KR20070038348A - 배치 타입의 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체소자의 원자층 증착방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 배치 타입의 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법은, 반응 챔버와; 상면에 복수의 웨이퍼가 배치될 수 있게 반응챔버 내에 장착된 플레이트와; 플레이트를 하부에서 지지하면서 회전 가능한 제1 회전부와; 플레이트의 하부에서 플레이트 상의 웨이퍼 방향으로 상하 이동이 가능하면서 회전 가능한 제2 회전부와; 반응 챔버내의 상부에 배치되어, 플레이트 상에 소스 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와; 플레이트 상에 공급된 가스 및 부산물을 배출시키기 위한 배출구를 포함한다.

배치타입 원자층 증착장비, 웨이퍼 순환, 원자층 증착 사이클

Description

배치 타입의 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법{Device of batch-type atomic layer deposition and the method of depositioning atomic layer using the same}

도 1a 및 도 1d는 종래 기술에 따른 원자층 증착장비 및 이에 따른 문제점을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.

도 2는 본 발명에 따른 배치 타입의 원자층 증착장비를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 원자층 증착방법의 한 사이클을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따라 반도체 소자의 원자층 증착시 웨이퍼를 순환시키는 것을 나타내보인 도면들이다.

도 5a 내지 도 5d는 도 4a 내지 도 4d를 상부에서 나타내보인 도면이다.

도 6은 본 발명에 따른 원자층 증착 사이클을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

200 : 반응챔버 210 : 플레이트

220 : 제1 회전부 230 : 제2 회전부

240 : 가스 공급부 250 : 배출구

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 박막을 증착할 경우 우수한 스텝 커버리지 특성을 얻기 위하여 화학적 기상증착(CVD; Chemical vapor deposition) 방법을 이용하고 있다. 그러나 박막이 증착될 반도체 기판의 표면에 형성된 막의 종횡비(aspect ratio)가 클 경우, 스텝 커버리지 특성이 저하되는 문제점이 발생한다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 원자층 단위로 박막 형성 제어가 가능한 원자층 증착(ALD; Atomic layer deposition) 방법이 제안되어 있다.

원자층 증착 방법은 기상반응은 억제시키고 웨이퍼나 시료의 표면으로부터 한 원자층씩 순차적으로 부착하여 원하는 분자를 형성시키는 기술이다. 이를 위해서는 소스 가스를 공급한 후에는 반드시 불활성기체를 공급하여 잔존하는 모든 기체들을 증착기 밖으로 배기시킨다. 그 후에 표면에 부착된 소스 분자와 화학반응을 일으키는 다른 반응가스를 공급하여 단원자층을 형성한다. 그리고 불활성기체로 증착기 속에 잔존하는 모든 기체들을 배기시킨 후, 상기 공정을 반복하게 되므로 기체주입 주기(cycle)에 비례한 박막성장이 가능하여 증착되는 박막의 두께를 정확하게 제어할 수 있다.

원자층 증착방법은 표면에서만 반응이 일어나고, 반응대상이 있는 곳에서만 전구체의 부착과 반응이 일어나므로 자기 제한적(self-limited)성질을 갖고 있다. 그러므로 어떤 구조의 표면에서도 동일한 두께의 박막을 만들 수 있고 스텝 커버리지 특성이 좋다. 이에 따라 원자층 증착방법이 점차 많이 이용되고 있다.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 원자층 증착장비를 나타내보인 도면들이다. 그리고 도 1c 및 도 1d는 도 1a 및 도 1b의 원자층 증착장비를 이용하여 박막을 증착시 웨이퍼의 내부 균일도를 나타내보인 도면들이다.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 배치 타입의 원자층 증착 장비는 웨이퍼 증착 박막의 균일도가 가스 공급 방식(110,115) 및 히터 타입(120,125)에 따라 일정한 형태를 이루고 있다. 이러한 가스 공급 방식(110,115) 및 히터 타입(120,125)에 의해 웨이퍼(w)에 박막을 증착할 경우, 가스 공급이 웨이퍼 전체에 균일하게 미치지 못하거나 열공급이 균일하지 못하면서 박막이 웨이퍼(w) 내부에 균일하게 증착되지 못하는 문제점이 있다. 이때, 도면에서 미설명된 부분은 웨이퍼가 배치되는 플레이트(100)이다.

도 1c 및 도 1d를 참조하면, 웨이퍼의 박막 증착이 균일하지 못함에 따라, 예를 들어 웨이퍼의 전기적 특성이 왼쪽의 상부로 갈수록(도 1c) 저하하거나 또는 상부에서 하부로 내려올수록(도 1d) 저하하는 등의 일정한 형태를 띠게 됨을 알 수 있다. 이렇게 웨이퍼 내부 균일도가 균일하지 못하면, 웨이퍼의 전기적 특성이 불량해지게 되며, 이러한 특성은 디자인 룰이 작아지거나 웨이퍼의 크기가 증가할 수 경우 더욱 불량해지며, 이를 개선하기 위해 원자층 증착 주기의 시간이 길어지거나 소스가스의 사용량이 늘어나는 등의 문제가 있었다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 배치 타입의 원자층 증착장비에서 박막 증착시에 웨이퍼의 내부 균일도 형태에 따라 원자층 증착방법을 개선하여 장비 타입 및 웨이퍼 크기에 따른 균일도 불량을 개선할 수 있는 배치 타입의 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 원자층 증착장비는, 반응 챔버와; 상면에 복수의 웨이퍼가 배치될 수 있게 상기 반응챔버 내에 장착된 플레이트와; 상기 플레이트를 하부에서 지지하면서 회전 가능한 제1 회전부와; 상기 플레이트의 하부에서 상기 플레이트 상의 웨이퍼 방향으로 상하 이동이 가능하면서 회전 가능한 제2 회전부와; 상기 반응 챔버내의 상부에 배치되어, 상기 플레이트 상에 소스 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와; 상기 플레이트 상에 공급된 가스 및 부산물을 배출시키기 위한 배출구를 포함한다.

상기 가스 공급부는, 바 타입의 인젝터 또는 반응 챔버 상부에 배치되는 샤워 헤드 형상의 가스공급노즐 가운데 하나를 이용하는 것이 바람직하다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 소자의 원자층 증착방법은, 상기 원자층 증착 장비의 상기 플레이트 상에 임의의 제 k웨이퍼가 제 n+k 웨이퍼와 대칭되도록 제1 내지 제2n 웨이퍼를 배치하는 제1 단계; 상기 플레이트 상에 배치된 제1 내지 제2n 웨이퍼 상에 제1 박막을 형성하는 제2 단계; 상기 제2 회전부를 상승시켜 상기 제1 웨이퍼를 상기 플레이트에서 이격 상승된 위치에 고정하는 제3 단계; 상기 제2 회전부와 함께 상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 제4 단계; 상기 제2 회전부를 하강시켜 상기 제1 웨이퍼를 상기 플레이트 상에 배치하는 제5 단계; 상기 제1 회전부를 회전시켜 상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 회전부 상부에 배치시키는 제6 단계; 상기 제2 내지 상기 제2n 웨이퍼 모두가 상기 제1 웨이퍼와 동일하게 소정 각도로 회전할 때까지 상기 제3-6단계를 반복하는 제7 단계; 및 상기 플레이트 상에 배치된 제1 내지 제2n 웨이퍼 상에 제2 박막을 형성하는 제8 단계를 포함한다. (여기서, 상기 n은 소정의 자연수이고, k는 1이상 n이하의 자연수이다.)

상기 제1 박막의 형성단계 또는 제2 박막의 형성단계는, 상기 배치 타입의 원자층 증착 장비 내에 소스가스를 공급하여 상기 웨이퍼 상에 흡착시키는 제1 단계; 상기 웨이퍼에 흡착되지 않은 소스가스를 제거하는 제2 단계; 상기 웨이퍼에 반응가스를 공급하여 상기 웨이퍼에 박막을 형성하는 제3 단계; 반응하지 않은 반응가스 및 부산물을 제거하는 제4 단계; 상기 제1 단계 내지 제4 단계를 복수 회 반복하여 상기 제1 박막 또는 상기 제2 박막을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 제1 및 제2 회전부는 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전하는 것이 바람직하다.

상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 단계에서는, -180˚ 내지 +180˚의 각도만큼 회전시키는 것이 바람직하다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 소자의 원자층 증착방법은, 원자층 증착 공정을 통해 원하는 두께의 박막을 형성하는 과정 중에 제3항에 의해 상기 제3 단계 내지 제 7단계를 균등하거나 비균등한 간격으로 복수 회 진행하는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 및 제2 회전부는 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전하는 것이 바람직하다.

상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 단계에서는, -180°내지 +180°의 각도만큼 회전시키는 것이 바람직하다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

도 2는 본 발명에 따른 배치 타입의 원자층 증착장비를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.

도 2를 참조하면, 배치 타입의 원자층 증착장비는 소정의 반응 공간을 가지고 있는 반응 챔버(200)와, 상면에 복수의 웨이퍼(w)가 배치될 수 있게 상기 반응 챔버(200) 내에 장착된 플레이트(210)와, 상기 플레이트(210)의 하부에서 상기 플레이트(210)를 지지하면서 회전 가능한 제1 회전부(220)와, 상기 플레이트(210)의 하부에서 상기 플레이트(210) 상의 웨이퍼(w) 방향으로 상하 이동이 가능하면서 회 전 가능한 제2 회전부(230)와, 상기 반응 챔버 내의 상부에 배치되어, 상기 플레이트(210) 상에 소스 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부(240)와, 상기 플레이트(210) 상에 공급된 가스 및 부산물을 배출시키기 위한 배출구(250)를 포함하여 구성된다. 여기서 비록 도면에 도시하지는 않았지만 상기 가스 공급부(240)는, 제1 및 제 4 가스공급노즐이 서로 상호 대칭이 되도록 배치되어 일정방향, 예를 들어 시계반대방향으로 회전 가능한 바 타입의 인젝터 또는 반응 챔버 상부에 배치되어 있는 샤워헤드 형태의 가스공급노즐 가운데 하나를 이용하여 구성할 수 있다. 또한, 상기 플레이트(210) 위에는 적어도 4개 이상의 웨이퍼가 배치되는 것이 바람직하다.

이하 이와 같은 원자층 증착장치를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법을 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 원자층 증착방법의 한 사이클을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따라 반도체 소자의 원자층 증착시 웨이퍼를 순환시키는 것을 나타내보인 도면들이다. 그리고 도 5a 내지 도 5d는 도 4a 내지 도 4d를 상부에서 나타내보인 도면이다. 이하 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

먼저 도 4a 및 도 5a를 참조하면, 상술한 원자층 증착장비의 플레이트(210) 상에 임의의 제 k웨이퍼(k=1~n)가 제 n+k웨이퍼와 대칭되도록 제1 내지 제2n 웨이퍼를 배치한다. 이때, n은 증착하고자 하는 웨이퍼의 개수를 지칭한다. 본 발명의 실시예에서는 제1 웨이퍼(400) 내지 제4 웨이퍼(430)를 플레이트(210) 상에 장착한 원자층 증착장비를 예를 들어 설명하기로 한다. 여기서 제1 웨이퍼(400) 및 제3 웨이퍼(420)는 상호 대칭되도록 배치되어 있으며, 제2 웨이퍼(410) 및 제4 웨이퍼(430) 역시 상호 대칭되도록 배치되어 있다. 다음에 플레이트(210) 상에 배치된 웨이퍼(400-430) 상에 제1 박막(도시하지 않음)을 형성한다. 이하 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 원자층 증착방법에서 제1 시점(t1)에서 제2시점(t2)에 이르기까지 제1 사이클(cycle)은, 배치 타입의 원자층 증착 장비 내에 소스가스를 공급하여 웨이퍼 상에 흡착시키는 단계와, 웨이퍼에 흡착되지 않은 소스가스를 제거하기 위한 퍼지가스를 주입하는 단계와, 웨이퍼의 표면에 흡착되어 있던 소스가스가 반응하는 반응가스를 공급하여 상기 웨이퍼 상에 단원자층을 형성하는 단계와, 그리고 반응하지 않은 반응가스 및 부산물을 제거하기 위한 퍼지가스를 주입하는 단계로 이루어진다. 퍼지가스를 주입하면 반응챔버의 기상에 잔존하는 소스가스나 반응가스가 제거되고 흡착되어 있는 반응 부산물이 탈착되므로 원자막 증착 공정은 싸이클(cycle)당 증착되는 막이 제한되면서 단원자막이 증착된다. 여기서 반응챔버의 내부를 정화하는 퍼지가스는 비활성 계열의 가스로서 헬륨(He), 아르곤(Ar), 질소(N₂)등을 사용할 수 있다.

한편, 배치 타입의 원자층 증착장비를 사용하는 공정에서 상술한 원자층 증착 사이클을 m회 반복하여 원하는 박막 두께를 증착한다. 그러나 종래 기술의 배치 타입 원자층 증착장비를 이용할 경우, 가스 공급 방식 및 히터 타입(도 1a 내지 도1d 참조)에 의해 웨이퍼(400-430)는 내부 균일도가 양호한 부분(b)과 내부 균일도 가 불량한 부분(a)으로 제1 박막이 형성된다. 이에 따라 웨이퍼 내부의 박막 균일도를 높이기 위하여 웨이퍼의 내부 균일도 형태에 따라 비연속적으로 웨이퍼를 순환(rotation)시킨다.

이를 위해 도 4b 및 도 5b를 참조하면, 제1 웨이퍼(400)의 하부에 배치된 제2 회전부(230)를 상승시켜 제1 웨이퍼(400)를 플레이트(210)에서 이격 상승된 위치에 고정시킨다. 계속해서 제2 회전부(230)와 함께 제1 웨이퍼(400)를 일정방향, 예를 들어 시계 반대방향으로 소정 각도만큼 회전시킨다. 여기서 제1 웨이퍼(400)는 시계방향으로 회전시킬 수도 있다. 또한, 제1 웨이퍼(400)의 회전 각도는 웨이퍼 내부 균일도 형태에 따라 -180° 내지 +180° 사이에서 순환하는 것이 바람직하다.

다음에 도 4c 및 도 5c를 참조하면, 제2 회전부(230)가 하강하면서 상기 제1 웨이퍼(400)를 플레이트(210)에 배치시킨다. 그러면, 제1 웨이퍼(400)의 내부 균일도가 불량한 부분(a)의 위치가 내부 균일도가 양호한 부분(b)에 대응하여 배치된다.

다음에 도 4d 및 도 5d를 참조하면, 제1 회전부(220)를 일정방향, 예를 들어 시계반대방향으로 회전시켜 제2 웨이퍼(410)가 상기 제2 회전부(230)의 상부에 배치되도록 상기 제1 웨이퍼(400)의 위치를 회전시킨다.

다음에 상술한 도 4a 내지 도 4d를 반복 수행하여 상기 제2 내지 제4 웨이퍼(410-430)를 일정방향, 예를 들어 시계반대방향으로 회전시켜 제1 웨이퍼와 동일하게 소정 각도로 회전시킨다. 다음에 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 플레이트(230) 상에 재배치된 제1 내지 제4 웨이퍼 상에 원자층 증착 사이클을 진행하 여 원하는 두께의 제2 박막(도시하지 않음)을 형성한다. 그러면, 상술한 웨이퍼 순환 공정을 통해 제1 내지 제4 웨이퍼(400-430)의 내부 균일도가 불량한 부분과 양호한 부분의 위치가 바뀐 부분에 박막이 균일하게 증착되면서 웨이퍼의 내부 균일도가 일정하게 된다. 여기서 상기 웨이퍼의 순환은 한 배치 내의 일부 또는 전체의 웨이퍼를 선택하여 순환시킬 수 있다. 예를 들어 본 발명의 실시예에서는 하나의 제2 회전부를 이용하여 웨이퍼를 순환시키는 방법에 대하여 기술하였으나, 제2 회전부를 하나 이상의 복수로 배치하여 한 개 이상의 웨이퍼 또는 전체의 웨이퍼를 순환시킬 수도 있다.

한편, 원자층 증착 공정을 통해 원하는 두께의 박막을 형성하는 과정 중에 상술한 원자층 증착 사이클은 웨이퍼 순환의 전후로 균등하거나 비균등한 간격으로 복수 회 진행할 수 있다. 여기서 제1 및 제2 회전부는 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전할 수 있으며, 웨이퍼를 -180° 내지 +180°의 각도만큼 회전시킬 수 있다. 이를 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.

도 6은 본 발명에 따른 원자층 증착 사이클을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.

도 6을 참조하면, 종래 기술에 따른 반도체 소자의 원자층 증착은 원하는 두께를 얻기 위하여 원자층 증착 사이클을 m회 동안 진행해야할 경우, 이를 연속으로 진행하였다. 이에 반하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 원자층 증착은 웨이퍼의 내부 균일도에 따라 원하는 두께의 박막을 형성하는 과정 중에 상술한 원자층 증착 사이클을 웨이퍼 순환의 전후에 균등하거나 비균등한 간격으로 복수 회 진행하여 증착할 수 있다.

예를 들어 원자층 증착 사이클이 m회가 필요할 경우, 웨이퍼의 내부 균일도에 따라 원자층 증착 사이클을 m/2회 진행하고, 상술한 바와 같이 웨이퍼 순환을 1회 실시한 다음 m/2회 실시하거나(a), 원자층 증착 사이클을 m/4회씩 4회 진행하고, 웨이퍼 순환이 상기 m/4회당 한번씩 진행하거나(b), 원자층 증착 사이클을 2m/3회 진행하고, 웨이퍼의 순환을 진행한 후, m/3회 진행하여 원하는 두께의 박막을 증착할 수 있다. 여기서 원자층 증착 사이클의 분배 및 웨이퍼의 순환 각도는 웨이퍼의 내부 균일도에 따라 다르게 진행할 수 있다.

본 발명에 따른 웨이퍼의 증착장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 원자층 증착방법은, 웨이퍼의 크기가 커지고, 디자인 룰이 작아짐에 따라 웨이퍼의 내부 균일도가 불량해지는 반도체 소자의 박막 형성공정에서 배치 타입의 원자층 증착장비를 개선하여 웨이퍼를 순환시킴으로써 웨이퍼의 내부 균일도를 개선하여 소자의 전기적 특성을 개선하여 신뢰성을 높이고 수율을 향상시킬 수 있다.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 원자층 증착장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 박막 형성방법에 의하면, 웨이퍼의 크기가 커지고, 디자인 룰이 작아지는 반도체 소자의 형성 공정에서 배치 타입의 원자층 증착장비를 개선하여 웨이퍼를 순환시킴으로써 웨이퍼의 내부 균일도를 개선하여 소자의 전기적 특성을 개선하여 신뢰성을 높일 수 있다.

Claims (9)

1. 반응 챔버와;

   상면에 복수의 웨이퍼가 배치될 수 있게 상기 반응챔버 내에 장착된 플레이트와;

   상기 플레이트를 하부에서 지지하면서 회전 가능한 제1 회전부와;

   상기 플레이트의 하부에서 상기 플레이트 상의 웨이퍼 방향으로 상하 이동이 가능하면서 회전 가능한 제2 회전부와;

   상기 반응 챔버내의 상부에 배치되어, 상기 플레이트 상에 소스 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와;

   상기 플레이트 상에 공급된 가스 및 부산물을 배출시키기 위한 배출구를 포함하는 배치 타입의 원자층 증착 장비.
2. 제2항에 있어서,

   상기 가스 공급부는, 바 타입의 인젝터 또는 반응 챔버 상부에 배치되는 샤워 헤드 형상의 가스공급노즐 가운데 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 원자층 증착 장비.
3. 제1항에 의한 원자층 증착 장비의 상기 플레이트 상에 임의의 제 k웨이퍼가 제 n+k 웨이퍼와 대칭되도록 제1 내지 제2n 웨이퍼를 배치하는 제1 단계;

   상기 플레이트 상에 배치된 제1 내지 제2n 웨이퍼 상에 제1 박막을 형성하는 제2 단계;

   상기 제2 회전부를 상승시켜 상기 제1 웨이퍼를 상기 플레이트에서 이격 상승된 위치에 고정하는 제3 단계;

   상기 제2 회전부와 함께 상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 제4 단계;

   상기 제2 회전부를 하강시켜 상기 제1 웨이퍼를 상기 플레이트 상에 배치하는 제5 단계;

   상기 제1 회전부를 회전시켜 상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 회전부 상부에 배치시키는 제6 단계;

   상기 제2 내지 상기 제2n 웨이퍼 모두가 상기 제1 웨이퍼와 동일하게 소정 각도로 회전할 때까지 상기 제3-6단계를 반복하는 제7 단계; 및

   상기 플레이트 상에 배치된 제1 내지 제2n 웨이퍼 상에 제2 박막을 형성하는 제8 단계를 포함하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.

   (여기서, 상기 n은 소정의 자연수이고, k는 1이상 n이하의 자연수이다.)
4. 제3항에 있어서, 상기 제1 박막의 형성단계 또는 제2 박막의 형성단계는,

   상기 배치 타입의 원자층 증착 장비 내에 소스가스를 공급하여 상기 웨이퍼 상에 흡착시키는 제1 단계;

   상기 웨이퍼에 흡착되지 않은 소스가스를 제거하는 제2 단계;

   상기 웨이퍼에 반응가스를 공급하여 상기 웨이퍼에 박막을 형성하는 제3 단계;

   반응하지 않은 반응가스 및 부산물을 제거하는 제4 단계;

   상기 제1 단계 내지 제4 단계를 복수 회 반복하여 상기 제1 박막 또는 상기 제2 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.
5. 제3항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 회전부는 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.
6. 제3항에 있어서,

   상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 단계에서는, -180° 내지 +180°의 각도만큼 회전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.
7. 원자층 증착 공정을 통해 원하는 두께의 박막을 형성하는 과정 중에 제3항에 의해 상기 제3 단계 내지 제 7단계를 균등하거나 비균등한 간격으로 복수 회 진행하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.
8. 제7항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 회전부는 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.
9. 제7항에 있어서,

   상기 제1 웨이퍼를 소정 각도만큼 회전시키는 단계에서는, -180° 내지 +180°의 각도만큼 회전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 원자층 증착방법.

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