CN115079516A - 纳米银线光阻剂、触控结构和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种纳米银线光阻剂，包括纳米银线和分散树脂，分散树脂由式(1)表示：(Z‑A)_n‑R_m (1)，式(1)中，n＝1‑5，m＝1‑5，且n+m≤6；Z表示H，或含有氨基、环氧基、具有1～14个碳原子的烷基、具有3～14个碳原子的环烷基或芳基取代基的丙烯酸类共聚物；R表示C、N、CH基团、

或含有2‑14个碳原子的直链烷基、2‑14个碳原子的脂肪环烷基、3‑14个碳原子的芳基和杂芳基中的至少一种；A由式(2)表示：

式(2)中，W与Z连接，羧基与R连接。

Description

纳米银线光阻剂、触控结构和显示装置

技术领域

本发明涉及光阻剂技术领域，尤其涉及包括纳米银线和分散树脂的纳米银线光阻剂以及使用了该纳米银线光阻剂的触控结构和显示装置。

背景技术

触摸显示屏是以智能手机为代表的各类智能显示触控终端最重要的器件之一，触摸显示屏是实现人机交互、多媒体信息传递的终端硬件。

但是，对于以65寸以上的大屏触控电教为代表的商用一体化大屏显示，例如触控显示电教一体化会议机，触控控制是一个重要瓶颈技术。具体原因是，现有最成熟的触控电容材料ITO，在超过32寸的触控传感器尺寸时，由于ITO的电阻率不能很好的降低到100欧姆/电阻以下，导致触控驱动芯片无法有效的传递触摸信号，导致触控操作体验不良。

对于商用一体机的制造来说，如果能把触控传感器集成在盖板表面，或者是显示器的表面，不仅减少了整机的结构层数，随之而来带来光学性能提升。

现有的一种方法使用纳米银线光阻剂来制作触控层，存在的问题是，纳米银线容易团聚絮凝，导致纳米银线光阻剂可涂布性达不到要求，进而导致制作的透明导电线条不够精细，影响触控效果。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种纳米银线光阻剂，该纳米银线光阻剂具有良好的导电性和高的光透过率，并且粘度低、涂布性能好，在制作触控结构和应用在触控显示一体化器件上时，能够替代ITO制作各类透明电极，且电阻降低，尤其克服了ITO不耐弯曲的缺点，在柔性触摸显示方面具有良好的表现。本发明的目的之二在于提供一种触控结构及其制造方法，通过该触控结构获得触控效果灵敏、实现可弯曲的柔性触控，并且减少了制程流程和成本的作用。

本发明的目的之三在于提供一种含有触控结构的显示装置及其制造方法，通过该显示装置获得触控效果灵敏、实现可弯曲的柔性触控，并且减少了制程流程和成本。

本发明的目的采用以下技术方案实现：

一种纳米银线光阻剂，包括纳米银线和分散树脂，分散树脂的作用为稳定流变和抗团聚絮凝，所述分散树脂由式(1)表示：

(Z-A)_n-R_m(1)，

其中，在式(1)中，n＝1-5，m＝1-5，且n+m≤6；

Z表示H，或含有氨基、环氧基、具有1～14个碳原子的烷基、具有3～14个碳原子的环烷基或芳基取代基的丙烯酸类共聚物；

R表示C、N、CH基团、

或含有2-14个碳原子的直链烷基、2-14个碳原子的脂肪环烷基、3-14个碳原子的芳基和杂芳基中的至少一种；

A由式(2)表示：

并且在式(2)中，W与Z连接，羧基与R连接，W表示H原子、具有1～14个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2～6个碳原子的环氧烷基、具有3～14个碳原子的取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的至少一种。

分散树脂为具有上述结构的端基低聚物分子分散剂，该分散树脂分子端基为甲基丙烯酸与苯乙烯共聚物、聚酯共聚物、聚氨酯共聚物、环氧树脂共聚物、羟乙基纤维素醚、羟丙基甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素醚或聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种及以上。在分散液当中的固含量占比为0.1-20％，优选1-10％，更优选2-5％。

在一些可选实施例中，n＝1-3，m＝1-3，且n+m≤4，和/或

Z表示选自由甲基丙烯酸、丙烯酸、丙烯酸苄酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯、甲基丙烯酸羟乙酯、羟丁基丙烯酸酯、氮苯基马来酰亚胺、马来酸酐、2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯或季戊四醇丙烯酸酯所组成的组中的一种以上化合物所形成的共聚物，和/或

W表示H、甲基、乙基、羟基取代的烷基、环氧烷基、苯基、苄基、酚基中的至少一种。

在一些可选实施例中，A表示由下列各式所表示的化合物中的至少一种：

上述分散树脂可以采用以下制备方法得到，包括以下步骤：

在自由基引发剂的作用下，将含有氨基、环氧基、具有1～14个碳原子的烷基、具有3～14个碳原子的环烷基或芳基取代基的丙烯酸类化合物加入到含链转移剂的第一溶剂中，在惰性气氛下，通过自由基溶液聚合反应，生成丙烯酸类共聚物Z；

将所获得的丙烯酸类共聚物Z与中间体在催化剂的存在下，在第二溶剂中进行反应，以生成分散树脂。

用于制备所述分散树脂的中间体由式(3)表示：

(X-A)_n-R_m(3)，

其中，在式(3)中，X表示卤素；

n＝1-5，m＝1-5，且n+m≤6；

R表示C、N、CH基团、

或含有2-14个碳原子的直链烷基、2-14个碳原子的脂肪环烷基、3-14个碳原子的芳基和杂芳基中的至少一种；

A由式(2)表示：

并且在式(2)中，W与X连接，羧基与R连接，W表示H原子、具有1～14个碳原子的饱和或不饱和烷基、具有2～6个碳原子的环氧基、具有3～14个碳原子的取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的至少一种。式中的波浪线用于表示连接其他基团。

在一些可选的实施例中，X为Cl、Br或I，

n＝1-3，m＝1-3，且n+m≤4，和/或

W表示H、甲基、乙基、羟基取代的烷基、环氧烷基、苯基、苄基、酚基中的至少一种。

在一些可选的实施例中，所述中间体为以下各式所表示的化合物中的一种：

如上所述，式(3-1)～(3-12)中，X表示卤素，优选为Cl、Br或I，更优选为Br。

在一些可选的实施例中，在本发明的分散树脂的制备方法中，将所获得的丙烯酸类共聚物Z与所述中间体在催化剂的存在下，在第二溶剂中加热溶解回流2-5Hr之后，在70～120℃，搅拌5～12Hr进行反应，以生成所述分散树脂，和/或

所述丙烯酸类共聚物Z与所述中间体的质量比为1:1～1.5:1。

在一些可选的实施例中，在本发明的分散树脂的制备方法中，将所获得的丙烯酸类共聚物Z与所述中间体在催化剂的存在下，在第二溶剂中加热溶解回流3.5Hr之后，在90℃，搅拌8Hr进行反应，以生成所述分散树脂，和/或

所述丙烯酸类共聚物Z与所述中间体的质量比为1.2:1。

在一些可选的实施例中，在本发明的分散树脂的制备方法中，所述丙烯酸类化合物为选自由甲基丙烯酸、丙烯酸、丙烯酸苄酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯、甲基丙烯酸羟乙酯、羟丁基丙烯酸酯、氮苯基马来酰亚胺、马来酸酐、2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯或季戊四醇丙烯酸酯所组成的组中的一种以上化合物，和/或

所述第一溶剂和所述第二溶剂各自为选自由甲苯、乙酸乙酯、DMF、NMP、DMSO和乙腈所组成的组中的至少一种，和/或

所述催化剂为选自由四甲基胍、TMG、KI、NaI、三乙胺和二甲双胍所组成的组中的至少一种。

在一些可选的实施例中，反应结束后，旋转蒸发完溶剂，可以重新加入例如原反应溶剂体积1.5倍量的正丁醇，在例如55℃下搅拌例如1Hr，投加至例如3倍量的石油醚中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到分散树脂。

在一些可选实施例中，纳米银线光阻剂包含以重量份计的以下原料：纳米银线0.1-10份、调色剂0.05-5份、分散树脂0.1-10份、显影树脂0.3-20份、光固化树脂0.4-40份、光引发剂0.05-0.5份、助剂0.05-1份和有机溶剂300-1000份。

在一些可选实施例中，所述纳米银线的平均线径宽度D₅₀为10-80nm，所述纳米银线的平均长度D₅₀为3-60μm。

纳米银线的制备方法是采用化学法制作加工，例如：硝酸银催化剂还原法制备的纳米银线，再经过溶剂置换及加入本发明的通式(1)结构的分散树脂，以稳定纳米银线所在有机溶剂中的分散稳定性。为了使纳米银线在100℃温度烘干后形成的单层透明网状搭接薄膜表面的电阻率在500-100000mΩ/cm²范围内，其所在分散液当中的固含量占比为0.06-0.8％，随着纳米银线占比上升，薄膜的透光率将从99％下降到90％。

在一些可选实施例中，所述调色剂的粒径为5-200nm，且所述调色剂选自由肽菁颜料、咔唑类颜料、石墨烯和碳纳米管组成的组中的一种或几种。

所述调色剂的粒径优选为10-100nm，更优选为20-50nm。具有该粒径尺寸的上述物质，通过超分散剂加湿法研磨工艺预处理成一种有机分散浆，浓度为0.001-0.5％，添加到上述含纳米银线和具有通式(1)结构的分散树脂的分散浆之中，起到调节b*值、改善黄变的作用。

所述显影树脂为甲基丙烯酸与甲基丙烯酸甲酯共聚物、甲基丙烯酸与甲基丙烯酸环己酯共聚物、甲基丙烯酸与甲基丙烯酸环氧丙氧酯共聚物、甲基丙烯酸与甲基丙烯酸-2-羟基乙酯共聚物、甲基丙烯酸-苯乙烯-马来酸酐共聚物、甲基丙烯酸与甲基丙烯酸环己酯或苯乙烯和甲基丙烯酸-2-羟基乙酯共聚物中的一种，所述显影树脂在分散液中的固含量占比为0.3-20％。所述显影树脂的平均酸值为60KOH/g-200KOH/g，优选90KOH/g-150KOH/g。

所述光固化树脂选自下述化合物中的一种或多种：环氧大豆油丙烯酸酯、改性环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、二丙二醇二丙烯酸酯(DPGDA)、季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯。

所述光引发剂主要是以电不对称活性的光引发剂为主，肟酯引发剂、三嗪类引发剂或杂环引发剂。优选自以下结构中的一种：氧化二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2-苯甲基-2-(二甲氨基)-4'-吗啉代丁酰苯、2-甲基-1-[4-甲硫基苯基]-2-吗啉丙烷-2-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、2-异丙基硫杂蒽酮、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲氨基苯甲酸菜2-乙基己酯、邻苯甲酰苯甲酸甲酯、4–甲基二苯甲酮以及下述式(6-1)至(6-7)表示的化合物。

所述助剂为流平剂和偶联剂，所述流平剂为聚醚改性聚二甲基硅氧烷溶液、聚酯改性聚二甲基硅氧烷溶液、聚醚改性聚硅氧烷溶液、聚酯改性聚甲基烷基硅氧烷溶液、聚醚改性聚二甲基硅氧烷溶液、聚醚改性聚二甲基硅氧烷溶液、聚丙烯酸酯溶液或氟碳共聚物溶液中的一种或两种及以上；所述偶联剂为N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷和N’-β’-氨乙基-N-β-氨乙基-α-氨甲基三乙氧基硅、γ-环己胺丙基三乙氧基硅烷和甲基、γ-环已胺丙基二甲氧基硅烷或γ-氯丙基三乙氧基硅烷(γ2)中的一种或两种及以上。

所述有机溶剂为甲乙酮、乙基溶纤剂、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、2-乙氧基丙醇、2-甲氧基丙醇、3-甲氧基丁醇、3-乙氧基丙酸乙酯、环己酮、环戊酮、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、乙酸乙酯、乙酸异丁酯、乙酸叔丁酯或乙酸正丁酯中的一种或两种及以上。

纳米银线光阻剂的制备方法可以是，将以上材料按照配方比例配备后，先将分散树脂加入纳米银线和调色剂溶液当中，制成分散液，使用机械搅拌或超声分散或震荡仪或辊摇机等设备将其制成改善黄变分散纳米银线浆；在此基础上加入光固化树脂、光引发剂、显影树脂、助剂，继续使用机械搅拌或超声分散或震荡仪或辊摇机等设备，将其制成纳米银光阻剂。

一种触控结构，包括多个相互绝缘的第一导电组和多个相互绝缘的第二导电组，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，每一第一导电组沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元，每一第二导电组沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元，第一方向和第二方向交叉，所述多个第一导电组和多个第二导电组由上述任一项所述的纳米银线光阻剂形成。

在一些可选实施例中，所述第一方向与所述第二方向正交，在所述第一导电组和第二导电组的交点处，所述第一导电组和第二导电组之间设置有绝缘光刻胶以使第一导电组和第二导电组彼此绝缘。

一种触控结构的制作方法，包括：

使用上述任一项所述的纳米银线光阻剂，在基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第一导电组，每一所述第一导电组包括沿第一方向延伸的多个电性连接的第一导电单元；

在所述基片上通过光刻工艺形成绝缘层，所述绝缘层位于相邻两个所述第一导电单元的交汇点上且覆盖所述交汇点；以及

使用上述任一项所述的纳米银线光阻剂，在所述基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第二导电组，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，每一所述第二导电组包括沿第二方向延伸的多个电性连接的第二导电单元，相邻两个所述第二导电单元的交汇点位于所述绝缘层之上，第一方向和第二方向交叉。

一种含有触控结构的显示装置，所述显示装置包括显示器、触控结构和盖板，所述触控结构是上述的触控结构。

在一些可选实施例中，所述显示器是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器，所述液晶显示器可以包括从下至上依次设置的TFT背板、液晶层、彩色滤光片和偏光片，所述触控结构位于显示器的偏光片和盖板之间并设置在偏光片上或偏光片与盖板之间的绝缘膜上，绝缘膜例如是PET膜，或者所述触控结构设置在彩色滤光片上并位于偏光片和彩色滤光片之间，或者触控结构设置在TFT背板上并位于TFT背板和液晶层之间。

一种含有触控结构的显示装置，包括：

显示器，所述显示器包括偏光片，所述偏光片的上表面设置有多个相互绝缘的第一导电组以及覆盖第一导电组的第一保护层，每一第一导电组沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元，所述多个第一导电组由上述任一项所述的纳米银线光阻剂形成；

透明绝缘膜，所述透明绝缘膜的下表面设置在所述第一保护层上，所述透明绝缘膜的上表面设置有多个相互绝缘的第二导电组以及覆盖第二导电组的第二保护层，每一第二导电组沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，第一方向和第二方向交叉，所述多个第二导电组由上述任一项所述的纳米银线光阻剂形成；

盖板，所述盖板设置在所述第二保护层上。

在一些可选实施例中，所述显示器是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器。

相比现有技术，本发明的有益效果至少包括：

1.本发明的纳米银线光阻剂通过采用上述新型结构的分散树脂，该分散树脂可用于纳米银线在多种有机溶剂中的分散润湿，起到替代超分散剂溶剂、提高分散稳定性的作用，使纳米银线光阻剂具有优异的分散性和稳定性，良好的流动性和高的光透过率，并且粘度低、涂布性能良好，得到的纳米银线光阻剂的粘度低于30mPa.s，23℃/50rpm，流变学r值在0.95～1.03之间，展现良好的可涂布性。

2.在制作触摸屏传感器集成一体化时，上述纳米银线光阻剂在黄光制程下可制作10μm以下精细透明导电线条，其方块电阻在20-100欧姆范围，可以实现大尺寸电容式触摸屏的制造，可以替代ITO金属网格电容材料制作各类透明触控线路，尤其在柔性触摸显示方面克服了ITO不耐弯曲的缺点，以及本发明所述的纳米银线光阻剂可以实现黄光制程工艺并直接刻蚀出相应的各类透明导电图型，可以克服ITO或金属网格镀膜蚀刻制作透明电极以及传统水系纳米银线墨水涂布加激光雕刻工艺制作透明电极的工艺不良及复杂过程等缺陷。

3.本发明所述的纳米银线光阻剂可以实现黄光制程工艺直接在氮化镓半导体上进行电极布线，避免了之前的镀膜ITO和蚀刻或激光雕刻等高温、强酸等剧烈理化条件带来的风险，从而提高了Micro-LED显示器的可制造性，同时对工艺流程的环保要求做出贡献。

4.利用本发明的纳米银线光阻剂在偏光片等基膜上光刻制作触控线路，可以获得这种可用于显示触控传感器集成一体化的触摸屏。

5.利用本发明的触摸控件，能够制造将触控传感器集成在显示器上表面的偏光片膜层上而得到的显示器。

附图说明

图1为采用本发明实施例6的纳米银线光阻剂制造的“菱形”式单层触摸屏用触控电容图型的局部放大图。

图2为本发明实施例的触控结构的示意图。

图3为本发明一个实施例的显示装置的截面示意图；

图4为本发明另一个实施例的显示装置的截面示意图；

图5为本发明另一个实施例的显示装置的截面示意图；其中，101表示显示器，102表示显示器上表面的偏光片，103表示x和y方向“搭桥”式纳米银线光阻剂透明导电图型层，104表示OCA贴合胶层，105表示盖板层。

图6为本发明另一个实施例的显示装置的截面示意图；201表示显示器，202表示带有y方向纳米银线光阻剂透明导电图型层的偏光片，203表示OCA贴合胶层，204表示带有x方向纳米银线光阻剂透明导电图型层的PET膜片，205表示OCA贴合胶层，206表示盖板层。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式进行描述，但是需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各个实施方式/实施例之间或各个技术特征之间可以任意组合形成新的实施方式/实施例。

实施例1-实施例5是本发明所述的分散树脂的制备方法，在下述实施例中所涉及的试剂均可以通过市场购买方式获得。

实施例1

一种分散树脂，其制备方法如下：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯15g与甲基丙烯酸4.47g、苯乙烯5.41g；自由基引发剂偶氮二异丁腈0.5g；链转移剂α-甲基苯乙烯线性二聚体0.9g；加入到溶剂丙二醇二甲醚60g当中；在氮气气氛下，加热至90℃，在300rpm下搅拌4Hr，进行自由基反应合成低聚物中间体Z-1，经表征，低聚物中间体Z-1的Mw值为5000-10000；Pd值为2.5以内；粘度<5000cps；

2)产物合成：将30g通式(3)的化合物3-1(其中X为Br)与步骤1)得到低聚物中间体Z-1和0.08g四甲基胍催化剂一起投入三口瓶中；再加入60gDMF溶剂，磁子搅拌加热溶解回流2-3Hr之后，保持反应加热温度90℃，350rpm搅拌8Hr，反应结束后，转入旋转蒸发仪中旋转蒸发完溶剂，重新加入180g的正丁醇，55℃搅拌1Hr，投入到540g石油醚的锥形瓶中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到所述通式(1)的分散树脂1-1，经表征，分散树脂1-1的Mw值为16081；Pd值为2.4。

实施例2

一种分散树脂，其制备方法如下：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯15g与丙烯酸3.74g、苯乙烯5.41g、甲基丙烯酸甲酯5.2g；自由基引发剂偶氮二异戊腈0.58g；链转移剂α-甲基苯乙烯线性二聚体1.05g；加入到溶剂甲苯50g当中；在氮气气氛下，加热至90℃，300rpm下搅拌4Hr，进行自由基反应合成低聚物中间体Z-2，经表征，低聚物中间体Z-2的Mw值为5000-10000；Pd值为2.5以内；粘度<5000cps；

2)产物合成：将36g通式(3)的化合物3-5(其中X为Br)与步骤1)得到低聚物中间体Z-2一起投入四口瓶中；再加入60g乙腈溶剂，将0.08gKI催化剂溶解到20g乙腈中装入恒压漏斗接到四口瓶，30min滴加完；同时磁子搅拌加热溶解回流4-5Hr之后，保持反应加热温度95℃，350rpm搅拌8Hr，反应结束后，转入旋转蒸发仪中旋转蒸发完溶剂，重新加入180g的正丁醇，55℃搅拌1Hr，投入到540g石油醚的锥形瓶中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到所述通式(1)的分散树脂1-2，经表征，分散树脂1-2的Mw值为20350；Pd值为2.3)。

实施例3

一种分散树脂，其制备方法如下：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯15g与甲基丙烯酸4.47g、甲基丙烯酸甲酯5.2g、甲基丙烯酸苄酯7.4g；自由基引发剂偶氮二异丁腈0.6g；链转移剂α-甲基苯乙烯线性二聚体1.05g；加入到溶剂乙酸乙酯60g当中；在氮气气氛下，加热至80℃，在300rpm下搅拌4Hr，进行自由基反应合成低聚物中间体Z-3，经表征，低聚物中间体Z-3的Mw值为5000-10000；Pd值为2.5以内；粘度<5000cps；

2)产物合成：将40g通式(3)的化合物3-8(其中X为I)与步骤1)得到低聚物中间体低聚物Z-3一起投入四口瓶中；再加入80g乙腈溶剂，将0.08gKI催化剂溶解到20g乙腈中装入恒压漏斗接到四口瓶，30min滴加完；同时磁子搅拌加热溶解回流4-5Hr之后，保持反应加热温度90℃，350rpm搅拌8Hr，反应结束后，转入旋转蒸发仪中旋转蒸发完溶剂，重新加入180g的正丁醇，55℃搅拌1Hr，投入到540g石油醚的锥形瓶中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到所述通式(1)的分散树脂1-3，经表征，分散树脂1-3的Mw值为17168；Pd值为1.8。

实施例4

一种分散树脂，其制备方法如下：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯15g与丙烯酸3.74g、苯乙烯5.41g、甲基丙烯酸甲酯5.2g、甲基丙烯酸苄酯7.4g；加入到溶剂乙酸乙酯80g当中；自由基引发剂偶氮二异戊腈0.8g和链转移剂α-甲基苯乙烯线性二聚体1.05g恒压漏斗10g乙酸乙酯30min滴加；在氮气气氛下，加热至90℃，300rpm下搅拌4Hr，进行自由基反应合成低聚物中间体Z-4，经表征，低聚物中间体Z-4的Mw值为5000-10000；Pd值为2.5以内；粘度<5000cps；

2)产物合成：将42g通式(3)的化合物3-9(其中X为I)与步骤1)得到低聚物中间体Z-4一起投入四口瓶中；再加入80gDMF溶剂，将0.08g三乙胺催化剂溶解到20gDMF中装入恒压漏斗接到四口瓶，30min滴加完；同时磁子搅拌加热溶解回流4-5Hr之后，保持反应加热温度90℃，350rpm搅拌8Hr，反应结束后，转入旋转蒸发仪中旋转蒸发完溶剂，重新加入200g的正丁醇，55℃搅拌1Hr，投入到600g石油醚的锥形瓶中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到所述通式(1)的分散树脂1-4，经表征，分散树脂1-4的Mw值为16115；Pd值为2.2。

实施例5

一种分散树脂，其制备方法如下：

1)低聚物合成：由2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯15g与甲基丙烯酸4.47g、苯乙烯5.41g、甲基丙烯酸异冰片酯11.55g；自由基引发剂偶氮二异丁腈0.8g；链转移剂α-甲基苯乙烯线性二聚体1.05g；加入到溶剂乙酸乙酯65g当中；在氮气气氛下，加热至90℃，在300rpm下搅拌4Hr，进行自由基反应合成低聚物中间体Z-5，经表征，低聚物中间体Z-5的Mw值为5000-10000；Pd值为2.5以内；粘度<5000cps；

2)产物合成：将40g通式(3)的化合物3-11(其中X为Br)与步骤1)得到低聚物中间体Z-5一起投入四口瓶中；再加入80gDMF溶剂，将0.08gKI催化剂溶解到20g乙腈中装入恒压漏斗接到四口瓶，30min滴加完；同时磁子搅拌加热溶解回流4-5Hr之后，保持反应加热温度95℃，350rpm搅拌8Hr，反应结束后，转入旋转蒸发仪中旋转蒸发完溶剂，重新加入200g的正丁醇，55℃搅拌1Hr，投入到600g石油醚的锥形瓶中，将沉淀物抽滤干燥，即可得到所述通式(1)的分散树脂1-5，经表征，分散树脂1-5的Mw值为19584；Pd值为2.1。

实施例6-12

分别称取以重量份计的以下原料：纳米银线、调色剂、分散树脂、显影树脂、光固化树脂、光引发剂、助剂和有机溶剂。下述表1中的调色剂为浓度1％石墨烯分散浆料，分散树脂为实施例1-5中的分散树脂，显影树脂为甲基丙烯酸-苯乙烯-马来酸酐共聚物，光固化树脂为DPPA，光引发剂为1-羟基环己基苯基甲酮，助剂为氟碳助剂，例如可以使用EFKA3883，有机溶剂A为乙酸丁酯，例如可以使用正丁酯、异丁酯和叔丁酯中的一种或几种的组合，有机溶剂B为3-乙氧基丙酸乙酯。具体配比见表1的纳米银线光阻剂的组分配方。

表1

表1显示，本发明可以通过光刻工艺的制程制造导电透明图型，且银线分散的效果，对比已有发明进一步提升，没有团聚现象产生。

在制备该纳米银线光阻剂时，先将纳米银线放入部分有机溶剂A中，然后加入调色剂和分散树脂混合制成分散液；再将光固化树脂、光引发剂、显影树脂和助剂溶解在有机溶剂B中，在50-80℃下溶解，然后冷却至25℃后加入上述分散液，并使用机械搅拌或超声分散或震荡仪或辊摇机等设备之一或几种联用使其充分混合，而后净化灌装，0-5℃保存。

采用上述实施例6-12中的纳米银线光阻剂和OC光阻剂制造的“菱形”式单层触摸屏用触控电容图型，如图1所示，图1中的线宽线距比：L/S为30μm，对其性能参数分析比较，检测结果见表2。

表2

注：△表示线条未脱落，但对位贴片标记(Marker)有脱落○表示线条和Marker均未脱落。

根据实施例6-12，本发明可得到高分辨率(高精度)，高透过率，低雾度，与基板的密着性强且表面电阻率小的导电图形。进一步，该类导电图型经FPC绑定IC后通电测试下，耐UV1000Hr以及双85高温高湿500Hr可靠性测试后，电阻值仍保持不衰减；对比传统纳米银线材料所制造的触控Sensor，克服了Ag迁移等可靠性不足的现象。

参照图2，本发明还提供一种触控结构，包括多个相互绝缘的第一导电组10和多个相互绝缘的第二导电组20，所述多个第一导电组10和多个第二导电组20呈纵横交错设置，每一第一导电组10沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元11，每一第一导电组10通过导线向外引出，每一第二导电组20沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元21，每一第二导电组20通过导线向外引出，第一方向和第二方向交叉，优选正交，所述多个第一导电组10和多个第二导电组20由本发明的纳米银线光阻剂形成。在所述第一导电组10和第二导电组20的交点处，所述第一导电组10和第二导电组20之间设置有绝缘光刻胶以使第一导电组10和第二导电组20彼此绝缘。

上述触控结构的制作方法可以包括：

使用本发明的纳米银线光阻剂，在基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第一导电组10，基片可以是TFT背板1、彩色滤光片3或偏光片4，每一所述第一导电组10包括沿第一方向延伸的多个电性连接的第一导电单元11。

在所述基片上通过光刻工艺形成绝缘层(未示出)，绝缘层可以通过OC光阻剂形成，所述绝缘层位于相邻两个所述第一导电单元11的交汇点上且覆盖所述交汇点。

使用本发明的纳米银线光阻剂，在所述基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第二导电组20，所述多个第一导电组10和多个第二导电组20呈纵横交错设置，每一所述第二导电组20包括沿第二方向延伸的多个电性连接的第二导电单元21，相邻两个所述第二导电单元21的交汇点位于所述绝缘层之上，第一方向和第二方向交叉优选正交。

参照图3，本发明还提供一种含有触控结构的显示装置，所述显示装置包括显示器、触控结构和盖板5，所述触控结构是上述的触控结构，显示器可以是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器。

在一种实施方式中，参照图5，显示装置具体包括显示器101、显示器101上表面的偏光片102、偏光片102上的x和y方向“搭桥”式纳米银线光阻剂透明导电图型层103、导电图型层103上的OCA贴合胶层104和盖板层105，x和y方向可以垂直。

在另一种实施方式中，参照图6，显示装置具体包括显示器201、显示器201上表面的带有y方向纳米银线光阻剂透明导电图型层的偏光片202、OCA贴合胶层203、带有x方向纳米银线光阻剂透明导电图型层的PET膜片204、PET膜片204上的OCA贴合胶层205和盖板层206，x和y方向可以垂直。

其中，当显示器是液晶显示器时，显示装置可以是In-Cell式、On-Cell式或类OGS式显示装置。

具体地，所述液晶显示器包括从下至上依次设置的TFT背板1、液晶层2、彩色滤光片3和偏光片4，所述触控结构设置在偏光片4上并位于偏光片4和盖板5之间以形成类OGS式显示装置，或者所述触控结构设置在彩色滤光片3上并位于偏光片4和彩色滤光片3之间以形成On-Cell式显示装置，或者触控结构设置在TFT背板1上并位于TFT背板1和液晶层2之间以形成In-Cell式显示装置。

参照图4，本发明还提供另一种含有触控结构的显示装置，包括：显示器、透明绝缘膜6和盖板5。

显示器是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器，所述显示器包括偏光片4，所述偏光片4的上表面设置有多个相互绝缘的第一导电组10以及覆盖第一导电组10的第一保护层(未示出)，每一第一导电组10沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元11，所述多个第一导电组10由本发明的纳米银线光阻剂形成，偏光片4的下表面可采用全贴合工艺设置在彩色滤光片3上。

透明绝缘膜6可以是PET膜，所述透明绝缘膜6的下表面设置在所述第一保护层上，所述透明绝缘膜6的上表面设置有多个相互绝缘的第二导电组20以及覆盖第二导电组20的第二保护层(未示出)，每一第二导电组20沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元21，所述多个第一导电组10和多个第二导电组20呈纵横交错设置，第一方向和第二方向交叉，所述多个第二导电组20由本发明的纳米银线光阻剂形成。所述盖板5设置在所述第二保护层上，可采用全贴合工艺完成。此时，触控结构可以设置于透明绝缘膜6上，透明绝缘膜6可以是PET膜。

实施例13

一种根据所述的纳米银线光阻剂在偏光片上表面制造类OGS式双层透明导电层图型触控结构的方法，采用以下步骤制备而成：

1)基片处理：将裁切好尺寸的偏光片(偏光片作为基片)通过真空附着固定，使基片水平铺展在操作台上；

2)制作纳米银线光阻剂导电“搭桥”图型层：依次按照以下步骤进行处理：

2.1)涂布：采用slit方式在所述基片上涂布第一层所述纳米银线光阻剂；

2.2)前烘：涂布后的基片于60-80℃下烘烤2-4min；

2.3)曝光：加掩膜曝光在基片上形成一层厚度为0.08-0.4μm，10-30μm线宽的距形透明掩膜“搭桥”图型，能量50-300mj/cm²；

2.4)显影：在0.05％KOH中显影1-5min；定义矩形透明导电“搭桥”图型的宽为x方向，长为y方向；

2.5)后烘：80-140℃下烘烤15-30min；

3)制作绝缘光阻“搭桥”图型层，在步骤2)的导电“搭桥”图型层上采用slit方式涂布第一层低温OC光阻剂，然后依次进行前烘、曝光、显影和后烘，处理方法同上述步骤2)；最后形成一层厚度为1-1.2μm的透明绝缘矩形图型，并且在x方向上绝缘光阻“搭桥”图型层完全遮盖导电“搭桥”图型层，在y方向上导电“搭桥”图型层的两端完全从绝缘光阻“搭桥”图型层探出；

4)制作纳米银线光阻“菱形”电极层：在步骤3)的基片上Slit涂布第二层所述纳米银线光阻剂，再依次经过前烘、曝光、显影、后烘步骤形成厚度为0.04-0.4μm，线宽为30-100μm的“菱形”电极层，使在x方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层连续导通，在y方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层被光刻显影隔断；所述前烘、曝光、显影和后烘的处理方法同上述步骤2)；

5)制作封装保护层：在步骤4)的基片上Slit涂布第二层所述低温OC光阻剂，形成一层厚度为0.3-1μm的透明耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置；再依次经过前烘、曝光、显影和后烘，上述处理方法同步骤2)。

实施例14

一种采用所述的纳米银线光阻剂制造On-Cell式触摸结构的方法，顺次包括以下步骤：

1)CF基片(彩色滤光片)处理：在CF基片的彩色像素层表面涂布厚度为1μm的保护层，之后该面采用真空附着固定，使CF基片水平铺展在操作台上；

2)制作纳米银线光阻导电“搭桥”图型层：依次按照以下步骤进行处理：

2-1)在步骤a中的CF基片彩色像素层的另一面涂布第一层所述纳米银线光阻剂，真空-0.1MPa；

2-2)前烘：涂布后的基片于80-120℃下烘烤2min；

2-3)曝光：加掩膜曝光在基片上形成一层厚度为0.08-0.4μm的矩形透明导电“搭桥”图型，能量100-300mj/cm²；

2-4)显影：在0.38％TMAH中显影1min；定义矩形透明导电“搭桥”图型的宽为x方向，长为y方向；

2-5)后烘：180℃下烘烤30min；

3)制作绝缘光阻“搭桥”图型层：在步骤2)的导电“搭桥”图型上涂布第一层OC光阻剂，然后依次进行前烘、曝光、显影和后烘，处理方法同上述步骤2)；最后形成一层厚度为0.5-1.2μm的透明绝缘矩形图型，并且在x方向上绝缘光阻“搭桥”要完全遮盖导电“搭桥”，在y方向上导电“搭桥”的两端完全从绝缘光阻“搭桥”探出，真空-0.1MPa；

4)制作纳米银线光阻“菱形”电极层：在步骤3)的基片上涂布第二层所述纳米银线光阻剂，依次经过真空、前烘、曝光、显影和后烘步骤形成0.08-0.4μm厚度“菱形”电极层，并且在宽度方向上经过绝缘“搭桥”顶部的“菱形”电极层连续导通，在长度方向上经过绝缘“搭桥”顶部的“菱形”电极层被光刻显影隔断；所述真空、前烘、曝光、显影和后烘的处理方法通步骤b；

5)制作封装保护层：在步骤4)的基片上涂布第二层所述OC光阻剂，再依次经过真空、前烘、曝光、显影和后烘，形成一层0.3-1μm厚度透明耐热耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置；所述真空、前烘、曝光、显影和后烘的处理方法同步骤2)。

实施例15

一种采用所述的On-Cell式触摸结构制造Micro-LED透明阳极及显示触摸器件的方法，采用如下两种方式中的任意一种制备：

方式一，包括以下步骤：

1)阳极顶端布线：依次按以下步骤处理：

1.1)涂布：在蓝光Micro-LED的像素表面涂布一层所述纳米银线光阻剂，真空-0.1MPa；

1.2)前烘：涂布后的基片于80-120℃下烘烤2min；

1.3)曝光：加掩膜曝光形成一层顶部厚度为0.1-0.2μm的像素级透明导电图型，然后对位套刻，能量100-300mj/cm²；

1.4)显影：在0.38％TMAH中显影1min；

1.5)后烘：120-240℃下烘烤30min；

2)制作封装保护层：在步骤1)的阳极布线图型层上涂布一层OC光阻剂，再依次经过真空、前烘、曝光、显影和后烘，形成一层0.3-0.5μm厚度的保护层；所述真空、前烘、曝光、显影和后烘的处理方法同步骤1)；

3)对位贴合On-Cell触摸CF基片：在步骤2)的保护层上制作一层OCA光学胶，将所述On-Cell式触摸器件与该OCA光学胶贴合在一起，从而实现该新型全彩触摸显示器的制造。

方式二，包括以下步骤：

1)阳极矩阵布线：

1.1)涂布：在蓝光Micro-LED的像素矩阵处涂布一层所述纳米银线光阻剂，真空-0.1MPa；

1.2)前烘：涂布后的基片于80-120℃下烘烤2min；

1.3)曝光：加掩膜曝光，在矩阵处形成一层厚度为1-3μm、宽度5-10μm的导电矩阵，然后对位套刻，能量100-300mj/cm²；

1.4)显影：在0.38％TMAH中显影1min；

1.5)后烘：120-240℃下烘烤30min；

2)制作封装保护层：在步骤1)中的阳极布线图型层上涂布一层OC光阻剂，再依次经过真空、前烘、曝光、显影和后烘，形成一层0.3-0.5μm厚度的保护层；所述真空、前烘、曝光、显影和后烘的处理方法同步骤1)；

3)对位贴合On-Cell触摸CF基片：在步骤2)的保护层上制作一层OCA光学胶，将所述On-Cell式触摸器件与该OCA光学胶贴合在一起，从而实现该新型全彩触摸显示器的制造。

实施例16

一种根据所述的纳米银线光阻剂在偏光片上表面制造单层透明导电层图型，贴合一层表面设有单层透明导电层图型的PET膜的双面触控传感器器件，采用以下步骤制备而成：

1)卷涂工艺处理：将偏光片(偏光片作为基片)卷料上表面通过roll to roll涂布线展开；

2)制作纳米银线光阻剂导电图型层：依次按照以下步骤进行处理：

2.1)涂布：采用roll to roll连续涂布方式在所述基片上涂布一层所述纳米银线光阻剂；

2.2)前烘：于60-80℃下烘道烘烤2-4min；

2.3)曝光：加掩膜曝光在出烘道后形成的一层厚度0.04-0.4μm范围的纳米银线光阻膜上，曝光出掩膜图型，能量50-300mj/cm²；

2.4)显影：在显影线上，使用0.05％KOH中显影1-5min出图案；定义透明导电图型的宽为x方向，长为y方向；

后烘：80-140℃的烘道条件下烘烤15-20min，收卷；

3)制作封装保护层：在步骤2)的卷料上roll to roll开卷涂布一层低温OC光阻剂，形成一层厚度为0.3-1μm的透明耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置；再依次经过前烘、曝光、显影、后烘(上述处理方法同步骤2)和裁切；

4)在PET基材上制作纳米银线光阻剂导电图型层：依次按照以下步骤进行处理：

4.1)涂布：采用roll to roll连续涂布方式在PET基材上涂布一层所述纳米银线光阻剂；

4.2)前烘：于60-80℃下烘道烘烤2-4min；

4.3)曝光：加掩膜曝光在出烘道后形成一层厚度0.04-0.4μm范围的纳米银线光阻膜上，曝光出掩膜图型，能量50-300mj/cm²；

4.4)显影：在显影线上，使用0.05％KOH中显影1-5min出图案；定义透明导电图型的宽为x方向，长为y方向；

后烘：80-140℃的烘道条件下烘烤15-20min，收卷；

5)制作封装保护层：在步骤4)的卷料上roll to roll开卷涂布一层低温OC光阻剂，形成一层厚度为0.3-1μm的透明耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置；再依次经过前烘、曝光、显影、后烘(上述处理方法同步骤2)和裁切；

6)贴合：将裁切后的偏光片纳米银线光阻图形导电膜与裁切后的PET纳米银线光阻图形导电膜面对背使用OCA贴合胶对位贴合，同时使用邦定机分别将IC和FPC邦定在两片膜的相应位置。

实施例17

一种根据所述的纳米银线光阻剂在PET基材上表面制造类OGS式双层透明导电层图型触控传感器器件的方法，采用以下步骤制备而成：

1)卷涂工艺处理：将PET基材上表面通过roll to roll涂布线展开；

2)制作纳米银线光阻剂导电图型层：依次按照以下步骤进行处理：

2.1)涂布：采用roll to roll连续涂布方式在所述基材上涂布一层所述纳米银线光阻剂；

2.2)前烘：于60-80℃条件下，烘道烘烤2-4min；

2.3)曝光：加掩膜曝光在出烘道后形成的一层厚度0.04-0.4μm范围的纳米银线光阻膜上曝光出10-30μm线宽的距形掩膜“搭桥”图型，能量50-300mj/cm²；

2.4)显影：在显影线上，使用0.05％KOH中显影1-5min出图案；定义透明导电图型的宽为x方向，长为y方向；

2.6)后烘：80-140℃的烘道条件下烘烤15-20min，收卷；

3)制作绝缘光阻“搭桥”图型层，在步骤2)的导电“搭桥”图型层上采用roll toroll开卷涂布第一层低温OC光阻剂，然后依次进行前烘、曝光、显影、后烘和收卷，处理方法同上述步骤2)；最后形成一层厚度为1-1.2μm的透明绝缘矩形图型，并且在x方向上绝缘光阻“搭桥”图型层完全遮盖导电“搭桥”图型层，在y方向上导电“搭桥”图型层的两端完全从绝缘光阻“搭桥”图型层探出；

4)制作纳米银线光阻“菱形”电极层：在步骤3)的基材上采用roll to roll开卷涂布第二层所述纳米银线光阻剂，再依次经过前烘、曝光、显影、后烘步骤形成厚度为0.04-0.4μm，线宽为30-100μm的“菱形”电极层，使在x方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层连续导通，在y方向上经过绝缘光阻“搭桥”顶部的“菱形”电极层被光刻显影隔断；所述前烘、曝光、显影、后烘和收卷的处理方法同上述步骤2)；

5)制作封装保护层：在步骤4)的卷料上roll to roll开卷涂布一层低温OC光阻剂，形成一层厚度为0.3-1μm的透明耐候保护层，并且在边缘可留出连接IC的FPC排线位置；再依次经过前烘、曝光、显影、后烘(上述处理方法同步骤2)，之后裁切和绑定IC。

实施例18

对实施例13的触控结构，绑定IC的偏光片上表面带有类OGS式双层透明导电层图型，将偏光片的下表面与显示器的上表面通过贴合工艺而贴合在一起，并且，将所述显示器的上表面与盖板通过贴合工艺而贴合在一起，盖板覆盖双层透明导电层图型，从而得到显示触控一体化器件。

实施例19

对实施例14的触控结构，绑定IC的偏光片上表面带有单层透明导电层图型面，绑定IC的PET膜上表面带有单层透明导电层图型，将偏光片的下表面与显示器的上表面通过贴合工艺而贴合在一起，将PET下表面与偏光片上表面贴合在一起，将PET上表面与盖板通过贴合工艺而贴合在一起，盖板覆盖PET膜上表面的单层透明导电层图型，从而得到显示触控一体化器件。

对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种纳米银线光阻剂，其特征在于，包括纳米银线和分散树脂，所述分散树脂由式(1)表示：

(Z-A)_n-R_m (1)，

其中，在式(1)中，n＝1-5，m＝1-5，且n+m≤6；

Z表示H，或含有氨基、环氧基、具有1～14个碳原子的烷基、具有3～14个碳原子的环烷基或芳基取代基的丙烯酸类共聚物；

R表示C、N、CH基团、

或含有2-14个碳原子的直链烷基、2-14个碳原子的脂肪环烷基、3-14个碳原子的芳基和杂芳基中的至少一种；

A由式(2)表示：

并且在式(2)中，W与Z连接，羧基与R连接，W表示H原子、具有1～14个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2～6个碳原子的环氧烷基、具有3～14个碳原子的取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的纳米银线光阻剂，其特征在于，

n＝1-3，m＝1-3，且n+m≤4，和/或

Z表示选自由甲基丙烯酸、丙烯酸、丙烯酸苄酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯、甲基丙烯酸羟乙酯、羟丁基丙烯酸酯、氮苯基马来酰亚胺、马来酸酐、2-丙烯酸-2羟基-3-苯氧基丙酯或季戊四醇丙烯酸酯所组成的组中的一种以上化合物所形成的共聚物，和/或

W表示H、甲基、乙基、羟基取代的烷基、环氧烷基、苯基、苄基、酚基中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的纳米银线光阻剂，其特征在于，A表示由下列各式所表示的化合物中的至少一种：

4.根据权利要求1所述的纳米银线光阻剂，其特征在于，包含以重量份计的以下原料：纳米银线0.1-10份、调色剂0.05-5份、分散树脂0.1-10份、显影树脂0.3-20份、光固化树脂0.4-40份、光引发剂0.05-0.5份、助剂0.05-1份和有机溶剂300-1000份。

5.根据权利要求1所述的纳米银线光阻剂，其特征在于，所述纳米银线的平均线径宽度D₅₀为10-80nm，所述纳米银线的平均长度D₅₀为3-60μm。

6.根据权利要求4所述的纳米银线光阻剂，其特征在于，所述调色剂的粒径为5-200nm，且所述调色剂选自由肽菁颜料、咔唑类颜料、石墨烯和碳纳米管组成的组中的一种或几种。

7.一种触控结构，其特征在于，包括多个相互绝缘的第一导电组和多个相互绝缘的第二导电组，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，每一第一导电组沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元，每一第二导电组沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元，第一方向和第二方向交叉，所述多个第一导电组和多个第二导电组由权利要求1至6任一项所述的纳米银线光阻剂形成。

8.根据权利要求7所述的触控结构，其特征在于，

所述第一方向与所述第二方向正交，在所述第一导电组和第二导电组的交点处，所述第一导电组和第二导电组之间设置有绝缘光刻胶以使第一导电组和第二导电组彼此绝缘。

9.一种触控结构的制作方法，其特征在于，包括：

使用权利要求1至6中任一项所述的纳米银线光阻剂，在基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第一导电组，每一所述第一导电组包括沿第一方向延伸的多个电性连接的第一导电单元；

在所述基片上通过光刻工艺形成绝缘层，所述绝缘层位于相邻两个所述第一导电单元的交汇点上且覆盖所述交汇点；以及

使用权利要求1至6中任一项所述的纳米银线光阻剂，在所述基片上表面通过光刻工艺形成多个相互绝缘的第二导电组，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，每一所述第二导电组包括沿第二方向延伸的多个电性连接的第二导电单元，相邻两个所述第二导电单元的交汇点位于所述绝缘层之上，第一方向和第二方向交叉。

10.一种含有触控结构的显示装置，其特征在于，

所述显示装置包括显示器、触控结构和盖板，所述触控结构是权利要求7或8所述的触控结构。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示器是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器，所述触控结构位于显示器的偏光片和盖板之间并设置在偏光片上或偏光片与盖板之间的绝缘膜上，或者所述触控结构设置在彩色滤光片上并位于偏光片和彩色滤光片之间，或者触控结构设置在TFT背板上并位于TFT背板和液晶层之间。

12.一种含有触控结构的显示装置，其特征在于，包括：

显示器，所述显示器包括偏光片，所述偏光片的上表面设置有多个相互绝缘的第一导电组以及覆盖第一导电组的第一保护层，每一第一导电组沿第一方向延伸且包括多个电性连接的第一导电单元，所述多个第一导电组由权利要求1至6任一项所述的纳米银线光阻剂形成；

透明绝缘膜，所述透明绝缘膜的下表面设置在所述第一保护层上，所述透明绝缘膜的上表面设置有多个相互绝缘的第二导电组以及覆盖第二导电组的第二保护层，每一第二导电组沿第二方向延伸且包括多个电性连接的第二导电单元，所述多个第一导电组和多个第二导电组呈纵横交错设置，第一方向和第二方向交叉，所述多个第二导电组由权利要求1至6任一项所述的纳米银线光阻剂形成；

盖板，所述盖板设置在所述第二保护层上。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述显示器是液晶显示器、OLED显示器或LED显示器。

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