CN115135802A - 基板处理设备及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基板处理设备及一种基板处理方法。根据本发明的基板处理设备及基板处理方法具有如下优点：基板处理设备包括腔体，腔体的内部空间被划分为第一空间及第二空间，通过依序将工艺气体喷向分别置于第一空间和第二空间的基板上，在分别置于第一空间和第二空间中的基板上可形成具有均匀厚度的薄膜。
Description
技术领域
本公开涉及一种基板处理设备及方法，尤其涉及能依序将工艺气体喷向位于通过划分基板处理设备的腔体内部空间而获得的第一空间和第二空间中的基板上、从而形成具有均匀厚度的薄膜的基板处理设备及方法。
背景技术
一般而言，为了制造半导体装置而进行薄膜沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等其他工艺，且各工艺皆在用于相应工艺的最佳环境的腔体中进行。薄膜沉积工艺是指通过在硅晶圆上沉积原料来形成薄膜的工艺，光刻工艺是指使用感光材料对选自薄膜中的区域进行曝光或隐藏的工艺，而蚀刻工艺是指通过去除所选区域的薄膜而以期望方式图案化所选区域的工艺。
可使用例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)装置及原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)装置等各种装置作为在硅晶圆上形成预定薄膜的薄膜沉积装置。薄膜沉积装置应用至用于制造半导体的各种领域。近年来，随着半导体装置的设计规则的骤减，需要具有精细图案的薄膜。因此，增加了能均匀形成具有原子层厚度的精细图案的ALD装置的使用。
CVD装置将反应产物沉积在基板上，所述反应产物通过将多种气体分子同时喷射至工艺腔体中而在基板上产生。然而，ALD设备通过将一种气体材料喷射至工艺腔体中而仅在基板的顶表面上沉积化学反应产物，通过吹扫此气体材料而仅留下物理吸附在受热基板的顶部上的气体，之后喷射另一种气体材料。
在沉积装置中，ALD装置能沉积具有优异均匀性的纳米薄膜。因此，作为用于制造纳米尺度半导体装置所需的沉积技术，ALD装置引起许多关注。尤其是，ALD装置能以埃为单位精确地控制薄膜的厚度。因此，ALD装置具有优异的段差覆盖率，且甚至能均匀沉积复杂的三维结构，并精确控制薄膜的厚度及组成。因此，ALD装置能以均匀速度沉积横跨大面积的材料。
以往应用有ALD装置的基板处理设备包括用于支撑基板的基板支撑单元，以及布置在基板支撑单元的顶部且配置为喷射工艺气体的气体喷射单元。
此时，气体喷射单元将原料气体喷向安置在基板支撑单元上的基板的顶部上，之后喷射吹扫气体以吹扫基板的顶部。随后，重复进行将反应气体喷向基板的顶部上且之后再次喷射吹扫气体以吹扫基板的顶部的过程，以在基板的顶部上形成均匀的薄膜。
然而，以往的ALD装置的问题在于，由于薄膜是通过将原料气体及反应气体依序喷向腔体内的一个基板的方式来沉积，故生产率降低。
即使在处理多个基板时，薄膜沉积在固定位于第一空间及第二空间中的基板的位置处进行。在此情况下，腔体内的结构问题或形成在基板支撑单元上的加热器端子的影响可能会改变沉积在位于第一空间及第二空间中的多个基板上的薄膜的均匀性。
发明内容
技术问题
各种实施例针对能重复在第一空间及第二空间中独立形成薄膜的工艺的基板处理设备及方法，所述第一空间及第二空间通过划分基板处理设备的腔体的内部空间而获得，并且彼此不重叠，通过将工艺气体喷向分别位于第一空间及第二空间中的第一基板及第二基板上，在形成具有预定厚度的薄膜之后，将支撑有多个基板的基座旋转预定角度以改变第一基板及第二基板的位置，并且再次喷射工艺气体，以形成具有预定厚度的薄膜，因此最小化在第一空间及第二空间中的位置的影响，从而形成具有均匀厚度的薄膜。
技术手段
在一个实施例中，基板处理设备可包括：腔体，包括第一空间及不与第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，设置成在腔体中横跨第一空间及第二空间，且配置成支撑在第一空间中的一个或多个基板及支撑在第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向在第一空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第一空间中；以及第二喷射单元，朝向在第二空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第二空间中；其中第一喷射单元及第二喷射单元各包括：第一气体喷射流道，配置成喷射第一气体；以及第二气体喷射流道，配置成喷射与第一气体不同的第二气体。
在一个实施例中，提供一种基板处理方法，通过使用基板处理设备来处理基板，基板处理设备包括：腔体，包括第一空间及不与第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，设置成在腔体中横跨第一空间及第二空间，且配置成支撑在第一空间中的一个或多个基板且支撑在第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向在第一空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第一空间中；以及第二喷射单元，朝向在第二空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第二空间中。基板处理方法可包括：基板设置步骤，将一个或多个第一基板及一个或多个第二基板分别设置在第一喷射单元及第二喷射单元下方；第一薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向第一基板及第二基板的工艺；第一基座旋转步骤，通过将基座旋转预定角度，使第一基板移动至第二喷射单元下方，且使第二基板移动至第一喷射单元下方；以及第二薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向第二基板及第一基板的工艺。
在一个实施例中，提供一种基板处理方法，通过使用基板处理设备来处理基板，基板处理设备包括：腔体，包括第一空间及不与第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，设置成在腔体中横跨第一空间及第二空间，且配置成支撑在第一空间中的一个或多个基板且支撑在第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向在第一空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第一空间中；以及第二喷射单元，朝向在第二空间中的基座，且配置成将不同的两种或多种气体喷射至第二空间中。基板处理方法可包括：基板设置步骤，将一个或多个第一基板及一个或多个第二基板分别设置在第一喷射单元及第二喷射单元下方；以及薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向第一基板及第二基板的工艺，其中薄膜形成步骤包括：经由第一气体喷射流道喷射原料气体；以及经由与第一气体喷射流道不同的第二气体喷射流道喷射反应气体。
技术效果
根据本公开的实施例，基板处理设备及方法能重复以下工艺：通过依序将第一气体及第二气体喷向设置在第一空间及第二空间中的基板上而形成具有预定厚度的薄膜，旋转基座，以及通过依序将第一气体及第二气体再次喷向设置在第一空间及第二空间中的基板上而形成具有预定厚度的薄膜，从而形成具有预定厚度的薄膜，从而提升沉积在位于第一空间及第二空间中的多个基板上的薄膜的均匀性。
附图说明
图1是用于描述在根据本公开的一个实施例的基板处理设备中的腔体内部的平面结构的图。
图2a是简要示出沿图1的线B-B截取的腔体的截面的剖面图。
图2b是图2a的部分C的放大剖面图。
图2c是图2a的部分D的放大剖面图。
图3a及图3b是用于描述在根据本公开的实施例的基板处理设备中的基座的底部平面结构的图。
图4是示出根据本公开的一个实施例的基板处理方法的工艺流程图。
图5是示出根据本公开的另一实施例的基板处理方法的工艺流程图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本公开的示例性实施例，以使本公开所属技术领域的普通技术人员能容易实施本公开。在各附图上标记的参考符号中，相似参考符号表示相同的部件。
此外，在描述本公开时，将排除对相关公知技术的详细描述，以避免使本公开的主题非必要模糊。
例如第一及第二等用语可用于描述各种部件，但此等部件不受用语的限制，并且此等用语仅用于区分一个部件与另一部件。
图1是用于描述在根据本公开的一个实施例的基板处理设备中的腔体内部的平面结构的图，且图2a是简要示出沿图1的线B-B截取的腔体的截面的剖面图。图2b是图2a的部分C的放大剖面图，且图2c是图2a的部分D的放大剖面图。
以下，将参照图1及图2a至图2c描述根据本公开的实施例的基板处理设备1000。
根据本公开的实施例的基板处理设备1000包括腔体1100、腔体盖件1200、基座1300及气体喷射单元1400。
在其中于基板上进行例如薄膜沉积及蚀刻等实际工艺的腔体1100可耦接至腔体盖件1200，以形成封闭的反应空间。此时，反应空间可包括第一空间A1、第二空间A2及第三空间A3。第三空间A3可作为吹扫空间，以使第一空间A1及第二空间A2彼此分隔。
基座1300在腔体1100内横跨第一空间A1及第二空间A2，基座1300支撑在第一空间A1中的一个或多个基板W1以及支撑在第二空间A2中的一个或多个基板W2。对于工艺，基座1300可绕着位于其底部的旋转轴1310沿水平的顺时针方向或逆时针方向旋转。此时，基座1300可在预定时段中以预定角度旋转。
基座1300可将多个基板Wl及W2装载至以预定角度彼此相间隔开的位置。此时，可考虑第一喷射单元1410、第二喷射单元1420及第三喷射单元1430之间的设置间隔来决定装载基板W1及W2的位置之间的间距。举例而言，装载基板W1及W2的位置之间的间距可设定成与第一喷射单元1410、第二喷射单元1420及第三喷射单元1430之间的设置间隔相同的值。
第三喷射单元1430可基于基座1300的旋转中心而配置在基座1300上方，以使第三喷射单元1430及基座1300彼此面对面。第三喷射单元1430喷射吹扫气体以形成将腔体1100的内部划分为第一空间A1及第二空间A2的第三空间A3。
在腔体1100内的第一空间A1的顶部，第一喷射单元1410形成为朝向基座1300。第一喷射单元1410用于将不同的两种或多种气体喷射至第一空间A1中。此外，在腔体1100内的第二空间A2的顶部，第二喷射单元1420形成为朝向基座1300。第二喷射单元1420用于将不同的两种或多种气体喷射至第二空间A2中。
第一喷射单元1410包括第一气体喷射流道1410a及第二气体喷射流道1410b，经由第一气体喷射流道1410a将第一气体喷射至第一空间A1中，经由第二气体喷射流道1410b将与第一气体不同的第二气体喷射至第一空间A1中。第一喷射单元1410通过将第一气体及第二气体经由第一气体喷射流道1410a及第二气体喷射流道1410b交替喷射至第一空间A1中，而在位于第一空间A1中的基板上形成薄膜。此时，第一气体或第二气体可以等离子体状态喷向基板。
当第一气体等离子体化并被喷射时，可活化惰性的第一气体以产生大量的自由基及离子。因此，即使在低温下亦能分解第一气体，并且能有效去除含在第一气体本身中的杂质。当第二气体等离子体化并被喷射时，可提升薄膜的密度以增加薄膜的均匀性。
取决于电极结构，等离子体可实现为通过将RF电源施加至第一气体所停留的空间中而产生的直接等离子体或远距等离子体。
第一喷射单元1410可在喷射第一气体或第二气体之后喷射吹扫气体。第一喷射单元1410在喷射第一气体的时间点与喷射第二气体的时间点之间的时段期间喷射第一吹扫气体，并且在喷射第二气体的时间点与喷射第一气体的时间点的时段期间喷射第二吹扫气体。此时，第一吹扫气体及第二吹扫气体的一种或多种可以等离子体状态喷向基板。当第一吹扫气体及第二吹扫气体被等离子体化并被喷射时，可选择性沉积于形成在薄膜上的图案的顶部、底部及侧壁。此外，当吹扫气体被等离子体化并被喷射在薄膜上时，可去除薄膜的表面所含的氢以使薄膜的表面改质，如此能形成具有高选择性的薄膜。
第一喷射单元1410可包括用于将第一气体、第二气体、第一吹扫气体或第二吹扫气体以等离子体状态喷向基板的电极1411。
电极1411可包括第一电极1411a及第二电极1411b。第一电极1411a可具有形成在其上的多个凸出电极1411a1，并且第二电极1411b可具有形成在对应于各凸出电极1411a1的位置的开口，以使凸出电极1411a1插进开口。
为了在凸出电极1411a1的侧表面与第二电极1411b的开口的内表面之间产生等离子体，可通过RF电源供应单元1413a及1413b将RF电源施加至第一电极1411a及第二电极1411b的至少任一者。
第一气体经由延伸至凸出电极1411a1的第一气体喷射流道1410a喷射，并且第二气体经由在凸出电极1411a1的侧表面与第二电极1411b的开口的内表面之间的第二气体喷射流道1410b喷射。
第二喷射单元1420包括第一气体喷射流道及第二气体喷射流道，经由第一气体喷射流道将第一气体喷射至第二空间A2中，经由第二气体喷射流道将与第一气体不同的第二气体喷射至第二空间A2中。第二喷射单元1420通过将第一气体及第二气体经由第一气体喷射流道及第二气体喷射流道交替喷射至第二空间A2中，而在位于第二空间A2中的基板上形成薄膜。此时，第一气体或第二气体可以等离子体状态喷向基板。第二喷射单元1420的详细配置与第一喷射单元1410的详细配置相同。
第二喷射单元1420可在喷射第一气体或第二气体之后喷射吹扫气体。第二喷射单元1420在喷射第一气体的时间点与喷射第二气体的时间点之间的时段期间喷射第一吹扫气体，并且在喷射第二气体的时间点与喷射第一气体的时间点的时段期间喷射第二吹扫气体。此时，第一吹扫气体及第二吹扫气体的一种或多种可以等离子体状态喷向基板。
第二喷射单元1420可包括用于将第一气体、第二气体、第一吹扫气体或第二吹扫气体以等离子体状态喷向基板的电极。
电极可包括第一电极及第二电极。第一电极可具有形成在其上的多个凸出电极，而第二电极可具有形成在对应于各凸出电极的位置的开口，以使凸出电极插进开口。
为了在凸出电极的侧表面与第二电极的开口的内表面之间产生等离子体，可将RF电源施加至第一电极及第二电极的至少任一者。
第一气体经由延伸至凸出电极的第一气体喷射流道喷射，并且第二气体经由在凸出电极的侧表面与第二电极的开口的内表面之间的第二气体喷射流道喷射。
在本公开中，描述第一气体为原料气体，而第二气体为反应气体。然而，本公开不限于此，第一气体亦可为反应气体，而第二气体亦可为原料气体。
当第一喷射单元1410及第二喷射单元1420喷射第一气体或第二气体时，可使基座1300停止。
腔体1100还可包括在第一空间A1及第二空间A2之间的第三空间A3。第三空间A3可包括配置为将第三吹扫气体喷向基座的第三喷射单元1430。此时，第三吹扫气体可以等离子体状态喷向基板。
第三喷射单元1430可包括电极1431，用于将第三吹扫气体以等离子体状态喷向基板。
电极1431可包括第三电极1431a及第四电极1431b。第三电极1431a可具有形成在其上的多个凸出电极1431a1，并且第四电极1431b可具有形成在对应于各凸出电极1431a1的位置的开口，以使凸出电极1431a1插进开口。
为了在凸出电极1431a1的侧表面与第四电极1431b的开口的内表面之间产生等离子体，可通过RF电源供应单元1433a及1433b将RF电源施加至第三电极1431a及第四电极1431b的至少任一者。
通过第一喷射单元1410及第二喷射单元1420，可对形成在基板上的薄膜进行等离子体处理。当在薄膜上进行此种等离子体处理时，可改善所沉积的薄膜的电特性及光学特性，及可改善薄膜的例如疏水性或亲水性等表面改质特性，从而能改善整个薄膜的均匀性。
图3a及图3b是用于描述在根据本公开的实施例的基板处理设备的基座中的加热器设置结构的图。
图3a是用于描述根据本公开的实施例的基板处理设备的基座内的加热器设置结构的图，而图3b是用于描述在根据本公开的实施例的基板处理设备的基座旋转180度之后的加热器设置结构的图。
如图3a及图3b所示，根据本公开的实施例的基板处理设备1000可更包括加热器1500，其安装在基座1300的底部且用于加热基板。加热器1500可包括多个加热器构件1510、1520、1530、1540及1550，各配置为细长管状线。多个加热器构件1510、1520、1530、1540及1550可形成同心图案，且包括连接至外部电源供应器(未图示)的多个电源供应端子1510a、1520a、1530a、1540a及1550a。
一般而言，加热器的加热器构件及电源供应端子可以同心形状对称设置在第一空间及第二空间中。然而，当在第一空间及第二空间中对称形成加热器构件及电源供应端子时，即使已位于第一空间中的基板通过基座的旋转而移动并位于第二空间中，电源供应端子亦可设置在相同的区域中。因此，可改变沉积在位于第一空间及第二空间中的多个基板上的薄膜的均匀性。
在根据本公开的实施例的基板处理设备中，多个加热器构件1510、1520、1530、1540及1550及电源供应端子1510a、1520a、1530a、1540a及1550a可不对称设置在第一及第二空间A1及A2中。或者，设置在第一空间中的加热器构件的图案可与设置在第二空间中的加热器构件的图案不同。因此，位于第一空间中的基板的温度分布可与在通过基座的旋转而从第一空间移出之后位于第二空间中的基板的温度分布不同。
因此，在基板位于第一空间中时与在基板位于第二空间中时之间，加热器构件及电源供应端子可不对称设置，或者加热器构件的图案可不同。因此，根据本公开的实施例的基板处理设备可防止沉积在基板上的薄膜的均匀性降低。
图4是示出根据本公开的一个实施例的基板处理方法的工艺流程图。
根据本公开的实施例的基板处理方法通过使用基板处理设备来处理基板，所述基板处理设备包括：腔体，包括第一空间及不与第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，配置为在第一空间及第二空间中支撑一个或多个基板；第一喷射单元，朝向基座且配置为将一气体喷射至第一空间中；以及第二喷射单元，朝向基座且配置为将气体喷射至第一空间中。参照图4，基板处理方法包括基板设置步骤S410、第一薄膜形成步骤S420、第一基座旋转步骤S430及第二薄膜形成步骤S440。
基板设置步骤S410包括将一个或多个第一基板设置在第一喷射单元下方，及将一个或多个第二基板设置在第二喷射单元下方。第一喷射单元朝向设置在腔体中横跨第一空间及第二空间的基座，并将不同的两种或多种气体喷射至第一空间中，而第二喷射单元朝向基座，并将不同的两种或多种气体喷射至第二空间中。
第一薄膜形成步骤S420包括重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向第一基板及第二基板的工艺，由此形成具有预设厚度的薄膜。
第一基座旋转步骤S430包括通过将基座旋转预定角度，使第一基板移动至第二喷射单元下方，以及使第二基板移动至第一喷射单元下方。
第二薄膜形成步骤S440包括重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元交替将原料气体及反应气体喷向第二基板及第一基板的工艺，由此形成具有预设厚度的薄膜。
当在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中交替喷射原料气体及反应气体以形成薄膜时，原料气体或反应气体可以等离子体状态喷向基板。
当原料气体等离子体化并喷射时，可活化惰性的原料气体以产生大量的自由基及离子。因此，即使在低温下亦能分解原料气体，还能有效去除含在原料气体本身中的杂质。当反应气体被等离子体化并被喷射时，可提升薄膜的密度以改善薄膜的质量。
取决于电极结构，等离子体可实现为通过将RF电源施加至原料气体所停留的空间中而产生的直接等离子体或远距等离子体。
在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中，当喷射原料气体或反应气体时，可使基座停止。
基板处理方法可更包括在第二薄膜形成步骤S440之后的第二基座旋转步骤S450，第二基座旋转步骤S450包括通过将基座旋转预定角度，使第一基板移动至第一喷射单元下方，且使第二基板移动至第二喷射单元下方。
依照根据本公开的实施例的基板处理方法，可交替重复第一薄膜形成步骤S420、第一基座旋转步骤S430、第二薄膜形成步骤S440及第二基座旋转步骤S450，以形成具有预设厚度的薄膜。基板处理方法还可包括确认是否形成具有期望厚度的薄膜的步骤S460。之后，重复第一薄膜形成步骤S420、第一基座旋转步骤S430、第二薄膜形成步骤S440及第二基座旋转步骤S450，直至形成具有期望厚度的薄膜。
在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中，当喷射原料气体或反应气体时，可使基座停止。
在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中，在喷射原料气体的时间点与喷射反应气体的时间点之间的时段或在喷射反应气体的时间点与喷射原料气体的时间点之间的时段期间，可喷射吹扫气体。
吹扫气体可包括在喷射原料气体的时间点与喷射反应气体的时间点之间的时段期间被喷射的第一吹扫气体，以及在喷射反应气体的时间点与喷射原料气体的时间点之间的时段期间被喷射的第二吹扫气体。此时，第一吹扫气体及第二吹扫气体的一种或多种可以等离子体状态喷向基板。当第一吹扫气体及第二吹扫气体被等离子体化并被喷射时，可选择性沉积于形成在薄膜上的图案的顶部、底部及侧壁。此外，当吹扫气体被等离子体化并被喷射在薄膜上时，可去除薄膜的表面所含的氢以使薄膜的表面改质，如此能形成具有高选择性的薄膜。
不是第一吹扫气体及第二吹扫气体的一种或多种的原料气体或反应气体亦可以等离子体状态喷向基板。
基板处理设备的腔体1100还可包括在第一空间A1及第二空间A2之间的第三空间A3。第三空间A3可包括配置为将第三吹扫气体喷向基座的第三喷射单元1430。第三喷射单元1430可在第一基座旋转步骤S430及第二基座旋转步骤S450中将第三吹扫气体喷向基座。此时，第三吹扫气体可以等离子体状态喷向基板。之后，可对形成在基板上的薄膜进行等离子体处理。
当在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中喷射原料气体或反应气体时，第三喷射单元1430可将第三吹扫气体喷向基座。之后，可对形成在基板上的薄膜进行等离子体处理。
当在第一薄膜形成步骤S420及第二薄膜形成步骤S440中喷射原料气体或反应气体时，第三喷射单元1430可将第三吹扫气体喷向基座。此时，第三吹扫气体可以等离子体状态喷向基板。
根据本公开的实施例的基板处理方法可包括对形成在基板上的薄膜进行等离子体处理。当在所沉积的薄膜上进行此种等离子体处理时，可改善薄膜的电特性及光学特性，及可改善薄膜的例如疏水性或亲水性等表面改质特性，从而能改善整个薄膜的均匀性。
图5是示出根据本公开的另一实施例的基板处理方法的工艺流程图。
根据本公开的另一实施例的基板处理方法通过使用基板处理设备来处理基板，所述基板处理设备包括：腔体，包括第一空间及不与第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，配置为支撑在第一空间及第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向基座且配置为将气体喷射至第一空间中；以及第二喷射单元，朝向基座且配置为将气体喷射至第一空间中。参照图5，基板处理方法包括基板设置步骤S510及薄膜形成步骤S520。
基板设置步骤S510包括将一个或多个第一基板设置在第一喷射单元下方，及将一个或多个第二基板设置在第二喷射单元下方。第一喷射单元朝向设置在腔体中横跨第一空间及第二空间的基座并将不同的两种或多种气体喷射至第一空间中，而第二喷射单元朝向基座并将不同的两种或多种气体喷射至第二空间中。
薄膜形成步骤S520包括重复一次或多次分别通过第一喷射单元及第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向第一基板及第二基板的工艺，由此形成具有预设厚度的薄膜。
此时，薄膜形成步骤S520还可包括经由第一气体喷射流道喷射原料气体，经由与第一气体喷射流道不同的第二气体喷射流道喷射反应气体。
在原料气体的喷射中，可经由形成在第一电极的凸出电极中的第一气体喷射流道而喷射原料气体。在反应气体的喷射中，可经由在第二电极的形成在对应于凸出电极的位置的开口的内表面与凸出电极的侧表面之间的第二气体喷射流道而喷射反应气体。
当腔体1100的内部空间划分为两个空间时，即第一空间A1及第二空间A2，并且有第三空间A3设为其之间的边界，基座1300可在第一基座旋转步骤S430中旋转180度。然而，根据所划分的空间的数量及工艺条件，基座的旋转角度可设为各种角度，例如90°、180°、270°及其他角度。
如此，在第一基板Wl上依序形成第一薄膜及第二薄膜，以及在第二基板W2上依序形成第二薄膜及第一薄膜。此工艺可改善沉积在多个基板上的薄膜的均匀性。
当基座在第一基座旋转步骤S430及第二基座旋转步骤S450中仅沿相同方向旋转时，在相邻于吹扫气体喷射单元的基板曝露于吹扫气体喷射单元期间的时间与不相邻于吹扫气体喷射单元的基板曝露于吹扫气体喷射单元期间的时间之间存在差异。
亦即，当将基座的旋转方向固定于一个方向时，基于基座的旋转方向而相邻于吹扫气体喷射单元的基板总是比基于基座的旋转方向而不相邻于吹扫气体喷射单元的基板更早穿过吹扫气体喷射单元。因此，在基板穿过喷有吹扫气体的吹扫区域之前，基于基座的旋转方向而不相邻于吹扫气体喷射单元的基板曝露于形成薄膜用的第一空间或第二空间期间的时间，比基于基座的旋转方向而相邻于吹扫气体喷射单元的基板更长。由于此原因，沉积在多个基板上的薄膜的均匀性可能会降低。
因此，当在第一基座旋转步骤S430中使基座沿一个方向旋转时，可在第二基座旋转步骤S450中使基座沿另一方向交替旋转。当以预定的次数(例如N次)将薄膜形成在多个基板上时，基座可沿一个方向旋转N/2次，并沿另一方向旋转N/2次，如此能改善沉积在多个基板上的薄膜的均匀性。
一般而言，腔体内部的反应空间可不对称形成。如上所述，用于加热基板的加热器构件可同心设置在基座下方，并且电源供应端子形成在多处。
如此，腔体内部的结构问题或形成在基座下方的加热器的电源供应端子的影响，可能会改变沉积在位于第一空间A1及第二空间A2中的基板上的薄膜的均匀性。
因此，本公开的实施例可最小化腔体内部的结构问题或电源供应端子的影响，从而改善沉积在位于第一空间A1及第二空间A2中的基板上的薄膜的均匀性。
依照根据本公开的实施例的上述基板处理方法，可分别在位于第一空间A1及第二空间A1中的基板W1及W2上形成具有预定厚度的第一薄膜及第二薄膜，而能改善沉积在第一基板W1及第二基板W2上的薄膜的均匀性。
尽管于上已描述各种实施例，但所属领域的技术人员将理解所述实施例仅为范例。因此，不应基于所述实施例来限制描述于此的公开内容。
Claims (41)
1.一种基板处理设备，包括：
腔体，包括第一空间及不与所述第一空间重叠的第二空间；
可旋转的基座，设置为在所述腔体中横跨所述第一空间及所述第二空间，且配置为支撑在所述第一空间中的一个或多个基板及支撑在所述第二空间中的一个或多个基板；
第一喷射单元，朝向在所述第一空间中的所述基座，且配置为将不同的两种或多种气体喷射至所述第一空间中；以及
第二喷射单元，朝向在所述第二空间中的所述基座，且配置为将不同的两种或多种气体喷射至所述第二空间中；
其中所述第一喷射单元及所述第二喷射单元各包括：
第一气体喷射流道，配置为喷射第一气体；以及
第二气体喷射流道，配置为喷射与所述第一气体不同的第二气体。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一喷射单元及所述第二喷射单元的至少一者通过将所述第一气体及所述第二气体交替喷射至所述第一空间或所述第二空间中而在所述基板上形成薄膜。
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中当喷射所述第一气体或所述第二气体时，所述基座停止。
4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中在喷射所述第一气体或所述第二气体之后，经由所述第一气体喷射流道及所述第二气体喷射流道的任一者喷射吹扫气体。
5.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第一气体或所述第二气体以等离子体状态喷向所述基板。
6.如权利要求5所述的基板处理设备，其中所述第二气体是反应气体。
7.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述吹扫气体包括：
第一吹扫气体，在喷射所述第一气体的时间点与喷射所述第二气体的时间点之间的时段期间被喷射；以及
第二吹扫气体，在喷射所述第二气体的时间点与喷射所述第一气体的时间点之间的时段期间被喷射；
其中所述第一吹扫气体及所述第二吹扫气体的至少一者以等离子体状态喷向所述基板。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中所述第一气体或所述第二气体以等离子体状态喷向所述基板。
9.如权利要求5所述的基板处理设备，其中所述第一喷射单元或所述第二喷射单元包括电极，配置为将所述第一气体或所述第二气体以等离子体状态喷向所述基板。
10.如权利要求7所述的基板处理设备，其中所述第一喷射单元或所述第二喷射单元包括电极，配置为将所述第一吹扫气体或所述第二吹扫气体以等离子体状态喷向所述基板。
11.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述第一喷射单元或所述第二喷射单元包括电极，配置为将所述第一吹扫气体或所述第二吹扫气体以等离子体状态喷向所述基板。
12.如权利要求9至11中任一项所述的基板处理设备，其中所述电极包括在其上形成有多个凸出电极的第一电极，以及在对应于所述凸出电极的多个位置形成有多个开口以使所述凸出电极插进所述开口的第二电极，以及
其中RF电源施加至所述第一电极或第二电极中至少一者以在所述凸出电极的侧表面与所述第二电极的所述开口的内表面之间产生等离子体。
13.如权利要求12所述的基板处理设备，其中所述第一气体经由延伸至所述凸出电极的所述第一气体喷射流道喷射，以及
所述第二气体经由在所述凸出电极的所述侧表面与所述第二电极的所述开口的所述内表面之间的空间喷射。
14.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述腔体还包括在所述第一空间与所述第二空间之间的第三空间，
其中所述第三空间包括第三喷射单元，所述第三喷射单元配置为将第三吹扫气体喷向所述基座。
15.如权利要求14所述的基板处理设备，其中所述第三吹扫气体以等离子体状态喷向所述基板。
16.如权利要求15所述的基板处理设备，其中所述第三喷射单元包括的电极，配置为将所述第三吹扫气体以等离子体状态喷向所述基板。
17.如权利要求15所述的基板处理设备，其中所述电极包括在其上形成有凸出电极的第三电极，以及在对应于所述凸出电极的位置形成有开口以使所述凸出电极插进所述开口的第四电极，以及
其中RF电源施加至所述第三电极或第四电极中至少一者，以在所述凸出电极的侧表面与所述第四电极的所述开口的内表面之间产生等离子体。
18.如权利要求2、5、7、8、14及15中任一项所述的基板处理设备，其中对形成在所述基板上的所述薄膜进行等离子体处理。
19.如权利要求1所述的基板处理设备，还包括加热器，所述加热器安装在所述基座下方且包括以预定图案形成的多个电源供应端子及多个加热器构件。
20.如权利要求19所述的基板处理设备，其中形成在所述第一空间中的所述电源供应端子及形成在所述第二空间中的所述电源供应端子是非对称设置。
21.一种基板处理方法，通过使用基板处理设备来处理基板，所述基板处理设备包括：
腔体，包括第一空间及不与所述第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，配置为支撑在所述第一空间及所述第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向所述基座且配置为将气体喷射至所述第一空间中；以及第二喷射单元，朝向所述基座且配置为将气体喷射至所述第二空间中，所述基板处理方法包括：
基板设置步骤，将一个或多个第一基板及一个或多个第二基板分别设置在所述第一喷射单元及所述第二喷射单元下方，其中所述第一喷射单元朝向设置在所述腔体中横跨所述第一空间及所述第二空间的所述基座，且将不同的两种或多种气体喷射至所述第一空间中，而且所述第二喷射单元朝向所述基座，且将不同的两种或多种气体喷射至所述第二空间中；
第一薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过所述第一喷射单元及所述第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向所述第一基板及所述第二基板的工艺；
第一基座旋转步骤，通过将所述基座旋转预定角度，使所述第一基板移动至所述第二喷射单元下方，且使所述第二基板移动至所述第一喷射单元下方；以及
第二薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过所述第一喷射单元及所述第二喷射单元依序将所述原料气体及所述反应气体喷向所述第二基板及所述第一基板的工艺。
22.如权利要求21所述的基板处理方法，其中将所述第一喷射单元的反应气体及所述第二喷射单元的反应气体的至少一者以等离子体状态喷向所述基板。
23.如权利要求21所述的基板处理方法，其中当喷射所述原料气体或所述反应气体时，所述基座停止。
24.如权利要求21所述的基板处理方法，还包括：第二基座旋转步骤，在所述第二薄膜形成步骤之后，通过将所述基座旋转预定角度，使所述第一基板移动至所述第一喷射单元下方，且使所述第二基板移动至所述第二喷射单元下方，
其中交替重复所述第一薄膜形成步骤、所述第一基座旋转步骤、所述第二薄膜形成步骤及所述第二基座旋转步骤，直至形成具有预定厚度的薄膜。
25.如权利要求21所述的基板处理方法，其中在喷射所述原料气体的时间点与喷射所述反应气体的时间点之间的时段期间，或在喷射所述反应气体的时间点与喷射所述原料气体的时间点之间的时段期间进一步喷射吹扫气体。
26.如权利要求25所述的基板处理方法，其中所述吹扫气体包括：
第一吹扫气体，在喷射所述原料气体的时间点与喷射所述反应气体的时间点之间的所述时段期间被喷射；以及
第二吹扫气体，在喷射所述反应气体的时间点与喷射所述原料气体的时间点之间的所述时段期间被喷射，
其中所述第一吹扫气体及所述第二吹扫气体的至少一者以等离子体状态喷向所述基板。
27.如权利要求26所述的基板处理方法，其中所述原料气体或所述反应气体以等离子体状态喷向所述基板。
28.如权利要求21所述的基板处理方法，其中所述腔体还包括在所述第一空间与所述第二空间之间的第三空间，并且所述第三空间包括第三喷射单元，所述第三喷射单元配置为将第三吹扫气体喷向所述基座，
其中在所述第一基座旋转步骤中，所述第三喷射单元将所述第三吹扫气体喷向所述基座。
29.如权利要求24所述的基板处理方法，其中所述腔体还包括在所述第一空间与所述第二空间之间的第三空间，并且所述第三空间包括第三喷射单元，所述第三喷射单元配置为将第三吹扫气体喷向所述基座，
其中在所述第一基座旋转步骤或所述第二基座旋转步骤中，所述第三喷射单元将所述第三吹扫气体喷向所述基座。
30.如权利要求28或29所述的基板处理方法，其中所述第三吹扫气体以等离子体状态喷向所述基板。
31.如权利要求21、22、26、27、28及29中任一项所述的基板处理方法，其中对形成在所述基板上的所述薄膜进行等离子体处理。
32.如权利要求30所述的基板处理方法，其中对形成在所述基板上的所述薄膜进行等离子体处理。
33.如权利要求25或26所述的基板处理方法，其中所述腔体还包括在所述第一空间与所述第二空间之间的第三空间，
其中所述第三空间包括第三喷射单元，配置为将第三吹扫气体喷向所述基座，
其中当喷射所述原料气体或所述反应气体时，所述第三喷射单元将所述第三吹扫气体喷向所述基座。
34.如权利要求33所述的基板处理方法，其中对形成在所述基板上的所述薄膜进行等离子体处理。
35.如权利要求33所述的基板处理方法，其中所述第三吹扫气体以的等离子体状态喷向所述基板。
36.如权利要求35所述的基板处理方法，其中对形成在所述基板上的所述薄膜进行等离子体处理。
37.一种基板处理方法，通过使用基板处理设备来处理基板，所述基板处理设备包括：
腔体，包括第一空间及不与所述第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，配置为支撑在所述第一空间及所述第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向所述基座且配置为将气体喷射至所述第一空间中；以及第二喷射单元，朝向所述基座且配置为将气体喷射至所述第二空间中，所述基板处理方法包括：
基板设置步骤，将一个或多个第一基板及一个或多个第二基板分别设置在所述第一喷射单元及所述第二喷射单元下方，其中所述第一喷射单元朝向设置在所述腔体中横跨所述第一空间及所述第二空间的所述基座，且将不同的两种或多种气体喷射至所述第一空间中，而且所述第二喷射单元朝向设置在所述腔体中横跨所述第一空间及所述第二空间的所述基座，且将不同的两种或多种气体喷射至所述第二空间中；以及
薄膜形成步骤，重复一次或多次分别通过所述第一喷射单元及所述第二喷射单元依序将原料气体及反应气体喷向所述第一基板及所述第二基板的工艺，
其中所述薄膜形成步骤包括：
经由第一气体喷射流道喷射所述原料气体；以及
经由与所述第一气体喷射流道不同的第二气体喷射流道喷射所述反应气体。
38.如权利要求37所述的基板处理方法，其中所述原料气体的喷射还包括经由形成在所述第一电极的凸出电极中的所述第一气体喷射流道而喷射所述原料气体。
39.如权利要求38所述的基板处理方法，其中所述反应气体的喷射还包括经由在所述凸出电极的侧表面与第二电极的开口的内表面之间的第二气体喷射流道而喷射所述反应气体，所述开口形成在对应于所述凸出电极的位置。
40.如权利要求37所述的基板处理方法，其中所述腔体还包括在所述第一空间与所述第二空间之间的第三空间，并且所述第三空间包括第三喷射单元，所述第三喷射单元配置为将第三吹扫气体喷向所述基座，
其中在所述薄膜形成步骤中当喷射所述原料气体或所述反应气体时，所述第三喷射单元将所述第三吹扫气体喷向所述基座。
41.如权利要求40所述的基板处理方法，其中所述第三吹扫气体以等离子体状态喷向所述基座。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070038348A (ko) * | 2005-10-05 | 2007-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 배치 타입의 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체소자의 원자층 증착방법 |
| KR20100005318A (ko) * | 2008-07-07 | 2010-01-15 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조에 사용되는 원자층 증착 장치 및 방법 |
| US20110000529A1 (en) * | 2008-04-08 | 2011-01-06 | Shimadzu Corporation | Cathode Electrode for Plasma CVD and Plasma CVD Apparatus |
| KR20110077743A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 주식회사 케이씨텍 | 다성분 박막의 증착을 위한 원자층 증착장치 |
| CN109661714A (zh) * | 2016-09-06 | 2019-04-19 | 周星工程股份有限公司 | 用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070215036A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Hyung-Sang Park | Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070038348A (ko) * | 2005-10-05 | 2007-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 배치 타입의 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체소자의 원자층 증착방법 |
| US20110000529A1 (en) * | 2008-04-08 | 2011-01-06 | Shimadzu Corporation | Cathode Electrode for Plasma CVD and Plasma CVD Apparatus |
| KR20100005318A (ko) * | 2008-07-07 | 2010-01-15 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조에 사용되는 원자층 증착 장치 및 방법 |
| KR20110077743A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 주식회사 케이씨텍 | 다성분 박막의 증착을 위한 원자층 증착장치 |
| CN109661714A (zh) * | 2016-09-06 | 2019-04-19 | 周星工程股份有限公司 | 用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备 |
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