CN115148863A - 发光模块及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 190
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 190
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- -1 tb) 3 (Al Chemical compound 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/005—Processes
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Abstract
本发明提供一种发光模块及其制造方法,其光的提取效率较高。发光模块(1)的制造方法具有:准备在上表面(21)载置有多个发光元件(30)的配线基板(20)的工序、在配线基板(20)的上表面(21)中载置有多个发光元件(30)的区域(38)的外侧配置含有光反射物质(42)的第一树脂(40)的工序、通过将第一树脂(40)向区域(38)扩展来使第一树脂(40)配置在配线基板(20)与发光元件(30)之间且由第一树脂(40)覆盖多个发光元件(30)的上表面(31)的工序、以及通过将固体的二氧化碳(500)喷附在第一树脂(40)的上表面来除去发光元件(30)的上表面(31)的第一树脂(40)的工序。
Description
技术领域
实施方式涉及发光模块及其制造方法。
背景技术
近年来,已经提出一种在一块配线基板搭载大量的发光元件、单个控制发光元件的发光模块。在上述发光模块中,需要使各发光元件的光的提取效率提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2020-74005号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
实施方式的目的在于提供一种光的提取效率较高的发光模块及其制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的发光模块的制造方法具有:准备在上表面载置有多个发光元件的配线基板的工序、在所述配线基板的上表面中载置有所述多个发光元件的区域的外侧配置含有光反射物质的第一树脂的工序、通过将所述第一树脂向所述区域扩展来使所述第一树脂配置在所述配线基板与所述发光元件之间且由所述第一树脂覆盖所述多个发光元件的上表面的工序、以及通过将固体的二氧化碳喷附在所述第一树脂的上表面来除去所述发光元件的上表面的所述第一树脂的工序。
实施方式的发光模块具有:配线基板、在所述配线基板上载置的多个发光元件、含有光反射物质的第一树脂、以及覆盖所述发光元件的上表面及所述第一树脂的上表面且含有荧光体的第二树脂。所述发光元件具有:上表面、与所述上表面相反一侧的下表面、以及位于所述上表面与所述下表面之间且从所述下表面向所述上表面扩展而倾斜的侧面。所述发光元件的下表面与所述配线基板的上表面对置。所述第一树脂在所述配线基板的上表面与所述发光元件的下表面之间、以及邻接的所述发光元件的所述侧面间进行配置。在邻接的所述发光元件间,所述第一树脂的上表面在从所述配线基板向所述第二树脂的方向上位于所述发光元件的上表面与下表面之间。从所述第一树脂露出的所述发光元件的所述侧面由所述第二树脂进行覆盖。
发明的效果
根据实施方式,能够实现光的提取效率较高的发光模块及其制造方法。
附图说明
图1是从斜上侧观察实施方式的发光模块的立体图。
图2是从斜下侧观察实施方式的发光模块的立体图。
图3是表示图1的区域III的俯视放大图。
图4是图1所示的IV-IV线的剖视图。
图5A是表示图4的区域VA的剖视放大图。
图5B是表示图5A的区域VB的剖视放大图。
图6A是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图6B是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图6C是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图7A是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图7B是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图7C是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图8A是表示实施方式的发光模块的制造方法的俯视图。
图8B是表示实施方式的发光模块的制造方法的俯视图。
图9是表示在实施方式中使用的喷嘴的立体图。
图10A是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视放大图。
图10B是表示实施方式的发光模块的制造方法的剖视放大图。
具体实施方式
下面,参照附图,针对实施方式进行说明。各附图示意性地表示了实施方式,所以有时各部件的尺寸、间隔或位置关系等有所夸张,部件的一部分未图示,或者作为剖视图而使用只表示切割面的端面图。需要说明的是,各附图中,对于相同的结构,使用相同的标记。
<结构>
首先,针对实施方式的发光模块的结构进行说明。
图1是从斜上侧观察本实施方式的发光模块的立体图。
图2是从斜下侧观察本实施方式的发光模块的立体图。
图3是表示图1的区域III的俯视放大图。
图4是图1所示的IV-IV线的剖视图。
图5A是表示图4的区域VA的剖视放大图。
图5B是表示图5A的区域VB的剖视放大图。
如图1及图2所示,本实施方式的发光模块1具有:封装基板10、配线基板20、多个发光元件30、第一树脂40、第二树脂50、多个引线60、以及第三树脂70。需要说明的是,在图1中,为了便于图示,省略了第三树脂70的一部分及第二树脂50的一部分,使引线60的一部分及发光元件30的一部分等可视。
发光模块1优选作为多个发光元件30而具有大量小型发光元件30,更多的小型发光元件30以窄间距、高密度地排列在配线基板20上。由此,能够以更多的分割数控制照射范围,可用于高分辨率的照明系统的光源。例如,在将发光模块1用于车辆的自适应远光灯系统(Adaptive Driving Beam:ADB)中的情况下,能够高度控制配光,照射更高精细、高分辨率的光。
封装基板10例如包括平板状的基体11、以及在基体11的至少上表面配置的配线。基体11的材料优选使用散热性较高的材料,此外,更优选为具有较高的遮光性和强度的材料。具体而言,可以例举铝(Al)和铜(Cu)等金属、氧化铝、氮化铝、莫来石等陶瓷、酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、BT树脂(bismaleimide triazine resin)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)等树脂、以及此外由树脂与金属或陶瓷构成的复合材料等。封装基板10可以使用平板状基板,也可以利用在上表面具有收纳配线基板20的腔体的结构。作为配线的材料,例如可以例举铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、钯(Pd)、铁(Fe)、镍(Ni)等金属或其合金等。
作为一个例子,封装基板10在Al和Cu等金属基体层压环氧树脂等绝缘部件,在表面及内部配置有配线。配线的一部分在封装基板10的上表面10a构成多个上表面焊盘12,配线的其它一部分在封装基板10的下表面10b构成多个下表面焊盘13。
在本说明书中,为了便于说明,采用XYZ正交坐标。使封装基板10的长度方向为“X方向”,使宽度方向为“Y方向”,使厚度方向为“Z方向”。将Z方向之中、从封装基板10的下表面10b向上表面10a的方向也称为“上”,将其相反方向称为“下”,但该表达也是为了方便,与重力方向无关。
另外,金属制基体从绝缘部件露出而在封装基板10的上表面10a及下表面10b构成有散热部14。在俯视中,散热部14配置在封装基板10的中央部,上表面焊盘12及下表面焊盘13隔着各散热部14而在散热部14的两侧分别配置有多个。上表面焊盘12及下表面焊盘13例如沿封装基板10的长边进行排列。
配线基板20在封装基板10的散热部14上进行配置。配线基板20例如是内置有集成回路的硅基板,例如是面向指定用途的集成回路基板(Application Specific IntegratedCircuit基板:ASIC基板)。配线基板20的下表面经由接合部件,与散热部14的上表面接合。作为接合部件,例如可以例举硅胶银膏。配线基板20的上表面21的中央部作为载置发光元件的区域38,设有与发光元件30连接的第一焊盘,在其周边部设有与第一焊盘电连接的第二焊盘。
引线60是用于将封装基板10与配线基板20电连接的部件。引线60与封装基板10的上表面焊盘12和配线基板20的第二焊盘连接。作为引线60,例如可以例举金(Au)。例如,引线60的数量与上表面焊盘12的数量相同。
如图1、图3~图5B所示,多个发光元件30在配线基板20的上表面21的中央部进行载置。发光元件30的俯视形状为大致长方形状。多个发光元件30例如排列为矩阵状。作为一个例子,设有上表面为大致正方形的发光元件30被排列为64行、64列的四个段,发光元件30合计设有16384个。作为一个例子,发光元件30的排列周期为50μm,各发光元件30是一边为45μm的大致正方形状。因此,相邻发光元件30间的距离为5μm。发光元件30与配线基板20的上表面21的第一焊盘连接。发光元件30例如为发光二极管(Light Emitting Diode:LED),例如射出蓝色的光。
考虑发光元件30的安装精度及模块的高精细性,发光模块1具有的发光元件30的大小在俯视中优选是一边为20μm~100μm的大致长方形状,更优选是一边为30μm~100μm的大致长方形状。另外,考虑发光模块的小型化及高精细性,发光模块1具有的发光元件30的数量优选为5000个~100000个,更优选为15000个~30000个。
为了发光模块1的高精细化,邻接的发光元件30间的距离优选更窄。此外,考虑有效配置后面叙述的第一树脂40,邻接的发光元件30间的距离优选为2μm以上、10μm以下,更优选为3μm以上、7μm以下。
需要说明的是,发光元件30可以选择射出任意波长的光的元件。例如,作为射出蓝色、绿色的光的发光元件,可以选择利用了ZnSe、氮化物半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP的发光元件。另外,作为射出红色的光的发光元件30,可以适合使用由GaAlAs、AlInGaP表示的半导体。此外,也可以使用由除此以外的材料形成的半导体发光元件。使用的发光元件30的成分、发光色可以根据目的适当进行选择。
如图5A所示,发光元件30具有:上表面31、与上表面31相反一侧的下表面32、以及在上表面31与下表面32之间配置的侧面33。使侧面33从下表面32向上表面31扩展而倾斜。发光元件30的上表面31及下表面32在俯视中例如为长方形,侧面33与上表面31及下表面32相连地设有四个面。即,发光元件30的形状为大致倒四棱锥台形。发光元件30的下表面32与配线基板20的上表面21对置。发光元件30经由导电接合材料39,与第一焊盘连接。因此,发光元件30的下表面32与配线基板20的上表面21分离。接合材料39例如可以例举铜(Cu)。接合材料39例如可以通过电镀法形成。
第一树脂40具有光反射性,在配线基板20的上表面21与发光元件30的下表面32之间、以及邻接的发光元件30对置的侧面33间进行配置。也就是说,第一树脂40将发光元件30的上表面露出,覆盖发光元件的侧面33的下部与下表面32。由此,能够将从发光元件30射出的光更多地从上表面21提取。第一树脂40包括由透光树脂形成的母材41、以及母材41中含有的光反射物质42。通过增加第一树脂40中含有的光反射物质42的含量,能够提高来自发光元件30的光提取效率。第一树脂40的光反射物质42的浓度优选为50质量%以上、70质量%以下,例如为60质量%左右。
作为母材41的透光树脂,例如可以使用硅树脂、改性硅树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸树脂、或至少含有一种以上上述树脂的混合树脂等树脂。其中,优选使用耐热性、耐光性良好的硅树脂,更优选使用二甲基硅树脂。由于二甲基硅树脂对更高的温度的耐性等的可靠性良好,所以可以适合使用为车载用途的材料。
作为光反射物质,例如可以适合使用氧化钛、氧化铝、氧化锌、碳酸钡、硫酸钡、氮化硼、氮化铝、玻璃填料等。
作为一个例子,母材41为二甲基硅树脂,光反射物质为氧化钛。第一树脂40的外观颜色为白色。
第二树脂50具有透光性,覆盖发光元件30的上表面31及第一树脂40的上表面43。第二树脂50与发光元件30的上表面31、侧面33的上部、以及第一树脂40的上表面43相接。需要说明的是,侧面33的上部及下部例如在侧面33中是上表面31至下表面32的高度方向的上表面侧的区域及下表面侧的区域。第二树脂50包括至少由透光树脂形成的母材51,该母材51中也可以含有荧光体52。
作为母材51,可以使用与上述的第一树脂40的母材41相同的材料。作为荧光体52,可以使用钇/铝/石榴石类荧光体(例如Y3(Al,Ga)5O12:Ce)、镥/铝/石榴石类荧光体(例如Lu3(Al,Ga)5O12:Ce)、铽/铝/石榴石类荧光体(例如Tb3(Al,Ga)5O12:Ce)、CCA类荧光体(例如Ca10(PO4)6Cl2:Eu)、SAE类荧光体(例如Sr4Al14O25:Eu)、氯硅酸盐类荧光体(例如Ca8MgSi4O16Cl2:Eu)、β型塞隆类荧光体(例如(Si,Al)3(O,N)4:Eu)、α型塞隆类荧光体(例如Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu)、SLA类荧光体(例如SrLiAl3N4:Eu)、CASN类荧光体(例如CaAlSiN3:Eu)或SCASN类荧光体(例如(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)等氮化物类荧光体、KSF类荧光体(例如K2SiF6:Mn)、KSAF类荧光体(例如K2(Si,Al)F6:Mn)或MGF类荧光体(例如3.5MgO/0.5MgF2/GeO2:Mn)等氟化物类荧光体、具有钙钛矿结构的荧光体(例如CsPb(F,Cl,Br,I)3)、或量子点荧光体(例如CdSe、InP、AgInS2或者AgInSe2)等。
如图5B所示,在邻接的发光元件30间,第一树脂40的上表面43在Z方向、即配线基板20与第二树脂50对置的方向上位于发光元件30的上表面31与下表面32之间。由此,发光元件30的侧面33之中、下部由第一树脂40覆盖,上部由第二树脂50覆盖。换言之,发光模块1在邻接的发光元件30间,具有由发光元件30的侧面33与第一树脂40的上表面43划定的凹部,在该凹部配置有第二树脂50。
第三树脂70对连接封装基板10与配线基板20的引线进行保护。第三树脂70的俯视形状是沿着配线基板20的外缘的长方形框状。第三树脂70从封装基板10的上表面跨着配线基板20的上表面进行配置,覆盖封装基板10的上表面焊盘12、引线60、以及配线基板20的外部连接用焊盘。
如图4所示,第三树脂70包括:在封装基板10上设置的外侧树脂框71、在配线基板20上设置的内侧树脂框72、以及在外侧树脂框71与内侧树脂框72之间设置的保护树脂73。第三树脂70可以具有透光性,也可以具有遮光性。第三树脂70至少包括由透光树脂形成的母材,在该母材中也可以含有光反射物质及/或光吸收物质。作为母材,可以使用与上述的第一树脂40的母材41相同的材料。作为光反射物质,可以使用与上述的第一树脂40的光反射物质相同的材料。作为光吸收物质,可以例举碳黑、石墨等。
在一个例子中,外侧树脂框71及内侧树脂框72具有透光性,保护树脂73具有光反射性(遮光性)。保护树脂73的外观例如为白色、黑色、灰色。需要说明的是,第一树脂40、第二树脂50、第三树脂70中也可以分别根据需要,含有着色剂、光漫射材料、用于调整粘度的填料等。
<制造方法>
接着,针对本实施方式的发光模块1的制造方法进行说明。
图6A~图6C、图7A~图7C是表示本实施方式的发光模块的制造方法的剖视图。
图8A及图8B是表示本实施方式的发光模块的制造方法的俯视图。
图9是表示在本实施方式中使用的喷嘴的立体图。
图10A及图10B是表示本实施方式的发光模块的制造方法的剖视放大图。
需要说明的是,在图6A~图7C中,为了简化附图,将发光元件30的数量描绘得比实际少。
(准备配线基板20的工序)
首先,如图6A所示,准备配线基板20。接着,在配线基板20的上表面21的除去周边部以外的中央部载置多个发光元件30。多个发光元件30各自经由接合材料39,接合在配线基板20上。在配线基板20的上表面21的周边部配置抗蚀膜101。抗蚀膜101配置在配线基板20上,以包围载置有多个发光元件30的区域38。抗蚀膜101的形状例如为长方形的框状,抗蚀膜101的厚度为与接合材料39及发光元件30的合计厚度相同的程度。这样,准备出在上表面21载置有抗蚀膜101及多个发光元件30的配线基板20。
(配置第一树脂40的工序)
接着,如图6B及图8A所示,在配线基板20的上表面21中载置有多个发光元件30的区域38的外侧配置未固化的第一树脂40。如上所述,在第一树脂40中,在由透光树脂形成的母材41中含有光反射物质42。例如,区域38的形状在俯视中为长方形,第一树脂40沿区域38的长边,配置在抗蚀膜101上且区域38的Y方向一侧。X方向的第一树脂40的长度为区域38的长边的长度L以上。
在此,第一树脂40如上所述高浓度地含有光反射物质。因此,在配线基板20上配置的未固化的第一树脂40难以在配线基板20上湿铺(濡れ広がる),容易保持配置时的形状。例如,在配线基板20的上表面配置的第一树脂40的粘度在室温(20±5℃)下优选为50Pa·s以上、不足200Pa·s。由此,能够抑制在配线基板20上配置第一树脂40时向区域38无意识地扩展,在后面叙述的由第一树脂进行覆盖的工序中,容易抑制第一树脂向区域38移动。
(由第一树脂40进行覆盖的工序)
接着,使未固化的第一树脂40向区域38扩展,由此使第一树脂40配置在配线基板20与发光元件30之间。此时,多个发光元件30的上表面也被第一树脂覆盖。而且,第一树脂40在邻接的发光元件30间的间隙中流动,由此,发光元件30的侧面被第一树脂覆盖。
更具体而言,如图9所示,准备具有宽度W的开口部的喷嘴200。喷嘴200的开口部的形状(开口形状)为长方形,其宽度W为区域38的长边的长度L以上。
接着,如图6C及图10A所示,从喷嘴200向配线基板20的上表面大致垂直地喷射气体300,并且使喷嘴200在Y方向、即区域38的短边所延伸的方向上移动。这样,通过将气体300喷附在配线基板20的上表面21,未固化的第一树脂40沿Y方向延伸扩展。该喷嘴200的移动例如也可以重复多次。由此,如图8B所示,能够将第一树脂40向区域38扩展。
此时,第一树脂40在发光元件30的上表面31上,在Y方向上移动,并且进入相邻的发光元件30间的间隙,进而进入配线基板20与发光元件30之间的间隙。通过从喷嘴200向配线基板20的上表面大致垂直地喷射气体300,并且使喷嘴200沿一个方向缓慢移动,能够抑制在向区域38扩展的第一树脂40中产生空洞。
在本实施方式中,通过向配线基板20大致垂直地喷附气体300,能够将大致垂直喷射的气体300沿抗蚀膜101及/或配线基板20的上表面喷附向第一树脂40。由此,使因表面张力而留存在抗蚀膜101上的第一树脂40的表面形状改变,具体而言,增大第一树脂40与抗蚀膜101的上表面的接触角,降低濡湿性,能够使之在Y方向上缓慢地扩展。而且,由于已到达区域38的第一树脂40与发光元件30接触,能够以接触部为起点,利用毛细现象,使第一树脂40向发光元件30间及发光元件30下的间隙湿铺。
这样,通过扩展第一树脂40,能够抑制产生空洞。另外,因为能够控制对发光元件30的上表面进行覆盖的第一树脂40的厚度,所以。在后面叙述的除去第一树脂40的工序中,能够更容易地除去第一树脂40。这样,使第一树脂40配置在配线基板20与发光元件30之间、以及邻接的发光元件30间,并且由第一树脂40覆盖多个发光元件30的上表面31。之后,例如通过实施热处理,使第一树脂40固化。作为一个例子,覆盖发光元件30的上表面的第一树脂40的厚度约为20μm。需要说明的是,虽然发光元件30的上表面的一部分也可以从第一树脂40露出,但优选上表面的外缘全部由第一树脂40覆盖。
在由第一树脂40进行覆盖的工序中,喷射气体300的喷嘴200在Y方向的移动速度优选为0.1mm/秒~0.5mm/秒,例如优选为0.2mm/秒。气体的压力优选为0.3MPa~0.5MPa,例如优选为0.45MPa。喷嘴200的移动重复次数优选为一次~五次,例如优选为三次。气体300例如优选为空气、氮气、或氧气,例如为空气。
(除去第一树脂40的工序)
接着,如图7A及图10B所示,从喷嘴400将固体的二氧化碳500喷附在第一树脂40的上表面。固体的二氧化碳500在发光元件30与第一树脂40的界面附近升华,将第一树脂40中在发光元件30的上表面31上配置的部分剥离。由此,能够从发光元件30的上表面31除去第一树脂40。此时,在发光元件30间配置的第一树脂40的上部也被除去,能够使发光元件30的侧面33的上部露出。
固体的二氧化碳500的颗粒径优选为5μm~50μm。喷嘴400的移动速度优选为20mm/秒~100mm/秒,例如优选为50mm/秒。喷附固体的二氧化碳500的压力优选为0.1MPa~0.35MPa,例如优选为0.3MPa。喷嘴400的移动重复次数优选为一次~五次,例如为三次。
接着,除去抗蚀膜101。抗蚀膜101的除去例如可以通过湿蚀刻来除去。如图7B所示,将由配线基板20、多个发光元件30、抗蚀膜101、第一树脂40形成的中间体90浸渍在抗蚀剥离液102中。由此,如图7C所示,可以除去抗蚀膜101。
(安装配线基板20的工序)
接着,如图1及图4所示,在封装基板10上载置配线基板20。封装基板10可以经由金属膏等已知的粘接部件,固定在配线基板20。作为粘接部件,例如可以例举硅胶银膏。
(配置第二树脂50的工序)
接着,将未固化或者半固化状态的第二树脂50配置在多个发光元件30上及第一树脂40上。如上所述,在第二树脂50中,在母材51中含有荧光体52。第二树脂50在框状的第三树脂70的内侧、即配置有多个发光元件30的区域38进行配置。需要说明的是,第二树脂50可以通过喷涂、灌注等进行配置,也可以配置预先加工为片状的树脂。
(固化第二树脂50的工序)
接着,通过实施热处理,使第二树脂50固化。此时,当将第二树脂50加热至第一温度、例如100℃时,第二树脂50临时液化,进入发光元件30间的间隙即第一树脂40上的空间。由此,能够使第二树脂50与发光元件30的侧面33的上部接触。接着,当将第二树脂50加热至比第一温度高的第二主固化温度、例如150℃时,第二树脂50固化。这样,制造出本实施方式的发光模块1。
需要说明的是,配置第二树脂50的工序及固化的工序也可以在图7B所示的抗蚀膜101的剥离工序与将配线基板20载置在封装基板10的工序之间来实施。
本实施方式的发光模块1的制造方法中,此外,作为将配线基板20与封装基板电连接的工序,也可以包括由引线60将封装基板10的上表面焊盘12与配线基板20的外部连接用焊盘连接的工序,作为用于保护引线60的工序,也可以包括在封装基板10上配置外侧树脂框71、在配线基板20上配置内侧树脂框72、在外侧树脂框71与内侧树脂框72之间配置保护树脂73的工序等。
<效果>
在本实施方式的发光模块1中,在配线基板20与发光元件30之间配置有第一树脂40。因此,能够将从发光元件30向下方射出的光向上方反射。由此,发光模块1的光的提取效率较高。
另外,因为第一树脂40中光反射物质42的浓度高达50质量%~70质量%,所以,第一树脂40的光的反射率较高。由此,发光模块1的光的提取效率较高。
另外,在发光模块1中,使第二树脂50与发光元件30接触,所以,在发光元件30与第二树脂50之间不存在粘接材料层等。因此,光的利用效率较高。
另外,在发光模块1中,发光元件30的侧面33的上部与第二树脂50接触。侧面33的上部从第一树脂40露出,由此,来自发光元件30的光的提取效率提高。另外,因为发光元件30与第二树脂50的接触面积较大,所以紧密接触性良好。
另外,根据本实施方式的发光模块1的制造方法,通过向配置有第一树脂40的配线基板20的上表面喷附气体,能够抑制产生空洞,并且将第一树脂40可靠地配置在配线基板20与发光元件30之间、以及发光元件30间。因此,能够在更窄的发光元件30间的间隙配置高浓度含有光反射物质的第一树脂40,能够谋求发光模块1的小型化。另外,能够使第一树脂40的光的反射率提高。
另外,如图9所示,使喷嘴200的开口形状的宽度W为区域38的长度方向的长度L以上。由此,第一树脂40在区域38中,在宽度方向上同时移动,所以能够抑制产生空洞,并且有效且均匀地延伸扩展。
另外,通过多次重复喷嘴200的移动,能够使在发光元件30的上表面31上配置的第一树脂40的厚度更薄。由此,通过喷附固体的二氧化碳,能够从发光元件30的上表面31除去第一树脂40。因为固体的二氧化碳为软质,所以不容易对发光元件30造成损坏,并且由于在发光元件30与第一树脂40的界面附近升华而容易将第一树脂40剥离。另外,通过喷附固体的二氧化碳,在发光元件30间配置的第一树脂40的上部也被除去,能够使发光元件30的侧面33的上部露出。
所述实施方式是用于体现本发明的例子,本发明不限于该实施方式。例如在所述实施方式中添加、删除或者变更若干个结构主要部件或者工序后的方式也包含在本发明中。
工业实用性
本发明例如可以在车辆用前照灯及显示装置的光源等中加以利用。
附图标记说明
1发光模块;10封装基板;10a上表面;10b下表面;11基体;12上表面焊盘;13下表面焊盘;14散热部;20配线基板;21上表面;30发光元件;31上表面;32下表面;33侧面;38区域;39接合材料;40第一树脂;41母材;42光反射物质;43上表面;50第二树脂;51母材;52荧光体;60引线;70第三树脂;71外侧树脂框;72内侧树脂框;73保护树脂;90中间体;101抗蚀膜;102抗蚀剥离液;200喷嘴;300气体;400喷嘴;500固体的二氧化碳;L长度;W宽度。
Claims (9)
1.一种发光模块的制造方法,其特征在于,具有:
准备在上表面载置有多个发光元件的配线基板的工序;
在所述配线基板的上表面中载置有所述多个发光元件的区域的外侧配置含有光反射物质的第一树脂的工序;
通过将所述第一树脂向所述区域扩展来使所述第一树脂配置在所述配线基板与所述发光元件之间、且由所述第一树脂覆盖所述多个发光元件的上表面的工序;
通过将固体的二氧化碳喷附在所述第一树脂的上表面来除去所述发光元件的上表面的所述第一树脂的工序。
2.如权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,
在所述除去的工序中,也除去在所述发光元件间配置的所述第一树脂的上部。
3.如权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,
所述覆盖的工序包括通过将气体喷附在所述配线基板的上表面来扩展所述第一树脂的工序。
4.如权利要求3所述的发光模块的制造方法,其特征在于,
所述区域的形状在俯视中为长方形,
在配置所述第一树脂的工序中,所述第一树脂沿所述区域的长边进行配置,
所述覆盖的工序具有从具有所述区域的长边以上的宽度的开口形状的喷嘴喷射所述气体、且使所述喷嘴在所述区域的短边所延伸的方向上移动的工序。
5.如权利要求4所述的发光模块的制造方法,其特征在于,
在所述覆盖的工序中,重复多次使所述喷嘴移动的工序。
6.如权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,还具有:
将含有荧光体的半固化状态的第二树脂在所述多个发光元件上及所述第一树脂上进行配置的工序;
将所述第二树脂固化的工序。
7.一种发光模块,其特征在于,具有:
配线基板;
多个发光元件,其具有上表面、与所述上表面相反一侧的下表面、以及位于所述上表面与所述下表面之间且从所述下表面向所述上表面扩展而倾斜的侧面,多个发光元件载置在所述配线基板上,以使所述下表面与所述配线基板的上表面对置;
第一树脂,其配置在所述配线基板的上表面与所述发光元件的下表面之间、以及邻接的所述发光元件的所述侧面间,且含有光反射物质;
第二树脂,其覆盖所述发光元件的上表面及所述第一树脂的上表面,且含有荧光体;
在邻接的所述发光元件间,所述第一树脂的上表面在所述配线基板与所述第二树脂对置的方向上位于所述发光元件的上表面与下表面之间,从所述第一树脂露出的所述发光元件的所述侧面由所述第二树脂覆盖。
8.如权利要求7所述的发光模块,其特征在于,
所述光反射物质含有氧化钛。
9.如权利要求7所述的发光模块,其特征在于,
所述第一树脂中所述光反射物质的浓度为50质量%以上、70质量%以下。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021060799 | 2021-03-31 | ||
JP2021-060799 | 2021-03-31 | ||
JP2022015422A JP7526917B2 (ja) | 2021-03-31 | 2022-02-03 | 発光モジュールの製造方法 |
JP2022-015422 | 2022-02-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115148863A true CN115148863A (zh) | 2022-10-04 |
Family
ID=80683797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210338039.9A Pending CN115148863A (zh) | 2021-03-31 | 2022-03-31 | 发光模块及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220328741A1 (zh) |
EP (1) | EP4068355A1 (zh) |
CN (1) | CN115148863A (zh) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3506002B2 (ja) * | 1997-07-28 | 2004-03-15 | 松下電工株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
KR20110125991A (ko) * | 2010-05-14 | 2011-11-22 | 하나 마이크론(주) | Led패키지 제조방법 |
WO2012158709A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed led arrays assembled by printing |
DE102011079403A1 (de) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR20130081515A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지용 기판 및 led 패키지 제조방법 |
US9082940B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-07-14 | Nitto Denko Corporation | Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device |
JP5994628B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法およびスプレーコーティング装置 |
US20140217437A1 (en) * | 2013-02-07 | 2014-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof |
JP2015012299A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光デバイス及びその製造方法 |
US9589852B2 (en) * | 2013-07-22 | 2017-03-07 | Cree, Inc. | Electrostatic phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating |
JP6761276B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 |
WO2017094461A1 (ja) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子 |
CN206652674U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-11-21 | 广东正点光电有限公司 | 一种具有喷气嘴结构的硅胶喷头 |
WO2020003789A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
-
2022
- 2022-03-08 EP EP22160812.8A patent/EP4068355A1/en active Pending
- 2022-03-23 US US17/702,245 patent/US20220328741A1/en active Pending
- 2022-03-31 CN CN202210338039.9A patent/CN115148863A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4068355A1 (en) | 2022-10-05 |
US20220328741A1 (en) | 2022-10-13 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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