CN115070967A - 晶棒切片装置及晶棒切片方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种晶棒切片装置及一种晶棒切片方法。晶棒切片方法用来配合晶棒切片装置实施，而晶棒切片装置用来将一晶棒切割成多个芯片。晶棒切片装置包括两个牺牲材料、多个滚轮以及能移动地环绕多个滚轮设置的至少一个切割线。两个牺牲材料各具有一凹槽及一顶面，并且两个凹槽用来分别容纳并抵接于晶棒的相反两侧部位。在两个牺牲材料与晶棒的一横截面中，每个凹槽对应于晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角。当至少一个切割线切割晶棒与两个牺牲材料时，至少一个切割线从其中一个牺牲材料的顶面开始切割，继而对晶棒进行切割以形成多个芯片。借此改善芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕，并改善芯片的形貌及芯片的几何形状。

Description

晶棒切片装置及晶棒切片方法

技术领域

本发明涉及一种晶棒切片装置及一种晶棒切片方法，特别是涉及一种以细线径切割线进行切割的晶棒切片装置以及一种以细线径切割线进行切割的晶棒切片方法。

背景技术

现有的晶棒切片机通常是采用粗线径(线径≧120μm)的切割线，并且目前业界多数采用的线径为120μm。因此，在上述切割线切割晶棒时，容易因为线径过粗而使晶棒被割除的材料过多，进而导致生产成本增加。因此，现在也有晶棒切片机采用细线径(线径＜120μm)的切割线对晶棒进行切割以克服上述问题。

然而，现有的晶棒切片机若改为采用细线径的切割线，则晶棒在被切割时，切割线容易因为其线径较细而晃动，使晶棒在切割后产生多个薄芯片，其开切端与黏胶面处均会产生凹凸的线痕，进而导致薄芯片的形貌以及几何形状不佳。

针对上述缺陷，现有技术(如：中国专利号CN203004087U)主要是通过提供能放置晶棒的一切割垫条或者通过减少切割线的震动状况来避免生产出来的芯片在切割过程中掉落。进一步地说，以中国专利号CN203004087U为例，其是借由“在切割垫条的垫条衬底设置U形槽”的技术手段来避免在晶棒切割过程中出现芯片脱落继而导致产生碎片的状况，；以中国专利号CN10205975 0A为例，其是借由“在钻石线切割设备的导轮部分的两个主槽轮之间增加一个直径小于主槽轮的小槽轮”的技术手段来减少了钻石线锯在切割过程中钢线的抖动，提高硅片的加工质量。

然而，虽然现有技术中已有公开用来减少芯片碎裂、芯片线痕的技术手段，但这些技术手段并不是应用于“以细线径的钻石切割线对晶棒进行切割”的情况，导致若要以现有技术生产薄芯片时，仍然会产生凹凸的线痕。因此，如何通过对现有晶棒切片机的结构设计的改良来克服上述的缺陷已成为该项事业所要解决的重要课题之一。

发明内容

本发明实施例在于提供一种晶棒切片装置及一种晶棒切片方法，其用以改善以现有技术生产薄芯片时，仍然会产生凹凸线痕的问题。

本发明的其中一个实施例公开了一种晶棒切片装置，用来将一晶棒切割成多个芯片，所述晶棒切片装置包括：两个牺牲材料，各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；多个滚轮，彼此间隔开地设置；以及至少一个切割线，能移动地环绕多个所述滚轮设置，并且至少一个所述切割线的线径介于60微米(μm)～100微米；其中，当至少一个所述切割线用来切割所述晶棒与两个所述牺牲材料时，至少一个所述切割线从其中一个所述牺牲材料的所述顶面开始切割，继而对所述晶棒进行切割以形成多个所述芯片。

优选地，两个所述牺牲材料的构造相对于所述中轴线镜像对称。

优选地，每个所述牺牲材料的组成材料包含树脂，并且每个所述牺牲材料的硬度小于所述晶棒的硬度。

优选地，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的所述横截面中，每个所述牺牲材料的所述顶面相对于所述晶棒的外表面之间的最短距离不小于6毫米。

优选地，邻近至少一个所述切割线的所述牺牲材料的所述顶面与一水平面不平行，而相对远离至少一个所述切割线的另一个所述牺牲材料的所述顶面与所述水平面平行。

优选地，所述凹槽的所述圆心角介于70度～120度。

优选地，两个所述牺牲材料的所述凹槽的所述圆心角相等。

优选地，至少一个所述切割线的张力范围与至少一个所述切割线的线径范围呈正相关，并且至少一个所述切割线的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿。

优选地，至少一个所述切割线包含有面向其中一个所述牺牲材料且彼此平行的多个切割段，任两个相邻的所述切割段之间的一距离介于235微米～495微米，使所述晶棒被至少一个所述切割线切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片。

本发明的其中一个实施例公开了一种晶棒切片方法，包括：一保护步骤：将两个牺牲材料分别设置于一晶棒的外表面；其中，两个所述牺牲材料各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；以及一切割步骤：利用至少一个切割线从任一个所述牺牲材料的所述顶面切割，继而切割两个所述牺牲材料与所述晶棒，以使所述晶棒形成多个芯片；其中，至少一个所述切割线的线径介于60微米～100微米。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的晶棒切片装置及所述晶棒切片方法能通过“两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位”以及“在两个所述牺牲材料与所述晶棒的所述横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的所述中轴线形成介于60度～180度的所述圆心角”的技术方案，改善所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕，并改善所述芯片的形貌及所述芯片的几何形状。

为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例的晶棒切片装置切割晶棒的动作示意图。

图2为本发明第一实施例的切割线的剖面示意图。

图3为本发明第一实施例的切割线环绕两个滚轮设置的立体示意图。

图4为本发明第二实施例的晶棒切片方法的步骤流程示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“晶棒切片装置及晶棒切片方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，需事先声明的是，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况而可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

[第一实施例]

参阅图1至图3所示，本发明第一实施例提供一种晶棒切片装置100，用来将一晶棒200切割成多个芯片，并且所述晶棒200的尺寸为3～4英寸(inch)，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，所述晶棒200也可以替换成一晶锭。

如图1所示，所述晶棒切片装置100包括安装于所述晶棒200的两个牺牲材料1、位置对应于所述晶棒200并且彼此间隔开地设置的多个滚轮2、以及能移动地环绕多个所述滚轮2设置的至少一个切割线3。需额外说明的是，所述牺牲材料1于本实施例中是以搭配于上述滚轮2与至少一个所述切割线3来说明，但在本发明未示出的其他实施例中，所述牺牲材料1也可以是单独地应用(如：售卖)或是搭配其他构件使用。

如图1所示，两个所述牺牲材料1各具有一凹槽11及相对于所述凹槽11的一顶面12。换个角度来说，于本实施例中，两个所述牺牲材料1呈长方体，其长度与所述晶棒200的长度相同，并且两个所述牺牲材料1的任意一侧各具有所述凹槽11。其中，两个所述牺牲材料1的构造相对于所述晶棒200的一中轴线202(为方便示出，所述中轴线202于图1中呈点状)呈镜像对称，每个所述牺牲材料1的组成材料包含树脂，并且每个所述牺牲材料1的硬度小于所述晶棒200的硬度，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，两个所述牺牲材料1的构造相对于所述中轴线202也可以不呈镜像对称，并且两个所述牺牲材料1的长度也可以不与所述晶棒200的长度相同。

更详细地说，两个所述牺牲材料1的两个所述凹槽11用来分别容纳并抵接于所述晶棒200的相反两侧部位。其中，在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的一横截面中，每个所述牺牲材料1的所述凹槽11对应于所述晶棒200的所述中轴线202形成介于60度～180度的一圆心角θ。

进一步地说，于本实施例中，所述凹槽11的所述圆心角θ优选介于70度～120度，并且两个所述牺牲材料1的两个所述凹槽11的两个所述圆心角θ相等，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，两个所述牺牲材料1的两个所述凹槽11的两个所述圆心角θ也可以不相等。

需要说明的是，假设所述圆心角θ小于70度，则两个所述牺牲材料1包覆所述晶棒200的面积不够，导致所述晶棒200在切割时将容易产生严重的线痕问题；假设所述圆心角θ大于120度，则所述晶棒200在切割时的切片效率将大幅降低，并且为使所述圆心角θ大于120度，两个所述牺牲材料1的体积需要更大，其使用的材料将需要更多，导致所述晶棒切片装置100的整体成本大幅提升。

如表1所示，下表分别包含有实验组1、对照组1、实验组2以及对照组2。其中，在实验组1以及对照组1中，由所述晶棒200切割出来的所述芯片的尺寸为3英寸；在实验组2以及对照组2中，由所述晶棒200切割出来的所述芯片的尺寸为4英寸。

需要说明的是，上述各实验组与各对照组的主要差异在于，所述芯片的尺寸以及任一个所述牺牲材料1包覆所述晶棒200的比例。为方便说明与理解，以下将先对实验组1以及实验组2进行说明，后续再介绍对照组1以及对照组2。

如图1以及表1所示，在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，当所述圆心角θ的角度介于60度～180度时，实验组1以及实验组2中的所述晶棒200被任一个所述牺牲材料1包覆的比例为所述晶棒200的1/6～1/2的圆弧长。进一步地说，在实验组1中，任一个所述牺牲材料1包覆所述晶棒200的比例优选为所述晶棒200的1/4的圆弧长；在实验组2中，任一个所述牺牲材料1包覆所述晶棒200的比例优选为所述晶棒200的1/5的圆弧长。其中，当所述圆心角θ的角度小于60度时，对照组1以及对照组2中的所述晶棒200被任一个所述牺牲材料1包覆的比例小于所述晶棒200的1/6的圆弧长。

需要说明的是，如表1所示，以实验组1的条件所制成的多个所述芯片的芯片制造线痕不良率不大于1％，而相比于实验组1，以对照组1的条件所制成的多个所述芯片的芯片制造线痕不良率为50％，以实验组2的条件所制成的多个所述芯片的芯片制造线痕不良率不大于1％，而相比于实验组2，以对照组2的条件所制成的多个所述芯片的芯片制造线痕不良率为20％。

如上所述，可知所述晶棒切片装置100及晶棒切片方法能通过“当所述圆心角θ的角度介于60度～180度时，所述晶棒200被任一个所述牺牲材料1包覆的比例为所述晶棒200的1/6～1/2的圆弧长”的技术方案，改善所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕，并降低多个所述芯片的芯片制造线痕不良率。

随着所述晶棒200被任一个所述牺牲材料1包覆的比例越高，所述晶棒200在切割时的稳定性就越高，而所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕的改善程度就越大。

需要说明的是，在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，每个所述牺牲材料1的所述顶面12相对于所述晶棒200的外表面201之间的最短距离定义为一第一距离D1，该第一距离不小于6毫米(mm)，并且所述第一距离D1优选介于8毫米～10毫米。

具体来说，假设所述第一距离D1小于6毫米，所述牺牲材料1在切割时就容易因为至少一个所述切割线3在切割时的震动而断裂，导致所述晶棒200在切割时容易产生线痕，并使所述晶棒切片装置100对所述晶棒200的加工难度提升；假设所述第一距离D1大于10毫米，则制作所述牺牲材料1的材料用量将提高，并且所述牺牲材料1在被切割时需要花费更多时间，导致所述晶棒切片装置100的整体成本大幅提升，并使所述晶棒切片装置100的切割效率大幅下降。

如上所述，所述晶棒切片装置100能通过“每个所述牺牲材料1的所述顶面12相对于所述晶棒200的所述外表面201之间的所述第一距离D1不小于6毫米”的技术手段，使所述牺牲材料1不易断裂并能稳固地抵接于所述晶棒200的相反两侧部位。

如图1所示，当多个所述滚轮2转动时，至少一个所述切割线3被多个所述滚轮2带动并具有近似于链锯的切割功能。其中，多个所述滚轮2于本实施例中的数量为两个，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，多个所述滚轮2的数量也可以是三个以上。

需要说明的是，于本实施例中，两个所述滚轮2不移动，相反，所述晶棒200以及两个所述牺牲材料1能沿一切割方向C移动，继而使所述晶棒200接近至少一个所述切割线3并被其切割，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明的未示出的其他实施例中，所述晶棒200可以不移动，并且两个所述滚轮2可以沿所述切割方向C移动，继而使至少一个所述切割线3接近并切割所述晶棒200。

需要说明的是，如图3所示，当环绕多个所述滚轮2设置有至少一个所述切割线3时，至少一个所述切割线3包含有面向其中一个所述牺牲材料1且彼此平行的多个切割段31，任两个相邻的所述切割段31之间的一距离定义为一第二距离D2，该第二距离介于235微米(μm)～495微米，并且所述第二距离D2优选介于275微米～415微米。

如上所述，所述晶棒切片装置100能通过“至少一个所述切割线3包含有面向其中一个所述牺牲材料1且彼此平行的多个所述切割段31，任两个相邻的所述切割段31之间的所述第二距离D2介于235微米～495微米”的技术手段，使所述晶棒200被至少一个所述切割线3切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片。

进一步地说，当所述第二距离D2介于275微米～415微米时，所述晶棒200能在被至少一个所述切割线3切割后能形成多个厚度介于200微米～320微米的所述芯片。

如图2所示，至少一个所述切割线3的线径3R介于60微米～100微米，而所述线径3R优选介于60微米～80微米，并且至少一个所述切割线3的张力范围与至少一个所述切割线3的线径范围呈正相关。其中，至少一个所述切割线3的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿(N)，并且所述张力范围优选介于10牛顿～12牛顿，以使至少一个所述切割线3在切割所述晶棒200时，至少一个所述切割线3发生震动的机率下降。

需要说明的是，以所述切割线3的数量以一个为例，所述切割线3包含一线体32以及设置于所述线体32上的多个钻石片33，而所述切割线3的所述线径3R为所述线体32的线径，并非是包含多个所述钻石片33的整体所述切割线3的线径。

如上所述，所述晶棒切片装置100能通过“至少一个所述切割线3的所述线径3R介于60微米～100微米，而至少一个所述切割线3的张力范围与至少一个所述切割线3的线径范围呈正相关，并且至少一个所述切割线3的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿(N)”的技术手段，使至少一个所述切割线3在切割所述晶棒200时，至少一个所述切割线3发生震动的机率下降，继而改善所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕。

具体来说，所述晶棒切片装置100能通过“使用细线径的至少一个所述切割线3(所述线径3R介于60微米～100微米)”以及“在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，每个所述牺牲材料1的所述凹槽11包覆于所述晶棒200的比例为所述晶棒200的1/6圆弧长～1/2圆弧长”的技术手段，使所述晶棒200被至少一个所述切割线3切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片，并改善每个所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕问题，进而改善每个所述芯片的形貌及每个所述芯片的几何形状。

需要说明的是，当至少一个所述切割线3用来切割所述晶棒200与两个所述牺牲材料1时，至少一个所述切割线3从其中一个所述牺牲材料1的所述顶面12开始切割，继而对所述晶棒200切割以形成多个所述芯片。其中，邻近至少一个所述切割线3的所述牺牲材料1的所述顶面12与一水平面平行，而相对远离至少一个所述切割线3的另一个所述牺牲材料1的所述顶面12与所述水平面也平行，但本发明并不限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，邻近至少一个所述切割线3的所述牺牲材料1的所述顶面12与所述水平面也可以不平行。

[第二实施例]

请参阅图4所示，其为本发明的第二实施例，需先说明的是，本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处则不再加以赘述(如：所述牺牲材料1)；再者，本实施例对应附图所提及的相关数量与外形仅用来具体地说明本发明的实施方式，以便于了解本发明的内容，而非用来限制本发明的保护范围。

如图4所示，本发明第二实施例提供了一种晶棒切片方法，其用来配合本发明第一实施例提供的所述晶棒切片装置100实施，所述晶棒切片方法至少依次包括下列几个步骤：一保护步骤S101以及一切割步骤S103。

在所述保护步骤S101的执行过程中，两个牺牲材料1分别设置于所述晶棒200的所述外表面201。其中，两个所述牺牲材料1各具有所述凹槽11及相对于所述凹槽11的所述顶面12，并且两个所述牺牲材料1的两个所述凹槽11用来分别容纳并抵接于所述晶棒200的相反两侧部位。其中，在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，每个所述牺牲材料1的所述凹槽11对应于所述晶棒200的所述中轴线202形成介于60度～180度的所述圆心角θ。

在所述切割步骤S103的执行过程中，利用至少一个切割线3从任一个所述牺牲材料1的所述顶面12切割，继而切割两个所述牺牲材料1与所述晶棒200，以使所述晶棒200形成多个所述芯片。其中，至少一个所述切割线3的所述线径3R介于60微米～100微米，并且所述线径3R优选介于60微米～80微米。

[实施例的有益效果]

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的晶棒切片装置100及晶棒切片方法能通过“两个所述牺牲材料1的两个所述凹槽11用来分别容纳并抵接于所述晶棒200的相反两侧部位”以及“在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，每个所述牺牲材料1的所述凹槽11对应于所述晶棒200的所述中轴线202形成介于60度～180度的所述圆心角θ”的技术方案，改善所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕，并改善所述芯片的形貌及所述芯片的几何形状。

更进一步来说，本发明所提供的晶棒切片装置100能通过“在两个所述牺牲材料1与所述晶棒200的所述横截面中，每个所述牺牲材料1的所述顶面12相对于所述晶棒200的所述外表面201之间的所述第一距离D1不小于6毫米”的技术方案，使所述牺牲材料1不易断裂并能稳固地抵接于所述晶棒200的相反两侧部位。

更进一步来说，本发明所提供的晶棒切片装置100能通过“至少一个所述切割线3的所述线径3R介于60微米～100微米”以及“至少一个所述切割线3的张力范围与至少一个所述切割线3的线径范围呈正相关，并且至少一个所述切割线3的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿(N)”的技术方案，使至少一个所述切割线3在切割所述晶棒200时，至少一个所述切割线3发生震动的机率下降，继而改善所述芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕。

更进一步来说，本发明所提供的晶棒切片装置100能通过“至少一个所述切割线3包含有面向其中一个所述牺牲材料1且彼此平行的多个所述切割段31，任两个相邻的所述切割段31之间的所述第二距离D2介于235微米～495微米”的技术方案，使所述晶棒200被至少一个所述切割线3切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此限制本发明的申请专利范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化均包含于本发明的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种晶棒切片装置，其特征在于，所述晶棒切片装置用来将一晶棒切割成多个芯片，所述晶棒切片装置包括：

两个牺牲材料，各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；

多个滚轮，彼此间隔开地设置；以及

至少一个切割线，能移动地环绕多个所述滚轮设置，并且至少一个所述切割线的线径介于60微米～100微米；其中，当至少一个所述切割线用来切割所述晶棒与两个所述牺牲材料时，至少一个所述切割线从其中一个所述牺牲材料的所述顶面开始切割，继而对所述晶棒进行切割以形成多个所述芯片。

2.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，两个所述牺牲材料的构造相对于所述中轴线镜像对称。

3.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，每个所述牺牲材料的组成材料包含树脂，并且每个所述牺牲材料的硬度小于所述晶棒的硬度。

4.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的所述横截面中，每个所述牺牲材料的所述顶面相对于所述晶棒的外表面之间的最短距离不小于6毫米。

5.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，邻近至少一个所述切割线的所述牺牲材料的所述顶面与一水平面不平行，而相对远离至少一个所述切割线的另一个所述牺牲材料的所述顶面与所述水平面平行。

6.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，所述凹槽的所述圆心角介于70度～120度。

7.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，两个所述牺牲材料的所述凹槽的所述圆心角相等。

8.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，至少一个所述切割线的张力范围与至少一个所述切割线的线径范围呈正相关，并且至少一个所述切割线的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿。

9.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，至少一个所述切割线包含有面向两个所述牺牲材料中的一个所述牺牲材料且彼此平行的多个切割段，任两个相邻的所述切割段之间的一距离介于235微米～495微米，使所述晶棒被至少一个所述切割线切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片。

10.一种晶棒切片方法，其特征在于，所述晶棒切片方法包括：

一保护步骤：将两个牺牲材料分别设置于一晶棒的外表面；其中，两个所述牺牲材料各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；以及

一切割步骤：利用至少一个切割线从任一个所述牺牲材料的所述顶面切割，继而切割两个所述牺牲材料与所述晶棒，以使所述晶棒形成多个芯片；其中，至少一个所述切割线的线径介于60微米～100微米。

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