CN115125485A - 一种中波红外滤光片制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及滤光片制备领域,尤其涉及一种中波红外滤光片制备方法。本发明中的中波红外滤光片制备方法,采用专门的制备设备。首先将基板放置在进料工位一上,固定组件通过旋转伸缩驱动件驱动固定架伸缩,从两侧夹持滤光片。接着移动至进料工位二,将镀膜原料放置在基板上。再移动至镀膜工位,电子枪工作,使镀膜材料加热蒸发。配合固定架的旋转,带动基板转动,加快镀膜材料的流动,使其覆盖均匀、高效成膜。单侧覆膜完成后,转动基板,使其反面朝上,返回进料工位二,再对其放料、覆膜。最后移动至出料工位,被机械手移动至对应的收纳框内。通过自动化、高效化的制备过程,提高了制备的效率,实现了批量、智能的加工。
Description
技术领域
本发明涉及滤光片制备领域,尤其涉及一种中波红外滤光片制备方法。
背景技术
中波红外滤光片主要应用于安防监控领域。具体到产品比如:监控摄相机,遥控器,红外幕墙产品,红外感应马桶、水龙头、洗手液装置,红外测温器,红外打印机,交互式电子白板,红外触摸屏,指纹识别机,人脸识别系统等。应用光泛,需求量大。同时对中波红外滤光片的加工精度要求也越来越高,容易造成加工费时长,效率低的问题。如何在高精度加工的过程中保证中波红外滤光片制备的自动化、高效化、功能集中化成为人们关注的问题。
发明内容
针对背景技术中存在的问题,提出一种中波红外滤光片制备方法。本发明中的中波红外滤光片制备方法,采用专门的制备设备,通过自动化、高效化、功能集中化的制备过程,提高了制备的效率,实现了批量、智能的加工,减少加工的工序,缩短了加工的时间。
本发明提出一种中波红外滤光片制备方法,步骤如下:
S1、对基片进行初裁;
S2、将基片放入丙酮试剂中清洗,再放入无水乙醇中清洗,最后用氮气吹干,备用;
S3、将基片、镀膜原料放入制备设备中,按照膜系设计数据的设置镀膜参数;
S4、制备设备自动对基片的两端进行镀膜。
优选的,基材为硅、蓝宝石或锗中的任意一种。
优选的,镀膜材料为ZnS、Ge和PbTe中的任意一种或多种。
优选的,制备设备包括制备箱;制备箱的上端设置箱盖,侧端连接抽真空仪器,内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台;转动台的中心设置有安装组件,外周设置有固定组件;安装组件上设置有可调节的电子枪;制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框和机械手。
优选的,安装组件包括安装座、安装架和调节件;安装座的下端连接制备箱,上端穿过转动台,连接安装架;调节件设置在安装架上,对电子枪进行角度调节。
优选的,安装架的上端设置有安装槽,下端设置有安装腔;电子枪通过转轴转动设置在安装槽上。
优选的,调节件包括电机、齿轮、齿条、升降座和调节杆;齿轮通过电机传动,转动设置在安装腔内;升降座设置在齿轮的两侧;齿条设置在两组升降座的相对端上,且分别与齿轮啮合;调节杆位于转轴的两侧,上端滑动连接电子枪的底部,下端伸入安装腔,连接对应的升降座。
优选的,安装腔的底部设置导杆;升降座滑动连接导杆。
优选的,固定组件对应工位设置四组,包括制备座、支撑架、旋转伸缩驱动件和固定架;制备座旋转设置在转动台上;支撑架设置在制备座的两侧;旋转伸缩驱动件设置在两组支撑架上端;通过旋转伸缩驱动件传动的固定架设置在两组支撑架的相对端上。
优选的,制备座上设置有收渣槽;收渣槽位于两组支撑架之间。
与现有技术相比,本发明具有如下有益的技术效果:
本发明中的中波红外滤光片制备方法,采用专门的制备设备,设置进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位。首先将基板放置在进料工位一上,固定组件通过旋转伸缩驱动件驱动固定架伸缩,从两侧夹持滤光片,对其限位、平放。接着移动至进料工位二,将镀膜原料放置在基板上。再移动至镀膜工位,电子枪工作。利用加速电子轰击镀膜材料,电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发。配合固定架的旋转,带动基板转动,加快镀膜材料的流动,使其覆盖均匀、高效成膜。单侧覆膜完成后,转动基板,使其反面朝上,返回进料工位二,再对其放料、覆膜。最后移动至出料工位,被机械手移动至对应的收纳框内。通过自动化、高效化、功能集中化的制备过程,提高了制备的效率,实现了批量、智能的加工,减少加工的工序,缩短了加工的时间。
此外,本发明设置安装组件,通过安装架对电子枪提供支撑。同时设置调节件,通过电机带动齿轮转动,推动两侧的齿条上下移动,升降座带动调节杆同步升降。使得电子枪以转轴为中心,两侧一上一下,调节发射角度,进一步实现精准、智能镀膜。
附图说明
图1为本发明一种实施例中制备设备的结构示意图;
图2为本发明一种实施例中制备设备的打开状态示意图;
图3为本发明一种实施例中制备箱的内部结构示意图;
图4为本发明一种实施例中安装组件和固定组件的结构示意图;
图5为本发明一种实施例中安装架的剖视图。
附图标记:1、制备箱;2、箱盖;3、抽真空仪器;4、螺纹杆;5、旋紧件;6、转动台;7、固定组件;8、安装组件;9、电子枪;10、收纳框;11、机械手;12、制备座;13、支撑架;14、旋转伸缩驱动件;15、固定架;16、收渣槽;17、安装座;18、安装架;19、电机;20、齿轮;21、齿条;22、升降座;23、调节杆;24、安装腔;25、安装槽;26、导杆。
具体实施方式
实施例一
本发明提出的一种中波红外滤光片制备方法,步骤如下:
S1、对基片进行初裁;
S2、将基片放入丙酮试剂中清洗,再放入无水乙醇中清洗,最后用氮气吹干,备用;
S3、将基片、镀膜原料放入制备设备中,按照膜系设计数据的设置镀膜参数;
S4、制备设备自动对基片的两端进行镀膜。
实施例二
本发明提出的一种中波红外滤光片制备方法,步骤如下:
S1、对基片进行初裁;
S2、将基片放入丙酮试剂中清洗,再放入无水乙醇中清洗,最后用氮气吹干,备用;
S3、将基片、镀膜原料放入制备设备中,按照膜系设计数据的设置镀膜参数;
S4、制备设备自动对基片的两端进行镀膜。
进一步的,基材为硅、蓝宝石或锗中的任意一种。
进一步的,镀膜材料为ZnS、Ge和PbTe中的任意一种或多种。
本实施例中的中波红外滤光片制备方法,采用专门的制备设备,通过自动化、高效化的制备过程,提高了制备的效率,实现了批量、智能的加工。
实施例三
如图1、3所示,制备设备包括制备箱1;制备箱1的上端设置箱盖2,侧端连接抽真空仪器3,内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台6;转动台6的中心设置有安装组件8,外周设置有固定组件7;安装组件8上设置有可调节的电子枪9;制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框10和机械手11。
本实施例中在制备室内设置进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位。进行滤光片制备时,将基片放置在进料工位一的收纳框10内。将镀膜原料放置在进料工位二的收纳框10内。封住箱盖2,启动抽真空仪器3,构成真空环境。随着转动台6的转动和机械手11启动。首先将基板放置在进料工位一上,固定组件7对其限位、平放。接着移动至进料工位二,将镀膜原料放置在基板上。再移动至镀膜工位,电子枪9工作。利用加速电子轰击镀膜材料,电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发,并成膜。最后移动至出料工位,被机械手11移动至对应的收纳框10内。
实施例四
如图1、3所示,制备设备包括制备箱1;制备箱1的上端设置箱盖2,侧端连接抽真空仪器3,内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台6;转动台6的中心设置有安装组件8,外周设置有固定组件7;安装组件8上设置有可调节的电子枪9;制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框10和机械手11。
如图2所示,制备箱1的上端设置有开口。箱盖2卡合设置在开口上。开口的外周设置有一圈螺纹杆4。箱盖2上设置有供螺纹杆4穿过的通孔。进行制备时,将箱盖2封住开口,螺纹杆4穿过通孔,与旋紧件5螺纹配合,形成密封环境。
实施例五
如图1、3所示,制备设备包括制备箱1;制备箱1的上端设置箱盖2,侧端连接抽真空仪器3,内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台6;转动台6的中心设置有安装组件8,外周设置有固定组件7;安装组件8上设置有可调节的电子枪9;制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框10和机械手11。
如图4所示,安装组件8包括安装座17、安装架18和调节件;安装座17的下端连接制备箱1,上端穿过转动台6,连接安装架18;调节件设置在安装架18上,对电子枪9进行角度调节。
进一步的,安装架18的上端设置有安装槽25,下端设置有安装腔24;电子枪9通过转轴转动设置在安装槽25上。
如图5所示,调节件包括电机19、齿轮20、齿条21、升降座22和调节杆23;齿轮20通过电机19传动,转动设置在安装腔24内;升降座22设置在齿轮20的两侧;齿条21设置在两组升降座22的相对端上,且分别与齿轮20啮合;调节杆23位于转轴的两侧,上端滑动连接电子枪9的底部,下端伸入安装腔24,连接对应的升降座22。
进一步的,安装腔24的底部设置导杆26;升降座22滑动连接导杆26。导杆26对升降座22进行限位,使其升降稳定,进而对电子枪9的角度调节稳定。
本实施例中提出安装组件8的具体结构,通过安装架18对电子枪9提供支撑。同时设置调节件,通过电机19带动齿轮20转动,推动两侧的齿条21上下移动,升降座22带动调节杆23同步升降。使得电子枪9以转轴为中心,两侧一上一下,调节发射角度,实现精准镀膜。
实施例六
如图1、3所示,制备设备包括制备箱1;制备箱1的上端设置箱盖2,侧端连接抽真空仪器3,内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台6;转动台6的中心设置有安装组件8,外周设置有固定组件7;安装组件8上设置有可调节的电子枪9;制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框10和机械手11。
如图4所示,固定组件7对应工位设置四组,包括制备座12、支撑架13、旋转伸缩驱动件14和固定架15;制备座12旋转设置在转动台6上;支撑架13设置在制备座12的两侧;旋转伸缩驱动件14设置在两组支撑架13上端;通过旋转伸缩驱动件14传动的固定架15设置在两组支撑架13的相对端上。
进一步的,制备座12上设置有收渣槽16;收渣槽16位于两组支撑架13之间。收渣槽16对镀膜过程中产生的料渣进行收集。
本实施例中设置固定组件7,通过旋转伸缩驱动件14驱动固定架15伸缩,从两侧夹持滤光片。使用电子枪9镀膜时,通过固定架15的旋转,带动基板转动,加快镀膜材料的流动,使其覆盖均匀、高效。单侧覆膜完成后,转动基板,使其反面朝上,返回进料工位二,再对其放料、覆膜。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于此,在所属技术领域的技术人员所具备的知识范围内,在不脱离本发明宗旨的前提下还可以作出各种变化。
Claims (10)
1.一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,步骤如下:
S1、对基片进行初裁;
S2、将基片放入丙酮试剂中清洗,再放入无水乙醇中清洗,最后用氮气吹干,备用;
S3、将基片、镀膜原料放入制备设备中,按照膜系设计数据的设置镀膜参数;
S4、制备设备自动对基片的两端进行镀膜。
2.根据权利要求1所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,基材为硅、蓝宝石或锗中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,镀膜材料为ZnS、Ge和PbTe中的任意一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,制备设备包括制备箱(1);制备箱(1)的上端设置箱盖(2),侧端连接抽真空仪器(3),内部设置制备室;制备室的底部设置有旋转的转动台(6);转动台(6)的中心设置有安装组件(8),外周设置有固定组件(7);安装组件(8)上设置有可调节的电子枪(9);制备室的侧壁上依次设置有进料工位一、进料工位二、镀膜工位和出料工位;进料工位一、进料工位二和出料工位上均设置有收纳框(10)和机械手(11)。
5.根据权利要求4所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,安装组件(8)包括安装座(17)、安装架(18)和调节件;安装座(17)的下端连接制备箱(1),上端穿过转动台(6),连接安装架(18);调节件设置在安装架(18)上,对电子枪(9)进行角度调节。
6.根据权利要求5所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,安装架(18)的上端设置有安装槽(25),下端设置有安装腔(24);电子枪(9)通过转轴转动设置在安装槽(25)上。
7.根据权利要求5所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,调节件包括电机(19)、齿轮(20)、齿条(21)、升降座(22)和调节杆(23);齿轮(20)通过电机(19)传动,转动设置在安装腔(24)内;升降座(22)设置在齿轮(20)的两侧;齿条(21)设置在两组升降座(22)的相对端上,且分别与齿轮(20)啮合;调节杆(23)位于转轴的两侧,上端滑动连接电子枪(9)的底部,下端伸入安装腔(24),连接对应的升降座(22)。
8.根据权利要求7所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,安装腔(24)的底部设置导杆(26);升降座(22)滑动连接导杆(26)。
9.根据权利要求4所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,固定组件(7)对应工位设置四组,包括制备座(12)、支撑架(13)、旋转伸缩驱动件(14)和固定架(15);制备座(12)旋转设置在转动台(6)上;支撑架(13)设置在制备座(12)的两侧;旋转伸缩驱动件(14)设置在两组支撑架(13)上端;通过旋转伸缩驱动件(14)传动的固定架(15)设置在两组支撑架(13)的相对端上。
10.根据权利要求9所述的一种中波红外滤光片制备方法,其特征在于,制备座(12)上设置有收渣槽(16);收渣槽(16)位于两组支撑架(13)之间。
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CN110524035A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-12-03 | 江苏华兴通讯科技有限公司 | 一种双轴自动铣槽设备 |
CN212025444U (zh) * | 2020-03-03 | 2020-11-27 | 布勒莱宝光学设备(北京)有限公司 | 箱式镀膜设备 |
CN113584448A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-02 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 一种光学滤光片镀膜方法 |
CN216712228U (zh) * | 2021-11-16 | 2022-06-10 | 苏州文迪光电科技有限公司 | 一种用于通信滤光片镀层加工的夹持器具 |
CN114506089A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-05-17 | 北京智创芯源科技有限公司 | 一种红外多谱段滤光片制备方法 |
CN216784919U (zh) * | 2022-03-02 | 2022-06-21 | 湖南联鹏环保科技有限公司 | 一种电镀上料装备 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN115125485B (zh) | 2023-09-12 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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