CN115105998A - 刻蚀工具以及曝气装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种曝气装置以及刻蚀工具，所述曝气装置，包括曝气管。曝气管具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。曝气管具有分别设置于第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区的多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口。第二开口位于第一开口与第三开口之间。第一开口的曝气密度与第三开口的曝气密度大于第二开口的曝气密度。

Description

刻蚀工具以及曝气装置

技术领域

本发明涉及一种刻蚀工具以及曝气装置，尤其涉及一种包含曝气管的刻 蚀工具以及曝气装置。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在于晶片上进行外延工艺或其他沉积工艺 前，通常需要对晶片进行清洗，以去除晶片表面的杂质或脏污。举例来说， 在利用无电电镀法形成镍于硅晶片表面的工艺中，部分镍金属可能会与氧反 应形成氧化镍。这些未于表面的氧化镍会影响后续形成于其上的其他膜层的 均匀度，因此，再进行下一道工艺前，需经过一道刻蚀工艺以移除不需要的 氧化镍。然而，若仅将晶片置入充满化学溶剂的刻蚀槽中没办法有效移除氧 化镍。因此，目前亟需一种可以有效清洗晶片的方法。

发明内容

本发明提供一种刻蚀工具，能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不 完全的问题。

本发明提供一种曝气装置，能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不 完全的问题。

本发明的至少一实施例提供一种刻蚀工具。刻蚀工具包括刻蚀槽、晶片 承载装置以及曝气装置。晶片承载装置位于刻蚀槽中。晶片承载装置的晶片 放置区适用于放置多个晶片。曝气装置设置于刻蚀槽中，且包括曝气管。曝 气管包括第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。第一曝气区不重叠于晶 片放置区，且曝气管具有位于第一曝气区的多个第一开口。第二曝气区重叠 于晶片放置区，且曝气管具有位于第二曝气区的多个第二开口。第三曝气区 不重叠于晶片放置区，且曝气管具有位于第三曝气区的多个第三开口。第一 曝气区、第二曝气区与第三曝气区依序连接。

本发明的至少一实施例提供一种曝气装置。曝气装置包括曝气管。曝气 管具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。曝气管具有分 别设置于第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区的多个第一开口、多个第 二开口以及多个第三开口。第二开口位于第一开口与第三开口之间。第一开 口的曝气密度与第三开口的曝气密度大于第二开口的曝气密度。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种刻蚀工具的示意图；

图2是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；

图3A是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；

图3B是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；

图4是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；

图5是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；

图6A是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；

图6B是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的斜视示意图；

图7是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；

图8是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；

图9是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；

图10是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；

图11是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。

附图标记说明

10:刻蚀工具

100:刻蚀槽

102:溶液

200、200a、200b、200c、200d、200e、200f:曝气装置

210、210a、210b、210c、210d、210f:曝气管

202:进气方向

204:出气方向

212:中央管体

214:第一伸缩管体

214a:第一延伸管体

216:第二伸缩管体

220:中央连接管

300:晶片承载装置

310:固定件

320:晶片载具

322:晶片放置区

400、400a:喷嘴

410:固定部

420:管路部

O1:第一开口

O2:第二开口

O3:第三开口

O4:第四开口

P1、P2、P3:间距

R1:第一曝气区

R2:第二曝气区

R3:第三曝气区

DR1:方向

W、W1、W2:晶片

w1、w2、EW:宽度

具体实施方式

图1是依照本发明的一实施例的一种刻蚀工具的剖面示意图。

请参考图1，刻蚀工具10包括刻蚀槽100、曝气装置200以及晶片承载 装置300。

刻蚀槽100适用于容纳溶液102。溶液102例如包含硝酸、氢氟酸、硫 酸、醋酸或盐酸等酸液，或是超纯水、纯水或其他液态溶液。

晶片承载装置300位于刻蚀槽100中，并浸入溶液102中。在本实施例 中，晶片承载装置300包括固定件310以及晶片载具320。晶片载具320设 置于固定件310上。晶片载具320具有晶片放置区322，晶片放置区322适 用于放置多个晶片W。

在本实施例中，晶片载具320例如包含多个凹槽、卡榫、夹具或其他可 用于固定晶片W的结构，使晶片W得以在晶片放置区322中排列。在本实 施例中，晶片W在晶片放置区310中沿着第一方向DR1排列，且晶片W浸 入溶液102中。

晶片W的材料例如包括硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟 (InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)或硒化锌(ZnSe)。晶片W的尺寸可以是3 吋至12吋，但本发明不以此为限。在一些实施例中，晶片W的表面选择性 地包含金属层或其他材料。

曝气装置200设置于刻蚀槽100中，且部分浸入溶液102中。曝气装置 200包括曝气管210。曝气管210具有多个开口(图1未绘出)，气体沿着入气 方向202进入曝气管210，并通过曝气管210的开口沿着出气方向204离开 曝气管204。曝气管210排出的气体于溶液102中产生气泡以扰动溶液102。 前述气体例如是氮气或者是其他种类的洁净气体。

如此一来，相较于仅将待处理的晶片W置于静止的清洗溶液中，本实施 例具有更佳的清洗效果。换句话说，本实施例可增加晶片W与溶液102间的 有效接触碰撞，进而增加清洗或刻蚀晶片W的表面的效率。

在本实施例中，曝气管210包括第一曝气区R1、第二曝气区R2以及第 三曝气区R3。第一曝气区O1、第二曝气区O2与第三曝气区O3沿着第一方 向DR1依序连接。

第一曝气区R1与第三曝气区R3不重叠于晶片放置区310，且第二曝气 区R2重叠于晶片放置区322。换句话说，本实施例的曝气管210的曝气区(具 有能使气体离开的开口的区域)的长度超出晶片放置区322的头尾两端。藉此， 本实施例可以避免晶片放置区322的头尾两端出现边际效应而导致气体及液 体的流场不稳定的情形。在一些实施例中，第一曝气区R1与第三曝气区R3 不重叠于晶片放置区322以及晶片载具320，且第二曝气区R2重叠于晶片放 置区322以及晶片载具320，藉此进一步避免晶片放置区310的头尾两端出 现边际效应而导致气体及液体的流场不稳定的情形。

曝气管210的材料例如为金属、高分子塑料、陶瓷或其他可适用的材料。

值得一提的是，上述曝气管210的布置方式并不以图1的实施例为限。 举例来说，在一些实施例中，曝气管210具有可挠性，且可以因应晶片W的 大小以及放置位置而调整成较恰当的形状。例如使曝气管210调整为S形、 W形的蜿蜒形状，甚至是呈螺旋形状，以增加曝气所产生的气泡与晶片W的 接触面积，使晶片W的表面与液体间的化学的反应更加均匀。

图2是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。举例来说， 图2是图1的曝气装置200的上视示意图。

请参考图2，曝气装置200的曝气管210具有位于第一曝气区R1的多个 第一开口O1、位于第二曝气区R2的多个第二开口O2，以及位于第三曝气区 R3的多个第三开口O3。在本实施例中，气体沿着入气方向202依序经过第 三曝气区R3、第二曝气区R2以及第一曝气区R1，并由第三开口O3、第二 开口O2以及第一开口O1离开曝气管210。

第一开口O1的开口密度与第三开口O3的开口密度大于或等于第二开口 O2的开口密度。在本实施例中，第一开口O1的开口密度与第三开口O3的 开口密度大于第二开口O2的开口密度。换句话说，在单位面积中，第一曝 气区R1中的第一开口O1的数量以及第三曝气区R3中的第三开口O3的数 量大于第二曝气区R2中的第二开口O2的数量。在本实施例中，相邻的第一 开口O1之间的间距P1与相邻的第三开口O3之间的间距P3小于相邻的第二 开口O2之间的间距P2。

在本实施例中，第一开口O1的曝气密度与第三开口O3的曝气密度大于 第二开口O2的曝气密度。曝气密度越高，则代表对应区域在单位面积中排 出的气体越多。因此，能进一步避免晶片放置区322(示出于图1)的头尾两端 出现边际效应而导致气体及液体的流场不稳定的情形。

在本实施例中，第一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3具有相同 的尺寸，且通过调整间距P1、P2、P3来改变不同区域的曝气密度，但本发明 不以此为限。在其他实施例中，通过调整第一开口O1、第二开口O2以及第 三开口O3的尺寸或形状来改变不同区域的曝气密度。举例来说，通过使第 一开口O1的尺寸以及第三开口O3的尺寸大于第二开口O2的尺寸，以使第 一开口O1的曝气密度与第三开口O3的曝气密度大于第二开口O2的曝气密 度。在本实施例中，第一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3的形状为 矩形，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一开口O1、第二开口O2 以及第三开口O3的形状为圆形、三角形、五角形、六角形或其他几何形状。

在本实施例中，第一曝气区R1的宽度EW、第二曝气区R2的宽度EW 以及第三曝气区R3的宽度EW彼此大致相同，但本发明不以此为限。前述 的宽度EW指的是第一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3的分布的宽 度，且可以代表对应产生的流场的宽度。

图3A是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。图3B是 依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图，其中图3B对应了图 3A的线a-a’的位置。在此必须说明的是，图3A和图3B的实施例沿用图1 和图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示 相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明 可参考前述实施例，在此不赘述。

图3A与图3B的曝气装置200a与图1的曝气装置200的差异在于：曝 气装置200a的曝气管210a为可伸缩的结构。

请参考图3A与图3B，曝气管210a包括中央管体212以及第一伸缩管体 214。第二曝气区R2以及第三曝气区R3位于中央管体212，且中央管体212 具有第二开口O2以及第三开口O3。第一伸缩管体214可伸缩地设置于中央 管体212上。第一曝气区R1位于第一伸缩管体214，且第一伸缩管体214具 有第一开口O1。

在本实施例中，第一伸缩管体214的宽度w1不同于中央管体212的宽 度w2。举例来说，第一伸缩管体214的宽度w1小于中央管体212的宽度w2， 使第一伸缩管体214可以缩入中央管体212中。

在本实施例中，第一伸缩管体214缩入中央管体212的部分重叠于第二 曝气区R2。在本实施例中，第一伸缩管体214缩入中央管体212的部分的第 一开口O1重叠于中央管体212的第二开口O2，使第一伸缩管体214不会遮 住中央管体212的第二开口O2。

在一些实施例中，第一伸缩管体214及中央管体212具有互相对应的凸 起与凹槽或互相对应的螺纹，使第一伸缩管体214通过凹凸对接或螺纹旋合 的方式卡合于中央管体212，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，当不需要第一伸缩管体214时，以未设置有曝气开口 的端盖取代第一伸缩管体214，以使中央管体212封闭。

图4是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。在此必须 说明的是，图4的实施例沿用图3A和图3B的实施例的元件标号与部分内容， 其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术 内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图4的曝气装置200b与图3A的曝气装置200a的差异在于：曝气装置 200b的曝气管210b还包括第二伸缩管体216。

请参考图4，第二曝气区R2位于中央管体212，且中央管体212具有第 二开口O2。第一伸缩管体214与第二伸缩管体216可伸缩地设置于中央管体 212上。第一曝气区R1位于第一伸缩管体214，且第一伸缩管体214具有第 一开口O1。第三曝气区R3位于第二伸缩管体216，且第二伸缩管体216具 有第三开口O3。

在本实施例中，第一伸缩管体214与第二伸缩管体214的宽度w1不同 于中央管体212的宽度w2。举例来说，第一伸缩管体214与第二伸缩管体 214的宽度w1小于中央管体212的宽度w2，使第一伸缩管体214与第二伸 缩管体214可以缩入中央管体212中。

在本实施例中，第一伸缩管体214缩入中央管体212的部分与第二伸缩 管体216缩入中央管体212的部分重叠于第二曝气区R2。在本实施例中，第 一伸缩管体214缩入中央管体212的部分的第一开口O1与第二伸缩管体216 缩入中央管体212的部分的第三开口O3重叠于中央管体212的第二开口O2， 使第一伸缩管体214与第二伸缩管体216不会遮住中央管体212的第二开口 O2。

在一些实施例中，第二伸缩管体216及中央管体212具有互相对应的凸 起与凹槽或互相对应的螺纹，使第二伸缩管体216通过凹凸对接或螺纹旋合 的方式卡合于中央管体212，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，当不需要第二伸缩管体216时，以未设置有曝气开口 的端盖取代第二伸缩管体216，以使中央管体212封闭。

图5是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。在此必须 说明的是，图5的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采 用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的 说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图5的曝气装置200c与图2的曝气装置200的差异在于：曝气装置200c 的曝气管210c的第一开口O1的尺寸与第三开口O3的尺寸大于第二开口O2 的尺寸。

请参考图5，相邻的第一开口O1之间的间距P1、相邻的第三开口O3之 间的间距P3以及相邻的第二开口O2之间的间距P2彼此相等。通过调整第 一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3的尺寸或形状来改变不同区域的 曝气密度。在本实施例中，第一开口O1的尺寸以及第三开口O3的尺寸大于 第二开口O2的尺寸，因此，第一开口O1的曝气密度与第三开口O3的曝气 密度大于第二开口O2的曝气密度。藉此能进一步避免晶片放置区322(示出 于图1)的头尾两端出现边际效应而导致气体及液体的流场不稳定的情形。

图6A是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。图6B是 依照本发明的一实施例的一种曝气装置的斜视示意图，其中图6B省略示出了 曝气管的第一伸缩管体与第二伸缩管体。在此必须说明的是，图6A和图6B 的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的 标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略 部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图6A与图6B，曝气装置200d包括中央连接管220以及两个曝气 管210d。两个曝气管210d平行于中央连接管220，且两个曝气管210d各自 的第二曝气区R2分别连接中央连接管220。曝气管210d的结构类似于图4 的曝气管210b。

在本实施例中，曝气管210d各自包括第一伸缩管体214、第二伸缩管体 216以及中央管体212。两个曝气管210d各自的中央管体212分别连接中央 连接管220。举例来说，曝气管210d与中央管体212通过互相对应的轨道而 互相卡合。

在本实施例中，气体沿着进气方向202进入中央连接管220，接着自中 央连接管220传递至位于其两侧的曝气管210d。

在本实施例中，中央连接管220选择性地具有第四开口O4，藉此提升曝 气装置200d的曝气量。

在本实施例中，透过两个曝气管210d于左右并联的方式扩充流场宽度， 即将流场的宽度EW扩充为至少两倍的宽度EW。达到对应大尺寸晶片刻蚀 的目的。此外，两个曝气管210d之间的角度可以调整，且曝气管210d的宽 度可以自由更换，藉此达到扩大流场的功效。举例来说，由于流场的宽度会 取决于曝气管上的第一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3分布的宽度 EW，故可以改用宽度EW为原本的两倍或三倍的曝气管结合至中央连接管220的两侧，藉此达到扩大流场的功效。

图7是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图。图8是依 照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图 7和图8的实施例沿用图6A和图6B的实施例的元件标号与部分内容，其中 采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容 的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图7与图8，在一些实施例中，两个曝气管210d之间具有夹角θ1、 θ2。基于晶片W1、W2的尺寸选择适合的夹角θ1、θ2。举例来说，当对尺寸 较大的晶片W1曝气时，使两个曝气管210d之间具有较大的夹角θ1。当对尺 寸较小的晶片W2曝气时，则使两个曝气管210d之间具有较小的夹角θ2。在 一些实施例中，两个曝气管210d之间的夹角是可调整的。

图9是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图。在此必须 说明的是，图9的实施例沿用图6A和图6B的实施例的元件标号与部分内容， 其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术 内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图9，在本实施例中，曝气装置200e还包括多个喷嘴400。喷嘴 400例如设置于曝气管210e的第一开口、第二开口以及第三开口的至少其中 一部分中。在图9中，以喷嘴400设置于第一开口O1中为例。

喷嘴400可以改变出气方向204，进一步提高曝气的效率。

图10是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图。在此必须 说明的是，图10的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采 用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的 说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参考图10，喷嘴400a例如设置于曝气管210e的第一开口、第二开口 以及第三开口的至少其中一部分中。在图10中，以喷嘴400a设置于第一开 口O1中为例。

在本实施例中，喷嘴400a包括固定部410以及管路部420。固定部410 固定于曝气管210e上，且管路部420连接固定部410。在一些实施例中，管 路部420包括软管，藉此能使出气方向204更易于调整。

图11是依照本发明的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。在此必须 说明的是，图11的实施例沿用图3A与图3B的实施例的元件标号与部分内 容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同 技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图11的曝气装置200f与图3A与图3B的曝气装置200a的差异在于：曝 气装置200f的曝气管210f为可拆卸的结构。

请参考图11，曝气管210f包括中央管体212以及第一延伸管体214a。 第二曝气区R2以及第三曝气区R3位于中央管体212，且中央管体212具有 第二开口O2以及第三开口O3。第一延伸管体214a可组装并固定于中央管体 212上，例如通过螺纹、卡榫或其他结构固定于中央管体212上。第一曝气 区R1位于第一延伸管体214a，且第一延伸管体214a具有第一开口O1。

在本实施例中，第一延伸管体214a的宽度w1不同于中央管体212的宽 度w2。举例来说，第一延伸管体214a的宽度w1小于中央管体212的宽度 w2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一延伸管体214a的宽度w1 大于中央管体212的宽度w2。

在其他实施例中，中央管体212的两端皆设置有可拆卸的延伸管体，即 中央管体212除了一端设置有第一延伸管体214a之外，另一端还可以设置有 第二延伸管体(未绘出)。在其他实施例中，可将多个可拆卸的延伸管体的曝气 管结合至一个中央连接管220(类似于图6A的结构)。

综上所述，刻蚀工具包含了曝气装置，曝气装置包含了不重叠于晶片放 置区的曝气区域，藉此能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不完全的问 题。具体地说，若曝气装置的曝气区域小于晶片放置区，使曝气装置未包含 不重叠于晶片放置区的曝气区域，会导致位于晶片放置区中靠近外侧的晶片 部分或完全不重叠于曝气区，使前述晶片因为边际效应而刻蚀不完全或不均 匀。因此，通过使曝气装置包含了不重叠于晶片放置区的曝气区域能改善前 述边际效应的问题。在一些实例中，曝气装置包含了曝气密度不同的区域，藉此能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不完全的问题。具体地说，通 过增加容易出现前述边际效应的问题的区域的曝气密度，能改善刻蚀时出现 边际效应的问题。

Claims (10)

1.一种刻蚀工具，包括：

刻蚀槽；

晶片承载装置，位于所述刻蚀槽中，且所述晶片承载装置的晶片放置区适用于放置多个晶片；以及

曝气装置，设置于所述刻蚀槽中，且包括：

曝气管，包括：

第一曝气区，不重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第一曝气区的多个第一开口；

第二曝气区，重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第二曝气区的多个第二开口；以及

第三曝气区，不重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第三曝气区的多个第三开口，其中所述第一曝气区、所述第二曝气区与所述第三曝气区依序连接。

2.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的曝气密度与所述多个第三开口的曝气密度大于所述多个第二开口的曝气密度。

3.根据权利要求2所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的开口密度与所述多个第三开口的开口密度大于或等于所述多个第二开口的开口密度。

4.根据权利要求2所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的开口尺寸与所述多个第三开口的尺寸大于或等于所述多个第二开口的开口尺寸。

5.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述多个晶片沿着第一方向排列，且所述第一曝气区、所述第二曝气区与所述第三曝气区沿着所述第一方向依序连接。

6.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述曝气管包括：

中央管体，其中所述第二曝气区位于所述中央管体，且所述中央管体具有所述多个第二开口；以及

第一伸缩管体，可伸缩地设置于所述中央管体上，其中所述第一曝气区位于所述第一伸缩管体，且所述第一伸缩管体具有所述多个第一开口。

7.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述曝气装置包括：

中央连接管；以及

两个所述曝气管，平行于所述中央连接管，且两个所述曝气管各自的所述第二曝气区分别连接所述中央连接管，以使两个所述曝气管之间具有夹角。

8.根据权利要求7所述的刻蚀工具，其中各所述曝气管包括：

中央管体，其中所述第二曝气区位于所述中央管体，且所述中央管体具有所述多个第二开口，且所述中央管体连接所述中央连接管；

第一伸缩管体，可伸缩地设置于所述中央管体上，其中所述第一曝气区位于所述第一伸缩管体，且所述第一伸缩管体具有所述多个第一开口；以及

第二伸缩管体，可伸缩地设置于所述中央管体上，其中所述第三曝气区位于所述第二伸缩管体，且所述第二伸缩管体具有所述多个第三开口。

9.根据权利要求1所述的刻蚀工具，还包括：

多个喷嘴，设置于所述多个第一开口、所述多个第二开口以及所述多个第三开口的至少其中一部分中。

10.一种曝气装置，包括：

曝气管，具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区，且所述曝气管具有分别设置于所述第一曝气区、所述第二曝气区以及所述第三曝气区的多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口，其中所述多个第二开口位于所述多个第一开口与所述多个第三开口之间，且所述多个第一开口的曝气密度与所述多个第三开口的曝气密度大于所述多个第二开口的曝气密度。

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