CN115101646A - 电致发光元件及应用其的显示装置 - Google Patents

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范铎正
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Abstract

本发明公开一种电致发光元件及应用其的显示装置，其中该电致发光元件包括第一电性半导体层、第二电性半导体层、主动层、第一电极、第二电极以及光学转换材料。主动层位于第一电性半导体层和第二电性半导体层之间，且与二者电性接触。第一电性半导体层具有一个出光面，位于主动层相反一侧，且第一电性半导体层包括规则排列的多个立体结构，共同定义出至少一个腔室，由出光面向主动层延伸。此至少一个腔室的深度实质大于第一电性半导体层厚度的70％。第一电极与第一电性半导体层电性接触。第二电极与第二电性半导体层电性接触。光学转换材料填充于此至少一个腔室之中。

Description

电致发光元件及应用其的显示装置
技术领域
本发明涉及一种发光元件及应用此发光元件的显示装置，特别涉及一种电致发光(electroluminescent)元件及应用此电致发光元件的显示装置。
背景技术
电致发光元件，例如发光二极管(Light Emitting Diode,LED)元件，是一种能发光的半导体元件，由于其反应时间短、发热性低、耐震动、低耗电量、低耗功率、热辐射小、使用寿命长等优点，已被广泛地应用于各种市售的电子产品中。
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,μLED)显示器是由多颗分立封装的微型化发光二极管通过倒装封装(Flip-chip Bonding)技术，将发光二极管裸片(die)与薄膜晶体管电路结合，形成具有单点寻址式电连接的主动驱动架构，使微发光二极管显示器具备自发光的特性。由于具备比有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)更高的材料稳定性、更长的使用寿命、更高的亮度、纳秒等级的高速响应、更高速的调变及承载信号等优势，已逐渐成为新一代显示器的主流。
为了使微发光二极管显示器具有全彩效果，必须采用色光转换(colorconversion)技术，使发光二极管裸片所发射的单色光通过光学转换材料(例如光致发光荧光材料(photoluminescence phosphor)、量子点(Quantum Dots，QD)材料、发光型染剂或上述的组合)后产生不同颜色色光作为三原色自发光显示次像素。目前市场主流方式是使用蓝光发光二极管裸片搭配量子点材料进行封装，使各个次像素的蓝光发光二极管裸片所发射的蓝光转换成不同色光。
然而，光学转换材料的光转换效率有其极限，为了提高蓝光的吸收/转换效率，必须提高光学转换材料中的量子点浓度或增加光学转换材料层的厚度。此举不仅增加制造成本也不利于微发光二极管元件的微型化，更限制了微发光二极管显示器的薄型化。
因此，有需要提供一种先进的电致发光元件及应用此电致发光元件的显示装置，来解决现有技术所面临的问题。
发明内容
本说明书的一实施例揭示一种电致发光元件，包括：第一电性半导体层、第二电性半导体层、主动(有源)层、第一电极、第二电极以及光学转换材料。主动层位于第一电性半导体层和第二电性半导体层之间，且与第一电性半导体层和第二电性半导体层电性接触。第一电性半导体层具有一个出光面，位于主动层相反一侧，且第一电性半导体层包括规则排列的多个立体结构，共同定义出至少一个腔室，由出光面向主动层延伸。此至少一个腔室的深度实质大于第一电性半导体层厚度的70％。第一电极与第一电性半导体层电性接触。第二电极与第二电性半导体层电性接触。光学转换材料填充于此至少一个腔室之中。
一种显示装置，包括:一个电路基板、至少一个反射挡墙(reflect bank)、第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元。反射挡墙位于电路基板上，并与电路基板共同定义出多个容置空间。第一发光单元和第二发光单元具有与上述电致发光元件相同的结构，第一发光单元位于多个容置空间的第一者中，并且发出红色色光；第二发光单元位于多个容置空间的第二者中，并且发出绿色色光；第三发光单元位于多个容置空间的第三者中，并发出蓝色色光。
根据上述实施例，本说明书是提供一种电致发光元件及应用其的显示装置。其是在电致发光元件的出光面一侧的半导体层中形成规则排列的多个立体结构，以共同定义出至少一个腔室，由出光面向主动层延伸，使腔室的深度实质大于第一电性半导体层厚度的70％，并将光学转换材料填充于腔室之中。
通过将光学转换材料填充于半导体层中的腔室，可以在不增加光学转换材料的整体厚度或提高包含在光学转换材料中的量子点浓度的前提下，增加由电致发光元件主动层所发出的光线与光学转换材料的反应机率，提高光线的吸收/转换效率，有效地降低制造成本，同时兼顾电致发光元件的微型化，并满足应用此电致发光元件的显示装置薄型化的需求。
附图说明
为了对本说明书的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图详细说明如下：
图1A为本说明书的一实施例所绘示的一种电致发光元件的结构上视图；
图1B为沿着图1A的切线S1所绘示的电致发光元件的剖面结构示意图；
图2A为本说明书的另一实施例所绘示的一种电致发光元件的结构上视图；
图2B为沿着图2A的切线S2所绘示的电致发光元件的剖面结构示意图；
图3为本说明书的又一实施例所绘示的一种电致发光元件的剖面结构示意图；
图4为本说明书的再一实施例所绘示的一种电致发光元件的剖面结构示意图；
图5为本说明书的又另一实施例所绘示的一种电致发光元件的剖面结构示意图；
图6为本说明书的又再一实施例所绘示的一种电致发光元件的剖面结构示意图；
图7为本说明书的一实施例所绘示的一种显示装置的剖面结构示意图；
图8为本说明书的另一实施例绘示一种显示装置的剖面结构示意图；以及
图9为本说明书的又一实施例绘示一种显示装置的剖面结构示意图。
符号说明
70:显示装置
71:电路基板
71a:基材
71b:线路层
71s:电路基板的表面
72:反射挡墙
72s:侧壁
73:第一发光单元
74:第二发光单元
75:第三发光单元
76a:容置空间
76b:容置空间
76c:容置空间
77R:红色光学转换材料
77G:绿色光学转换材料
78:透光材料
79:透明钝化保护层
80:显示装置
82:反射挡墙
82s:侧壁
90:显示装置
93:第一发光单元
94:第二发光单元
99:紫外光滤光层
100:电致发光元件
101:第一电性半导体层
101a:出光面
102:第二电性半导体层
103:主动层
104:第一电极
105:第二电极
106:光学转换材料
107:凸柱
107a:凸柱的轴心
107U:排列单元
108:腔室
108a:底面
200:电致发光元件
201:第一电性半导体层
201a:出光面
206:光学转换材料
207:凹室
207a:中轴线
208:腔室
300:电致发光元件
306:光学转换材料
309:金属反光层
309a:贯穿孔
400:电致发光元件
401:第一电性半导体层
401a:出光面
406:光学转换材料
407:凹室
408:腔室
409:金属反光层
409a:贯穿孔
500:电致发光元件
501:第一电性半导体层
501a:出光面
506:光学转换材料
507:凹室
508:腔室
509:金属反光层
509a:贯穿孔
600:电致发光元件
601:第一电性半导体层
601a:出光面
602:第二电性半导体层
603:主动(有源)层
604:第一电极
605:第二电极
606:光学转换材料
607:凹室
608:腔室
609:金属反光层
609a:贯穿孔
D:腔室的深度
d:凸柱的直径
F:堆叠方向
h:距离
T:第一电性半导体层的厚度
P:间距
S1:切线
S2:切线
δ:夹角
具体实施方式
本说明书是提供一种电致发光元件及应用其的显示装置，可提升光线在其光学转换材料中的吸收/转换效率，有效地降低制造成本，有利于电致发光元件的微型化，并满足显示装置薄型化的需求。为了对本说明书的上述实施例及其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举多个优选实施例，并配合所附的附图作详细说明。
但必须注意的是，这些特定的实施案例与方法，并非用以限定本发明。本发明仍可采用其他特征、元件、方法及参数来加以实施。优选实施例的提出，仅用以例示本发明的技术特征，并非用以限定本发明的权利要求。该技术领域中普通技术人员，将可根据以下说明书的描述，在不脱离本发明的精神范围内，作均等的修饰与变化。在不同实施例与附图之中，相同的元件，将以相同的元件符号加以表示。
请参照图1A和图1B，图1A是根据本说明书的一实施例所绘示的一种电致发光元件100的结构上视图；图1B是沿着图1A的切线S1所绘示的电致发光元件100的剖面结构示意图。如图1B所示电致发光元件100包括：第一电性半导体层101、第二电性半导体层102、主动层103、第一电极104、第二电极105以及光学转换材料106。
主动层103位于第一电性半导体层101和第二电性半导体层102之间，且与第一电性半导体层101和第二电性半导体层102电性接触。其中，第一电性半导体层101、第二电性半导体层102和主动层103可以是利用沉积技术，例如有机金属化学气相沉积技术，所形成的一种外延堆叠结构。
例如在本说明书的一些实施例中，第一电性半导体层101和第二电性半导体层102可以分别为一种n型半导体层和一种p型半导体层；主动层103可以是一种包括多个半导体纳米结构，例如半导体纳米管(nanotubes)、半导体纳米管(nanorods)、纳米颗粒(nano-particles)，的多重量子阱(Multiple-Quantum Well)结构。
构成此种外延堆叠结构的材料，包括:氮化铝铟镓(AlGaInN)或氮化镓(GalliumNitride,GaN)。在本实施例中，第一电性半导体层101可以包括一个n型电性氮化镓层；第二电性半导体层102可以包括一个p型电性氮化镓层；主动层103为具有氮化镓的多重量子阱结构。
第一电性半导体层101具有一个出光面101a，且包括规则排列的多个立体结构，共同定义出至少一个腔室(例如多个腔室108)，由出光面101a向主动层103延伸，且每一个腔室108的深度D实质大于第一电性半导体层101的厚度T的70％。
在本说明书的一些实施例中，多个立体结构包括尺寸形状实质相同且规则排列的多个凸柱107，且相邻二凸柱107之间具有一个间距P，此间距P实质为凸柱107的直径d的1.5至5倍。
例如在本实施例中，如图1A所绘示，多个凸柱107是采用蜂巢状排列方式，以7个凸柱107为一个排列单元107U，分别将凸柱107的轴心排列在一个六角形图案的中心和其六个顶点，已构成一个排列单元107U；再以相同方式对多个排列单元107U进行二维的六角形最密堆积，由此在第一电性半导体层101的出光面101a定义出多个规则排列的腔室108。例如，腔室108可以是每一个排列单元107U的六个顶点与中心凸柱107所共同定义(共同围绕而成)的空间。
其中，凸柱107的直径d介于约0.5微米(μm)至2微米之间。相邻二凸柱107的轴心107a之间的间距P为凸柱107的直径d的2至3倍。由多个立体结构(例如二个相邻凸柱107)所共同定义的每一个腔室108具有一个底面108a，底面108a与主动层103之间具有实质小于1微米的一段距离h，使每一个腔室108的深度D实质介于2微米至3微米之间。
另外，每一个凸柱107都具有一个垂直于主动层103、第一电性半导体层101和第二电性半导体层102的堆叠方向F的圆形横截面(如图1A所绘示)，以及平行于堆叠方向F的长方形(长条形)纵截面，使每一个腔室108具有一个平行于堆叠方向F的长方形(长条形)纵截面(如图1B所绘示)。
但值得注意的是，立体结构(例如，多个凸柱107)的形状与排列方式并不以此为限，任何一种可以在第一电性半导体层101的出光面101a定义出规则排列的多个腔室108的立体结构，都未脱离本说明书所述的精神范围。其他形式的立体结构请参照下述实施例。
第一电极104与第一电性半导体层101电性接触。第二电极105与第二电性半导体层102电性接触。在本说明书的一些实施例中，第一电极104的一端都位于第二电性半导体层102远离主动层103的一侧；另一端穿过第二电性半导体层102和主动层103而与第一电性半导体层101电性接触，但与第二电性半导体层102和主动层103电性隔离。第二电极105也位于第二电性半导体层102远离主动层103的一侧，且直接与第二电性半导体层102电性接触。
构成第一电极104和第二电极105的材料可以相同或不同。在一些实施例中，构成第一电极104和第二电极105的材料可以选自由铟(In)、铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)、钨(W)、铝(Al)、钕(Nd)、钯(Pd)、铂(pt)、锆(Zr)、镍/硅(Ni/Si)、铟锡(InSn)、氮化钛(TiN)、硅化钨(WSi)、铂铟(PtIn2)、氮化锆(/ZrN)及上述组合所组成的一族群。
光学转换材料106填充于每一个腔室108之中。在本说明书的一些实施例中，光学转换材料106可以是一种光致发光荧光材料、量子点材料、发光型染剂或上述的组合。例如在一实施例中，由主动层103所发出的光线在穿过光学转换材料106之后可以被转换为具有波长实质上介于约570纳米(nm)至750纳米之间的红色色光R。在另一实施例中，由主动层103所发出的光线在穿过光学转换材料106之后可以被转换为具有波长实质上介于约495纳米(nm)至570纳米之间的绿色色光(未绘示)。
在本实施例中，光学转换材料106填充于由多个立体结构所共同定义的腔室108(相邻二凸柱107之间的空隙)，并延伸超过第一电性半导体层101的出光面101a，进而整体包覆住第一电性半导体层101、主动层103和第二电性半导体层102。
通过将光学转换材料106填充于每一个腔室108之中，可以在不增加电致发光元件100中光学转换材料106的整体厚度或提高光学转换材料106中量子点浓度的前提下，增加由主动层103所发出的光线与光学转换材料106的反应机率，提高光线的吸收/转换效率，有效地降低制造成本，有利于电致发光元件100的微型化和薄型化。
请参照图2A和图2B，图2A是根据本说明书的另一实施例所绘示的一种电致发光元件200的结构上视图；图2B是沿着图2A的切线S2所绘示的电致发光元件200的剖面结构示意图。电致发光元件200的结构大致与电致发光元件100类似，主要的差别在于第一电性半导体层201的立体结构的配置有所不同。
在本说明书的一些实施例中，第一电性半导体层201的立体结构包括尺寸形状实质相同且规则排列的多个凹室207，且相邻凹室207的中轴线207a间具有一个间距P，此间距P实质为凹室207的直径d的1.5至5倍。在本实施例中，凹室207的直径d介于约0.5微米至2微米之间。相邻二凹室207的轴心207a之间的间距P为凹室207的直径d的2至3倍。
如图2A所绘示，每一个凹室207都具有一个垂直于主动层103、第一电性半导体层201和第二电性半导体层102的堆叠方向F的多边形横截面(例如，六角形横截面，但不以此为限)，以及平行于堆叠方向F的长方形纵截面(例如，长条形纵截面，但不以此为限)，使每一个凹室207都对应地定义出一个腔室208(如图2B所绘示)。
光学转换材料206不仅填充于凹室207(腔室208)之中，还延伸覆盖在第一电性半导体层201的出光面201a上方，但并未整体包覆住第一电性半导体层201、主动层103和第二电性半导体层102。通过将光学转换材料206填充于每一个腔室208之中，可以在不增加电致发光元件200中光学转换材料206的整体厚度或提高光学转换材料206中量子点浓度的前提下，增加由主动层103所发出的光线与光学转换材料206的反应机率，提高光线的吸收/转换效率，有效地降低制造成本，有利于电致发光元件200的微型化和薄型化。
请参照图3，图3是根据本说明书的又一实施例所绘示的一种电致发光元件300的剖面结构示意图。电致发光元件300的结构大致与电致发光元件200类似，主要的差别在于电致发光元件300更可以选择性地(optionally)包括一个金属反光层309。
在本实施例中，金属反光层309位于第一电性半导体层201的出光面201a的外侧，用于反射由出光面201a的外侧向第一电性半导体层201内部入射的外部环境光，且反射一部分由主动层103所发出的光线。金属反光层309具有至少一个(在本实施例中为多个)贯穿孔309a，每一个贯穿孔309a对准一个对应的腔室208。光学转换材料306仅填充于凹室207(腔室208)之中，并未延伸超过金属反光层309的贯穿孔309a之外。
由主动层103所发出的光线(例如，蓝色色光)在穿过光学转换材料306之后，大部分可以被转换成具有波长实质上介于约495纳米(nm)至570纳米之间的绿色色光。其中，一部分绿色色光和一部分未被转换的蓝色色光，以例如小于5°的发散角，通过贯穿孔309a向出光面301a的外侧出射；另一部分未被转换的蓝色色光和另一部分绿色色光被金属反光层309反射，重新回到光学转换材料306和第一电性半导体层201中，经过多次反射后仍可以通过贯穿孔309a向出光面201a的外侧出射。通过金属反光层309的反射，可以增加由主动层103所发出的光线与光学转换材料306的反应机率，提升绿色色光的转换效率。
请参照图4，图4是根据本说明书的再一实施例所绘示的一种电致发光元件400的剖面结构示意图。电致发光元件400的结构大致与电致发光元件300类似，主要的差别在于第一电性半导体层401的立体结构形状有所不同。
在本实施例中，第一电性半导体层401的立体结构包括尺寸形状实质相同且规则排列的多个凹室407，每一个凹室407都具有一个平行于主动层103、第一电性半导体层401和第二电性半导体层102的堆叠方向F，且由第一电性半导体层401出光面401a向下延伸，上宽下窄的楔形纵截面，使每一个凹室407都对应地定义出一个腔室408。光学转换材料406仅填充于凹室407(腔室408)之中，并未延伸超过金属反光层409的贯穿孔409a之外。
请参照图5，图5是根据本说明书的又另一实施例所绘示的一种电致发光元件500的剖面结构示意图。电致发光元件500的结构大致与电致发光元件300类似，主要的差别在于用于第一电性半导体层501的立体结构形状有所不同。
在本实施例中，第一电性半导体层501的立体结构也括尺寸形状实质相同且规则排列的多个凹室507，每一个凹室507都具有一个平行于主动层103、第一电性半导体层301和第二电性半导体层102的堆叠方向F，且由第一电性半导体层501出光面501a向下延伸的弧形纵截面，使每一个凹室507都对应地定义出一个腔室508。光学转换材料506仅填充于凹室507(腔室508)之中，并未延伸超过金属反光层509的贯穿孔509a之外。
请参照图6，图6是根据本说明书的又再一实施例所绘示的一种电致发光元件600的剖面结构示意图。电致发光元件600的结构大致与电致发光元件200类似，主要的差别在于用来填充光学转换材料606的腔室608、第一电极60主动层603和第二电性半导体层602的结构配置有所不同。
在本实施例中，第一电性半导体层601的立体结构包括尺寸形状实质相同且规则排列的多个凹室607，每一个凹室607都具有一个平行于主动层603、第一电性半导体层601和第二电性半导体层602的堆叠方向F，且由第一电性半导体层601出光面601a向下延伸穿过第一电性半导体层601和主动层603，并且部分延伸进入第二电性半导体层602(但未贯穿第二电性半导体层602)，使每一个凹室607都对应地定义出一个腔室608。光学转换材料606仅填充于凹室607(腔室608)之中，并未延伸超过金属反光层609的贯穿孔609a之外。
第一电极604配置于金属反光层609远离第一电性半导体层601出光面601a的一侧，并通过金属反光层609与第一电性半导体层601电性接触。第二电极605配置于第二电性半导体层602远离主动层603的一侧，并与第二电性半导体层602直接接触。在本实施例中，第一电极601可以是一种包含氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明电极层。第二电极605可以是金属反射层。
以上所述的电致发光元件100、200、300、400、500或600可以是一种发光二极管元件，且可应用于显示装置70的制作。例如请参照图7，图7是根据本说明书的一实施例所绘示的一种显示装置70的剖面结构示意图。在本实施例中，显示装置70是应用多个具有与图2A和图2B述电致发光元件200结构相同的发光单元(例如，第一发光单元73和第二发光单元74)所制作而成。
其中，显示装置70包括一个电路基板71、至少一个反射挡墙(例如，多个反射挡墙72)、第一发光单元73、第二发光单元74以及第三发光单元75。其中，电路基板71包括基材71a和位于其上方的线路层71b。反射挡墙72位于电路基板71上，且每一个反射挡墙72都有至少一个侧壁72s与电路基板71的表面71s实质上垂直，并与电路基板71的表面71s共同定义出多个容置空间(例如，容置空间76a、76b和76c)。
第一发光单元73和第二发光单元74具有与上述电致发光元200件相同的结构。第一发光单元73位于容置空间76a中；第二发光单元74位于容置空间76b中；第三发光单元705位于容置空间76c中，且第一发光单元73、第二发光单元74、第三发光单元75分别与位于电路基板71的基材71b上方的线路层71b电连接。
其中，由第一发光单元73和第二发光单元74中的主动层103所发出的光线为蓝色色光。第一发光单元73的腔室208内所填充的光学转换材料，是一种可以将蓝色色光转换成红色色光的红色光学转换材料77R；第二发光单元74的腔室208内所填充的光学转换材料，是一种可以将蓝色色光转换成绿色色光的绿色光学转换材料77G；第三发光单元705是一种可以发出蓝色色光的发光二极管元件。
容置空间76a、76b和76c填充有透光材料78，并且覆盖于第一发光单元73、第二发光单元74以及第三发光单元75上。透光材料78上还包括一个透明钝化保护层79。由第一发光单元73、第二发光单元74以及第三发光单元75所发出的红色色光、绿色色光和蓝色色光分别从容置空间76a、76b和76c的开口76o向外出射。第一发光单元73、第二发光单元74以及第三发光单元75三者可以构成显示装置70的一个像素单元。
请参照图8，图8是根据本说明书的另一实施例绘示一种显示装置80的剖面结构示意图。显示装置80的结构大致与显示装置70类似，主要差别在于反射挡墙82的形状和容置空间86a、86b和86c内所填充的材料有所不同。
在本实施例中，显示装置80的每一个反射挡墙82都有至少一个侧壁82s与电路基板71的表面71s形成实质介于45°至60之间的一个夹角δ。容置空间86a中填充有红色光学转换材料77R，并覆盖于第一发光单元73上；容置空间86b中填充有绿色光学转换材料77G，并覆盖于第二发光单元74上；容置空间86c填充有透光材料78，并覆盖于第三发光单元75上。
请参照图9，图9是根据本说明书的又一实施例绘示一种显示装置90的剖面结构示意图。显示装置90的结构大致与显示装置80类似，主要差别在于由第一发光单元93和第二发光单元94中的主动层103所发出的光线为紫外光。且容置空间76a、76b和76c填充有透光材料78覆盖第一发光单元93、第二发光单元94以及第三发光单元75。透光材料78上还包括一个紫外光滤光层(VU cut)99，用来过滤一部分未被红色光学转换材料77R和绿色光学转换材料77G转换成红色色光和绿色色光的光线(紫外光)。
根据上述实施例，本说明书是提供一种电致发光元件及应用其的显示装置。其是在电致发光元件的出光面一侧的半导体层中形成规则排列的多个立体结构，以共同定义出至少一个腔室，由出光面向主动层延伸，使腔室的深度实质大于第一电性半导体层厚度的70％，并将光学转换材料填充于腔室之中。
通过将光学转换材料填充于半导体层中的腔室，可以在不增加光学转换材料的整体厚度或提高包含在光学转换材料中的量子点浓度的前提下，增加由电致发光元件主动层所发出的光线与光学转换材料的反应机率，提高光线的吸收/转换效率，有效地降低制造成本，同时兼顾电致发光元件的微型化，并满足应用此电致发光元件的显示装置薄型化的需求。
虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何该技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的为准。

Claims (15)

1.一种电致发光(electroluminescent)元件，包括：
第一电性半导体层；
第二电性半导体层；
主动层，位于该第一电性半导体层和该第二电性半导体层之间，且与该第一电性半导体层和该第二电性半导体层电性接触；
其中该第一电性半导体层具有出光面，位于该主动层相反一侧，且该第一电性半导体层包括规则排列的多个立体结构，共同定义出至少一腔室，由该出光面向该主动层延伸，该至少一腔室具有深度，实质大于70％该第一电性半导体层的厚度；
第一电极，与该第一电性半导体层电性接触；
第二电极，与该第二电性半导体层电性接触；以及
光学转换材料，填充于该至少一腔室之中。
2.如权利要求1所述的电致发光元件，其中该第一电性半导体层包括n型电性氮化镓(Gallium Nitride,GaN)层；该第二电性半导体层包括p型电性氮化镓层；该主动层包括多重量子阱(Multiple-Quantum Well)结构。
3.如权利要求1所述的电致发光元件，其中该多个立体结构包括尺寸实质相同且规则排列的多个凸柱或多个凹室；且该至少一腔室位于该多个凸柱之间或为该多个凹室的至少一者。
4.如权利要求3所述的电致发光元件，其中该多个凸柱或多个凹室的相邻二者具有间距，该间距实质为该多个凸柱或多个凹室的直径的1.5至5倍。
5.如权利要求3所述的电致发光元件，其中该多个凸柱或多个凹室具有蜂巢式排列方式。
6.如权利要求1所述的电致发光元件，其中该至少一腔室具有平行该主动层、该第一电性半导体层和该第二电性半导体层的堆叠方向的纵截面，该纵截面为条形、楔型或弧形。
7.如权利要求1所述的电致发光元件，其中该至少一腔室具有底面，与该主动层之间具有实质小于1微米(μm)的距离，且该深度实质介于2微米至3微米之间。
8.如权利要求1所述的电致发光元件，其中该如权利要求1所述的电致发光元件，其中该至少一腔室穿过该主动层和该第一电性半导体层，并延伸进该第二电性半导体层。
9.如权利要求1所述的电致发光元件，还包括金属反光层，位于该出光面上，且该金属反光层具有至少一贯穿孔，对准该至少一腔室。
10.一种显示装置，包括:
电路基板；
至少一反射挡墙(reflect bank)，位于该电路基板上，并与该电路基板共同定义出多个容置空间；
第一发光单元，具有与如权利要求1至9的一者所述的该电致发光元件的相同结构，并位于该多个容置空间的第一者中，且发出红色色光；
第二发光单元，具有该相同结构，并位于该多个容置空间的第二者中，且发出绿色色光；以及
第三发光单元，位于该多个容置空间的第三者中，并发出蓝色色光。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中该多个容置空间的该第一者、该第二者和该第三者中填充透光材料，且用于共同定义出该多个容置空间的该至少一反射挡墙的侧壁和该电路基板的表面实质上相互垂直。
12.如权利要求10所述的显示装置，其中用于共同定义出该多个容置空间的该至少一反射挡墙的侧壁与该电路基板的表面形成实质介于45°至60°之间的夹角。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中:
该多个容置空间的该第一者中填充红色光学转换材料；
该多个容置空间的该第二者中填充绿色光学转换材料；以及
该多个容置空间的该第三者中填充透光材料。
14.如权利要求10所述的显示装置，其中该第一发光单元的第一主动层以及该第二发光单元的第二主动层分别发出紫外光。
15.如权利要求13所述的显示装置，还包括紫外光滤光层(VU cut)。
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