CN115074093A - 一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法，制备方法：将金属铟和金属铋进行熔炼并混合均匀，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；对固体铟铋合金相变材料进行润湿性优化处理：将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将润湿性优化助剂均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将固体铟铋合金相变材料加热熔融并加入润湿性优化助剂，搅拌，成型，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理，得到铟铋合金相变界面材料。所述铟铋合金相变界面材料表面润湿性得到显著改善，通过改变铟铋比例能调控其熔点。
Description
技术领域
本发明涉及电子散热领域，尤其涉及金属基相变储热材料和金属基相变界面材料领域，具体涉及一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法。
背景技术
随着热储能技术的发展，利用相变潜能储热相比显热储热、化学储热具有储热密度大、稳定性高、温度点可控等优势。与此同时，电子封装技术和芯片集成技术的高速发展，促使电子元器件的功率密度迅速增加，热源器件内部聚集的热量急剧增加，高效的热管理技术成为保证电子元器件运行效率、可靠度、稳定性的重要途径。在散热设计中，热源和散热器由于填充工艺的限制，即热源和散热器表面粗糙度客观存在，使接触界面之间必然存在空气间隙(导热系数0.025W/cm2)，界面接触热阻对散热效果影响巨大。
通过在界面增加热界面材料，可有效填充热源和散热器表面的空气间隙，促使两侧固体界面有效贴合并将空气排出，从而建立有效的导热通道，大幅度降低接触热阻的影响。传统的热界面材料包括导热凝胶、导热硅脂、导热垫、石墨片和其他有机相变导热材料等，以上热界面材料的导热系数大多不超过6W/cm2。5G技术及未来6G技术的发展趋势必将大幅增加热源的功率密度，因此也对热界面材料提出了更高的需求：一是对其导热系数要求更高，二是材料需具有柔软形态，以满足柔性LED、VR等可弯曲、旋转、折叠等非平直热源表面设备的需求。
所以，亟待开发一种兼具高导热和柔软特性的热界面材料，金属的导热系数相比非金属、有机物等材料的导热系数具有绝对优势，利用液态金属晶格融合构建的低熔点合金相变材料无疑是下一代热界面材料的优先选择。相变材料是指温度不变的情况下而改变物质状态并能提供潜热的物质，相变材料可以通过转变物理性质，即相变过程，吸收或释放大量的潜热，从而在维持热源温度不变的前提下，快速将热源产生的热量传导至散热面，帮助热源在工作温度下快速散热。此外，不同的热源也对低熔点合金相变材料提出了不同的熔点、潜热及表面润湿性的要求。
目前，铟铋合金相变界面材料被用于电子器件散热，液态的铟铋合金相变材料在固体材料(如铜、铁等金属材料)表面聚拢，形成珠状，无法润湿表面，界面润湿接触角度介于130°至150°之间，因此热源表面会存在空气间隙，导致铟铋合金相变界面材料导热系数低，电子器件散热效率低。因此，开发一种表面润湿的低熔点合金相变界面材料显得尤为重要。
发明内容
本发明针对金属基材料作为相变界面材料时界面存在空气间隙使热传递存在界面热阻，从而导致热界面材料难以突破高功率热源散热瓶颈、散热效率低的问题，提出了一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法，所述铟铋合金相变界面材料具有表面润湿的特点。
本发明通过以下技术方案实现：
一种铟铋合金相变界面材料的制备方法，包括：
将金属铟和金属铋进行熔炼并混合均匀，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；
对固体铟铋合金相变材料进行润湿性优化处理：将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将润湿性优化助剂均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将固体铟铋合金相变材料加热熔融并加入润湿性优化助剂，搅拌，成型，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理，得到铟铋合金相变界面材料。
优选的，松香类溶质包括松香、氢化松香、歧化松香、马来松香、富马松香和聚合松香中的一种或几种。
优选的，溶剂包括乙醇、丙醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、丙酮、甲基异丁基甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚和二乙二醇丁醚中的一种或几种。
优选的，松香溶质的质量占润湿性优化助剂质量的1％-20％。
优选的，按照质量百分比计，所述固体铟铋合金相变材料中铟和铋的比例为12％-8％：88％-92％、22％-18％：78％-82％、32％-28％：68％-72％、72％-68％：28％-32％、42％-38％：58％-62％、52％-48％：48％-52％或者62％-58％：38％-42％。
优选的，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理具体是：将固体铟铋合金相变材料放置于等离子体处理设备腔体内，抽真空，通入氢气和氩气的混合气体，在400-450W功率强度下进行等离子体处理10-20min。
进一步的，按照体积分数计，混合气体包括10％-30％的氢气和70％-90％的氩气。
优选的，熔炼温度为350-450℃。
采用所述的制备方法得到的铟铋合金相变界面材料。
所述的铟铋合金相变界面材料的应用，将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于铟铋合金相变材料熔点温度5-15℃，得到液态的铟铋合金相变界面材料，将液态的铟铋合金相变材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于第一部件的待贴合界面处，将第二部件置于第一部件表面的液态的铟铋合金相变材料上，并通过热压法使铟铋合金相变材料填充第一部件与第二部件之间的间隙。
所述的铟铋合金相变界面材料的熔点调控方法，具体是调整金属铟和金属铋的比例。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
本发明对铟铋合金相变材料进行表面润湿优化处理，处理方法为润湿性优化助剂处理或等离子体处理。润湿性优化助剂包括松香类溶质和溶剂，松香类溶质含有羧基，具备去除金属表面氧化层的作用，可增强低熔点合金张力，并且在相变界面材料表面形成保护层，隔绝空气以防止合金表面氧化作用；溶剂在润湿优化助剂中对助剂起溶解作用，使得活性物质均匀分布，合适沸点的溶剂能有效保持热界面材料表面层的均匀性和稳定性。等离子体处理方法能够清除材料表面氧化物、污染物，并对材料表面起“活化”作用，提升金属原子表面粘结力，起表面润湿作用。以0.5-2μm铜表面为接触平面，对铟铋合金相变界面材料进行润湿角测试表征，结果表明，经表面润湿优化处理后，液态铟铋合金相变材料在粗糙度为0.5-2μm的铜表面润湿接触角介于60°至90°，铟铋合金相变界面材料表面润湿性得到显著改善。
进一步的，本发明提供的金属铟和金属铋质量分数配比为12％-8％：88％-92％、22％-18％：78％-82％、32％-28％：68％-72％、72％-68％：28％-32％的铟铋合金相变界面材料内部形成共晶合金，相变温度域值窄，潜热值高(最高可达45.57J/g)，相变速度快。按此类配比制备不同熔点的铟铋合金相变界面材料能够有效匹配多种不同热源散热工作温度需求使用，并具备相变时间短、导热速度快的特点，能有效提高热界面材料的散热效率。本发明提供的金属铟和金属铋质量分数配比为42％-38％：58％-62％、52％-48％：48％-52％或者62％-58％：38％-42％的铟铋合金相变界面材料存在两个或两个以上的热流量尖峰，相变温度范围宽。按此类配比制备不同熔点的铟铋合金相变界面材料更适合用于工作温度范围跨度大的热源表面，可以在较宽工作温度范围内实现有效导热和散热效果。通过调整两者比例，本发明能得到熔点范围在70-113℃的铟铋合金相变界面材料。
本发明表面润湿的铟铋合金相变界面材料采用刷涂和刮涂结合的方法能均匀铺展于贴合界面处(如热源表面、散热器表面或封装材料表面)，效果对比图如图3所示。并且通过热压法处理后可有效填充热源和散热器表面或封装材料表面的空气间隙，降低界面接触热阻。
本发明通过调整金属铟和金属铋的比例能对所述的铟铋合金相变界面材料的熔点进行调控，从而可以根据实际应用需要，制备不同熔点的铟铋合金相变界面材料。
附图说明
图1为本发明不同铟铋合金相变材料的熔点、潜热测试结果图。
图2为本发明铟铋合金相变界面材料的表面润湿接触角测试示意图。
图3为本发明铟铋合金相变界面材料刷涂、刮涂效果对比图：液态金属简单涂覆(a)液态金属刮涂(b)液态金属刷涂(c)液态金属刷涂后刮涂(d)。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明进行描述，这些描述只是进一步解释本发明的特征和优点，并非用于限制本发明的权利要求。
本发明铟铋合金相变界面材料制备方法流程包括铟铋合金相变材料制备和铟铋合金相变界面材料表面润湿处理。
所述铟铋合金相变界面材料制备方法包括以下三种。
方法一、步骤如下：
步骤1、使用高纯度金属铟和高纯度金属铋，按照特定的质量分数配比在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中；
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，熔炼温度为350-450℃，恒温时间为10-20min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌1-3min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；
步骤3、使用高纯度松香溶质和高纯度溶剂，按照特定的质量分数配比在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合并超声，使松香溶质均匀溶解分散，得到润湿性优化助剂。
步骤4、将润湿性优化助剂均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料。
方法二、步骤如下：
步骤1、使用高纯度金属铟和高纯度金属铋，按照特定的质量分数配比在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中；
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，熔炼温度为350-450℃，恒温时间为10-20min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌1-3min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；
步骤3、使用高纯度松香溶质和高纯度溶剂，按照特定的质量分数配比在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合并超声，使松香溶质均匀溶解分散，得到润湿性优化助剂；
步骤4、将固体铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度5-15℃，使铟铋合金相变界面材料融化，加入润湿性优化助剂，搅拌1-3min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到铟铋合金相变界面材料。
方法三、步骤如下：
步骤1、使用高纯度金属铟和高纯度金属铋，按照特定的质量分数配比在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中；
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，熔炼温度为350-450℃，恒温时间为10-20min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌1-3min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；
步骤3、将固体铟铋合金相变材料放置于等离子体处理设备腔体内，抽真空。在真空环境下，以15-20cc/min流量通入10％-30％的氢气和90％-70％的氩气混合气体，通气1-3min，在400-450W功率强度下进行等离子体处理10-20min。结束后，等离子体处理设备腔体内通入氮气，常温下取出，得到铟铋合金相变界面材料。
所述松香溶质包括松香、氢化松香、歧化松香、马来松香、富马松香和聚合松香中的一种或几种，溶剂包括乙醇、丙醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、丙酮、甲基异丁基甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚和二乙二醇丁醚中的一种或几种。
金属铟和金属铋占铟铋合金相变界面材料百分比的配比，分别是12％-8％：88％-92％、22％-18％：78％-82％、32％-28％：68％-72％、72％-68％：28％-32％。优选的，铟铋合金相变材料中金属铟和金属铋的质量分数配比情况如表1所示。
表1优选的铟铋合金相变材料配比
| 材料序号 | 金属铟质量分数占比 | 金属铋质量分数占比 |
| 铟铋合金相变材料1 | 10％ | 90％ |
| 铟铋合金相变材料2 | 20％ | 80％ |
| 铟铋合金相变材料3 | 30％ | 70％ |
| 铟铋合金相变材料4 | 70％ | 30％ |
金属铟和金属铋占铟铋合金相变界面材料百分比的配比，还可以是42％-38％：58％-62％、52％-48％：48％-52％、62％-58％：38％-42％。优选的，铟铋合金相变材料中金属铟和金属铋的质量分数配比情况如表2所示。
表2优选的铟铋合金相变材料配比
| 材料序号 | 金属铟质量分数占比 | 金属铋质量分数占比 |
| 铟铋合金相变材料5 | 40％ | 60％ |
| 铟铋合金相变材料6 | 50％ | 50％ |
| 铟铋合金相变材料7 | 60％ | 40％ |
高纯度松香溶质的质量占润湿性优化助剂质量的1％-20％，高纯度溶剂质量占润湿性优化助剂质量的99％-80％。优选使用松香和乙酸乙酯制备乙酸乙酯基润湿性优化助剂，其中，松香和乙酸乙酯的质量分数配比情况如表3所示。
表3优选的乙酸乙酯基润湿性优化助剂
优选使用松香和乙醇制备乙醇基润湿性优化助剂，其中，松香和乙醇的质量分数配比情况如表4所示。
表4优选的乙醇基润湿性优化助剂配比
所述将铟铋合金相变界面材料的使用方法：将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度5-15℃，使铟铋合金相变界面材料于贴合界面处熔化，并将液态的铟铋合金相变界面材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于第一部件的待贴合界面处(如热源表面、散热器表面或封装材料表面)，通过热压法有效填充热源和散热器表面或封装材料表面的间隙。
铟铋合金相变材料配方的熔点温度与理论分析相图存在巨大差异，其熔点温度不是随着配方比例变化而连续变化，而是离散分布的特定熔点。不同的铟铋合金相变材料配方的相变温度域值、热流量尖峰值存在一定变化规律，不同的铟铋合金相变材料配方可能同时存在两种相变过程，且两次的相变潜热值不同。基于铟铋合金相变材料配方与相变过程间的规律，能够实现通过调控金属铟和金属铋质量分数配比，制备熔点、潜热可控的铟铋合金相变材料，经表面润湿处理后针对性匹配特定热源使用。
实施例1
步骤1、使用高纯度的金属铟和金属铋，按照金属铟和金属铋的质量分数占比分别占铟铋合金相变材料的30％和70％的比例在精度为万分之一的分析天平上称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中。
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，温度设置为400℃，恒温时间为10min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌1min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料。
步骤3、使用高纯度松香和高纯度乙酸乙酯，按照松香和乙酸乙酯质量分数百分比分别占润湿性优化助剂的5％和95％的比例在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合并超声，使松香均匀溶解分散，得到乙酸乙酯基润湿性优化助剂1。
步骤4、将乙酸乙酯基润湿性优化助剂1均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料，其熔程为106-112℃。
步骤5、将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度10℃即122℃，使铟铋合金相变界面材料于贴合界面处熔化，并将液态铟铋合金相变界面材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于散热器表面贴合界面处，通过热压法有效填充散热器和热源表面的空气间隙。
使用平面扫描成像与量角器测试分析界面润湿情况。具体测试方法为：使用乙酸乙酯基润湿性优化助剂1均匀涂覆于不同粗糙度(0.5-2μm)的金属铜表面，进行三次平行实验，三次平行实验以相同高度滴加相同体积的液态铟铋合金相变材料(固体铟铋合金相变材料熔融得到)于金属铜表面，使用平面扫描成像与量角器测得材料界面润湿接触角介于60°至90°，示意图如图2所示。因此，采用本发明润湿性优化助剂可实现铟铋合金相变界面材料表面润湿效果。
如图3所示，本发明对比了不同的铟铋合金相变界面材料铺设方法的效果，结果显示，刷涂和刮涂联合使用时，得到的涂层更加均匀光滑。
实施例2
将铟铋质量分数配比改为10％:90％，得到的铟铋合金相变界面材料熔程为107-113℃，其他与实施例1相同。
实施例3
将铟铋质量分数配比改为20％:80％，得到的铟铋合金相变界面材料的熔程为106-112℃，其他与实施例1相同。
实施例4
将铟铋质量分数配比改为70％:30％，得到的铟铋合金相变界面材料的熔程为71-75℃，其他与实施例1相同。
使用差示扫描量热仪分区块对实施例1-4的固体铟铋合金相变材料进行熔点、潜热测试。当材料铟铋质量分数配比为10％:90％、20％:80％、30％:70％和70％:30％时，材料内部铟铋形成共晶合金，相变速度快。如图1所示，铟铋质量分数配比为10％:90％、20％:80％和30％:70％的材料熔点相近，增加铟的比例能够使材料熔点温度域值范围变窄，热流量尖峰更突出。当材料铟铋质量分数配比为70％:30％时，热流量尖峰显著，潜热值大(45.57J/g)；当材料铟铋质量分数配比为70％:30％时，材料熔点低。
实施例5
步骤1、使用高纯度的金属铟和金属铋，按照金属铟和金属铋的质量分数占比分别占铟铋合金相变材料的30％和70％的比例在精度为万分之一的分析天平上称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中。
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，温度设置为400℃，恒温时间为10min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌1min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料，其熔程为106-112℃。
步骤3、使用高纯度松香和高纯度乙酸乙酯，按照松香和乙酸乙酯质量分数百分比分别占润湿性优化助剂的5％和95％的比例在精度为万分之一的分析天平上进行称量称重，称量完成后混合并超声，使松香均匀溶解分散，得到乙酸乙酯基润湿性优化助剂1。
步骤4、将固体铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度10℃即122℃，使铟铋合金相变界面材料融化，加入乙酸乙酯基润湿性优化助剂1，搅拌3min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到铟铋合金相变界面材料。
步骤5、将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度10℃即122℃，使铟铋合金相变界面材料于贴合界面处熔化，并将液态铟铋合金相变界面材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于散热器表面贴合界面处，通过热压法有效填充散热器和热源表面的空气间隙。
实施例6
步骤1、使用高纯度的金属铟和金属铋，按照金属铟和金属铋的质量分数占比分别占铟铋合金材料的40％和60％的比例在精度为万分之一的分析天平上称量称重，称量完成后混合放入石墨坩埚中。
步骤2、使用高频感应炉真空熔炼的方法进行金属铟和金属铋熔融，温度设置为350℃，恒温时间为15min，使金属铟和金属铋完全熔化，取出坩埚在金属熔融状态下搅拌2min，并浇筑进石墨模具，去除炉渣，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料，其熔程为88-93℃和93-110℃。
步骤3、将固体铟铋合金相变材料放置于等离子体处理设备腔体内，抽真空。在真空环境下，以15cc/min流量通入10％的氢气和90％的氩气的混合气体，通气2min，在425W功率强度下进行等离子体处理10min。结束后，腔体内通入氮气，常温下取出，得到铟铋合金相变界面材料。
步骤4、将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于其熔点温度10℃即120℃，使铟铋合金相变界面材料于贴合界面处熔化，并将液态铟铋合金相变界面材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于散热器贴合界面处，通过热压法有效填充散热器和热源表面的空气间隙。
使用平面扫描成像与量角器测试分析界面润湿情况。具体测试方法为：进行三次平行实验，每次以相同高度滴加经等离子体处理后的相同体积的液态铟铋合金相变界面材料于金属铜表面，使用平面扫描成像与量角器测得材料界面润湿接触角介于60°至90°。
实施例7
将铟铋质量分数配比改为50％:50％，固体铟铋合金相变材料熔程为95-103℃，其他与实施例6相同。
实施例8
将铟铋质量分数配比改为60％:40％，固体铟铋合金相变材料熔程为70-86℃，其他与实施例6相同。
使用差示扫描量热仪分区块对实施例6-8的固体铟铋合金相变材料进行熔点、潜热测试。如图1所示，当材料铟铋质量分数配比为40％:60％、50％:50％和60％:40％时，材料存在两个或两个以上的热流量尖峰，在热流量尖峰吸收热量时温度基本保持不变，即相变过程存在两次潜热吸收，存在固固相变与固液相变过程，且固固相变过程的潜热更大，热流量尖峰更突出，相变温度范围宽。
本发明通过差示扫描量热法(DSC)测试分析，获得了全配比条件下铟铋合金熔点、潜热的变化规律，使铟铋合金相变界面材料制备能够通过控制铟铋金属的质量分数配比实现对铟铋合金相变界面材料熔点、潜热的控制，可控熔点范围为70-113℃，适合应用于不同环境温度中对不同工作温度目标热源的控制。并且，本发明在铟铋合金相变界面材料内部、表面或接触界面引入润湿性优化助剂或等离子体处理，可实现铟铋合金相变界面材料表面润湿效果，有效填充界面空气间隙，降低材料界面接触热阻。
Claims (10)
1.一种铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，包括：
将金属铟和金属铋进行熔炼并混合均匀，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；
对固体铟铋合金相变材料进行润湿性优化处理：将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将润湿性优化助剂均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将固体铟铋合金相变材料加热熔融并加入润湿性优化助剂，搅拌，成型，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理，得到铟铋合金相变界面材料。
2.根据权利要求1所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，松香类溶质包括松香、氢化松香、歧化松香、马来松香、富马松香和聚合松香中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，溶剂包括乙醇、丙醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、丙酮、甲基异丁基甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚和二乙二醇丁醚中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，松香类溶质的质量占润湿性优化助剂质量的1％-20％。
5.根据权利要求1所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，按照质量百分比计，所述固体铟铋合金相变材料中铟和铋的比例为12％-8％：88％-92％、22％-18％：78％-82％、32％-28％：68％-72％、72％-68％：28％-32％、42％-38％：58％-62％、52％-48％：48％-52％或者62％-58％：38％-42％。
6.根据权利要求1所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理具体是：将固体铟铋合金相变材料放置于等离子体处理设备腔体内，抽真空，通入氢气和氩气的混合气体，在400-450W功率强度下进行等离子体处理10-20min。
7.根据权利要求6所述的铟铋合金相变界面材料的制备方法，其特征在于，按照体积分数计，混合气体包括10％-30％的氢气和70％-90％的氩气。
8.采用权利要求1-7任一项所述的制备方法得到的铟铋合金相变界面材料。
9.权利要求8所述的铟铋合金相变界面材料的应用，其特征在于，将铟铋合金相变界面材料加热升温至高于铟铋合金相变材料熔点温度5-15℃，得到液态的铟铋合金相变界面材料，将液态的铟铋合金相变材料先反复刷涂均匀后刮涂铺展于第一部件的待贴合界面处，将第二部件置于第一部件表面的液态的铟铋合金相变材料上，并通过热压法使铟铋合金相变材料填充第一部件与第二部件之间的间隙。
10.一种权利要求8所述的铟铋合金相变界面材料的熔点调控方法，其特征在于，调整金属铟和金属铋的比例。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220920 |