CN115064381A - 多层陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
提供一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极。所述介电层包含含有介电陶瓷组合物的介电晶粒，所述介电陶瓷组合物包含基体材料主成分和副成分，所述基体材料主成分包含从由BaTiO3、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yCay)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.1)、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.5)和Ba(Ti1‑yZry)O3(0<y≤0.5)组成的组中选择的一种，所述副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd，并且基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，Nd的含量小于0.699mol。
Description
本申请是申请日为2020年5月6日、申请号为202010371978.4的发明专利申请“介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器”的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种具有改善的可靠性的介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器。
背景技术
通常，诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等的使用陶瓷材料的电子组件包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。
由于近来存在使电子产品以及片式组件小型化和多功能化的趋势，因此存在对尺寸较小但具有较大电容的多层陶瓷电容器的需要。
用于既使多层陶瓷电容器小型化同时又增大其电容的方法是减小介电层和内电极层的厚度以层叠更多数量的层。目前，介电层的厚度为约0.6μm，并且已经在努力开发更薄的介电层。
在这样的情况下，确保介电层的可靠性正成为介电材料的主要问题。另外，由于介电材料的绝缘电阻的劣化增加，因此难以管理质量和良率已经成为问题。
为了解决这样的问题，需要不仅针对多层陶瓷电容器的结构而且特别针对电介质的组分开发一种用于确保高可靠性的新方法。
当确保能够改善目前的可靠性的介电组合物时，可制造较薄的多层陶瓷电容器。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器。
根据本公开的一方面，一种介电陶瓷组合物包括钛酸钡(BaTiO3)基基体材料主成分和副成分。所述副成分包含作为第一副成分的镝(Dy)和钕(Nd)。基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的钛(Ti)，包含在所述介电陶瓷组合物中的Nd的总含量小于0.699mol。
根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极设置为彼此面对且各介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上。所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，并且所述介电层包含含有介电陶瓷组合物的介电晶粒。所述介电陶瓷组合物包含BaTiO3基基体材料主成分和副成分，其中，所述副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd。基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti，Nd的总含量小于0.699mol。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是根据实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；
图2是沿着图1中的I-I′线截取的截面图；以及
图3是根据实施例示例以及比较示例的I-V曲线的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可按照许多不同的形式呈现，并且不应该解释为限于这里阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将要把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的元件。
图1是根据实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图。
图2是沿着图1中的I-I′线截取的截面图。
参照图1和图2，根据实施例的多层陶瓷电容器100包括：陶瓷主体110，包括介电层111以及设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，且各介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间；以及第一外电极131和第二外电极132，设置在陶瓷主体110的外表面上。第一外电极131电连接到第一内电极121，第二外电极132电连接到第二内电极122。
关于根据实施例的多层陶瓷电容器100，图1的“长度方向”、“宽度方向”和“厚度方向”分别被定义为“L”方向、“W”方向和“T”方向。“厚度方向”可按照与介电层堆叠所沿的方向(例如，“层叠方向”)的含义相同的含义使用。
虽然没有特别限制，但是陶瓷主体110的构造可以是如附图中所示的矩形长方体形状。
形成在陶瓷主体110内部的多个第一内电极121和多个第二内电极122具有暴露于陶瓷主体110的一个表面或者陶瓷主体110的与所述一个表面背对设置的另一表面的一端。
内电极可包括具有不同极性的成对的第一内电极121和第二内电极122。
第一内电极121的一端可暴露于陶瓷主体的一个表面，第二内电极122的一端可暴露于陶瓷主体的与所述一个表面背对设置的另一表面。
第一外电极131和第二外电极132分别形成在陶瓷主体110的一个表面和陶瓷主体110的与所述一个表面背对设置的另一表面上，以电连接到内电极。
第一内电极121和第二内电极122的材料没有特别限制，并且可以是包含从由例如银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)组成的组中选择的至少一种元素的导电膏。
第一外电极131和第二外电极132可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122以产生电容。第二外电极132可连接到与连接到第一外电极131的电位不同的电位。
包含在第一外电极131和第二外电极132中的导电材料没有特别限制，而可包含从由镍(Ni)、铜(Cu)组成的组中选择的至少一种元素，或者它们的合金。
第一外电极131和第二外电极132的厚度可根据其用途等合适地确定，并没有特别限制，而可以是，例如，10μm至50μm。
根据实施例，形成介电层111的材料没有特别限制，只要可利用该材料获得足够的电容即可，并且可以是，例如，钛酸钡(BaTiO3)粉末。
形成介电层111的材料可包括添加到BaTiO3粉末等中的各种添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等。
处于烧结状态的介电层111可一体化为单个主体，使得相邻介电层111之间的边界可能不是显而易见的。
第一内电极121和第二内电极122可形成在介电层111上，并且内电极121和122可通过烧结形成在陶瓷主体110内部，同时在它们之间具有一个介电层。
介电层111的厚度可根据电容器的电容设计而可选择地改变。实施例中烧结之后的介电层的厚度可以是每层0.4μm或更小。
此外，烧结之后的第一内电极121和第二内电极122的厚度可以是每层0.4μm或更小。
根据实施例，介电层111包括包含介电陶瓷组合物的介电晶粒。介电陶瓷组合物包括BaTiO3基基体材料主成分(基体材料主成分)和副成分，其中，副成分包含作为第一副成分的镝(Dy)和钕(Nd)。基于100mol的基体材料主成分的钛(Ti)，介电陶瓷组合物中的Nd的总含量可大于0mol并且小于0.699mol。
为了开发具有高电容的小型化的多层陶瓷电容器，近来需要开发一种介电组合物的组分，当在包含添加剂的BaTiO3基基体材料主成分中形成相似尺寸的晶粒时，该介电组合物的组分通过增强畴壁运动而实现高的介电常数。
在这方面，研究表明，当应用供主型掺杂剂组分时，晶格中的固定源浓度降低，导致高的畴壁运动。
通过在各种已知的供主型掺杂剂中应用离子尺寸与钡(Ba)的离子尺寸最相似的添加剂，开发了能够使晶格失配最小化并且实现高的介电常数的介电组合物。
另外，由于当供主型添加剂的含量增大时，通常绝缘电阻(IR)降低并且不容易确保抗还原性，因此，应确定合适的含量比。
通常，镝(Dy)是最常用的供主型掺杂剂，其影响多层陶瓷电容器的介电常数和可靠性的改善。通过合适地调节这样的供主型掺杂剂和受主型掺杂剂的含量，可实现要求的介电特性和可靠性。
在本公开中，发明了包含钕(Nd)(一种具有3价或更高价的稀土元素)的介电组合物，该介电组合物能够抑制电介质的组分中的氧空位产生的化学缺陷或者降低氧空位浓度。
Nd的离子半径的长度在钡(Ba)原子(介电组合物的主要成分)的离子半径的长度与Dy(供主型掺杂剂)的离子半径的长度之间。因此，Nd可在Ba位点处被有效地取代。
在实施例中，已经确定了最佳含量比，以通过应用除显示稳定的介电特性的Dy之外的Nd来确保高的介电常数和优异的可靠性。
根据实施例，介电陶瓷组合物包含BaTiO3基基体材料主成分(基体材料主成分)和副成分，其中，副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd。基于100mol的基体材料主成分的Ti，介电陶瓷组合物中的Nd的总含量小于0.699mol。
通过将总的Nd含量调整为小于0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，可获得高的介电常数并且可改善诸如绝缘电阻的可靠性。
具体地，根据实施例，介电陶瓷组合物中的Nd含量可满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
当Nd含量满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，不仅可获得高的介电特性，而且诸如绝缘电阻改善的可靠性改善是优异的。
根据实施例，对于包含在陶瓷主体中的介电层中的介电陶瓷组合物，通过包含作为副成分的稀土元素Dy和Nd并控制其含量，可获得高的介电特性，并且可改善诸如绝缘电阻的可靠性。
与现有技术的介电陶瓷组合物相比，当Nd含量小于0.233mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，介电常数增大得不显著。
当Nd含量大于0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，绝缘电阻会由于半导体化而降低。
根据实施例，介电陶瓷组合物中包含的Dy和Nd的总含量可大于0mol且小于或等于1.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
通常，随着稀土元素的总含量增大，可靠性也增加。然而，在温度(Tc)向室温移动的情况下，温度特性显著降低。因此，优选将Dy和Nd含量调整为小于或等于1.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
当Dy和Nd的总含量超过1.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，温度特性(诸如电容温度系数(TCC))可能劣化。
根据实施例，第一副成分还包含可设置在介电晶粒的边界处的包含镧(La)的氧化物或碳酸盐。
此外，当使用离子半径大于Dy的离子半径的稀土元素(诸如La)时，可更有效地取代Ba位点，从而使其对氧空位浓度的降低更有效。
因此，还可包含作为第一副成分的La，以确保绝缘电阻，同时使氧空位浓度最小化以改善可靠性。
然而，如果La含量太高，绝缘电阻可能由于过度半导体化而迅速降低。因此，La的含量优选为大于或等于0.233mol且小于或等于0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
如前所述，根据实施例的多层陶瓷电容器100是具有高电容的小型化产品，并且包括厚度小于或等于0.4μm的介电层111以及厚度小于或等于0.4μm的第一内电极121和第二内电极122，但厚度不限于此。介电层111的厚度大于0.0μm。
另外，多层陶瓷电容器100的尺寸可以是1005(长×宽，1.0mm×0.5mm)或更小。
换句话说，由于根据实施例的多层陶瓷电容器100是具有高电容的小型化产品，因此介电层111以及第一内电极121和第二内电极122的厚度比现有技术产品的介电层以及第一内电极和第二内电极的厚度薄。对于应用了薄膜介电层和内电极的这样的产品，用于改善可靠性(诸如绝缘电阻)的研究是非常重要的问题。
换句话说，由于与根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器相比，现有技术的多层陶瓷电容器具有相对较厚的介电层和内电极，因此即使介电陶瓷组合物的组分与现有技术的组分相同，可靠性也不是大的问题。
然而，对于如本公开的实施例的应用了薄膜介电层和内电极的多层陶瓷电容器的产品，多层陶瓷电容器的可靠性是重要的，并且有必要调整介电陶瓷组合物的组分。
也就是说，在实施例中，即使当介电层111是厚度小于或等于0.4μm的薄膜时，也可通过以下方式改善可靠性(诸如绝缘电阻)：包含作为第一副成分的Dy和Nd并且将Nd含量调整为小于0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，更详细地，将Nd含量调整为满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
然而，薄膜不意味着介电层111以及内电极121和122的厚度小于或等于0.4μm，而可被理解为介电层和内电极比现有技术产品的介电层和内电极薄的含义。
在下文中，将更详细地描述根据实施例的介电陶瓷组合物的每种成分。
a)基体材料主成分
根据本公开的实施例的介电陶瓷组合物可包含由BaTiO3表示的基体材料主成分。
根据实施例，基体材料主成分包含从由BaTiO3、(Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3(其中，0≤x≤0.3，0≤y≤0.1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(其中，0≤x≤0.3，0≤y≤0.5)和Ba(Ti1-yZry)O3(其中，0<y≤0.5)组成的组中选择的至少一种，但不必然限于此。
根据实施例的介电陶瓷组合物可具有大于或等于2000的室温介电常数。
基体材料主成分没有特别限制，但主成分粉末的平均直径可大于或等于40nm且小于或等于150nm。
b)第一副成分
根据本公开的实施例，介电陶瓷组合物实质上包含作为第一副成分的元素的Dy和Nd并且可另外包含大于或等于0.233mol且小于或等于0.699mol的镧(La)的氧化物和/或碳酸盐(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
在实施例中，第一副成分用于抑制应用了介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器的可靠性劣化。
当La含量小于0.233mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，介电常数不增大。当La含量超过0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，绝缘电阻或损耗因数(DF)会降低。
根据实施例，即使当介电层111的厚度小于或等于0.4μm时，也可通过以下方式改善可靠性(诸如绝缘电阻)：包含作为第一副成分的Dy和Nd，将存在于介电陶瓷组合物中的Nd含量调整为小于0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，更详细地，将介电陶瓷组合物中的Nd含量调整为满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。本公开的Nd含量可以是包含在介电层111中的Nd含量。
c)第二副成分
根据本公开的实施例，介电陶瓷组合物可包括包含从由锰(Mn)、钒(V)、铬(Cr)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种氧化物和/或包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种碳酸盐作为第二副成分。
作为第二副成分的包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的氧化物和/或包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的碳酸盐的总量可以为0.1mol至2.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。
第二副成分用于降低烧制温度并提高应用了介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器的高温耐压特性。
描述的第二副成分以及第三副成分和第四副成分的含量可以是基于100mol的基体材料主成分的Ti包含在介电陶瓷组合物中的量，并且可被定义为各副成分包含的金属离子的摩尔数。本公开的第二副成分以及第三副成分和第四副成分的含量可以是包含在介电层111中的含量。
当第二副成分的含量小于0.1mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，烧制温度升高并且高温耐压特性可能稍微降低。
当第二副成分的含量大于2.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，高温耐压特性和室温电阻率可能劣化。
详细地，根据本公开的实施例的介电陶瓷组合物可包含大于等于0.1mol且小于等于2.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)的第二副成分。这将使得能够在低温下烧制并且提供高温耐压特性。
d)第三副成分
根据本公开的实施例，介电陶瓷组合物可包含第三副成分，第三副成分包括包含固定价态受主元素镁(Mg)的氧化物和/或碳酸盐。
固定价态受主元素Mg可按照大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)的量被包含而作为第三副成分。
作为固定价态受主元素或包含固定价态受主元素的化合物的第三副成分用作受主以降低电子浓度。通过添加大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)的作为第三副成分的固定价态受主元素Mg可显著提高由于n型引起的可靠性改善效果。
当第三副成分的含量大于0.5mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，介电常数可能降低，这可能是有问题的。
然而，根据实施例，为了使由n型导致的可靠性改善最大化，优选为包含0.5mol的第三副成分(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，但不限于此。第三副成分的含量可按照小于或等于0.5mol或者略大于0.5mol的量被包含。
e)第四副成分
根据本公开的实施例，介电陶瓷组合物可包括作为第四副成分的包含硅(Si)和铝(Al)中的至少一种元素的一种或更多种氧化物或者包含硅(Si)的玻璃化合物。
介电陶瓷组合物还可包含大于0.0mol(例如，大于或等于0.001mol)且小于或等于4.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)的第四副成分，第四副成分包括包含Si和Al中的至少一种元素的一种或更多种氧化物或者包含Si的玻璃化合物。
第四副成分的含量可以是包含在第四副成分中的Si和Al元素的含量，而与诸如玻璃、氧化物或碳酸盐的添加形式无关。
第四副成分用于降低烧制温度并且改善应用了介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器的高温耐压特性。
当第四副成分含量超过4.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，可能存在诸如烧结性和密度降低、形成第二相等的问题，这可能是有问题的。
详细地，根据实施例，当介电陶瓷组合物包含小于或等于4.0mol的Al时，晶粒生长可被控制为是均匀的，从而改善耐压和可靠性以及DC偏置特性。
在下文中，将参照本公开的实施例和比较示例更详细地描述本公开。提供这些实施例和比较示例以帮助对本发明的全面理解，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。
(实施例示例)
介电层通过以下步骤形成：将添加剂(诸如Dy、Nd、La、Al、Mg、Mn等)、粘合剂和有机溶剂(诸如乙醇)添加到作为基体材料主成分的包含BaTiO3的介电粉末中，并且将其湿混以制备介电浆料，然后在载体膜上将介电浆料摊开并且干燥以制备陶瓷生片。
粒径为基于BaTiO3的40％或更小的所有元素添加剂单分散并被添加。
具体地，基于100mol的基体材料主成分的Ti，存在于介电浆料中的Dy和Nd的含量小于或等于1.0mol。
在实施例示例1中，基于100mol的基体材料主成分的Ti，将0.699mol的Dy和0.233mol的Nd添加到介电浆料中，而在实施例示例2中，将0.466mol的Dy和0.466mol的Nd添加到介电浆料中。
通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂以制备浆料并且使用浆料进行刮刀法，将陶瓷生片制造为具有数微米的厚度的片。
然后，制备包含40重量份至50重量份的平均粒径为0.1μm至0.2μm的镍粉末的用于内电极的导电膏。
将用于内电极的导电膏丝网印刷在陶瓷生片上以形成内电极。然后，将其上形成有内电极图案的生片层叠以形成层压体，然后压制并切割层压体。
然后，将切割的层压体加热以去除粘合剂，并在高温还原性气氛中烧制以形成陶瓷主体。
在烧制工艺期间，通过在还原性气氛(0.1％H2/99.9％N2，H2O/H2/N2)中在1100℃至1200℃下烧制2小时，然后在氮气(N2)气氛中在1000℃下再氧化3小时来执行热处理。
使用铜(Cu)膏对烧制的陶瓷主体执行封端工艺和电极烧制，并形成外电极。
另外，在烧制之后，陶瓷主体110内部的介电层111以及第一内电极121和第二内电极122被制造为具有小于或等于0.4μm的厚度。
(比较示例1)
比较示例1表示常规情况，其中，基于100mol的基体材料主成分的Ti，添加0.932mol的Dy。剩余的制造工艺与实施例示例中描述的制造工艺相同。
(比较示例2)
在比较示例2中，基于100mol的基体材料主成分的Ti，添加0.233mol的Dy和0.699mol的Nd。剩余的制造工艺与实施例示例中描述的制造工艺相同。
(比较示例3)
在比较示例3中，基于100mol的基体材料主成分的Ti，添加0.932mol的Nd。剩余的制造工艺与实施例示例中描述的制造工艺相同。
测试了实施例示例1和实施例示例2以及比较示例1至比较示例3(如上制造的原型多层陶瓷电容器(MLCC))样品的介电常数、损耗因数(DF)和电阻率，并且评价了它们的结果。
分别在以下三个条件下进行测试，即1140℃(平均1135℃)、1160℃(平均1157℃)和1180℃(平均1172℃)。
下表1示出了根据试验示例(实施例示例1和实施例示例2以及比较示例1至比较示例3)的原型MLCC的片的介电常数、DF和IR。
[表1]
参照表1，与未添加Nd的比较示例1相比，在实施例示例1和实施例示例2中，通过添加小于0.699mol的Nd(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，可提高介电常数和DF，虽然电阻率稍有下降，但仍在允许范围内。在比较示例2和比较示例3中，当Nd含量大于或等于0.699mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)时，虽然介电常数和DF提高，但电阻率非常低，超过允许范围，导致出现过电流。
实施例示例1和实施例示例2的Dy和Nd含量小于或等于1.0mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)，它们满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)。与比较示例1相比，实施例示例1和实施例示例2的介电常数和DF提高，与比较示例2和比较示例3相比，可靠性(诸如电阻率等)得到改善。
图3表示根据实施例示例以及比较示例的I-V曲线。
参照图3，其中Nd含量满足0.233mol≤Nd≤0.466mol(基于100mol的基体材料主成分的Ti)的实施例示例1和实施例示例2实现与其中仅包含Dy的比较示例1的电阻率相似的稳定的电阻率。
根据实施例，介电陶瓷组合物可通过包含作为副成分的新的稀土元素Nd同时控制Nd的含量而具有改善的介电常数、DF以及可靠性(诸如改善的电阻率)。
虽然以上已经示出并描述了实施例，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可做出修改和变型。
Claims (9)
1.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极设置为彼此面对且各介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上，所述第一外电极连接到所述第一内电极并且所述第二外电极连接到所述第二内电极，
其中，所述介电层包含含有介电陶瓷组合物的介电晶粒，
所述介电陶瓷组合物包含基体材料主成分和副成分，所述基体材料主成分包含从由BaTiO3、(Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3和Ba(Ti1-yZry)O3组成的组中选择的一种，在(Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3中，0≤x≤0.3且0≤y≤0.1，在(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3中，0≤x≤0.3且0≤y≤0.5，在Ba(Ti1-yZry)O3中，0<y≤0.5，所述副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd，并且
基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，Nd的含量小于0.699mol。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，Nd的含量小于或等于0.233mol。
3.如权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，Nd的含量小于或等于0.466mol。
4.如权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，Dy和Nd的总含量小于或等于1.0mol。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一副成分还包括包含La的氧化物或碳酸盐，
其中，La设置在所述介电晶粒的边界处。
6.如权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，所述介电陶瓷组合物包含大于或等于0.1mol且小于或等于2.0mol的第二副成分，
其中，所述第二副成分包括包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种氧化物和/或包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种碳酸盐。
7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的所述基体材料主成分的Ti，所述介电陶瓷组合物包含大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol的第三副成分，
其中，所述第三副成分包括包含固定价态受主元素Mg的氧化物或碳酸盐。
8.如权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度小于或等于0.4μm。
9.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的厚度小于或等于0.4μm。
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