CN115038944A - 传感器劣化判定方法 - Google Patents

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Abstract

本公开的一个观点的传感器劣化判定方法包含判定步骤，在判定步骤中，判定粗略用传感器和精细用传感器中的至少一方的劣化，粗略用传感器接收由粗略用分光器产生的干涉条纹，精细用传感器接收由精细用分光器产生的干涉条纹，在判定步骤中，使波长分别不同的多个激光依次入射到粗略用分光器和精细用分光器，根据接收的多个干涉条纹取得每个波长的粗略计测波长和每个波长的精细计测波长，根据每个波长的粗略计测波长和每个波长的精细计测波长取得每个波长的劣化参数，对每个波长的劣化参数和阈值进行比较。

Description

传感器劣化判定方法
技术领域
本公开涉及传感器劣化判定方法。
背景技术
近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨力的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨力可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4629910号
专利文献2：日本特开平1-173677号公报
专利文献3：日本特开平6-188502号公报
发明内容
本公开的1个观点的传感器劣化判定方法包含以下步骤：判定步骤，处理器判定粗略用传感器和精细用传感器中的至少一方的劣化，该粗略用传感器接收由粗略用分光器产生的干涉条纹，该精细用传感器接收由分辨率比粗略用分光器高的精细用分光器产生的干涉条纹；以及输出步骤，处理器输出判定的结果，判定步骤包含以下步骤：粗略计测波长取得步骤，使波长分别不同的多个激光依次入射到粗略用分光器，根据粗略用传感器依次接收的多个干涉条纹取得每个波长的粗略计测波长；精细计测波长取得步骤，使多个激光依次入射到精细用分光器，根据精细用传感器依次接收的多个干涉条纹取得每个波长的精细计测波长；劣化参数取得步骤，根据每个波长的粗略计测波长和每个波长的精细计测波长取得每个波长的劣化参数；以及比较步骤，对每个波长的劣化参数和阈值进行比较。
本公开的另一个观点的传感器劣化判定方法包含以下步骤：判定步骤，处理器判定传感器的劣化，该传感器接收由分光器产生的干涉条纹；以及输出步骤，处理器输出判定的结果，判定步骤包含以下步骤：强度分布取得步骤，使波长分别不同的多个激光依次入射到分光器，取得与传感器依次接收的多个干涉条纹分别对应的多个强度分布；概况取得步骤，根据多个强度分布取得传感器的每个像素的最大值的概况；劣化参数取得步骤，取得对最大值的概况进行归一化而得到的每个像素的劣化参数；以及比较步骤，对每个像素的劣化参数和阈值进行比较。
本公开的另一个观点的传感器劣化判定方法包含以下步骤：判定步骤，处理器判定传感器的劣化，该传感器接收由分光器产生的干涉条纹；以及输出步骤，处理器输出判定的结果，判定步骤包含以下步骤：强度分布取得步骤，使非窄带化激光入射到分光器，取得传感器接收的干涉条纹的第1强度分布；劣化参数取得步骤，利用基准的强度分布对第1强度分布进行归一化，来取得传感器的每个像素的劣化参数；以及比较步骤，对每个像素的劣化参数和阈值进行比较。
附图说明
下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
图1是示出标准具分光器的概略结构的示意图。
图2是示出在图像传感器中被检测到的干涉条纹的光强度分布的图。
图3是示出比较例1的窄带化激光装置的结构的图。
图4是示出比较例2的窄带化激光装置的结构的图。
图5是示出线传感器劣化判定方法的处理的流程图。
图6是示出FC_diff概况的一例的图。
图7是示出线传感器的灵敏度均匀性概况的取得方法的处理的流程图。
图8是示出使用U概况的线传感器劣化判定方法的处理的流程图。
图9是示出归一化U概况的一例的图。
图10是示出窄带化激光装置的结构的图。
图11是示出线传感器劣化判定方法的处理的流程图。
图12是示出没有劣化的状态的自由振荡谱的一例的图。
图13是示出存在劣化的状态的自由振荡谱的一例的图。
图14是用于说明监视器模块的更换时期的预测的图。
图15是示出激光系统的结构的图。
图16是示出激光系统的结构的图。
图17是概略地示出曝光装置的结构例的图。
具体实施方式
-目录-
1.用语/技术的说明
1.1标准具分光器的原理
1.2计测波长的计算
2.窄带化激光装置的概要(比较例1)
2.1窄带化激光装置的结构
2.2动作
3.窄带化激光装置的概要(比较例2)
3.1窄带化激光装置的结构
3.2动作
4.课题
5.实施方式1
5.1结构
5.2动作
5.3作用/效果
6.实施方式2
6.1结构
6.2动作
6.3作用/效果
7.实施方式3
7.1结构
7.2动作
7.3作用/效果
8.实施方式4
8.1结构
8.2动作
8.3作用/效果
9.实施方式5
9.1结构
9.2动作
9.3作用/效果
10.电子器件的制造方法
11.其他
下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的几个例子，不限定本公开的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
1.用语/技术的说明
1.1标准具分光器的原理
图1是示出标准具分光器10的概略结构的示意图。如图1所示，标准具分光器10具有扩散元件12、FP(Fabry-Perot)标准具14、聚光透镜16和图像传感器18。图像传感器18可以是光电二极管阵列。
激光入射到扩散元件12。扩散元件12使入射的激光散射。该散射光入射到FP标准具14。透过FP标准具14后的激光入射到聚光透镜16。激光透过聚光透镜16，在焦点面上生成干涉条纹。图像传感器18被配置于焦距f的聚光透镜16的焦点面上。被聚光透镜16会聚后的透射光在图像传感器18生成干涉条纹。图像传感器18检测产生的干涉条纹。
1.2计测波长的计算
一般而言，标准具的干涉条纹利用以下的式(1)表示。
[数学式1]
Figure BDA0003775081610000051
这里，λ是激光的波长，n是气隙的折射率，d是镜间隔的距离，m是整数，θ是激光的入射角，rm是干涉条纹的半径。
如式(1)那样，干涉条纹的半径rm的平方与激光的波长λ处于比例关系。因此，能够根据检测到的干涉条纹检测激光整体的谱线宽度(谱轮廓)和中心波长。谱线宽度和中心波长可以根据检测到的干涉条纹通过未图示的信息处理装置求出，也可以由波长控制部(例如图3的波长控制部60)来计算。
图2是示出在图像传感器18中被检测到的干涉条纹的光强度分布的图，横轴表示检测面上的位置，纵轴表示光强度I。干涉条纹的半径rm的平方也可以根据干涉条纹的半值的位置的内侧的半径r1的平方和外侧的半径r2的平方的平均值来计算。即，干涉条纹的半径rm的平方也可以根据下述的式(2)求出。
rm 2＝(r1 2+r2 2)/2…(2)
2.窄带化激光装置的概要(比较例1)
2.1窄带化激光装置的结构
本公开的比较例是申请人认识到仅申请人知道的方式，不是申请人自己承认的公知例。图3是示出比较例1的窄带化激光装置1的结构的图。如图3所示，窄带化激光装置1包含腔20、电源26、输出耦合镜30、窄带化模块32、监视器模块(MonitorModule：MM)40、波长控制部60、激光控制部61和驱动器62。
输出耦合镜30和窄带化模块32构成激光谐振器。腔20被配置于激光谐振器的光路上。窄带化模块32包含多个(例如2个)棱镜34、光栅36和旋转台38。
棱镜34被配置成作为扩束器发挥功能。光栅36被进行利特罗配置，以使入射角度和衍射角度一致。棱镜34被设置于旋转台38的上方，被配置成，通过旋转台38使棱镜34旋转，由此，相对于光栅36的入射角度变化。
腔20包含窗口22a和22b以及1对电极24a和24b。腔20在内部收纳激光气体。激光气体例如可以包含作为稀有气体的Ar气体或Kr气体、作为卤素气体的F 2气体、以及作为缓冲气体的Ne气体。
电极24a和24b(一对放电电极的一例)在腔20内在与图3的纸面垂直的方向(V方向)上对置，被配置成电极的长度方向与激光谐振器的光路一致，与电源26连接。窗口22a和22b(第1窗口和第2窗口的一例)在放电电极之间进行放电激励，被配置成放大后的激光通过该窗口22a和22b。
电源26包含开关28，以当开关28接通时对腔20内的电极24a和24b之间施加高电压的方式被连接。
输出耦合镜30被涂敷有使激光的一部分反射、使一部分透过的膜。
监视器模块40包含分束器41、分束器42、聚光透镜43、脉冲能量监视器44、密封腔45、线传感器52和线传感器53。
分束器41被配置成，在从输出耦合镜30输出的激光的光路上，在分束器41反射后的激光入射到分束器42。透过分束器41后的激光从窄带化激光装置1出射。曝光装置302被配置成，窄带化激光装置1出射的激光入射到该曝光装置302。
分束器42被配置成，在分束器41反射后的激光的光路上，在分束器42反射后的激光入射到脉冲能量监视器44。脉冲能量监视器44可以是光电二极管、光电管或焦电元件。
聚光透镜43被配置成，透过分束器42后的激光入射到该聚光透镜43。
密封腔45包含扩散板46、精细标准具47、粗略标准具48、分束器49、聚光透镜50和聚光透镜51。
扩散板46被配置于聚光透镜43的聚光位置附近。扩散板46是一个面被加工成平面、另一个面被加工成毛玻璃状的合成石英构成的光学元件。扩散板46通过未图示的O型圈被密封于密封腔45内。
精细标准具47(精细用分光器的一例)被配置成，透过扩散板46后的激光透过分束器49而入射到该精细标准具47。分束器49被配置成，在扩散板46和精细标准具47的光路上，在分束器49进行部分反射后的激光入射到粗略标准具48(粗略用分光器的一例)。精细标准具47和粗略标准具48分别是被涂敷有部分反射膜的未图示的2个镜通过未图示的间隔件进行光学接触而成的气隙标准具。
精细标准具47的自由光谱区FSRf和粗略标准具48的自由光谱区FSRc满足以下的式(3)的关系。
FSRf<FSRc…(3)
自由光谱区FSR利用以下的式(4)表示。
FSR＝λ2/(2nd)…(4)
FSRf和FSRc分别是FSRf＝10pm、FSRc＝400pm。在KrF准分子激光的情况下，FSRc可以是500pm，在ArF准分子激光的情况下，FSRc可以是300pm。这样，精细标准具47的分辨率比粗略标准具48高。
聚光透镜50被配置于透过精细标准具47后的激光的光路上，通过未图示的O型圈被密封于密封腔45。聚光透镜51被配置于透过粗略标准具48后的激光的光路上，通过未图示的O型圈被密封于密封腔45。聚光透镜51的焦距比聚光透镜50的焦距短。
线传感器52(精细用传感器的一例)和线传感器53(粗略用传感器的一例)分别被配置于聚光透镜50和聚光透镜51的焦点面上。线传感器52和线传感器53分别是一维地排列多个受光元件(像素)而成的光电二极管阵列，分别输出接收的干涉条纹的强度分布。
标准具的干涉条纹利用式(1)～式(5)表示。
mλ＝2nd·cosθ…(5)
波长控制部60构成为能够与线传感器52、线传感器53、激光控制部61和驱动器62进行通信。激光控制部61是处理器的一例。本公开的处理器是包含存储有控制程序的存储装置和执行控制程序的CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)的处理装置。处理器被特别地构成或编程，以执行本公开中包含的各种处理。激光控制部61构成为能够与电源26、开关28、脉冲能量监视器44和曝光装置302的曝光装置控制部310进行通信。驱动器62构成为能够与旋转台38进行通信。
2.2动作
激光控制部61从曝光装置控制部310读入目标脉冲能量Et和目标波长λt的数据。激光控制部61向电源26发送充电电压V，向波长控制部60发送目标波长λt，以使脉冲激光的脉冲能量成为目标脉冲能量Et，且振荡波长成为目标波长λt。激光控制部61根据从曝光装置控制部310发送的振荡触发使开关28接通。
当开关28接通时，在电极24a和24b之间被施加高电压，进行放电，由此，激光气体被激励。当激光气体被激励时，通过由窄带化模块32和输出耦合镜30构成的激光谐振器进行激光振荡，从输出耦合镜30输出被窄带化的脉冲激光。
从输出耦合镜30输出且被分束器41采样的脉冲激光入射到分束器42。分束器42的反射光和透射光分别入射到脉冲能量监视器44和密封腔45的扩散板46。
激光控制部61根据脉冲能量监视器44的检测结果对电源26的充电电压V进行控制，以使脉冲激光的脉冲能量成为目标脉冲能量Et。
另一方面，波长控制部60通过线传感器53和线传感器52，按照每个脉冲计测由粗略标准具48和精细标准具47生成的各个干涉条纹的强度分布，读入数据。波长控制部60根据按照每个脉冲读入的干涉条纹的强度分布的数据，按照每个脉冲计算脉冲激光的计测波长λ。也可以不是按照每个脉冲，而是根据进行了多个脉冲的累计、平均化而得到的数据进行计测波长λ的计算。波长控制部60根据计算出的计测波长λ，经由驱动器62对棱镜34的旋转台38进行控制，以使脉冲激光的振荡波长成为目标波长λt。
如上所述，窄带化激光装置1的脉冲能量和振荡波长稳定在由曝光装置302给出的目标脉冲能量Et和目标波长λt。这里，密封腔45被密封，因此，粗略标准具48和精细标准具47各自的式(4)的气隙的折射率n的差异被抑制为较小，减少粗略标准具48和精细标准具47的漂移引起的波长计测的误差。
一般而言，在将标准具的精细度设为F时，分辨率R利用R＝FSR/F表示。在精细度大致相同的情况下，当FSR减小时，分辨率R提高。但是，当FSR减小时，在波长变化了FSR的量的情况下成为大致相同的干涉条纹，因此，在利用FSR较小的1个标准具的计测中无法区分。根据窄带化激光装置1，在使波长变化大约400pm左右、且高精度地检测波长的情况下，分别通过线传感器52和线传感器53计测精细标准具47和粗略标准具48的干涉条纹，由此，能够高精度地计测波长。
3.窄带化激光装置的概要(比较例2)
3.1窄带化激光装置的结构
图4是示出比较例2的窄带化激光装置2的结构的图。窄带化激光装置2代替窄带化激光装置1的粗略标准具48而具有光栅分光器。如图4所示，窄带化激光装置2包含分束器70、孔71、镜72、准直透镜73和粗略用光栅74。
分束器70被配置于通过聚光透镜43后的激光的光路上。孔71被配置于聚光透镜43的聚光位置附近，以使在分束器70反射后的激光入射到该孔71。
镜72被配置成，通过孔71后的激光入射到该镜72。准直透镜73被配置成，在镜72反射后的激光入射到该准直透镜73。粗略用光栅74被配置成，使从准直透镜73入射的激光朝向准直透镜73反射。
线传感器53被配置成，在粗略用光栅74反射且通过准直透镜73后的激光入射到该线传感器53。
3.2动作
从输出耦合镜30输出且被分束器41采样的脉冲激光入射到分束器42。分束器42的透射光透过聚光透镜43而入射到分束器70。
分束器70的反射光和透射光分别入射到孔71和密封腔45的扩散板46。
通过孔71后的脉冲激光在镜72反射，被准直透镜73准直而入射到粗略用光栅74。被粗略用光栅74衍射后的脉冲激光透过准直透镜73，而在线传感器53生成干涉条纹。
如上所述，根据窄带化激光装置2，能够通过光栅分光器计测与粗略标准具48的自由光谱区FSRc相当的波长范围。因此，与窄带化激光装置1同样，通过线传感器53和线传感器52按照每个脉冲进行计测，由此，能够高精度地协作而计测宽范围的波长。
4.课题
监视器模块40的线传感器52和线传感器53由于使用而劣化。以往，设想该劣化，超过预先确定的射数(SL：发射极限)而被使用的监视器模块40一律被更换。但是，可知存在很多如下状态的监视器模块：根据监视器模块40的使用状况以及线传感器52和线传感器53的个体差异，即使超过SL进行使用，线性误差也处于能够容许的范围内，能够充分使用。
因此，在半导体制造工厂等现场对线传感器52和线传感器53的灵敏度的均匀性的劣化或计测线性误差进行评价，仅更换存在问题的监视器模块40在经济上是优选的。因此，期望对线传感器52和线传感器53各自的劣化状态进行评价并判断是否需要更换的对策。
5.实施方式1
5.1结构
实施方式1的硬件结构与窄带化激光装置1相同。不同之处在于，激光控制部61还进行线传感器劣化判定方法的处理。
5.2动作
图5是示出线传感器劣化判定方法的处理的流程图。这里，对判定线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化的例子进行说明。
在步骤S1中，激光控制部61将振荡脉冲能量PE设定为10mJ。在以下的公开中，10mJ是一例，只要是固定值即可，也可以设定为10mJ以外的值。
在步骤S2中，激光控制部61对各参数进行初始化。这里，激光控制部61将判定结果标志设定为假，将阈值TH设定为3.20pm、将初始振荡波长WL0设定为193,310.00pm，将波长间隔ΔWL设定为10.00pm，将最终振荡波长WLE设定为193,420.00pm，将数组WLc[1]～WLc[11]设定为0，将数组WLf[1]～WLf[11]设定为0。
在步骤S3中，激光控制部61将振荡波长WL设定为初始振荡波长WL0，将表示振荡波长WL的顺序的索引i初始化为0。
在步骤S4中，激光控制部61对振荡波长WL加上波长间隔ΔWL，对索引i加上1来进行更新。
在步骤S5中，激光控制部61将目标波长λt设为振荡波长WL，以振荡脉冲能量PE进行激光振荡。由此，振荡波长WL、振荡脉冲能量PE的脉冲激光从扩散板46入射到密封腔45。入射到密封腔45的脉冲激光被分束器49分别分支成入射到精细标准具47的激光和入射到粗略标准具的激光(分支步骤的一例)，入射到精细标准具47和粗略标准具48。
在步骤S6中，激光控制部61取得波长控制部60根据线传感器52接收的干涉条纹的强度分布计算出的精细计测波长，将取得的精细计测波长代入数组WLf[i]中(精细计测波长取得步骤的一例)。此外，激光控制部61取得波长控制部60根据线传感器53接收的干涉条纹的强度分布计算出的粗略计测波长，将取得的粗略计测波长代入数组WLc[i]中(粗略计测波长取得步骤的一例)。
在步骤S7中，激光控制部61计算粗略计测波长与精细计测波长的差分(计测波长误差)即FC_diff(劣化参数的一例)(劣化参数取得步骤的一例)。这里，在数组FC_diff[i]中代入WLc[i]-WLf[i]的值。
在步骤S8中，激光控制部61对FC_diff[i]的值的绝对值即ABS|FC_diff[i]|和阈值TH进行比较(比较步骤的一例)，判定阈值TH是否大于ABS|FC_diff[i]|(判定步骤的一例)。在不满足ABS|FC_diff[i]|<TH的情况下，激光控制部61在进行了步骤S9的处理后进行步骤S10的处理。在满足ABS|FC_diff[i]|<TH的情况下，激光控制部61进行步骤S10的处理。
在步骤S9中，激光控制部61使判定结果标志成为真(输出步骤的一例)。
在步骤S10中，激光控制部61判定振荡波长WL是否是最终振荡波长WLE。在不满足WL＝WLE的情况下，激光控制部61进行步骤S4的处理。在满足WL＝WLE的情况下，激光控制部61结束本流程图的处理。
通过反复实施步骤S4的处理，振荡波长WL从193,320.00pm到193,420.00pm以10.00pm间隔被更新，索引i从1到10一个一个地被更新。被更新的振荡波长WL中的最短的波长与最长的波长的差分比粗略标准具48的FSRc小。即，各振荡波长在粗略标准具48的FSRc的范围内，分别相差精细标准具47的FSRf。另外，波长间隔ΔWL不限于精细标准具47的FSRf，也可以是比FSRf小的波长间隔。
通过反复实施步骤S5的处理，振荡波长WL分别不同的多个激光依次入射到精细标准具47和粗略标准具48。通过反复实施步骤S6的处理，取得每个振荡波长WL(每个波长的一例)的粗略计测波长和精细计测波长。通过反复实施步骤S7的处理，计算每个振荡波长WL的FC_diff。
在反复实施步骤S8的处理而一次也不满足ABS|FC_diff[i]|<TH的情况下，在步骤S9中，判定结果标志成为真。即，在劣化参数中的至少一方为阈值TH以上的情况下，激光控制部61判定为线传感器52和线传感器53中的至少一方劣化，输出促使更换监视器模块40的信号。激光控制部61也可以在进行了步骤S9的处理后，结束本流程图的处理。
图6是示出针对波长描绘FC_diff而得到的FC_diff概况的一例的图。图6的横轴是波长，单位是nm，显示出193nm的小数点以后。此外，图6的纵轴是计测波长误差FC_diff，单位是pm。在图6中，利用四边形的描绘点表示存在劣化的情况下的FC_diff概况，利用三角形的描绘点表示没有劣化的情况下的FC_diff概况。此外，图6的UL(Upper Limit：上限)和LL(Lower Limit：下限)以FC_diff＝0为基准分别在上下图示出阈值TH。
如图6所示，关于没有劣化的情况下的FC_diff概况，在193,320.00pm～193,420.00pm这100.00pm的波长范围内，任意的计测波长误差均为0pm。此外，存在劣化的情况下的FC_diff概况中的计测波长误差根据波长而产生-1.0pm左右。
图6中的存在劣化的情况下的FC_diff概况位于UL与LL之间，因此，能够判断为没有劣化。计测波长误差的绝对值即使较大也为1.0pm左右，比阈值TH即3.20pm小，因此，在图5所示的线传感器劣化判定方法中，判定结果标志不成为真而保持假，作为没有劣化来处理。激光控制部61也可以使未图示的显示器显示图6的曲线图，使用户掌握劣化的状态。
也可以按照图5所示的线传感器劣化判定方法判定窄带化激光装置2的线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化。
在本实施方式中，计测波长误差FC_diff设为粗略计测波长与精细计测波长的差分，但是，只要能够掌握粗略计测波长与精细计测波长之差即可，计测波长误差FC_diff也可以是粗略计测波长与精细计测波长之比，还可以是粗略计测波长与精细计测波长的平方差。此外，如专利文献3的图6那样，也可以使用从粗略标准具得到的粗精度的计测波长确定精细标准具的级数，由此提高精细计测波长的计测精度。
作为阈值TH，也可以设置警告用的阈值TH1和错误用的阈值TH2。该情况下，作为线传感器劣化判定方法的判定结果，也可以在计测波长误差的绝对值超过阈值TH1后，输出表示监视器模块40的更换临近的信号。进而，也可以在计测波长误差的绝对值超过阈值TH2后，输出促使更换监视器模块40的信号。此时，阈值TH1和阈值TH2可以设为阈值TH1<阈值TH2。
在激光控制部61与未图示的可改写的非暂时性存储介质连接的情况下，使存储介质存储使计算机执行线传感器劣化判定方法的各处理的程序。也可以经由互联网等通信线路对存储介质进行存储。
5.3作用/效果
根据实施方式1，即使是已经设置于现场的窄带化激光装置1和窄带化激光装置2，也能够进行线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化判定。因此，能够低成本地掌握线传感器52和线传感器53的劣化状态。
根据实施方式1，在粗略标准具48的FSRc的范围内变更波长。因此，容易使脉冲能量维持恒定，因此，能够期待比较高的计测精度。此外，不超过FSRc地变更波长，因此，不会伴有漏看粗略标准具48生成的干涉条纹的条纹级数的风险。
这里，使振荡波长W的变更间隔与精细标准具47的FSRf相同，因此，精细标准具47生成的干涉条纹的位置始终成为线传感器52的相同像素的位置。因此，能够在使线传感器52的输出恒定的状态下对线传感器53的输出进行评价，因此，FC_diff概况主要表示线传感器53的计测线性劣化量。
6.实施方式2
6.1结构
实施方式2的硬件结构与窄带化激光装置1相同。激光控制部61也进行线传感器劣化判定方法的处理。这里，设线传感器52的像素数为512像素。
6.2动作
对判定线传感器52的劣化的例子进行说明。实施方式2的线传感器劣化判定方法使用线传感器52的灵敏度均匀性概况(U概况)。图7是示出线传感器52的U概况的取得方法的处理的流程图。
在步骤S11中，激光控制部61将振荡脉冲能量PE设定为10mJ。
在步骤S12中，激光控制部61对各参数进行初始化。这里，激光控制部61将初始振荡波长WL0设定为193,360.00pm，将波长间隔ΔWL设定为0.01pm，将与振幅相当的自由光谱区FSR设定为与精细标准具47的FSRf相同的10.00pm，将裕度α设定为1.00pm，将数组Uprofile[1]～Uprofile[512]设定为0，将数组Pix[1]～Pix[512]设定为0。
在步骤S13中，激光控制部61计算最终振荡波长WLE。最终振荡波长WLE能够利用WLE＝WL0+FSR+α表示。这里，最终振荡波长WLE成为193,371.00pm。
在步骤S14中，激光控制部61将振荡波长WL设定为初始振荡波长WL0。
在步骤S15中，激光控制部61对振荡波长WL加上波长间隔ΔWL来进行更新。
在步骤S16中，激光控制部61将目标波长λt设为振荡波长WL，以振荡脉冲能量PE进行激光振荡。由此，振荡波长WL、振荡脉冲能量PE的脉冲激光入射到精细标准具47。
在步骤S17中，激光控制部61将线传感器53的每个像素的计测值代入数组Pix[1]～Pix[512]中，取得与干涉条纹对应的强度分布(强度分布取得步骤的一例)。此外，激光控制部61将表示线传感器53的像素位置的索引i初始化为1。
在步骤S18中，激光控制部61判定数组Pix[i]的值是否大于数组Uprofile[i]的值。在满足Pix[i]>Uprofile[i]的情况下，激光控制部61在进行了步骤S19的处理后进行步骤S20的处理。在不满足Pix[i]>Uprofile[i]的情况下，激光控制部61进行步骤S20的处理。
在步骤S19中，激光控制部61在数组Uprofile[i]中代入数组Pix[i]的值(概况取得步骤的一例)。
在步骤S20中，激光控制部61对索引i加上1来进行更新。
在步骤S21中，激光控制部61判定索引i是否是512。在不满足i＝512的情况下，激光控制部61进行步骤S18的处理。在满足i＝512的情况下，激光控制部61进行步骤S22的处理。
在步骤S22中，激光控制部61判定振荡波长WL是否是最终振荡波长WLE。在不满足WL＝WLE的情况下，激光控制部61进行步骤S15的处理。在满足WL＝WLE的情况下，激光控制部61结束本流程图的处理。
通过反复实施步骤S15的处理，振荡波长WL从193,360.01pm到193,371.00pm以0.01pm间隔被更新。被更新的振荡波长WL中的最短的波长与最长的波长的差分比精细标准具47的FSRf大。
通过反复实施步骤S16的处理，振荡波长WL分别不同的多个激光依次入射到精细标准具47。
通过反复实施步骤S17的处理，激光控制部61取得与多个干涉条纹分别对应的多个强度分布，该多个干涉条纹与依次入射的、振荡波长WL不同的多个激光分别对应地由线传感器52依次接收。
通过反复实施步骤S18和步骤S19的处理，根据多个强度分布取得线传感器52的每个像素的最大值的概况(每个像素的概况的一例)。即，最终取得的数组Uprofile[1]～Uprofile[512]成为表示线传感器53的每个像素的最大值的U概况。
图8是示出使用U概况的线传感器劣化判定方法的处理的流程图。
在步骤S31中，激光控制部61通过图7所示的线传感器52的U概况的取得方法取得Uprofile[1]～Uprofile[512]。
在步骤S32中，激光控制部61对各参数进行初始化。这里，激光控制部61将判定结果标志设为假，将阈值TH设为0.90，将合计SUM设为0，将平均值AVE设为0.0，将数组N_Uprofile[1]～N_Uprofile[512]设为0.0。
在步骤S33中，激光控制部61将索引i初始化为1。
在步骤S34中，激光控制部61对合计SUM加上Uprofile[i]。
在步骤S35中，激光控制部61对索引i加上1来进行更新。
在步骤S36中，激光控制部61判定索引i是否为512。在不满足i＝512的情况下，激光控制部61进行步骤S34的处理。在满足i＝512的情况下，激光控制部61进行步骤S37的处理。
反复实施步骤S34的处理直到索引i成为512为止，由此，合计SUM成为数组Uprofile[1]～Uprofile[512]的值的合计。
在步骤S37中，激光控制部61通过AVE＝SUM/512计算数组Uprofile[1]～Uprofile[512]的值的平均值AVE。
在步骤S38中，激光控制部61将索引i初始化为1。
在步骤S39中，激光控制部61计算利用平均值AVE对数组Uprofile[i]的值进行归一化而得到的归一化U概况(劣化参数取得步骤的一例)。这里，在数组N_Uprofile[i]中代入Uprofile[i]/AVE的值。
在步骤S40中，激光控制部61对数组N_Uprofile[i]的值(劣化参数的一例)和阈值TH进行比较(比较步骤的一例)，判定阈值TH是否大于数组N_Uprofile[i]的值(判定步骤的一例)。在满足N_Uprofile[i]<TH的情况下，激光控制部61在进行了步骤S41的处理后进行步骤S42的处理。在不满足N_Uprofile[i]<TH的情况下，激光控制部61进行步骤S42的处理。
在步骤S41中，激光控制部61使判定结果标志成为真(输出步骤的一例)。
在步骤S42中，激光控制部61对索引i加上1来进行更新。
在步骤S43中，激光控制部61判定索引i是否为513。在不满足i＝513的情况下，激光控制部61进行步骤S39的处理。在满足i＝513的情况下，激光控制部61结束本流程图的处理。
在反复实施步骤S39和步骤S40的处理而至少一次满足N_Uprofile[i]<TH的情况下，在步骤S41中，判定结果标志成为真。即，在劣化参数中的至少一方小于阈值TH的情况下，激光控制部61判定为线传感器52劣化，输出促使更换监视器模块40的信号。
图9是示出归一化U概况的一例的图，横轴表示线传感器52的像素位置，纵轴表示劣化率(单位为％)。图9的F9A是没有劣化的情况下的归一化U概况，F9B是存在劣化的情况下的归一化U概况。如F9A所示，在没有劣化的情况下的归一化U概况中，线传感器52的全部像素的劣化率大致为0％。此外，在存在劣化的情况下的归一化U概况中，存在劣化率超过-5％的像素。
劣化极限基准也可以是-5％(阈值TH为0.95)。
这里，说明了判定窄带化激光装置1的线传感器52的劣化的例子，但是，也可以判定线传感器53的劣化。在判定线传感器53的劣化的情况下，使与振幅相当的自由光谱区FSR与粗略标准具48的FSRc相同。此外，在判定线传感器53的劣化的情况下，劣化极限基准也可以是-20％(阈值TH为0.80)。此外，也可以判定窄带化激光装置2的线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化。
6.3作用/效果
根据实施方式2，即使是已经设置于现场的窄带化激光装置1和窄带化激光装置2，也能够进行线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化判定。因此，关于线传感器52和线传感器53，能够单独地掌握劣化状态。
根据实施方式2，使用利用平均值AVE对U概况进行归一化而得到的归一化U概况，由此，关于线传感器52和线传感器53中的任意一方，均能够定量地单独地评价每个像素的灵敏度劣化。
7.实施方式3
7.1结构
图10是示出窄带化激光装置3的结构的图。窄带化激光装置3包含全反射镜80。
全反射镜80具有未图示的进退机构。全反射镜80通过进退机构插入到腔20与窄带化模块32(窄带化光学系统的一例)之间，或者从腔20与窄带化模块32之间退避。
也可以构成为在窄带化激光装置3设置更换机构和校准机构，手动地将全反射镜80配置于腔20与窄带化模块32之间。
7.2动作
图11是示出线传感器劣化判定方法的处理的流程图。这里，对判定窄带化激光装置3的线传感器53的劣化的例子进行说明。
在步骤S51中，激光控制部61对各参数进行初始化。这里，激光控制部61将判定结果标志设定为假，将阈值TH设定为0.8，将数组N_Fspectol[1]～N_Fspectol[512]设定为0.0。
另外，激光控制部61需要预先取得线传感器53的没有劣化的状态的自由振荡谱，但是这在后面叙述。
在步骤S52中，激光控制部61将振荡脉冲能量PE设定为10mJ。
在步骤S53中，激光控制部61通过进退机构使全反射镜80插入到腔20与窄带化模块32之间(插入步骤的一例)。由此，形成由全反射镜80和输出耦合镜30构成的激光谐振器，能够以振荡脉冲能量PE进行自由振荡。自由振荡的激光(非窄带化激光的一例)入射到粗略标准具48。
激光控制部61将线传感器53的每个像素的计测值代入数组Fspectol[1]～Fspectol[512]中，取得条纹波形的强度分布(强度分布取得步骤的一例)。这里，将在线传感器53的受光面生成的条纹波形称为谱波形，将从线传感器53取得的强度分布称为自由振荡谱。
激光控制部61预先(判定步骤之前的一例)同样地取得线传感器53的没有劣化的状态的自由振荡谱(基准的强度分布的一例)。即，激光控制部61将振荡脉冲能量PE设定为10mJ，进行自由振荡，将没有劣化的线传感器53的每个像素的计测值代入数组Fspectol_ref[1]～Fspectol_ref[512]中(基准强度分布取得步骤的一例)。激光控制部61使未图示的存储器存储数组Fspectol_ref[1]～Fspectol_ref[512]的值(存储步骤的一例)。线传感器53的没有劣化的状态的自由振荡谱也可以不是由激光控制部61取得，而是在生产商出厂时由检查用的计算机(处理器的一例)取得。将线传感器53的没有劣化的状态的自由振荡谱称为基准自由振荡谱。
在步骤S54中，激光控制部61将表示线传感器53的像素位置的索引i初始化为0。
在步骤S55中，激光控制部61对索引i加上1来进行更新。
在步骤S56中，激光控制部61计算利用数组Fspectol_ref[i]的值对数组Fspectol[i]的值进行归一化而得到的归一化自由振荡谱(劣化参数取得步骤的一例)。这里，在数组N_Fspectol[i]中代入Fspectol[i]/Fspectol_ref[i]的值。
在步骤S57中，激光控制部61对数组N_Fspectol[i]的值(劣化参数的一例)和阈值TH进行比较(比较步骤的一例)，判定阈值TH是否大于数组N_Fspectol[i]的值。在满足N_Fspectol[i]<TH的情况下，激光控制部61在进行了步骤S58的处理后进行步骤S59的处理。在不满足N_Fspectol[i]<TH的情况下，激光控制部61进行步骤S59的处理。
在步骤S58中，激光控制部61使判定结果标志成为真(输出步骤的一例)。
在步骤S59中，激光控制部61判定索引i是否为512。在不满足i＝512的情况下，激光控制部61进行步骤S55的处理。在满足i＝512的情况下，激光控制部61结束本流程图的处理。
在反复实施步骤S56和步骤S57的处理而一次也不满足N_Fspectol[i]<TH的情况下，在步骤S58中，判定结果标志成为真。即，在劣化参数的值中的至少一方小于阈值TH的情况下，激光控制部61判定为线传感器53劣化，输出促使更换监视器模块40的信号。
图12是示出没有劣化的状态的自由振荡谱的一例的图。F12A是基准自由振荡谱，横轴是线传感器53的像素位置，纵轴是计测值。F12B是对F12A的基准自由振荡谱进行归一化而得到的归一化自由振荡谱，横轴是线传感器53的像素位置，纵轴是相对于基准的比率(单位为％)。
图13是示出存在劣化的状态的自由振荡谱的一例的图。F13A是自由振荡谱，横轴是线传感器53的像素位置，纵轴是计测值。F13B是利用基准自由振荡谱对F13A的自由振荡谱进行归一化而得到的归一化自由振荡谱，横轴是线传感器53的像素位置，纵轴是相对于基准的比率(单位为％)。
在图13所示的例子中，在归一化自由振荡谱中存在相对于基准的比率小于0.8的像素。如果阈值TH被设定为0.8，则判定结果标志成为真，激光控制部61输出促使更换监视器模块40的信号。
7.3作用/效果
如实施方式2那样在比粗略标准具48的FSRc宽的范围内变更波长是在窄带化激光装置3的控制上希望避免的操作。这是因为，在超过FSRc来变更波长时，很难在波长全域内使脉冲能量维持恒定，存在漏看粗略标准具48的条纹级数的风险。根据实施方式3，不变更振荡波长，因此，不会伴有上述困难和风险。
根据实施方式3，使用利用基准自由振荡谱对自由振荡谱进行归一化而得到的归一化自由振荡谱，由此，能够定量地评价线传感器52和线传感器53中的至少一方的每个像素的灵敏度劣化。
8.实施方式4
8.1结构
实施方式4的硬件结构与窄带化激光装置1相同。窄带化激光装置1具有指示装置的电源的接通和断开的未图示的开关。
8.2动作
激光控制部61定期地实施实施方式1的线传感器劣化判定方法的处理，取得FC_diff概况。激光控制部61对劣化量相对于取得的FC_diff概况的射数的趋势(推移)进行分析，由此，预测监视器模块40的更换时期(达到预先确定的劣化量的射数)。
例如，激光控制部61在伴随以射数20Bpls(Billion pulse：十亿脉冲)～50Bpls为基准的监视器模块40的定期维护时，实施实施方式1的线传感器劣化判定方法的处理。或者，激光控制部61在窄带化激光装置1的电源接通时、电源断开时和激光气体的更换时的至少一方自动地实施实施方式1的线传感器劣化判定方法的处理(控制步骤的一例)。
图14是用于说明监视器模块40的更换时期的预测的图，横轴表示射数，纵轴表示劣化量。图14还示出阈值TH。图14的F14A的圆形的描绘点和实线表示ABS|FC_diff[i]|的最大值的劣化量趋势，虚线表示对劣化量趋势进行线性近似而得到的模型。
激光控制部61预测对劣化量趋势进行线性近似而得到的模型达到阈值TH的时点作为线传感器52和线传感器53中的至少一方的寿命即监视器模块40的更换时期(预测步骤的一例)。
激光控制部61也可以定期地实施实施方式2的线传感器劣化判定方法的处理，对劣化量相对于归一化U概况的射数的趋势进行分析，由此，预测监视器模块40的更换时期。
图14的F14B的圆形的描绘点和实线表示数组Uprofile[i]的值的最小值的劣化量趋势，虚线表示对劣化量趋势进行线性近似而得到的模型。
在窄带化激光装置3中，激光控制部61也可以定期地实施实施方式3的线传感器劣化判定方法的处理，对劣化量相对于归一化自由振荡谱的射数的趋势进行分析，由此，预测对劣化量趋势进行线性近似而得到的模型达到阈值TH的时点，预测监视器模块40的更换时期。
图14的F14C的圆形的描绘点和实线表示数组N_Fspectol[i]的值的最小值的劣化量趋势，虚线表示对劣化量趋势进行线性近似而得到的模型。
通过这些模型，能够预测达到阈值TH的射数作为监视器模块40的更换时期。
8.3作用/效果
根据实施方式4，能够得知监视器模块40的更换时期，因此，能够避免无用的监视器模块40的更换。此外，能够准确地预测监视器模块40的更换时期，因此，能够反映到窄带化激光装置1的工作计划和维护日程中。由此，能够缩短步骤的停机时间，因此，能够降低芯片成本。
9.实施方式5
9.1结构
图15是示出激光系统4的结构的图。激光系统4包含窄带化激光装置1、显示器82、用户PC(Personal Computer：个人计算机)83和激光器制造商PC84。
显示器82例如是报警灯(Patlite)(注册商标)或显示器。用户PC83是窄带化激光装置2的用户使用的计算机，以能够通信的方式与激光控制部61连接。激光器制造商PC84是窄带化激光装置2的制造商的服务人员使用的维护用的计算机，以能够通信的方式与激光控制部61连接。
图16是示出作为激光系统4的变形例的激光系统5的结构的图。激光系统5包含服务器85。服务器85被配置于激光控制部61与用户PC83和激光器制造商PC84之间，以能够通信的方式与激光控制部61、用户PC83和激光器制造商PC84连接。
激光系统4和激光系统5也可以代替窄带化激光装置1而包含窄带化激光装置2或窄带化激光装置3。
9.2动作
激光系统4和激光系统5利用劣化判定结果数据、劣化参数和装置状态数据中的至少一方。
劣化判定结果数据包含判定结果标志和阈值TH中的至少一方。劣化参数包含FC_diff概况、归一化U概况和归一化自由振荡谱中的至少一方。装置状态数据包含实施了实施方式1～3的线传感器劣化判定方法的处理的时刻、激光振荡的射数(脉冲数)和监视器模块40的采样的射数中的至少一方。激光系统4和激光系统5例如在实施了实施方式1的线传感器劣化判定方法的处理时取得装置状态数据(状态取得步骤的一例)。传感器劣化判定方法的处理也可以是实施方式2或实施方式3的处理。也可以实施多个实施方式的传感器劣化判定方法的处理。
激光控制部61实施实施方式1的线传感器劣化判定方法的处理，根据作为劣化判定结果数据之一的判定结果标志，在显示器82中显示线传感器52和线传感器53中的至少一方有无劣化，向用户进行报知。进而，激光控制部61也可以在显示器82中显示作为劣化判定结果数据之一的阈值TH。
此外，用户PC83和激光器制造商PC84也可以从激光控制部61取得劣化判定结果数据，分别实施线传感器劣化判定方法的处理。用户PC83和激光器制造商PC84也可以从激光控制部61取得劣化参数，掌握线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化的程度。用户PC83和激光器制造商PC84也可以从激光控制部61取得劣化判定结果数据、劣化参数和状态数据，分别实施实施方式4所示的监视器模块40的更换时期的预测。
此外，在应用激光系统5的情况下，服务器85具有数据的缓冲功能。因此，可以与实施方式1～3的线传感器劣化判定方法的处理不同步地长期间蓄积劣化判定结果数据、劣化参数和状态数据，也可以在激光控制部61、用户PC83和激光器制造商PC84中共享劣化判定结果数据、劣化参数和状态数据。通过这样蓄积并共享数据，用户、激光器制造商能够有效地对数据进行分析。这种分析能够有助于有效的装置运用、停机时间的减少。
9.3作用/效果
根据激光系统4或激光系统5，有效地向窄带化激光装置1的外部提供线传感器52和线传感器53中的至少一方的劣化信息，由此，能够高效地进行窄带化激光装置1的高效运用。
10.电子器件的制造方法
图17是概略地示出曝光装置302的结构例的图。电子器件的制造方法通过准分子激光装置300和曝光装置302来实现。
准分子激光装置300也可以包含各实施方式中说明的窄带化激光装置1、窄带化激光装置2或窄带化激光装置3。准分子激光装置300也可以连接有显示器82、用户PC83、激光器制造商PC84、服务器85中的至少一方。
从准分子激光装置300输出的脉冲激光被输入到曝光装置302，被用作曝光光。
曝光装置302包含照明光学系统304和投影光学系统306。照明光学系统304通过从OPS60入射的脉冲激光对掩模版台RT上的掩模版图案进行照明。投影光学系统306对透过掩模版后的脉冲激光进行缩小投影，使其在被配置于工件台WT上的未图示的工件上成像。工件是被涂布了光致抗蚀剂的半导体晶片等感光基板。曝光装置302使掩模版台RT和工件台WT同步地平行移动，由此在工件上曝光反映了掩模版图案的脉冲激光。通过以上这种曝光步骤在半导体晶片上转印器件图案，由此能够制造半导体器件。半导体器件是本公开中的“电子器件”的一例。
11.其他
上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外，本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。
只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”、“有”、“具有”、“具备”等用语应该解释为“不将被记载的结构要素以外的结构要素的存在除外”。此外，修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”。进而，应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (20)

1.一种传感器劣化判定方法，其包含以下步骤：
判定步骤，处理器判定粗略用传感器和精细用传感器中的至少一方的劣化，该粗略用传感器接收由粗略用分光器产生的干涉条纹，该精细用传感器接收由分辨率比所述粗略用分光器高的精细用分光器产生的干涉条纹；以及
输出步骤，所述处理器输出所述判定的结果，
所述判定步骤包含以下步骤：
粗略计测波长取得步骤，使波长分别不同的多个激光依次入射到所述粗略用分光器，根据所述粗略用传感器依次接收的多个干涉条纹取得每个波长的粗略计测波长；
精细计测波长取得步骤，使所述多个激光依次入射到所述精细用分光器，根据所述精细用传感器依次接收的多个干涉条纹取得每个波长的精细计测波长；
劣化参数取得步骤，根据所述每个波长的粗略计测波长和所述每个波长的精细计测波长取得所述每个波长的劣化参数；以及
比较步骤，对所述每个波长的劣化参数和阈值进行比较。
2.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
在所述劣化参数取得步骤中，根据所述每个波长的粗略计测波长与所述每个波长的精细计测波长之差计算所述每个波长的劣化参数。
3.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
关于所述多个激光，波长最短的激光与波长最长的激光的波长的差分比所述粗略用分光器的自由光谱区小。
4.根据权利要求3所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述多个激光的波长分别相差所述精细用分光器的自由光谱区的间隔。
5.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述传感器劣化判定方法包含分支步骤，在所述分支步骤中，使波长分别不同的多个激光分别分支成入射到所述粗略用分光器的所述多个激光和入射到所述精细用分光器的所述多个激光。
6.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述多个激光的脉冲能量分别恒定。
7.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述粗略用分光器包含标准具和光栅中的至少一方。
8.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述精细用分光器包含标准具。
9.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述比较步骤包含预测步骤，在所述预测步骤中，根据所述每个波长的劣化参数的推移，预测所述粗略用传感器和所述精细用传感器中的至少一方的寿命。
10.根据权利要求9所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述比较步骤包含预测步骤，在所述预测步骤中，对所述每个波长的劣化参数的推移和所述阈值进行比较，来预测所述粗略用传感器和所述精细用传感器中的至少一方的寿命。
11.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
在所述输出步骤中，使显示器显示所述判定的结果。
12.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述粗略用传感器和所述精细用传感器分别是线传感器。
13.根据权利要求1所述的传感器劣化判定方法，其中，
出射所述激光的激光装置具有：
开关，其指示所述激光装置的电源的接通和断开；以及
腔，其在内部收纳有激光气体，
所述传感器劣化判定方法包含控制步骤，在所述控制步骤中，在所述激光装置的维护时、电源接通时、电源切断时和所述激光气体的更换时中的至少一方使所述处理器进行所述判定步骤。
14.根据权利要求13所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述传感器劣化判定方法包含状态取得步骤，在所述状态取得步骤中，取得实施了所述判定步骤时的时刻、所述激光装置的射数、以及所述粗略用分光器和所述精细用分光器的射数中的至少一方。
15.一种传感器劣化判定方法，其包含以下步骤：
判定步骤，处理器判定传感器的劣化，该传感器接收由分光器产生的干涉条纹；以及
输出步骤，所述处理器输出所述判定的结果，
所述判定步骤包含以下步骤：
强度分布取得步骤，使波长分别不同的多个激光依次入射到所述分光器，取得与所述传感器依次接收的多个干涉条纹分别对应的多个强度分布；
概况取得步骤，根据所述多个强度分布取得所述传感器的每个像素的概况；
劣化参数取得步骤，取得对所述每个像素的概况进行归一化而得到的每个像素的劣化参数；以及
比较步骤，对所述每个像素的劣化参数和阈值进行比较。
16.根据权利要求15所述的传感器劣化判定方法，其中，
在所述概况取得步骤中，取得所述传感器的每个像素的最大值的概况，
在所述劣化参数取得步骤中，利用所述传感器的各像素的平均值对所述最大值的概况进行归一化。
17.根据权利要求15所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述多个激光中的波长最短的激光与波长最长的激光的波长的差分比所述分光器的自由光谱区大。
18.一种传感器劣化判定方法，其包含以下步骤：
判定步骤，处理器判定传感器的劣化，该传感器接收由分光器产生的干涉条纹；以及
输出步骤，所述处理器输出所述判定的结果，
所述判定步骤包含以下步骤：
强度分布取得步骤，使非窄带化激光入射到所述分光器，取得所述传感器接收的干涉条纹的强度分布；
劣化参数取得步骤，利用基准的强度分布对所述取得的强度分布进行归一化，来取得所述传感器的每个像素的劣化参数；以及
比较步骤，对所述每个像素的劣化参数和阈值进行比较。
19.根据权利要求18所述的传感器劣化判定方法，其中，
所述传感器劣化判定方法包含以下步骤：
基准强度分布取得步骤，在所述判定步骤之前使所述非窄带化激光入射到所述分光器，所述处理器根据所述传感器接收的干涉条纹取得所述基准的强度分布；以及
存储步骤，所述处理器使存储器存储所述基准的强度分布。
20.根据权利要求18所述的传感器劣化判定方法，其中，
出射所述非窄带化激光的激光装置具有：
腔，其在收纳有激光气体的内部配置有一对放电电极，该腔包含第1窗口和第2窗口；
窄带化光学系统，其被配置于从所述第1窗口出射的光的光路上；以及
输出耦合镜，其与所述窄带化光学系统一起构成激光谐振器，所述输出耦合镜被配置于从所述第2窗口出射的光的光路上，使从所述第2窗口出射的光的一部分出射，
所述强度分布取得步骤包含插入步骤，在所述插入步骤中，在所述激光装置的所述窄带化光学系统与所述腔之间插入全反射镜。
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