMS装置的结构示意图。
图2是本发明提供的第二种MEMS装置的结构的俯视示意图。
图3是图2的A-A处剖视图。
图4是图2的B-B处剖视图。
附图标记说明：
1、基底；11、腔体结构；2、第一振膜；21、微孔；22、工作区；23、非工作区；24、绝缘隔离带；25、疏水涂层；3、背极板；31、第一镂空区；32、透气孔；4、导线；5、第二振膜；51、第二镂空区；6、连接柱；7、连接件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如图1至图4所示，根据本申请的第一方面，提供了一种MEMS装置，包括：基底1和设置于所述基底1上的振动组件；所述振动组件包括背极板3和位于所述背极板3的第一侧的第一振膜2；所述背极板3沿其边缘处设置有多个第一镂空区31；在所述第一振膜2上与多个所述第一镂空区31相对的位置处一一对应形成有多个非工作区23，每个所述非工作区23分别设置有多个微孔21。
具体地，本申请提供的MEMS装置的振动组件可以实现特定的声学功能。例如，将其应用于麦克风或扬声器设备中。本申请对此不做限制。如图1至图4所示，振动组件设置于基底1上，基底1对其起到一定的支撑和固定的作用，基底1一般采用绝缘材料或半导体材料制成。振动组件包括背极板3和第一振膜2，在实际应用中，可将第一振膜2和背极板3均通过导线4等导电结构连接至电路中，以实现特定的声学性能。
在本实施例中，通过在背极板3上设置多个第一镂空区31，并在第一振膜2上的多个非工作区23分别设置多个微孔21，其中，多个非工作区23分别与多个第一镂空区31相对设置并一一对应。在实际应用中，上述结构中每个第一镂空区31均能够通过与之对应的非工作区23的多个微孔21连通，一方面能够使得振动组件两侧的空气能够通过微孔21和第一镂空区31实现对流，达到平衡震动结构两侧气压的效果。其中，“连通”指的是气流连通，并不指代其在结构上连通。另一方面，微孔21指的是孔径小于2纳米的孔，其尺寸相对于第一镂空区31的尺寸会小很多，具有一定的疏水作用，降低了外界空气中的水汽或杂质通过第一镂空区31和微孔21进入MEMS装置的内部空间的风险，提高了MEMS装置的防水、防尘效果。
另外，在第一振膜2工作时，其中心位置的机械灵敏度最高，而多个第一镂空区31位于背极板3的边缘位置处，则非工作区23也同样位于第一振膜2的边缘位置处，使得在不改变振动组件低频性能和中心区域的高机械灵敏度的前提下，既能实现有效平衡振动组件两侧的气压的目的，又能改善其防水效果。
在实际使用中，第一振膜2上能够在声音信号的作用下发生振动，并实现第一振膜2的声学性能的区域为工作区22，而第一振膜2上位于与第一镂空区31相对位置处的区域，由于其不参与与背极板3的相互作用，在此区域内(即非工作区23)设置多个微孔21，可以实现减小对于整个振动组件声学性能的影响，使得采用本申请提供的MEMS装置制备而成的电子设备同时具有较好的防水效果和优良的声学性能。
可选地，参考图3，在所述第一振膜2的至少位于所述非工作区23的位置处设置有疏水涂层25，所述疏水涂层25采用疏水材料涂覆而成。
具体地，在实际使用中，第一振膜2也具有一定的疏水作用，水汽或杂质难以穿过第一振膜2，而非工作区23的微孔21尺寸较小，也能够阻挡大部分水汽和杂尘。在位于各非工作区23的位置设置疏水涂层25，可以使位于非工作区23的水汽等被疏离，避免水汽或较小的杂尘通过微孔21进入，进一步提高振动组件的防水性能。在另一个实施例中，疏水涂层25可延伸至整个第一振膜2，提高其疏水性能。其中，疏水涂层25采用疏水性材料涂覆而成，涂层的厚度较薄，一方面能够避免其堵塞微孔21，另一方面，也不会增加第一振膜2的厚度和重量，避免影响第一振膜2振动幅度，保证了其声学性能。
另外，在本实施例中，由于疏水涂层25提高了非工作区23的疏水性能，因此微孔21的尺寸可以设计为较大尺寸，较大尺寸的微孔21对于空气的流通具有更好的效果，因此其数量也可相对地减少，从而使得非工作区23域的面积减少，工作区22的面积相对增加，提高了第一振膜2的实际工作面积，提高了其声学性能。
在上述实施例中，疏水材料可以选择例如有机氟化合物或丙烯酸酯等材料，其在现有工艺中应用于涂层工艺已非常成熟，制造成本较低，适用于批量生产，而疏水涂层25的喷涂可采用气相沉积等工艺制备
可选地，参考图3，所述基底1上具有与所述第一振膜2形成的腔体结构11，所述疏水涂层25位于所述第一振膜2上远离于所述背极板3的一侧，并延伸至所述腔体结构11的内表面。
具体地，在生产过程中，疏水涂层25通常可在最后进行喷涂，将其设置在第一振膜2上远离于所述背极板3的一侧，即朝向振动组件的外侧，有利于喷涂工艺的实现。另外，疏水涂层25可延伸至基底1上与第一振膜2形成的空腔结构的内表面，避免水汽等杂质通过两者的结合处进入产品内部，进一步提高了MEMS装置的防水性能。
可选地，参考图2至图4，在靠近于所述第一振膜2边缘的位置处还设置有绝缘隔离带24，所述第一振膜2在位于所述缘隔离带的内侧形成工作区22，所述工作区22能够与外部电路连接。
具体地，位于第一振膜2边缘处的区域在第一振膜2实际工作过程中，其振动幅度较小，并且容易受到与其连接或固定的基底1或其它结构的影响，导致振动组件的声学效果不佳。在本实施例中，通过在靠近于第一振膜2边缘的位置处设置绝缘隔离带24，并将位于绝缘隔离带24内侧的区域与外部电路连接形成工作区22，使第一振膜2上位于绝缘隔离带24外侧的区域的振动不参与第一振膜2的工作，实现了屏蔽噪音的效果，使得仅有工作区22的振动参与到第一振膜2的工作中，即在一种实施例中，仅有工作区22的振动会通过外部电路转化为电流信号，提高了第一振膜2的声学效果。在实际应用中，非工作区23与第一镂空区31相对设置，其与背极板3没有相对的区域，便不会参与第一振膜2的工作。
可选地，参考图2，多个所述第一镂空区31沿所述背极板3的边缘均匀分布。
具体地，在本实施例中，第一镂空区31沿背极板3的边缘均匀分布，能够使得设置有多个微孔21的各非工作区23均匀布置于第一振膜2上，提高了第一振膜2对两侧的空气对流的一致性，避免其影响第一振膜2的振动，能够有效提高振动组件的声学性能。
可选地，参考图2，每个所述非工作区23在所述背极板3上的投影与与之相对的所述第一镂空区31重合。
具体地，在本实施例中，每个非工作区23在背极板3上的投影与与之相对的第一镂空区31重合，即各非工作区23的尺寸与各第一镂空区31的尺寸相同，提高了微孔21的利用率。
可选地，参考图2至图4，所述振动组件还包括第二振膜5，所述第二振膜5位于所述背极板3的第二侧；所述第二振膜5上设置有多个第二镂空区51，所述第二镂空区51与所述第一镂空区31一一相对设置。
具体地，双振膜结构的振动组件，其灵敏度更好，降噪能力也更好。在本实施例中，第二振膜5设置于背极板3的第二侧，在实际应用中，可设置于MEMS装置的内侧，在第二振膜5上设置与第一镂空区31相对的第二镂空区51，使振动组件两侧的气流可依次通过微孔21、第一镂空区31和第二镂空区51进行对流，实现平衡振动组件内外两侧气压的作用。其中，在第二振膜5的边缘处也可设置绝缘隔离带24。
可选地，参考图3至图4，所述振动组件还包括连接结构，所述连接结构用于连接所述第一振膜2和所述第二振膜5，使所述第一振膜2与第二振膜5的振动状态一致。
具体地，在本实施例中，第一振膜2与第二振膜5通过连接结构连接为一体，在振动组件工作过程中，第一振膜2和第二振膜5的振动状态一致，即第一振膜2和第二振膜5的振幅以及振动方向均相同，使得振动组件的声学性能更加一致。另外，连接结构对于第一振膜2和第二振膜5还具有一定的支撑作用，能够限制第一振膜2或第二振膜5发生超出设计范围的振动幅度，防止其破损，提高了振动组件的使用寿命。
可选地，参考图3至图4，所述连接结构包括多个连接柱6，所述背极板3还设置有多个透气孔32；每个所述连接柱6穿过其中一个所述透气孔32连接于所述第一振膜2和所述第二振膜5之间。
具体地，在本实施例中，背极板3上设置有多个透气孔32，用于平衡背极板3两侧的气压，提高振动组件的声学性能。另外，透气孔32中设置连接柱6，可进一步对第一振膜2和第二振膜5提供支撑作用，提高两者各个位置之间振动的一致性。
可选地，所述连接结构包括多个筒状的连接件7，每个筒状的所述连接件7穿过其中一个所述第一镂空区31，将所述背极板3封装在所述第一振膜2和所述第二振膜5之间。
具体地，筒状结构的连接件7与第一镂空区31的数量相同，每个连接件7穿过其中一个第一镂空区31，一端连接于第一振膜2上的非工作区23的边缘处，另一端连接于第二振膜5上的第二镂空区51的边缘处，使筒状结构的立面对背极板3实现封装，避免水汽或杂尘进入到背极板3的两侧，提高了振动组件的可靠性。其中，筒状结构的横截面形状与第一镂空区31的形状相匹配。
另外，筒状结构的连接件7与第一振膜2和第二振膜5形成的密封空间，即背极板3所在的密封空间内可设置成低气压状态或真空状态，在上述状态下，密封空间内的空气粘滞系数较低，可以使得第一振膜2和第二振膜5振动时，有效降低空气在透气孔32中的穿梭摩擦，消除了部分噪音，提高了MEMS装置的声学性能。
根据本申请的第二方面，提供了一种电子设备，包括第一方面所述的MEMS装置。
具体地，在本实施例中，电子设备可以是设置有MEMS装置的麦克风或扬声器，也可以是具有上述麦克风或扬声器的手机、耳机等电子设备，本申请对此不做限制。采用本申请提供的MEMS装置制造的电子设备，其防水效果得到了大幅度的改善，并且能够保证其声学性能。
例如，在一种实施例中，将本申请提供的MEMS装置设置于麦克风中，麦克风包括电路板以及设置于电路板一侧的壳体，壳体与电路板形成一定的腔体结构11，且电路板上设置有用于收集声音信号的孔洞结构，将MEMS装置封设于孔洞结构处，并且使第一振膜2朝向远离于腔体结构11的一侧。在腔体结构11的内侧可以设置与MEMS装置连接的ASIC(专用集成电路Application Specific Integrated Circuit)芯片，以实现麦克风的声学性能。
上述麦克风在实际应用中，如果防水效果不佳，位于麦克风外部的水汽会有进入腔体内部，并导致ASIC和MEMS短路或漏电的风险发生。而采用了本申请提供的MEMS装置，当水汽等杂质通过电路板上的孔洞结构以后，会被第一振膜2阻挡在外部，并且，第一振膜2上的非工作区23设置的微孔21能够实现麦克风内外两侧的空气的对流，既提高了麦克风的防水性能，也保证了其声学性能。
上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
虽然已经通过例子对本申请的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本申请的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本申请的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本申请的范围由所附权利要求来限定。

Claims (11)

1.一种MEMS装置，其特征在于，包括：
基底和设置于所述基底上的振动组件；
所述振动组件包括背极板和位于所述背极板的第一侧的第一振膜；
所述背极板沿其边缘处设置有多个第一镂空区；
在所述第一振膜上与多个所述第一镂空区相对的位置处一一对应形成有多个非工作区，每个所述非工作区分别设置有多个微孔。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS装置，其特征在于，在所述第一振膜的至少位于所述非工作区的位置处设置有疏水涂层，所述疏水涂层采用疏水材料涂覆而成。
3.根据权利要求2所述的一种MEMS装置，其特征在于，所述基底上具有与所述第一振膜形成的腔体结构，所述疏水涂层位于所述第一振膜上远离于所述背极板的一侧，并延伸至所述腔体结构的内表面。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS装置，其特征在于，在靠近于所述第一振膜边缘的位置处还设置有绝缘隔离带，所述第一振膜在位于所述缘隔离带的内侧形成工作区，所述工作区能够与外部电路连接。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS装置，其特征在于，多个所述第一镂空区沿所述背极板的边缘均匀分布。
6.根据权利要求1所述的一种MEMS装置，其特征在于，每个所述非工作区在所述背极板上的投影与与之相对的所述第一镂空区重合。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS装置，其特征在于，所述振动组件还包括第二振膜，所述第二振膜位于所述背极板的第二侧；
所述第二振膜上设置有多个第二镂空区，所述第二镂空区与所述第一镂空区一一相对设置。
8.根据权利要求7所述的一种MEMS装置，其特征在于，所述振动组件还包括连接结构，所述连接结构用于连接所述第一振膜和所述第二振膜，使所述第一振膜与所述第二振膜的振动状态一致。
9.根据权利要求8所述的一种MEMS装置，其特征在于，所述连接结构包括多个连接柱，所述背极板还设置有多个透气孔；
每个所述连接柱穿过其中一个所述透气孔连接于所述第一振膜和所述第二振膜之间。
10.根据权利要求9所述的一种MEMS装置，其特征在于，所述连接结构还包括多个筒状的连接件，每个筒状的所述连接件穿过其中一个所述第一镂空区，将所述背极板封装在所述第一振膜和所述第二振膜之间。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的MEMS装置。
CN202210588556.1A 2022-05-26 2022-05-26 Mems装置和电子设备 Pending CN115159439A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210588556.1A CN115159439A (zh) 2022-05-26 2022-05-26 Mems装置和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210588556.1A CN115159439A (zh) 2022-05-26 2022-05-26 Mems装置和电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115159439A true CN115159439A (zh) 2022-10-11

Family

ID=83482778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210588556.1A Pending CN115159439A (zh) 2022-05-26 2022-05-26 Mems装置和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115159439A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115334432A (zh) * 2022-10-13 2022-11-11 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 麦克风组件、封装结构及电子设备

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070286438A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Yamaha Corporation Condenser microphone
TWM473667U (zh) * 2013-05-31 2014-03-01 Jung-Hua Yang 具調節聲音特性之調音膜片結構改良
DE102014204712A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Infineon Technologies Ag MEMS-Akustikwandler, MEMS-Mikrofon, MEMS-Mikrolautsprecher, Lautsprecher-Array und Verfahren zur Herstellung eines Akustikwandlers
CN107244646A (zh) * 2017-03-09 2017-10-13 歌尔科技有限公司 一种mems芯片
CN107835477A (zh) * 2017-11-24 2018-03-23 歌尔股份有限公司 一种mems麦克风
CN208874727U (zh) * 2017-02-23 2019-05-17 苹果公司 声学换能器、声学换能器模块和防水电子设备
CN109831730A (zh) * 2018-12-31 2019-05-31 瑞声科技(新加坡)有限公司 Mems麦克风制造方法
CN111225321A (zh) * 2020-01-21 2020-06-02 歌尔股份有限公司 振膜、扬声器
CN111601220A (zh) * 2020-06-22 2020-08-28 歌尔股份有限公司 振膜、扬声器以及电子设备
CN111885473A (zh) * 2020-06-24 2020-11-03 歌尔微电子有限公司 电容型微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备
CN213991017U (zh) * 2020-12-22 2021-08-17 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 Mems麦克风、微机电结构
CN215072978U (zh) * 2021-07-15 2021-12-07 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 麦克风芯片、mems麦克风及电子设备
CN114513731A (zh) * 2022-04-20 2022-05-17 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种麦克风组件及电子设备

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070286438A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Yamaha Corporation Condenser microphone
DE102014204712A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Infineon Technologies Ag MEMS-Akustikwandler, MEMS-Mikrofon, MEMS-Mikrolautsprecher, Lautsprecher-Array und Verfahren zur Herstellung eines Akustikwandlers
TWM473667U (zh) * 2013-05-31 2014-03-01 Jung-Hua Yang 具調節聲音特性之調音膜片結構改良
CN208874727U (zh) * 2017-02-23 2019-05-17 苹果公司 声学换能器、声学换能器模块和防水电子设备
CN107244646A (zh) * 2017-03-09 2017-10-13 歌尔科技有限公司 一种mems芯片
CN107835477A (zh) * 2017-11-24 2018-03-23 歌尔股份有限公司 一种mems麦克风
CN109831730A (zh) * 2018-12-31 2019-05-31 瑞声科技(新加坡)有限公司 Mems麦克风制造方法
CN111225321A (zh) * 2020-01-21 2020-06-02 歌尔股份有限公司 振膜、扬声器
CN111601220A (zh) * 2020-06-22 2020-08-28 歌尔股份有限公司 振膜、扬声器以及电子设备
CN111885473A (zh) * 2020-06-24 2020-11-03 歌尔微电子有限公司 电容型微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备
CN213991017U (zh) * 2020-12-22 2021-08-17 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 Mems麦克风、微机电结构
CN215072978U (zh) * 2021-07-15 2021-12-07 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 麦克风芯片、mems麦克风及电子设备
CN114513731A (zh) * 2022-04-20 2022-05-17 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种麦克风组件及电子设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115334432A (zh) * 2022-10-13 2022-11-11 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 麦克风组件、封装结构及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102740206B (zh) 双单元微机电系统组件
KR101320573B1 (ko) 멤스 마이크로폰
WO2021000163A1 (zh) 骨传导mems麦克风和移动终端
CN110868682B (zh) 一种mems麦克风
CN104853299B (zh) 微机电系统麦克风芯片、麦克风、电子设备及制造方法
CN109379684B (zh) 麦克风和电子设备
CN109413554A (zh) 一种指向性mems麦克风
CN115159439A (zh) Mems装置和电子设备
KR20050076564A (ko) 표면실장을 위한 평행육면체형 콘덴서 마이크로폰
KR101303954B1 (ko) 광대역 및 방수 특성을 위한 보텀 포트형 마이크로폰 조립체
CN214177530U (zh) 耳机、通信设备及终端
KR101184537B1 (ko) 스피커
CN115065920A (zh) Mems装置和电子设备
CN207475874U (zh) 一种mems麦克风中的背极及mems麦克风
CN211570110U (zh) Mems芯片及mems传感器
CN215499569U (zh) 骨传导麦克风
CN215379441U (zh) 传感器的封装结构和电子设备
CN212696212U (zh) 一种具有防水功能的麦克风
CN210351643U (zh) 一种mems传感器
CN115334389A (zh) 一种麦克风组件及电子设备
CN114513730A (zh) 麦克风组件及电子设备
CN112565953A (zh) 麦克风模组和听戴设备
CN112087692A (zh) 一种具有防水功能的麦克风
CN115334430B (zh) 麦克风组件、封装结构及电子设备
KR20060119278A (ko) 내부 공기배출 시스템을 포함하는 콘덴서마이크로폰

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination