JP3247659B2 - エキシマレーザに関する波長システム - Google Patents
エキシマレーザに関する波長システムInfo
- Publication number
- JP3247659B2 JP3247659B2 JP06495799A JP6495799A JP3247659B2 JP 3247659 B2 JP3247659 B2 JP 3247659B2 JP 06495799 A JP06495799 A JP 06495799A JP 6495799 A JP6495799 A JP 6495799A JP 3247659 B2 JP3247659 B2 JP 3247659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- laser
- laser beam
- vapor
- etalon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1392—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length by using a passive reference, e.g. absorption cell
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
に、エキシマレーザの出力波長チューニングを精密に較
正するための技術に関する。この出願は、1998年3
月11日に米国に出願されたシリアル番号09/041,474号
の一部継続出願である。
種々の方法が周知である。典型的には、チューニング
は、線狭帯域化パッケージ又は線狭帯域化モジュールと
呼ばれるデバイスで行われる。エキシマレーザの線狭帯
域化及びチューニングのために使用される典型的な技術
は、レーザビームの一部が線狭帯域化パッケージ内を通
過する放電キャビティの後ろにウィンドウを設けるもの
である。そこで、ビームの一部は、それが増幅される放
電チャンバ内に戻るようにレーザのより広いスペクトル
の狭い選択された部分を反射するグレーティングに拡大
され且つ差し向けされる。レーザは、典型的には、ビー
ムがグレーティングを照射する角度を変化させることに
よって調整される。このことは、グレーティングの位置
を調整すること又はビームパスのミラー調整を提供する
ことによってなされうる。グレーティング位置又はミラ
ー位置の調整は、我々が波長調整機構と呼ぶ機構によっ
てなされうる。多くのアプリケーションに関して、レー
ザが精密に調整可能であるだけでなく、例えば、19
3.3500nm±0.0001nmのような非常に小
さな偏差を伴うビームの波長が正確な絶対値に設定され
ることも重要である。このことは、波長調整機構の非常
に精密な較正を要求する。
る空間強度分布を作り出すようにレーザビームをスペク
トル状に散乱させるグレーティング及び/又はエタロン
を使用して行う。典型的には、これらのデバイスは、波
長を変化させるだけで測定することができ;それゆえ、
これらのデバイスに関して絶対波長を測定するのに使用
するために、それらは知られたリファレンス波長を使用
して較正されるべきである。
スとして組み入れられる、Igor Fomenkovによる「Metho
d and Apparatus for Calibrating a Laser Wavelength
Control Mechanism」と名付けられた米国特許第5,450,
207号には、KrFエキシマレーザに関する波長調整機
構を較正するための方法が記載されている。'207特許で
は、レーザによって放射された光の小さな部分が、吸収
ガスとして使用されるFeNe蒸気を包含するセルを通
過する。次いで、この気層から出る光は、フォトディテ
クタによって検出され、次いで、検出された光の強度が
解析される。FeNe蒸気は、248.3271nmの
波長でレーザ光の一部を吸収する。レーザは、247.
9nm乃至248.7nmの間の調整可能な範囲を有す
る。ビームの波長は、チューニングミラーを枢着するこ
とによって範囲内のどこにでも調整されることができ
る。ミラーが角度の範囲を通して回転されるとき蒸気を
通過するレーザ光の強度の1又はそれ以上のディップが
検出され、レーザ波長を測定するシステム(以下、ここ
ではウェーブメータという。)を較正するのに使用され
る。いったん較正されたウェーブメータは、次いで、他
の波長でレーザ光の絶対波長を正確に測定しうる。かか
るウェーブメータは、特許譲受人に譲受され、ここにリ
ファレンスとして組み入れられる米国特許第5,025,445
号に記載されている。
輝線がNational Institute of Standards and Technolo
gyによって出版されている。
システムにおけるステッパで使用されるならば、ステッ
パ光学装置及び製造プロセスは特定のレーザ波長に関し
て最適化される。従って、レーザエネルギの最大量が所
望の波長で生じるように、レーザ波長が正確に調整され
ることが重要である。ArFエキシマレーザの波長を測
定し、制御するためのよりよいデバイスが必要である。
ザの波長を測定し、制御するための波長システムを提供
する。該システムは、波長の増分変化を測定するための
ウェーブメータと、ウェーブメータを較正するための原
子波長リファレンスとを含む。原子波長リファレンス
は、所望の作動波長付近に少なくとも1つの吸収線を有
する蒸気を提供するための気層セルを含む。該システム
は、ウェーブメータを較正するための吸収線の波長で作
動するために、レーザを調整するのに十分なチューニン
グ範囲を備える波長チューニングデバイスを包含する。
ーザであり、蒸気は白金であり、吸収線は193,224.3pm
か193,436.9pmのいずれかである。従来技術のデバイス
を超える改良は、エラストマを使用せずにエタロンに関
する低圧力3点支持を提供するための支持フランジを有
する改良されたエタロンを含む。好ましい実施形態は、
概略波長測定ベースのグレーティングと、精密測定ベー
スのエタロンとを含み、両者は、単一のフォトダイオー
ドアレイに光学信号を示す波長を作り出す。本発明は、
概略及び精密測定と、白金リファレンスとを利用して狭
バンドArFエキシマレーザの絶対波長を測定し、制御
するための技術を提供する。
その自然広帯域バンドスペクトルを示す。図1に示され
ているように、FWHMバンド幅は約472pmであ
る。この特定のレーザは、1000Hzまでのレートで
作動し、典型的なパルスエネルギは約25mJ/パルス
である。この広帯域スペクトルは、典型的には1.0p
mより小さいバンド幅が要求される集積回路リソグラフ
ィには有用ではない。
ることが出来る。狭帯域化は、図2に示すような出力ス
ペクトルを作り出す。この場合、FWHMバンド幅は、
約0.6pmまで(おおよそ800分の1にすることに
よって)劇的に減少し、パルスエネルギは約5mJまで
(約5分の1にすることによって)減少する。その結
果、所望の狭帯域バンドでのパルスの強度は、図2に示
したように劇的に増加する。
帯域化モジュール31においてチューニングミラー36
を使用してArF広帯域スペクトル内のいかなる波長を
も機能するように調整しうる。好ましい実施形態では、
レーザは、(プリズム37A,37B及び37Cによっ
て拡大された)レーザビームがグレーティング38に入
射する角度を僅かに変化させるように、ステッパミラー
39を備える枢動ミラー36によって調整される。ステ
ッパミラー39のステップによって測定される、波長と
ミラーの間の関係の位置を図3に示し、ここで、ステッ
パモータのある十分なステップは、公称狭帯域出力中心
波長において約0.15pmの変化を作り出す。2,3
mmのステッパモニタスキャンは、約193,100p
mから約193,600pmのチューニング範囲500
pmを介してレーザ30の出力波長を走査するのに十分
である。ミラー位置と波長との間の関係が正確には線形
ではないが、このレーザの狭いチューニング範囲におい
ては線形関係が仮定でき、この好ましい実施形態では線
形性は要求されないことに注意すべきである。
絶対波長リファレンス較正ユニット190と、ウェーブ
メータプロセッサ197とのレイアウトを示す。これら
のユニットの光学装置は、パルスエネルギ、波長及びバ
ンド幅を測定する。これらの測定は、所望の範囲内にパ
ルスエネルギと波長とを維持するためにフィードバック
回路と一緒に使用される。該装置は、レーザシステム制
御プロセッサからのコマンドで原子リファレンスソース
を参照することによってそれ自身を較正する。
出力カプラ32からの出力ビームは、出力ビーム33と
してビームエネルギの約95.5%を通し、パルスエネ
ルギ、波長及びバンド幅測定のためにて約4.5%を反
射する部分反射ミラー170を横切る。
生じる個々のパルスのエネルギを測定することが出来る
超高速フォトダイオード69を包含するエネルギ検出器
172に対して、ミラー171によって反射される。パ
ルスエネルギは約5mJであり、検出器69の出力は、
個々のパルスのエネルギの変化とパルスのバーストの集
積されたエネルギを制限するために、ストアされたパル
スエネルギデータに基づいて未来のパルスのパルスエネ
ルギを正確に制御するためにレーザ充電電圧を調節する
ための特定のアルゴリズムを使用するコンピュータコン
トローラに供給される。
77を介してミラー174及びミラー175へ、ミラー
174に戻るように、そして、エシェルグレーティング
176に向かって、ミラー173によって反射される。
ビームは、458.4mmの焦点距離を有するレンズ1
78によって平行にされる。レンズ178を介して戻さ
れてグレーティング176から反射された光は、ミラー
174,175及び174から再び反射され、次いで、
ミラー179から反射され、1024ピクセル線形フォ
トダイオードアレイ180の左側に焦合される。フォト
ダイオードアレイでのビームの特定の場所は、出力ビー
ムの相対的な公称波長の概略測定である。
示す。アレイは、1024の個々のフォトダイオード集
積回路と、関連するサンプルとを有し、読み出し回路を
保持する集積回路チップである。フォトダイオードは、
25.6mm(約1インチ)の全長に関して25μmピ
ッチである。各フォトダイオードは、500μm長であ
る。このようなフォトダイオードアレイは、種々の出所
から入手可能である。好ましいサプライヤーは浜松であ
る。我々の好ましい実施形態では、完全な1024ピク
セル走査が2000Hz又はそれ以上のレートで読むこ
とができ、FIFOに基づいて2×106ピクセル/秒
のレートで読むことが出来るModel S3903−
1024を使用する。
は、フォトダイオードアレイ180の左側に約0.25
mm×3mmの長方形のイメージを作り出す。10又は
11の照射されたフォトダイオードは受光強度に比例し
て信号を生成し、信号は読まれ、ウェーブメータコント
ローラ197のプロセッサによってデジタル化される。
この情報及び補間アルゴリズムコントローラ197を使
用することにより、像の中心位置を計算する。
つの較正係数を使用して、位置と波長との間の関係を線
形に想定して、概略波長値に変換される。これらの較正
係数は、以下に記載したように自動は長リファレンスソ
ースと参照することによって決定される。例えば、イメ
ージ位置と波長との間の関係は以下のアルゴリズムによ
る: λ=(2.3pm/ピクセル)P+191,625pm ここで、P=概略イメージ中心位置である。
約95%は、エタロンアセンブリ184に対する入力で
ディフューザの上に、レンズ183を介して182から
反射する。ビーム出口エタロン184は、エタロンアセ
ンブリの458.4mm焦点距離レンズによって焦合さ
れ、図10に示したような2つのミラーから反射された
後、線形フォトダイオードアレイ180の中央及び右側
に干渉縞を作り出す。
著及びバンド幅を測定しなければならない。レーザ繰り
返し数が1000Hz又はそれ以上となりうるので、正
確であるが、経済性及びコンパクト製造エレクトロニク
スを備えた所望の性能を達成するために計算的に強いア
ルゴリズムを使用する必要がある。それゆえ、計算的ア
ルゴリズムは、好ましくは浮動小数点数学ではなく整数
を使用すべきであり、数学的演算は好ましくは、(平方
根、正弦、対数などを使用しない)コンピュータ計算結
果であるべきである。
アルゴリズムの詳細を次に記載する。図9Bは、線形フ
ォトダイオードアレイ180によって測定された典型的
なエタロン・フリンジ信号を示す、5つのピークによる
カーブである。中央のピークは、他のものよりも高さが
低く示されている。エタロンに入る光の波長が異なるの
で、中央のピークは大きくなったり小さくなったり、時
にはゼロになり得る。この態様は、中央のピークが波長
測定に関して適していると言うことを示す。他のピーク
は、波長の変化に応じて、中央のピークに向かって移動
したり、中央のピークから離れるように移動し、それら
の幅がレーザのバンド幅を測定するとき、これらのピー
クの位置が波長を決定するのに使用することが出来る。
各々データウィンドウと名付けられた2つの領域が図9
Bに示されている。データウィンドウは、中央のピーク
に最も近いフリンジが通常は解析のために使用されるよ
うに、位置決めされる。しかしながら、波長が、フリン
ジを中央のピークに対して(歪み及びそれによるエラー
を生じさせるほど)近過ぎるくらい移動するように変化
するとき、第1のピークはウィンドウの外側にあるが第
2の最近接のピークがウィンドウの内側にあり、ソフト
ウェアにより制御モジュール197のプロセッサを第2
のピークに使用することが出来る。反対に、波長が、中
央のピークから離れるようにデータウィンドウの外側に
現在のピークを移動させるようにシフトするとき、ソフ
トウェアはデータウィンドウ内の内側フリンジにジャン
プするであろう。データウィンドウをまた図6にも示
す。
は、電子的に読み出され、デジタル化される。データポ
イントは、フォトダイオードアレイエレメントのスペー
スによって物理的に決められた間隔によって分けられ、
この場合25μmピッチである。 2.ディジタルデータはデータウィンドウ内のピーク強
度値を見つけるためにサーチされる。前のピーク位置が
出発点として使用される。小さな領域が、出発点の左及
び右でサーチされる。サーチ領域は、ピークが見つかる
まで、左及び右の小さな間隔によって拡張される。ピー
クがデータウィンドウの外側であるならば、サーチは他
のピークが見つかるまで自動的に続けられる。 3.ピークの強度に基づいて、図9Aに示したように5
0%レベルが計算される。0%レベルは、パルスの間で
周期的に測定される。計算された50%レベルに基づい
て、50%レベルに接するデータポイントが見つかるま
で、ポイントはピークの右及び左に調査される。線形補
間により、図9AのAおよびBと名付けられた左及び右
の半値点を見つけるために50%レベルに接する点の対
の間が計算される。これらの位置は、整数データフォー
マットを使用して、1/16のようなピクセルの一部分
に対して計算される。 4.ステップ2及び3は、合計4つの補間された50%
位置を与える、2つのデータウィンドウに関して複製さ
れる。図9Bに示したように、2つの径が計算される。
D1は内側フリンジ径であり、D2は外側フリンジ径で
ある。 5.波長の近似が、前述の「概略波長測定」項目で記載
したように概略波長回路によって決定される。
1及びD2が、以下の式によって波長に各々変換され
る: λ=λ0+Cd(D2−D0 2)+N・FSR ここで、λ=径Dに対応する波長 λ0=較正波長 D0=波長λ0に対応する径 Cd=光学系設計に依存した較正定数 FSR=エタロンの自由スペクトル範囲 N=整数=0,±1,±2,±3,・・・・ λ0、K1、FSR及びD0は、較正の時間で決定され且
つストアされる。Nに関する値は以下のように選択され
る: |λ−λc|≦1/2FSR ここで、λcは概略的に決定された波長である。
は(白金ホローカソードランプの吸収線に対応する)λ
0=193,436.9pmのリファレンス波長を選択
する。この波長では、フリンジ径D0は、300ピクセ
ルであると見いだされうる。Cdは、直接測定されるか
又は光学的設計から計算されるかのいずれかである定数
である。我々の好ましい実施形態では、Cd=−9.2
5×10-5pm/ピクセル2である。従って、例えば、
異なる波長でのレーザ作動では、フリンジ径は405ピ
クセルと測定されうる。式(1)によって計算される可
能な波長は: λ=193,436.9pm−9.25×10-5pm/ピクセル2[(405)2−(300)2]+N・FSR =193,443,7+N・FSR 自由数スペクトル範囲FSR=20pmならば、λに関
する可能な値は以下の値を含む: 193,403.7pm N=−2 193,423.7pm N=−1 193,443.7pm N=0 193,463.7pm N=+1 193,483.7pm N=+2 概略波長が例えば、λc=193,401.9と見積も
られたならば、プロセッサは、λcと最も近い一致の解
として値λ=193,403.7pm(N=−2)を選
択する。
ジ径D1及びD2は、それぞれ波長λ 1及びλ2に各々変換
される。レーザ波長に関して報告される最終的な値は、
これら2つの計算の平均である: λ=(λ1+λ2)/2
る。固定された補正因子が、真のレーザバンド幅を加え
たエタロンピークの固有幅とみなすために適用される。
数学的な解析アルゴリズムは、測定された幅からエタロ
ン固有幅を除去する形式であるが、これは計算的示強性
から遠すぎ、十分さ制度を与える固定された補正ΔλE
は除去される。従って、バンド幅は: Δλ=(D2−D1)/2−ΔλE である。ΔλEは、エタロンの仕様及び真のレーザバン
ド幅の両方に依存する。それは典型的には、ここで記載
したアプリケーションに関して0.1乃至1pmの範囲
に位置する。
0に示されたように自動ウェーブ・リファレンス・ユニ
ット190に示された光学装置と較正される。
るおおよそ5%が、レンズ188を介してミラー186
から、自動波長リファレンスユニット190内に反射さ
れる。光は、ディフューザ191を通過し、ミラー19
2から反射され、気層セル194の中心の焦点にレンズ
193によって焦合され、フォトダイオード196にレ
ンズ195によって再び焦合される。較正は(図4に示
したようなチューニングミラー36を備える)レーザの
波長を走査することによって達成され、エネルギ検知値
69によって監視され且つ制御されるとき、レーザ定数
の出力エネルギを維持する。この好ましい実施形態で
は、走査及び較正シーケンスは自動化され、且つレーザ
に関する制御エレクトロニクスにプログラムされる。ス
キャンの波長範囲は、白金気層セル194の吸収波長を
含むように選択される。例えば、この好ましい実施形態
では、193,436.9pmでの強い吸収が使用さ
れ、レーザは約193,434pmから193,440
pmまでスキャンするようにプログラムされる。レーザ
波長が吸収波長と一致するとき、信号における実質的な
縮小(10乃至50%)は、フォトダイオード196に
よって見られる。スキャン中、データの2つの対応する
セットがとられ、それは、フォトダイオード196から
の信号と、ウェーブメータ120によって測定された波
長である。データの別のセットが図12に示されてお
り、フォトダイオード196からの信号が、ウェーブメ
ータ120によって報告された波長に対してプロットさ
れている。プロセッサはフォトダイオードデータを解析
し、吸収ディップの中心に対応する明らかな波長λ1を
決定する。原子吸収リファレンスの真の波長がλ0であ
ると正確にわかっているので、較正エラー(λ1−λ0)
は計算できうる。このエラーは次いで、概略及び精密な
波長アルゴリズムの両方によって使用される較正定数を
自動的に補正するのに使用される。
ントの位置を強制するが、エレメントに加えられる力を
最小にするために、光学素子をまわりの構造に取り付け
るエラストマを採用する。このためにしようされる一般
的なコンパウンドは室温加硫シリコーン(room-tempera
ture vulcanizing silicone:RTV)である。しかし
ながら、これらのエラストマから放出される種々の有機
気体は、光学系の表面に堆積し、その性能を低下させ
る。エタロンの性能寿命を延長させるために、どんなエ
ラストマ・コンパウンドをも包含しない密封された包囲
内にエタロンを取り付けるのが望ましい。
した改良されたエタロンアセンブリを包含する。このエ
タロンアセンブリは、図7A及び7Bに詳細に示し、石
英ガラスエタロン79それ自身が、フランジ81及び下
側プレート82を有する上部プレート80からなり、両
プレートはプレミアムグレード石英ガラスからなる。エ
タロンは、1.0003の屈折率と25以上のフィネス
とを有するガスによって取り囲まれるとき、193.3
5mmで20.00pmの自由スペクトル範囲を有する
フリンジを作り出すように設計される。熱膨張が非常に
小さい3つの石英ガラススペーサ83はプレートを分離
し、934μm±1μm厚である。これらの保持された
エタロンは、光学系の製造技術において周知の技術を使
用して光学的に互いに接触される。エタロンの内側表面
の反射率は各々約88%であり、外側表面は非反射コー
トされている。エタロンの透過は約50%である。エタ
ロン79は、重力及び3つのパッドに対してフランジを
押している3つの弱いスプリング86だけによってアル
ミニウムハウジング84内の適所に保持されており、前
記3つのパッドは示されていないが、リーダー85によ
って示された放射状の位置でフランジ81の底端の中央
の下に120度で位置決めされている。87でフランジ
81の上端に沿った約0.1mm(0.004インチ)だけ
の間隙によって、エタロンがその適切な位置におおよそ
残っていることを保証する。この近い許容差適合がま
た、ショック又は衝撃がマウンティングを介してエタロ
ンシステムに移動するならば、光学コンポーネントとハ
ウジング接触点との間の相対速度が最小に維持されうる
ことを保証する。エタロンアセンブリ184の他の光学
コンポーネントは、ディフューザ88、ウィンドウ8
9、及び、458.4mmの焦点距離を有する焦点レン
ズ90とを含む。
動に関して必要な入射角の大きな変化を作り出すため
に、エタロンの上流で一般的に使用される標準的な従来
技術のディフューザであってよい。従来技術のディフュ
ーザが有する問題は、ディフューザを通過する光の約9
0%が有効な角度ではなく、その結果、フォトダイオー
ドアレイに焦合されないことである。しかしながら、こ
の浪費された光は、光学系の加熱となり、光学系の表面
の低下に寄与する。別の実施形態では、回折レンズアレ
イはディフューザ88として使用される。この場合で
は、光を完全に散乱するが、約5度の角度内である回折
レンズアレイに、パターンが作り出される。その結果、
エタロンに入る光の約90%が有用な角度での入射であ
り、エタロンへの入射の光のかなり多くの部分がフォト
ダイオードアレイによって最終的に検出されることにな
る。その結果、エタロンへの入射光が著しく減少し、光
学コンポーネントの寿命を著しく増加させる。出願人
は、入射光が、フォトダイオードアレイへの等しい光を
用いて、従来技術の値の10%以下に減少すると見積も
っている。
ルは、米国特許第5,450,202号に記載されたも
のと類似する改良されたシリーズL2783ホローカソ
ードランプチューブである。UV透過ウィンドウ314
及び316を備えるガラスエンベロープは中性ガスであ
るネオンを包含する。大きな違いは、この好ましい実施
形態におけるセルのホローカソードが、アノード318
に面するカソード320の表面とホローカソード320
の内側表面とを覆う非常に薄い白金「ホローT」型スリ
ーブを有することである。約150ボルトのDC電源
が、図11に示したような気層材料としてホローカソー
ド内に全体的に包含される白金イオンを有するプラズマ
を作り出すセルを励起する。
レーザは、フッ素ガス(F2)を包含し、157.63
9nmを含む波長の範囲を介して調整可能であり、吸収
セル194が、臭素原子を含む気層を包含する。セル1
94は、上述のように臭素を含むカソードを備えるが、
ホローカソードランプからなる。更に、ビームを検出器
196に透過させるように配置されたウィンドウを備え
る他の密封されたコンテナを使用することが出来る。
エレメント193は、ビームの平行化された部分が、カ
ソード198を通過し、光学要素195を介し、検出器
196に届くように適切なアパーチャを備えて使用する
ことが出来る。この実施形態では、測定は、セル194
のウィンドウの平行表面からの反射のための光学的干渉
の影響を取り除くことができる。かかる測定は、セル1
94の入り口ウィンドウ及び出口ウィンドウの両方で内
側及び外側ウィンドウ表面の間に小さなウェッジ角を提
供することを含みうる。
囲内に2つの固有の吸収線を与えるので、較正を精密に
改善する必要があるならば、両方の線が利用可能であ
る。プロシージャは、各較正における両方の線を使用す
るのに確立され得る。しかし、好ましくは、臨時チェッ
クが、一つの線での較正が第2の線で精密にレーザを較
正することを示すならば、第2の線はたまにだけチェッ
クされても良い。
は、図4に示したようなレーザを光学的にチューニング
することが好ましいけれども、機械的、光学的又は(レ
ーザ30内のガス構成要素を制御することによって)化
学的な種々の周知の方法によって実行でき得る。制御信
号に応答してレーザをチューニングするためのこれらの
いかなる知られた機構でも、波長調整機構を構成しう
る。特定の構造が白金吸収線を検出するために示されて
いるけれども、他の適当な実施形態を採用することもで
きる。この開示をレヴューした後、当業者によって理解
されるような、異なる光学的セットアップを使用して実
施することもできる。
けれども、そのより広い態様において本発明から逸脱す
ることなく変更及び修正をすることは、当業者にとって
明らかであり、それゆえ、特許請求の範囲は本発明の真
の精神及び範囲が入るようにかかる全ての変更及び修正
をそれらの範囲内に包囲する。
フである。
ザに関する出力波長との間の関係を示す。
要素を示すブロック図である。
す。
図5のフォトダイオードアレイの光のパターンを示す。
フォトダイオードの出力を使用して測定されるのかを説
明する。
フォトダイオードの出力を使用して測定されるのかを説
明する。
置の好ましいレイアウトを示す。
Claims (10)
- 【請求項1】 狭帯域レーザによって作り出されたレー
ザビームの波長を測定し且つ制御するための波長システ
ムであって、 A.波長の増分変化を測定するためのウェーブメータ
と、 B.前記ウェーブメータを較正するための原子波長リフ
ァレンスとを有し、 前記リファレンスは、 1)前記レーザに関する所望の作動波長付近の吸収線を
有する蒸気を包含するための蒸気セルと、 2)前記蒸気セルを通過する光の強度を測定するための
較正光検出器と、 を備え、 C.前記吸収線を包含する波長の範囲に前記レーザを調
整するのに十分なチューニング範囲を有するチューニン
グデバイスと、 D.(i)前記ウェーブメータに、そして(ii)前記較正光
検出器に前記蒸気セルを介して、前記狭バンドレーザビ
ームの部分を同時に差し向けるように配置された光学縦
列と、 E.波長の前記範囲を超えて前記較正光検出器及び前記
ウェーブメータからのデータを補正し、解析し、かかる
解析に基づいて、前記ウェーブメータを較正するプロセ
ッサと、F.フォトダイオードアレイと、前記フォトダイオード
アレイの第1の部分に粗い波長の検出をさせるためのグ
レーティングサブシステムと、前記フォトダイオードア
レイの第2の部分に精密な波長の検出をさせるためのエ
タロンサブシステムと、 を有する、前記波長システム。 - 【請求項2】 前記狭バンドレーザビームのパルスエネ
ルギを測定するためのパルスエネルギ検出器を更に含む
ことを特徴とする、請求項1に記載のウェーブメータシ
ステム。 - 【請求項3】 前記レーザが、ArFエキシマレーザで
あり、前記蒸気がプラチナ蒸気を含む、ことを特徴とす
る請求項1に記載の波長システム。 - 【請求項4】 前記吸収線が193,224.3pm及び193,43
6.9pmからなるプラ チナの吸収線のグループから選択
される、請求項3に記載の波長システム。 - 【請求項5】 前記ウェーブメータが、サポートフラン
ジを備える第1のガラスプレートと、第2のガラスプレ
ートとを備えるエタロンを含むエタロンアセンブリを有
し、 前記第1のガラスプレートが前記フランジによって支持
され、前記第2のガラスプレートが前記第1のガラスプ
レートに取り付けられた複数の薄いスペーサによって支
持される、 ことを特徴とする請求項1に記載の波長システム。 - 【請求項6】 前記フランジが支持構造体に取り付けら
れた3つのパッドによって支持される、ことを特徴とす
る請求項5に記載の波長システム。 - 【請求項7】 調整ミラーを更に有することを特徴とす
る、請求項1に記載の波長システム。 - 【請求項8】 前記レーザがF 2 エキシマレーザであ
り、前記蒸気が臭素蒸気を含む、ことを特徴とする請求
項1に記載の波長システム。 - 【請求項9】 前記吸収線が157,639pmであ
る、請求項8に記載の波長システム。 - 【請求項10】 レーザビームを出力するための調整可
能なArFエキシマレーザと、 ガスセルを通過して前記レーザビームの少なくとも一部
で、プラチナ蒸気を包含するガスセルと、 前記レーザに接続される波長調整機構と、 前記レーザの波長を検出するための前記レーザビームの
少なくとも一部を受光するウェーブメータと、 前記ガスセルにおける前記1又はそれ以上のガスの吸収
線の波長を適合させる前記レーザビームの波長の波長又
は狭バンドを測定するために、前記ガスセルを通過する
前記レーザビームのエネルギのディップを検出し、前記
1又はそれ以上のガスの前記吸収線の少なくとも一つに
前記ウェーブメータを較正するためにプログラムされた
プロセッサと、 を有する、レーザシステム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/041,474 US5991324A (en) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US09/041474 | 1998-03-11 | ||
US09/165,593 US5978394A (en) | 1998-03-11 | 1998-10-02 | Wavelength system for an excimer laser |
US09/165593 | 1999-03-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11298084A JPH11298084A (ja) | 1999-10-29 |
JP3247659B2 true JP3247659B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=26718175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06495799A Expired - Lifetime JP3247659B2 (ja) | 1998-03-11 | 1999-03-11 | エキシマレーザに関する波長システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0992093B1 (ja) |
JP (1) | JP3247659B2 (ja) |
KR (1) | KR100674021B1 (ja) |
AU (1) | AU2876199A (ja) |
DE (1) | DE69907594T2 (ja) |
ES (1) | ES2196784T3 (ja) |
TW (1) | TW410494B (ja) |
WO (1) | WO1999046836A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9647411B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-05-09 | Gigaphoton Inc. | Method of controlling wavelength of laser beam and laser apparatus |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6882674B2 (en) * | 1999-12-27 | 2005-04-19 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser system |
US6630117B2 (en) | 1999-06-04 | 2003-10-07 | Corning Incorporated | Making a dispersion managing crystal |
DE60032017T2 (de) * | 1999-12-22 | 2007-05-03 | Cymer, Inc., San Diego | Schmalbandiger laser mit bidirektionaler strahlerweiterung |
EP1258059B1 (en) * | 2000-02-09 | 2008-04-23 | Cymer, Inc. | Bandwidth control technique for a laser |
US6693928B2 (en) * | 2000-10-10 | 2004-02-17 | Spectrasensors, Inc. | Technique for filtering chirp from optical signals |
US6587484B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-07-01 | Spectrasensor, Inc,. | Method and apparatus for determining transmission wavelengths for lasers in a dense wavelength division multiplexer |
US6671296B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-30 | Spectrasensors, Inc. | Wavelength locker on optical bench and method of manufacture |
US6750972B2 (en) * | 2000-11-17 | 2004-06-15 | Cymer, Inc. | Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination |
US6486949B2 (en) | 2000-12-11 | 2002-11-26 | Corning Incorporated | Method and apparatus for evaluating the quality of an optical crystal |
AU2002257270A1 (en) | 2001-05-16 | 2002-11-25 | Corning Incorporated | Preferred crystal orientation optical elements from cubic materials |
JP2002374033A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Ando Electric Co Ltd | 可変波長光源装置 |
WO2003025636A1 (en) | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Corning Incorporated | Photolithographic method and uv transmitting fluoride crystals with minimized spatial dispersion |
US6669920B2 (en) | 2001-11-20 | 2003-12-30 | Corning Incorporated | Below 160NM optical lithography crystal materials and methods of making |
JP2003214958A (ja) | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Gigaphoton Inc | 波長検出装置、レーザ装置及び波長検出方法 |
US7075905B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-07-11 | Qualcomm Incorporated | Quality indicator bit (QIB) generation in wireless communications systems |
US7653095B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
WO2009102323A1 (en) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Color detector |
WO2009102328A1 (en) | 2008-02-13 | 2009-08-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Color detector having area scaled photodetectors |
JP6210526B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2017-10-11 | ギガフォトン株式会社 | 波長検出器、波長較正システム |
KR101480101B1 (ko) | 2013-12-10 | 2015-01-13 | 한국광기술원 | 광섬유 브래그 격자 센서 시스템 |
KR101616980B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2016-04-29 | 한국광기술원 | 파장가변 광 생성장치 |
KR102541171B1 (ko) * | 2016-07-08 | 2023-06-08 | 엘지전자 주식회사 | 무선전력 전송장치 및 그 방법 |
US11108275B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-31 | Lg Electronics Inc. | Wireless power transmission apparatus and method therefor |
US9983060B1 (en) | 2016-11-28 | 2018-05-29 | Cymer, Llc | Calibration of a spectral analysis module |
CN113383469B (zh) * | 2019-03-13 | 2023-07-11 | 极光先进雷射株式会社 | 激光装置和电子器件的制造方法 |
CN113659417A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-11-16 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 高稳定性准分子激光器装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63259439A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ評価装置 |
US4823354A (en) * | 1987-12-15 | 1989-04-18 | Lumonics Inc. | Excimer lasers |
US5142543A (en) * | 1988-01-27 | 1992-08-25 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method and system for controlling narrow-band oscillation excimer laser |
JPH03150889A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Toshiba Corp | 波長可変型レーザ装置 |
US5025445A (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-18 | Cymer Laser Technologies | System for, and method of, regulating the wavelength of a light beam |
US5802094A (en) * | 1991-11-14 | 1998-09-01 | Kabushiki Kaisha Komatsu | Narrow band excimer laser |
US5835520A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Cymer, Inc. | Very narrow band KrF laser |
US5978391A (en) * | 1997-07-18 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Wavelength reference for excimer laser |
-
1999
- 1999-02-23 EP EP99909589A patent/EP0992093B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-23 AU AU28761/99A patent/AU2876199A/en not_active Abandoned
- 1999-02-23 ES ES99909589T patent/ES2196784T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-23 KR KR1020067005165A patent/KR100674021B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-23 WO PCT/US1999/004032 patent/WO1999046836A1/en active IP Right Grant
- 1999-02-23 DE DE69907594T patent/DE69907594T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-26 TW TW088102978A patent/TW410494B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-11 JP JP06495799A patent/JP3247659B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9647411B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-05-09 | Gigaphoton Inc. | Method of controlling wavelength of laser beam and laser apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999046836A1 (en) | 1999-09-16 |
DE69907594D1 (de) | 2003-06-12 |
AU2876199A (en) | 1999-09-27 |
JPH11298084A (ja) | 1999-10-29 |
DE69907594T2 (de) | 2003-11-20 |
KR20060031887A (ko) | 2006-04-13 |
EP0992093A1 (en) | 2000-04-12 |
EP0992093B1 (en) | 2003-05-07 |
EP0992093A4 (en) | 2000-07-05 |
KR100674021B1 (ko) | 2007-01-24 |
TW410494B (en) | 2000-11-01 |
ES2196784T3 (es) | 2003-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3247659B2 (ja) | エキシマレーザに関する波長システム | |
US5978394A (en) | Wavelength system for an excimer laser | |
US6317448B1 (en) | Bandwidth estimating technique for narrow band laser | |
JP4437006B2 (ja) | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング | |
EP1252691B1 (en) | Wavemeter for gas discharge laser | |
US6721340B1 (en) | Bandwidth control technique for a laser | |
EP1258060B1 (en) | Fast wavelength correction technique for a laser | |
US7382815B2 (en) | Laser spectral engineering for lithographic process | |
EP1521942B1 (en) | Wavemeter with enhanced illumination for an ultraviolet gas discharge laser | |
JP4038340B2 (ja) | レーザの帯域幅制御技術 | |
USRE41457E1 (en) | Wavemeter for gas discharge laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 12 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |