CN115142009A - 蒸镀掩模单元的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种容易进行位置修正的蒸镀掩模单元的制造方法。本发明的蒸镀掩模单元的制造方法包括：在支承基板上形成剥离层的步骤；基于曝光数据，在所述剥离层上形成抗蚀剂图案的步骤；和在所述剥离层上的没有形成所述抗蚀剂图案的区域形成金属图案的步骤，所述曝光数据基于参数进行了修正，其中，所述参数用于对平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变中的至少一者进行修正。

Description

蒸镀掩模单元的制造方法

技术领域

本发明的一个实施方式涉及蒸镀掩模单元的制造方法。

背景技术

作为平板型显示装置，可以列举液晶显示装置和有机电致发光显示装置。这些显示装置是在基板上层叠绝缘体、半导体、导电体等包含各种材料的薄膜而得到的结构体，通过将这些薄膜适当地进行图案化并连接，能够实现作为显示装置的功能。

形成薄膜的方法大致可以分为气相法、液相法、固相法。气相法可以分为物理气相法和化学气相法，作为物理气相法的例子，已知有蒸镀法。蒸镀法中最简便的方法是真空蒸镀法，通过在高真空下对材料进行加热，使材料升华或蒸发(下面将升华和蒸发统称为气化)而生成材料的蒸气，通过使该蒸气在目标区域(下面称为蒸镀区域)进行固化、沉积，能够获得材料的薄膜。此时，为了有选择地在蒸镀区域形成薄膜，并且不使材料沉积在蒸镀区域以外的区域(下面称为非蒸镀区域)，可以使用将非蒸镀区域物理遮蔽的掩模(参照专利文献1、2)。该掩模被称为蒸镀掩模等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-87840号公报

专利文献2：日本特开2013-209710号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

蒸镀掩模一般是通过在由SUS等构成的基板上涂敷抗蚀剂后，利用使用光掩模的光刻法在基板上形成抗蚀剂图案，利用镀敷在基板上形成金属膜来制作的。利用镀敷形成的金属膜例如由镍(Ni)或作为含镍的合金的因瓦合金(Fe/Ni合金)等构成。这样的金属膜的应力会由于金属膜中包含的添加剂和/或杂质量等而发生变化，因此，有时在制造出的每个金属膜中会产生应力差。由于该应力差，每个蒸镀掩模的开口尺寸位置会发生偏差，显示装置的成品率有时会下降。为了防止成品率的下降，需要每天进行光掩模的更换和/或在曝光机中的位置修正。但是，光掩模的制作需要1～2周的前置时间(lead time)，而且制作会花费成本。因此，难以应用与蒸镀掩模的每天的应力变化相应的位置修正。

本发明的一个实施方式要解决的技术问题之一是提供一种容易进行位置修正的蒸镀掩模单元的制造方法。例如，本发明的一个实施方式要解决的技术问题之一是提供一种用于高效率、高成品率、并且低成本地制造蒸镀掩模单元的方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法包括：在支承基板上形成剥离层的步骤；基于曝光数据，在所述剥离层上形成抗蚀剂图案的步骤；和在所述剥离层上的没有形成所述抗蚀剂图案的区域形成金属图案的步骤，所述曝光数据基于参数进行了修正，其中，所述参数用于对平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变中的至少一者进行修正。

本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法包括：在支承基板上形成剥离层的步骤；基于曝光数据，在所述剥离层上形成抗蚀剂图案的步骤；和在所述剥离层上的没有形成所述抗蚀剂图案的区域形成金属图案的步骤，所述曝光数据基于修正值进行了修正，其中，所述修正值是基于过去制造的蒸镀掩模单元与想要的蒸镀掩模单元之间的偏差的大小而得到的。

附图说明

图1A是能够应用利用本发明的一个实施方式的方法制造的蒸镀掩模单元的蒸镀装置的俯视示意图。

图1B是能够应用利用本发明的一个实施方式的方法制造的蒸镀掩模单元的蒸镀装置的侧视示意图。

图2是利用本发明的一个实施方式的方法制造的蒸镀掩模单元的俯视示意图。

图3A是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3B是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3C是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3D是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3E是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3F是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3G是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3H是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3I是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3J是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3K是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图3L是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元的制造方法的截面示意图。

图4是表示将掩模图案配置在xy坐标平面上的情况的图。

图5是表示将掩模图案配置在xy坐标平面上的情况的图。

附图标记说明

100：蒸镀掩模单元，102：蒸镀掩模组，102a：蒸镀掩模，104：开口部，110：支承框架，110a：窗，160：蒸镀腔室，162：负载锁定门，164：蒸镀源，166：开闭门，168：移动机构，170：保持件，180：基板，301：支承基板，303：剥离层，305：抗蚀剂图案，307：掩模图案，308：虚设图案，309：抗蚀剂图案，311：接合层，317：连接部。

具体实施方式

下面，参照附图等对本发明的各实施方式进行说明。但是，本发明可以在不脱离其主旨的范围内以各种方式实施，不应限定于下面例示的实施方式的记载内容来解释。

为了使说明更明确，有时附图与实际的方式相比，示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但是，附图只不过是一个例子，并不是对本发明的解释进行限定。在本说明书和各图中，对于与关于已经出现的图在前面说明过的构成要素相同的构成要素，有时标注相同的附图标记而适当省略重复说明。

在本说明书和权利要求书中，在表达在某个结构体上配置另一个结构体的方式时，在仅记载为“在……上”的情况下，只要没有特别说明，就认为包含下述两种情况：以与某个结构体接触的方式，在该结构体的正上方配置另一个结构体的情况；和在某个结构体的上方，隔着其它结构体配置另一个结构体的情况。

下面，“某个结构体从另一个结构体露出”的表述，是指某个结构体的一部分没有被另一个结构体覆盖的方式，也包括该没有被另一个结构体覆盖的部分被其它结构体覆盖的方式。

下面，对本发明的一个实施方式的蒸镀掩模单元100的制造方法进行说明。

(第1实施方式)

[蒸镀装置]

利用本制造方法制造的蒸镀掩模单元100，在利用蒸镀法形成包含有机化合物、无机化合物、或者有机化合物和无机化合物的膜时，能够用于在作为目标的蒸镀区域中有选择地形成膜。图1A和图1B表示通过蒸镀形成膜时所使用的典型的蒸镀装置的俯视示意图和侧视示意图。蒸镀装置由具有各种功能的多个腔室构成。图1A表示作为腔室之一的蒸镀腔室160。蒸镀腔室160与相邻的腔室被负载锁定门162隔开，内部能够维持高真空的减压状态或者被氮气或氩气等不活泼气体充满的状态。因此，虽然图中没有表示，但是蒸镀腔室160与减压装置、气体吸排气机构等连接。

在蒸镀腔室160中设置有能够收纳基板等用于形成膜的对象物的空间。在图1A和图1B所示的例子中，蒸镀源164配置在基板180的下方，在蒸镀源164中填充有用于蒸镀的材料。在蒸镀源164中，材料被加热而气化，材料的蒸气经由蒸镀掩模单元100的开口部到达基板180的表面时会被冷却而固化，材料沉积从而在基板180上(在图1B中，是在基板180下侧的面上)形成材料的膜。在图1A中，作为一个例子，设置有具有大致长方形的形状且沿着基板180的一边配置的蒸镀源164(也被称为线源)，但是蒸镀源164可以是任意的形状，也可以是与基板180的重心重叠的被称为所谓的点源的蒸镀源164。在点源的情况下，可以将基板180与蒸镀源164的相对位置固定，并设置用于使基板180旋转的机构。

在使用线源型的蒸镀源164的情况下，蒸镀腔室160构成为能够使基板180与蒸镀源164相对移动。在图1A中，表示出了蒸镀源164被固定，基板180能够在其上方移动的例子。如图1B所示，蒸镀腔室160还包括：用于保持基板180和蒸镀掩模单元100的保持件170、用于使保持件170移动的移动机构168、开闭门166等。能够利用保持件170保持基板180与蒸镀掩模单元100相互的位置关系，并能够利用移动机构168使基板180和蒸镀掩模单元100在蒸镀源164的上方移动。开闭门166设置在蒸镀源164的上方，以将材料的蒸气遮蔽或者允许蒸气到达基板180，由未图示的控制装置来控制开闭。虽然没有图示，蒸镀腔室160还包括：用于监测材料的蒸镀速度的传感器、用于防止由材料引起的污染的防附着板、用于监测蒸镀腔室160内的压力的压力计等。

[蒸镀掩模单元]

图2表示蒸镀掩模单元100的俯视示意图。蒸镀掩模单元100可以是具有至少一个蒸镀掩模组102，也可以是具有多个蒸镀掩模组102。在下面的说明中，使用一个蒸镀掩模单元100具有多个蒸镀掩模组102的例子进行说明。在图2中表示出了包括4块蒸镀掩模组102的蒸镀掩模单元100。

各个蒸镀掩模组102包括多个蒸镀掩模102a。各个蒸镀掩模102a具有多个开口部104和非开口部。在各个蒸镀掩模102a中，非开口部将多个开口部104包围。蒸镀掩模单元100还包括用于支承蒸镀掩模组102的支承框架110。蒸镀掩模组102经由后述的至少一个连接部(连接部317，参照图3J)被固定在支承框架110上。连接部(317)的数量可以与蒸镀掩模组102的数量相同(参照图2)。各个连接部(317)将对应的蒸镀掩模组102中包含的多个蒸镀掩模102a的周围包围，将支承框架110与蒸镀掩模组102连接。

在蒸镀时，以蒸镀区域与蒸镀掩模102a的开口部104重叠、且非蒸镀区域与蒸镀掩模102a的非开口部重叠的方式配置蒸镀掩模单元100与基板180。材料的蒸气通过蒸镀掩模102a的开口部104，材料沉积在蒸镀区域上。在使用一个蒸镀掩模单元100制造多个显示装置的情况下，在被称为母玻璃的大型的基板180上形成多个显示装置的显示区域。

支承框架110具有至少一个窗110a。在蒸镀掩模单元100具有多个蒸镀掩模组102的情况下，至少一个窗110a包括与多个蒸镀掩模组102对应的多个窗110a。各个窗110a将蒸镀掩模102a的多个开口部104露出。在显示装置的显示区域中设置有多个像素。多个开口部104分别与设置有像素的像素区域对应。

包括多个蒸镀掩模102a的蒸镀掩模组102和连接部，包含镍或铜、钛、铬等0价的金属，优选包含镍。蒸镀掩模组102与连接部的材料组成可以彼此相同。支承框架110包含0价的金属，作为金属，可以选自镍、铁、钴、铬、锰等。例如，支承框架110可以是包含铁和铬的合金、铁、镍、锰的合金，合金中可以含有碳。

如上所述，蒸镀掩模102a由金属膜构成，该金属膜包含镍(Ni)或作为含镍合金的因瓦合金(Fe/Ni合金)等。金属膜的应力会由于金属膜中包含的添加剂和/或杂质量等而发生变化，当制作出的每个金属膜产生应力差时，由于该应力差，蒸镀掩模单元100的每个蒸镀掩模102a的开口尺寸位置会产生偏差。因此，在形成用于形成金属膜的掩模图案抗蚀剂(光掩模)时，要考虑由应力差引起的每个蒸镀掩模102a的开口尺寸的偏差来形成掩模图案抗蚀剂。具体而言，在形成掩模图案抗蚀剂时，要考虑由应力差引起的每个蒸镀掩模102a的开口尺寸的偏差，来设定在直接描画曝光装置中使用的曝光数据。由此，能够对由应力差引起的每个蒸镀掩模102a的开口尺寸的偏差进行补偿。

[蒸镀掩模单元100的制造方法]

下面，参照图3A～图3L对蒸镀掩模单元100的制造方法的一个例子进行说明。在本实施方式中，作为一个例子，对蒸镀掩模单元100具有由彼此相对的一对长边和一对短边构成的矩形形状的情况进行说明。另外，在本实施方式中，作为一个例子，对在将蒸镀掩模单元100配置在xy坐标平面上的情况下，在与第1～第4象限对应的区域中分别形成1个蒸镀掩模组102的情况进行说明。但是，蒸镀掩模单元100的形状、以及蒸镀掩模组102的配置和数量并不限于此。

首先，准备支承基板301。支承基板301是具有对设置在其上的剥离层303进行支承的功能的基板。支承基板301可以是SUS基板，但是并不限于此。

如图3A所示，在支承基板301上形成剥离层303。剥离层303是用于促进从蒸镀掩模单元100剥离、或者用于使将会成为蒸镀掩模102a的镀层生长的功能层。剥离层303例如可以是由镍构成的金属薄膜。另外，剥离层303也可以是由镍以外的金属例如钼、钨等构成的金属薄膜。剥离层303可以利用无电解镀敷法、电解镀敷法(下面，将无电解镀敷法和电解镀敷法统称为镀敷法)、溅射法或化学气相沉积(CVD)法，形成为例如20μm以上200μm以下、或者40μm以上150μm以下的厚度。剥离层303也可以具有由多个层构成的多层结构。在此，作为一个例子，对剥离层303由镍膜构成的情况进行说明。

接着，在剥离层303上涂敷光致抗蚀剂。光致抗蚀剂中包含光固性树脂。如图3B所示，通过对设置在剥离层303上的光致抗蚀剂进行直描曝光并进行显影，形成抗蚀剂图案(掩模图案抗蚀剂)305。在直描曝光中使用直描曝光装置。直描曝光装置不使用光掩模，而是将任意的图案数据(下面也称为曝光数据)直接转印到光致抗蚀剂上。抗蚀剂图案305有选择地呈岛状形成在要形成多个开口部的区域。

如上所述，金属膜的应力会由于金属膜中包含的添加剂和杂质量等而发生变化，因此，制造出的每个金属膜会产生应力差。由于该应力差，每个蒸镀掩模102a的开口尺寸位置会产生偏差，显示装置的成品率会降低。因此，在本实施方式中，在通过直描曝光形成抗蚀剂图案305时，基于紧接着当前制造的蒸镀掩模单元之前制造的蒸镀掩模单元100的实测值，对用于形成抗蚀剂图案305的曝光数据进行修正。

在本实施方式中，基于至少3个参数，测量紧接着当前制造的蒸镀掩模单元之前制造的蒸镀掩模单元100的畸变的大小，并对用于制造下一个蒸镀掩模单元100的抗蚀剂图案305的曝光数据进行修正。在此，至少3个参数包括平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变。

平行四边形畸变是指，在将蒸镀掩模单元100配置在xy坐标平面上的情况下，蒸镀掩模单元100的相对的两组边中的与x轴方向平行的一对边在x轴方向上的偏差。长边畸变是指，在将蒸镀掩模单元100配置在xy坐标平面上的情况下，蒸镀掩模单元100的相对的两组边中的一对长边在y轴方向上的偏差。短边畸变是指，在将蒸镀掩模单元100配置在xy坐标平面上的情况下，蒸镀掩模单元100的相对的两组边中的一对短边在x轴方向上的偏差。关于平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变，将在后面进行说明。

此外，上述的长边畸变是一对长边在y轴方向上的偏差，但是这适用于一对长边以与x轴平行的方式配置在xy坐标平面上的情况。在一对长边以与y轴平行的方式配置在xy坐标平面上的情况下，长边畸变可以是一对长边在x轴方向上的偏差。同样，上述的短边畸变是一对短边在x轴方向上的偏差，但是这适用于一对短边以与y轴平行的方式配置在xy坐标平面上的情况。在一对短边以与x轴平行的方式配置在xy坐标平面上的情况下，短边畸变可以是一对短边在y轴方向上的偏差。

接着，如图3C所示，利用镀敷法，在没有形成抗蚀剂图案305的区域生长金属膜，形成第1金属层307a。第1金属层307a由镍(Ni)或作为含镍的合金的因瓦合金(Fe/Ni合金)等构成。第1金属层307a的形成可以是以一个阶段进行，也可以是分多个阶段进行。在分多个阶段进行的情况下，可以以在不同的阶段形成不同的金属膜的方式进行镀敷。例如，第1金属层307a可以具有由无光泽镀膜和有光泽镀膜构成的两层结构。第1金属层307a的厚度可以在1μm～20μm的范围。优选第1金属层307a的厚度可以在3μm～10μm的范围。另外，作为无光泽镀膜与有光泽镀膜的膜厚的比例，没有特别限定，无光泽镀膜可以以超过整体的镀膜的1/2的方式形成。例如，在第1金属层307a的厚度为5μm的情况下，可以是无光泽镀膜约为3.75μm、有光泽镀膜约为1.25μm。

接下来，如图3D所示，将抗蚀剂图案305除去，形成由第1金属层307a构成的掩模图案307。在形成掩模图案307的同时，还形成与掩模图案307相邻的虚设图案308。虽然图中没有表示，但是可以在除去抗蚀剂图案305之后，使用AOI(Automated Optical Inspection：自动光学检查)装置进行掩模图案307的长度测量。通过该长度测量，能够掌握掩模图案307的更详细的变形量。该长度测量也可以是在将抗蚀剂图案305除去之前进行。另外，在此的长度测量也可以省略。

接下来，如图3E所示，在掩模图案307上形成抗蚀剂图案309。抗蚀剂图案309由干膜抗蚀剂形成。抗蚀剂图案309将虚设图案308的一部分露出。然后，如图3F所示，利用镀敷法，在虚设图案308上的没有形成抗蚀剂图案309的区域生长金属膜，形成第2金属层311a。接下来，如图3G所示，将抗蚀剂图案309除去，形成由第2金属层311a构成的接合层311。

接下来，如图3H所示，以接合层311的上表面露出的方式，在掩模图案307和虚设图案308上形成抗蚀剂图案313。抗蚀剂图案313由干膜抗蚀剂形成。接下来，如图3I所示，在虚设图案308上隔着抗蚀剂图案313接合由镍、铁等金属或因瓦合金等合金构成的支承框架110。支承框架110通过另外蚀刻金属板而得到。通过真空压接将支承框架110隔着抗蚀剂图案313接合在虚设图案308上。另外，作为任意的结构，可以在支承框架的上表面形成保护膜315。保护膜315可以与抗蚀剂图案313同样由干膜抗蚀剂构成。

接着，如图3J所示，使用镀敷法形成连接部317。连接部317主要从连接层311生长。利用连接部317将蒸镀掩模102a和支承框架110接合为一体。

接着，如图3K所示，将抗蚀剂图案313和虚设图案308除去。虽然图中没有表示，但是可以在将抗蚀剂图案313和虚设图案308除去之后，使用AOI装置进行掩模图案307的长度测量。通过该长度测量，能够掌握掩模图案307的更详细的变形量。此外，在此的长度测量可以省略。

进而如图3L所示，将剥离层303剥离，从而将蒸镀掩模单元100与支承基板301剥离。然后，使用AOI装置进行蒸镀掩模单元100的掩模图案的长度测量，计算与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差。

[曝光数据的修正方法]

如上所述，当通过直描曝光形成用于形成掩模图案307的抗蚀剂图案305时，基于紧接着当前制造的蒸镀掩模单元之前制造的蒸镀掩模单元100的实测值，对用于形成抗蚀剂图案305的曝光数据进行修正。对于制造出的蒸镀掩模单元100，使用AOI装置进行蒸镀掩模单元100中包含的蒸镀掩模102a的掩模图案的长度测量。

在本实施方式中，基于至少3个参数，即第1参数～第3参数，测量紧接着当前制造的蒸镀掩模单元之前制造的蒸镀掩模单元100的畸变的大小，并对用于制造下一个蒸镀掩模单元100的抗蚀剂图案305的曝光数据进行修正。下面对使用第1参数～第3参数的修正方法进行说明。

如上所述，在本实施方式中，作为一个例子，对在将蒸镀掩模单元100配置在xy坐标平面上的情况下，在与第1～第4象限对应的区域中分别形成1个蒸镀掩模组102的情况进行说明。在此，作为一个例子，对在与第4象限对应的区域中形成的抗蚀剂图案的曝光数据的修正进行说明。

图4和图5是表示将使用基于曝光数据形成的抗蚀剂图案而形成的蒸镀掩模组102的掩模图案配置在xy坐标平面上的情况的一个例子的图。在图4和图5中，用实线表示实际形成的蒸镀掩模组102的掩模图案，用虚线表示基于想要的设计值的掩模图案。在此，基于想要的设计值的掩模图案是具有一对长边和一对短边、并且具有4个顶点P1～P4的矩形形状的图案，设顶点P1在xy坐标平面上的坐标为(x1，y1)，顶点P2在xy坐标平面上的坐标为(x2，y2)，顶点P3在xy坐标平面上的坐标为(x3，y3)，顶点P4在xy坐标平面上的坐标为(x4，y4)。

当基于想要的设计值进行直描曝光时，如虚线所示，掩模图案会形成为整体形状为具有一对长边和一对短边的矩形形状的图案。但是，金属膜的应力会由于金属膜中包含的添加剂和杂质量等而发生变化，因此，由于制造出的每个金属膜的应力差的不同，实际形成的掩模图案，如图4和图5中用实线表示的掩模图案那样会与设计值产生偏差。

参照图4，实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案相比，整体畸变为平行四边形。当在实际形成的掩模图案中，将与基于想要的设计值的掩模图案的4个顶点P1、P2、P3、P4对应的顶点设为顶点PA(xa，ye)、顶点PB(xb，yb)、顶点PC(xc，yc)、顶点PD(xd，yd)时，实际形成的掩模图案的4个顶点PA、PB、PC、PD相对于基于想要的设计值的掩模图案中的对应的4个顶点P1、P2、P3、P4，在x轴方向上大致平行地发生了偏移。详细而言，在xy坐标平面上，实际的掩模图案的顶点PD的x坐标小于基于想要的设计值的掩模图案的顶点P4的x坐标，即xd＜x4。此外，顶点PD的y坐标与顶点P4的y坐标大致相同。即yd≈y4。另外，顶点PD的对角线上的实际的掩模图案的顶点PB的x坐标大于基于想要的设计值的掩模图案的顶点P2的x坐标，即xb＞x2。此外，顶点PB的y坐标与顶点P2的y坐标大致相同。即yb≈y2。另一方面，实际的掩模图案的顶点PA和位于其对角线上的顶点PC，与基于想要的设计值的掩模图案的顶点P1和位于其对角线上的顶点P3大致一致。当产生这样的偏差时，如图4所示，掩模图案的整体形状与基于想要的设计值的掩模图案相比，整体畸变为平行四边形。下面，将掩模图案产生的平行四边形形状的畸变称为平行四边形畸变。

对该平行四边形畸变进行修正，以使完成的掩模图案的形状接近基于想要的设计值的掩模图案。即，以将平行四边形畸变抵消的方式对曝光数据进行修正。为了对平行四边形畸变进行修正，计算掩模图案的平行四边形畸变的大小，即掩模图案中的与x轴方向平行的一对边在x轴方向上的偏差，并将其结果反映在形成抗蚀剂图案时所使用的曝光数据中。计算出的平行四边形畸变的大小，主要可以作为用于掩模图案的4个顶点PA、PB、PC、PD的位置修正的修正值使用。在图4中，顶点PB和顶点PD偏离了基于设计值的掩模图案中的对应的顶点P2、顶点P4。在该情况下，图4所示的实际形成的掩模图案的平行四边形畸变的大小可以根据式(1)来计算。

平行四边形畸变的大小＝(xa+xd)/2-(xb+xc)/2……式(1)

根据上述式(1)计算出的平行四边形畸变的大小被反映在曝光数据中。通过假设掩模图案可能产生的平行四边形畸变，并将可能产生的平行四边形畸变的大小预先反映在曝光数据中，来抵消平行四边形畸变。例如，在根据上述式(1)得到的平行四边形畸变的大小为α的情况下，为了抵消图4所示的掩模图案的平行四边形畸变，将与顶点PD对应的顶点P4的x坐标设定为(x4+α)，将与顶点PB对应的顶点P2的x坐标设定为(x2-α)。通过这样预先假设由平行四边形畸变引起的图案偏差之后，基于畸变的大小(偏差量)设定曝光数据，形成与掩模图案对应的抗蚀剂图案，能够对实际在掩模图案中产生的偏差进行补偿，使完成的掩模图案的形状接近基于想要的设计值的掩模图案。

参照图5，实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案相比，在x轴方向上延伸的长边和在y轴方向上延伸的短边产生了畸变。在图5中，长边的中央部附近在y轴方向上畸变为弓形，短边的中央部附近在x轴方向上畸变为弓形。下面，将长边产生的畸变称为长边畸变，将短边产生的畸变称为短边畸变。对该长边畸变和短边畸变进行修正，以使完成的掩模图案的形状接近基于想要的设计值的掩模图案。即，以将长边畸变和短边畸变抵消的方式对曝光数据进行修正。

为了对长边畸变和短边畸变进行补偿，计算掩模图案的长边畸变和短边畸变的大小，即掩模图案的长边在y轴方向上的偏差和掩模图案的短边在x轴方向上的偏差，并将其结果反映在形成抗蚀剂图案时所使用的曝光数据中。

在本实施方式中，根据实际形成的掩模图案的长边上的任意3点的坐标来计算长边畸变的大小。在此，实际形成的掩模图案的长边上的任意3点没有特别限定，可以是畸变相对较大的区域中的任意的点。在图5所示的实际形成的掩模图案的例子中，以图中的上侧的长边(连接顶点PA、PD的边)的中央部附近为中心呈弓形产生了畸变，因此，可以在该长边的中央部附近设定任意3点。例如，可以如图5所示的那样，作为连接顶点PA和顶点PD的边(下面称为第1长边)上的任意3点，设定点PE、点PF和点PG。将该点PE、点PF和点PG中的与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差的大小最大的点的偏差量作为第1长边畸变的大小。

设点PE在xy坐标平面上的坐标为(xe，ye)，点PF在xy坐标平面上的坐标为(xf，yf)，点PG在xy坐标平面上的坐标为(xg，yg)，yg＞ye且yg＞yf。在图5中，将实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案进行比较，点PE、点PF和点PG中的与基于想要的设计值的掩模图案在y轴方向上的偏差的大小最大的点是点PG。即，点PG的与基于想要的设计值的掩模图案在y轴方向上的偏差量为第1长边畸变的大小。在该情况下，第1长边畸变的大小可以根据下面的式(2)来计算。

第1长边畸变的大小＝(ya+yd)/2-yg……式(2)

可以同样计算作为与第1长边相对的边的、连接顶点PB和顶点PC的边(下面称为第2长边)的畸变的大小。在图5所示的例子中，可以在第2长边的中央附近设定点PK、点PL和点PM作为任意3点。将该点PK、点PL和点PM中的与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差的大小最大的点的偏差量作为第2长边畸变的大小。设点PK在xy坐标平面上的坐标为(xk，yk)，点PL在xy坐标平面上的坐标为(xl，yl)，点PM在xy坐标平面上的坐标为(xm，ym)，yk＜yl且yk＜ym。换言之，|yk|＞|y1|且|yk|＞|ym|。在图5中，将实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案进行比较，点PK、点PL和点PM中的与基于想要的设计值的掩模图案在y轴方向上的偏差的大小最大的点是点PK。即，点PK的与基于想要的设计值的掩模图案在y轴方向上的偏差量为第2长边畸变的大小。在该情况下，第2长边畸变的大小可以根据下面的式(3)来计算。

第2长边畸变的大小＝(yb+yc)/2-yk……式(3)

根据上述方法计算出的第1长边畸变的大小和第2长边畸变的大小，主要可以作为与第1长边和第2长边平行的掩模图案的坐标位置的修正值使用。

可以与上述的长边畸变大小的计算方法同样地计算短边畸变的大小。下面对计算连接顶点PA与顶点PB的边(下面称为第1短边)的畸变的大小的情况进行说明。在图5所示的实际形成的掩模图案的例子中，以第1短边的中央部附近为中心呈弓形产生了畸变，因此，可以在第1短边的中央部附近设定点PH、点PI和点PJ作为任意3点。将该点PH、点PH和点PJ中的与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差的大小最大的点的偏差量作为第1短边畸变的大小。设点PH在xy坐标平面上的坐标为(xh，yh)，点PI在xy坐标平面上的坐标为(xi，yi)，点PJ在xy坐标平面上的坐标为(xj，yj)，xi＞xh且xi＞xj。在图5中，将实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案进行比较，点PH、点PI和点PJ中的与基于想要的设计值的掩模图案在x轴方向上的偏差的大小最大的点是点PI。即，点PI的与基于想要的设计值的掩模图案在x轴方向上的偏差量为第1短边畸变的大小。在该情况下，第1短边畸变的大小可以根据下面的式(4)来计算。

第1短边畸变的大小＝(xa+xb)/2-xi……式(4)

可以同样计算作为与第1短边相对的边的、连接顶点PB和顶点PD的边(下面称为第2短边)的畸变的大小。在图5所示的例子中，可以在第2短边的中央部附近设定点PN、点PO和点PP作为任意3点。将该点PN、点PO和点PP中的与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差的大小最大的点的偏差量作为第2短边畸变的大小。设点PN在xy坐标平面上的坐标为(xn，yn)，点PO在xy坐标平面上的坐标为(xo，yo)，点PP在xy坐标平面上的坐标为(xp，yp)，xo＜xn且xo＜xp。换言之，是|xo|＞|xn|且|xo|＞|xp|。在图5中，将实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案进行比较，点PN、点PO和点PP中的与基于想要的设计值的掩模图案在x轴方向上的偏差的大小最大的点是点PO。即，点PO的与基于想要的设计值的掩模图案在x轴方向上的偏差量为第2短边畸变的大小。在该情况下，第2短边畸变的大小可以根据下面的式(5)来计算。

第2短边畸变的大小＝(xc+xd)/2-xo……式(5)

根据上述方法计算出的第1短边畸变的大小和第2短边畸变的大小，主要可以作为与第1短边和第2短边平行的掩模图案的坐标位置的修正值使用。

在基于计算出的畸变的大小(偏差量)对曝光数据进行修正时，优选以基于偏差量对抗蚀剂图案整体的坐标位置进行修正的方式，对曝光数据进行修正。例如，在为了使如图4所示的掩模图案的4个顶点PB和顶点PD的位置接近基于想要的设计值的掩模图案的顶点P2、顶点P4，而基于计算出的平行四边形畸变的大小对曝光数据进行修正的情况下，不仅2个顶点PB、PD的坐标位置对进行修正，也对连接顶点PB和顶点PA的边(第1短边)上的任意点的x坐标进行修正。同样，也对连接顶点PD和顶点PC的边(第2短边)上的任意点的x坐标进行修正。可认为，在实际形成的掩模图案中，第1短边或第2短边上的任意点与顶点PB或顶点PD的距离越近，与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量越大。因此，也可以根据与顶点PB、顶点PD的距离来改变对曝光数据的修正值。例如，可以是，第1短边或第2短边上的任意点与顶点PB或顶点PD的距离越小，即越接近顶点PB或顶点PD，使用于对任意点的x坐标进行修正的修正值越大，第1短边或第2短边上的任意点与顶点PB、顶点PD的距离越大，即越远离顶点PB、顶点PD，使修正值越小。

同样，在为了对第1长边畸变进行修正而基于计算出的第1长边畸变的大小对曝光数据进行修正的情况下，优选不仅对与计算出的第1长边畸变的大小对应的任意点PG的坐标位置进行修正，也对第1长边上的任意点的y坐标进行修正。可认为，在实际形成的掩模图案中，第1长边上的任意点与点PG的距离越近，与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量越大。因此，也可以根据与点PG的距离来改变对曝光数据的修正值。例如，可以是，任意点与点PG的距离越小，即越接近点PG，使用于对任意点的y坐标进行修正的修正值越大，任意点与点PG的距离越大，即越远离点PG，使修正值越小。第2长边畸变的修正、第1短边畸变的修正和第2短边畸变的修正也是同样。

上面参照图4和图5，对曝光数据的修正进行了说明。如上所述，在图4和图5中，作为一个例子，对在与第4象限对应的区域中形成的抗蚀剂图案的曝光数据的修正进行了说明。对于用于制造在与第1象限～第3象限对应的区域中形成的蒸镀掩模组102的抗蚀剂图案的曝光数据，也可以利用上述的方法对各象限计算修正值，基于计算出的修正值对与各象限对应的曝光数据进行修正。在本实施方式中，作为修正对象的曝光数据，是在形成紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案时所使用的曝光数据。

根据利用上述的方法计算出的、紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量，对在形成用于接下来要制作的掩模图案的抗蚀剂图案时使用的曝光数据进行修正。通过将实际形成的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量反映在用于形成抗蚀剂图案的曝光数据中，能够抑制接下来要制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差，提高使用蒸镀掩模制作的显示装置的成品率。

(第2实施方式)

在上面说明的第1实施方式中，是根据紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量，对在形成用于接下来要制作的掩模图案的抗蚀剂图案时使用的曝光数据进行修正。在第1实施方式中，作为修正对象的曝光数据，是在形成紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案时所使用的曝光数据。但是，作为修正对象的曝光数据并不限于此。例如，也可以是测量过去制作的多个掩模图案的形状，并将相对于基于想要的设计值的掩模图案产生了典型变形的掩模图案的制作中所使用的抗蚀剂图案的曝光数据作为基准曝光数据，将该基准曝光数据作为修正对象。在本实施方式中，对将基准曝光数据作为修正对象时的修正方法进行说明。

在本实施方式中，获得基准曝光数据。如上所述，为了获得基准曝光数据，首先，基于过去制作的多个掩模图案的形状的实测值，选择相对于基于想要的设计值的掩模图案产生了典型变形的掩模图案。将在该选择的掩模图案的制作中所使用的抗蚀剂图案的曝光数据设定为基准曝光数据。基准曝光数据包括将产生了典型变形的掩模图案配置在xy坐标平面上的情况下的与任意多个点对应的抗蚀剂图案的xy坐标信息。任意多个点的数量并没有限定，在此为360个。即，基准曝光数据包括与360个点对应的xy坐标信息。在选择了多个产生了典型变形的掩模图案的情况下，可以计算与所选择的多个掩模图案对应的曝光数据的平均值，将计算出的曝光数据的平均值设定为基准曝光数据。另外，也可以是计算与过去制作的多个掩模图案中的规定的多个掩模图案对应的曝光数据的平均值，将计算出的曝光数据的平均值设定为基准曝光数据。在此，规定的多个掩模图案可以从最近的几天制造的多个掩模图案中选择。

接下来，计算紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量。该偏差量是上述任意360个点的各点的、紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量。即，对于360个点，计算紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量。

接下来，基于计算出的偏差量，来确定对于基准曝光数据的修正值。首先，对基准曝光数据乘以计算出的偏差量(紧接着当前制作的掩模图案之前制作的掩模图案与基于想要的设计值的掩模图案之间的偏差量)的0.1倍～1.5倍的各个数值。在此，已对任意360个点计算出了偏差量，因此，能够计算出360个图案的偏差量。考虑基于其它外部因素的变化量，将该360个图案的偏差量各自的0.1倍～1.5倍的数值作为临时的修正值，并反映在包括与360个点对应的xy坐标信息的基准曝光数据中。选择由此获得的曝光数据中的与想要的设计值之间的差最小的曝光数据。将计算所选择的曝光数据时乘以的临时的修正值确定为修正值。例如，在将基准曝光数据乘以计算出的偏差量中的规定的偏差量的1.1倍的数值而得到的曝光数据与想要的设计值之间的差最小的情况下，修正值为将该规定的偏差量的1.1倍的值。将基准曝光数据乘以所确定的修正值而得到的曝光数据，成为修正后的曝光数据。

Claims (6)

1.一种蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于，包括：

在支承基板上形成剥离层的步骤；

基于曝光数据，在所述剥离层上形成抗蚀剂图案的步骤；和

在所述剥离层上的没有形成所述抗蚀剂图案的区域形成金属图案的步骤，

所述曝光数据基于参数进行了修正，其中，所述参数用于对平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变中的至少一者进行修正。

2.如权利要求1所述的蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于：

所述参数能够基于过去制造的蒸镀掩模单元的平行四边形畸变的大小、长边畸变的大小或短边畸变的大小进行变更。

3.如权利要求2所述的蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于：

所述过去制造的蒸镀掩模单元是紧接着当前制造的蒸镀掩模单元之前制造的蒸镀掩模单元。

4.如权利要求2或3所述的蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于：

所述曝光数据能够以将过去制造的蒸镀掩模单元的平行四边形畸变、长边畸变和短边畸变中的至少一者抵消的方式进行修正。

5.一种蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于，包括：

在支承基板上形成剥离层的步骤；

基于曝光数据，在所述剥离层上形成抗蚀剂图案的步骤；和

在所述剥离层上的没有形成所述抗蚀剂图案的区域形成金属图案的步骤，

所述曝光数据基于修正值进行了修正，其中，所述修正值是基于过去制造的蒸镀掩模单元与想要的蒸镀掩模单元之间的偏差的大小而得到的。

6.如权利要求5所述的蒸镀掩模单元的制造方法，其特征在于：

所述修正值能够基于所述偏差的大小和规定的基准曝光数据来确定。

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