CN115020220A - 硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，可以在原位处理晶圆的前提下，显著降低硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法。
背景技术
电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)刻蚀设备具有腔室真空度高、刻蚀精度高、形貌控制性强等优点，已经成为超大规模硅基集成电路器件制备中刻蚀多晶硅、硅介质层等硅材料的成熟技术设备。
随着未来先进硅基芯片的制程研发逐渐步入原子层级精度，对于刻蚀产物的控制和刻蚀元素残留的要求越来越严格。业内通常使用含氟类气体(例如CF类气体)作为刻蚀气体对晶圆(Wafer)上的氧化硅(oxide)膜层进行等离子体刻蚀(例如形成凹槽)，或者对位于该氧化硅膜层之上的其他膜层进行等离子体刻蚀以暴露出氧化硅膜层表面，但是，在刻蚀工艺完成后，可能在未被刻蚀的硅氧化物膜层表面上残留少量的氟元素(F)，这些F元素如果不立即清除可能会腐蚀硅氧化物膜层表面膜层表面，甚至钻蚀入硅氧化物膜层表面膜层内部，导致后续更难于清理，从而可能损伤刻蚀后的表面形貌和材料质量。此外，含氟氧化硅膜层在成膜后或在采用含氟类气体(例如CF类气体)刻蚀后，其表面上也存在有F元素，而这些F元素如果不立即清除也可能会含氟氧化硅膜层进行腐蚀，影响膜层稳定性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，其可以在原位处理晶圆的前提下，显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀工艺前后的膜层质量和形貌从而确保最终工艺的刻蚀形貌和材料质量。
为实现本发明的目的而提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，包括：采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，以降低所述硅氧化物膜层表面上的氟元素与所述硅氧化物膜层表面的结合能力；
采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，以移除所述硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。
可选的，所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，包括：
通过调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由所述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，以避免损伤所述硅氧化物膜层的表面。
可选的，所述与离子动能相关的工艺参数包括：腔室气压、所述第一惰性气体的流量、下电极功率中的至少一种。
可选的，在所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理之后，且在所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面之前，还包括：
向腔室通入吹扫气体，以去除所述腔室中的含氯气体。
可选的，所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，和所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，循环执行至少一次，且通过调节循环次数，来控制所述硅氧化物膜层表面上剩余的氟元素含量。
可选的，所述含氯气体包括氯气。
可选的，所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，包括：
在向腔室通入所述含氯气体的同时，向所述腔室通入第二惰性气体。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种刻蚀方法，包括：
提供一氧化硅膜层；
采用含氟气体形成的等离子体刻蚀氧化硅膜层；
采用本发明提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除未被刻蚀的所述氧化硅膜层表面的氟元素。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种刻蚀方法，包括：
提供一氧化硅膜层，且在所述氧化硅膜层上具有至少一个功能膜层；
采用含氟气体形成的等离子体刻蚀所述至少一个功能膜层，直至暴露出所述氧化硅膜层表面；
采用本发明提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除暴露出所述氧化硅膜层表面的氟元素。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种刻蚀方法，包括：
提供一含氟氧化硅膜层；
刻蚀所述含氟氧化硅膜层；
在所述刻蚀所述含氟氧化硅膜层之前和/或之后，采用本发明提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除所述含氟氧化硅膜层表面的氟元素。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，应用于在硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景，该方法首先利用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力，然后利用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素，从而显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，进而可以保证刻蚀形貌和材料质量。同时，本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以原位处理晶圆，即，无需移动晶圆就可以对硅氧化物膜层表面氟元素进行处理，从而可以提高工艺效率。
本发明提供的刻蚀方法，其通过采用本发明提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量；同时，可以原位处理晶圆，从而可以提高工艺效率。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法的流程框图；
图2为本发明第二实施例提供的刻蚀方法的流程框图；
图3为本发明第二实施例提供的刻蚀方法的过程图；
图4为本发明第三实施例提供的刻蚀方法的流程框图；
图5为本发明第三实施例提供的刻蚀方法的过程图；
图6为本发明第四实施例提供的刻蚀方法的流程框图；
图7为本发明第四实施例提供的刻蚀方法的过程图；
图8为本发明第四实施例的一个变形实施例提供的刻蚀方法的流程框图；
图9为本发明第四实施例的一个变形实施例提供的刻蚀方法的过程图；
图10为采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之前和之后的氧化硅膜层表面的TEM测试结果的对比图；
图11为分别在完成步骤S1和步骤S3之后检测硅氧化物膜层表面的刻蚀量的对比图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法进行详细描述。
第一实施例
请参阅图1，本发明实施例提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，该方法应用于在硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景，硅氧化物膜层例如设置于衬底之上，衬底可以包括多晶硅，氮化硅等的材料。该硅氧化物膜层例如为氧化硅膜层，在采用含氟气体形成的等离子体对该氧化硅膜层进行刻蚀之后，在氧化硅膜层表面会残留氟元素；或者，在氧化硅膜层上具有至少一个功能膜层，在采用含氟气体形成的等离子体对至少一个功能膜层进行刻蚀，以暴露出氧化硅膜层的表面之后，在暴露出的氧化硅膜层表面会残留氟元素；这些氟元素如果不立即清除可能会腐蚀硅氧化物膜层表面，甚至钻入硅氧化物膜层内部，导致后续更难于清理，从而可能损伤刻蚀后的表面形貌和材料质量。还有一种硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景，即，硅氧化物膜层例如为含氟氧化硅膜层，该含氟氧化硅膜层在成膜后或在采用含氟类气体(例如CF类气体)刻蚀后，其表面存在有氟元素，在该场景下，其表面上也存在有F元素，而这些F元素如果不立即清除也可能会含氟氧化硅膜层进行腐蚀，影响膜层稳定性。本发明实施例并局限于上述几个场景，在实际应用中，可以适用于硅氧化物膜层表面存在氟元素并需要对膜层表面氟元素进行含量调整的任何场景。
为此，本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法包括：
S1、采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；
S2、向腔室通入吹扫气体，以去除腔室中的含氯气体；
S3、采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。
Si、F、Cl、O这四个元素之间的键能由大到小依次为：Si-F>Si-O>Si-Cl，基于此，通过上述步骤S1采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，可以将高健能的Si-F转变为低键能的Si-Cl，即，降低了氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力，再结合后续步骤S3利用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，可以借助第一惰性气体形成的等离子体(例如Ar离子)的动能打断Si-Cl，以避免引入Cl元素，从而可以去除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。由此，本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量。同时，本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以原位处理晶圆，即，无需移动晶圆就可以对硅氧化物膜层表面氟元素进行处理，从而可以提高工艺效率。
上述步骤S1和步骤S3均采用等离子体刻蚀工艺对硅氧化物膜层表面进行处理，该工艺例如采用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)刻蚀设备实现，具体地，等离子体刻蚀工艺包括：向腔室内通入工艺气体(步骤S1和步骤S3向腔室通入的工艺气体分别为含氯气体和第一惰性气体)，并开启上电极电源向上电极(例如线圈)加载上电极功率，以激发腔室内的工艺气体形成等离子体，在此过程中，可选的，可以开启下电极电源向下电极(例如基座)加载下电极功率(又称偏压功率)，以吸引等离子体向晶圆移动。上述基座例如为机械卡盘或静电卡盘，在基座中还可以设置加热装置，用于控制晶圆表面温度。上述上电极功率例如为射频功率或者射频功率和直流功率的结合。上述等离子体通常包含有电子、正离子和自由基等，等离子体中的自由基能够扩散至晶圆表面，与之发生物理和化学反应，从而实现对晶圆的加工。另外，上述腔室还具有排气口，其与抽真空装置(例如分子泵)连通，用于排出腔室内的气体，实现腔室气压的控制。
需要说明的是，上述步骤S2用于通过向腔室通入吹扫气体，以去除腔室中的含氯气体，从而避免在腔室中引入氯元素。但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，可以根据具体需要选择在完成上述步骤S1之后，且在执行上述步骤S3之前，执行上述步骤S2，或者也可以省去上述步骤S2，即在完成上述步骤S1之后，直接执行上述步骤S3。
在一些可选的实施例中，为了避免损伤硅氧化物膜层表面的表面，上述步骤S3，包括：
通过调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由上述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，以避免损伤硅氧化物膜层的表面。
通过调节与离子动能相关的工艺参数，可以形成能够打断Si-Cl，同时又不会破坏Si-O的工艺窗口，以降低由上述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，该离子可以以较低的动能轰击硅氧化物膜层表面，对硅氧化物膜层表面的刻蚀速率非常低，从而既可以打断Si-Cl，以在去除硅氧化物膜层表面的氟元素的基础上，避免在硅氧化物膜层表面引入额外的氯元素，又可以避免因离子轰击造成的硅氧化物膜层表面损伤。
在一些可选的实施例中，上述与离子动能相关的工艺参数包括：腔室气压、第一惰性气体的流量、下电极功率中的至少一种。但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，凡是能够降低离子动能的工艺参数均属于本发明实施例的保护范围。
在一些可选的实施例中，上述步骤S1、步骤S2和步骤S3循环执行至少一次，或者上述步骤S1和步骤S3(省去上述步骤S2)循环执行至少一次，并且，通过调节循环次数，可以控制硅氧化物膜层表面上剩余的氟元素含量。具体地，循环次数越多，剩余的氟元素含量越少；反之，则越多。
在一些可选的实施例中，上述步骤S1中，含氯气体例如包括氯气。
在一些可选的实施例中，上述步骤S1，包括：
在向腔室通入含氯气体的同时，向腔室通入第二惰性气体。
通过同时通入含氯气体和上述第二惰性气体，可以更容易地实现等离子体启辉。可选的，第二惰性气体例如包括氦气、氖气、氩气、氙气等等。另外可选的，可以通过调节与离子动能相关的工艺参数，来降低第二惰性气体形成的等离子体中的离子动能，该动能例如可以低于步骤S3中的第一惰性气体形成的等离子体中的离子动能，以进一步降低甚至避免对硅氧化物膜层表面的轰击，保证硅氧化物膜层表面不会产生损伤。上述与离子动能相关的工艺参数包括：腔室气压、第二惰性气体的流量、下电极功率中的至少一种。但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，凡是能够降低离子动能的工艺参数均属于本发明实施例的保护范围。
在一些可选的实施例中，上述步骤S1采用的工艺参数包括：腔室气压大于等于20mT，且小于等于60mT；含氯气体的流量大于等于20sccm，且小于等于200sccm；第二惰性气体的流量大于等于0sccm，且小于等于80sccm；上电极功率大于等于400W，且小于等于900W；下电极功率大于等于0W，且小于等于15W。
在一些可选的实施例中，上述步骤S3采用的工艺参数包括：腔室气压大于等于5mT，且小于等于20mT；第一惰性气体的流量大于等于100sccm，且小于等于500sccm；上电极功率大于等于300W，且小于等于800W；下电极功率大于等于0W，且小于等于15W。
在一些可选的实施例中，第一惰性气体例如包括氦气、氖气、氩气、氙气等等。
下面对在硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景下，采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之前和之后的氧化硅膜层表面分别进行XPS测试(即，氧化硅膜层表面元素含量测试)，测试结果如下述表1所示。
表1、氧化硅膜层表面的元素含量(at％)测试结果
由上述表1可知，采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之后，氧化硅膜层表面上残留的氟元素含量(原子占比)从采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之前的5.39at％降低至2.55at％，且通过在上述步骤S3中调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由上述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，在氧化硅膜层表面上未检出Cl元素，即实现了不引入额外的氯元素。
下面对在硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景下，采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之前和之后的氧化硅膜层表面分别进行TEM测试(即，氧化硅膜层表面图像检测)，测试结果如图10所示。图10中的图(a)和图(b)分别为采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法之前和之后的氧化硅膜层表面的TEM测试图像。对比图(a)和图(b)的图像可知，在采用本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法前后，氧化硅膜层表面无明显变化(氧化硅膜层表面为黑白图像的交界)，由此可以说明，本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，通过在上述步骤S3中调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由上述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，对氧化硅膜层表面的损伤极低。
图11为分别在完成步骤S1和步骤S3之后检测硅氧化物膜层表面的刻蚀量的对比图。在采用同一刻蚀设备的条件下，分别执行上述步骤S1和步骤S3，且执行时长均为600s；然后，分别检测在完成步骤S1和步骤S3之后的硅氧化物膜层表面的刻蚀量，如图11中的图(a)所示，在完成步骤S1之后，硅氧化物膜层表面的刻蚀量大致为
如图11中的图(b)所示，在完成步骤S3之后，硅氧化物膜层表面的刻蚀量大致为
且刻蚀速率低至
由此可以表明：本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，通过在上述步骤S1和步骤S3中调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由上述第一、第二惰性气体形成的等离子体的离子动能，上述步骤S1几乎没有刻蚀，而上述步骤S3产生的物理刻蚀速度极慢、操作空间大，从而可以有效降低甚至避免对氧化硅膜层表面的损伤。
综上所述，本发明实施例提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，应用于在硅氧化物膜层表面存在氟元素的场景，该方法首先利用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力，然后利用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素，从而显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，进而可以保证刻蚀形貌和材料质量。同时，本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以原位处理晶圆，即，无需移动晶圆就可以对硅氧化物膜层表面氟元素进行处理，从而可以提高工艺效率。
第二实施例
作为另一个技术方案，请一并参阅图2和图3，本发明实施例提供一种刻蚀方法，包括：
S101、提供一氧化硅膜层1，如图3中的图(a)所示；
S102、采用含氟气体形成的等离子体刻蚀氧化硅膜层1；
如图3中的图(b)所示，上述步骤S102用于在氧化硅膜层1上刻蚀形成凹槽，在刻蚀之后会在凹槽底面上残留氟元素2。图(b)仅示意性地示出了存在氟元素2。
S103、采用本发明实施例提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除未被刻蚀的氧化硅膜层1表面的氟元素2，如图3中的图(c)所示。
在一些可选的实施例中，可以执行上述步骤S103至少一次，以实现对硅氧化物膜层表面上的氟元素含量的控制。
在实际应用中，在执行上述步骤S103至少一次之后，可以结束流程，或者进行其他步骤，该其他步骤例如是另一种膜层的刻蚀步骤，或者，也可以是实现一定功能的过渡步骤。
第三实施例
作为另一个技术方案，请一并参阅图4和图5，本发明实施例提供一种刻蚀方法，包括：
S201、提供一氧化硅膜层1，且在该氧化硅膜层1上具有至少一个功能膜层3，如图5中的图(a)示；
S202、采用含氟气体形成的等离子体刻蚀至少一个功能膜层3，直至暴露出氧化硅膜层1的表面，如图5中的图(b)所示；
上述步骤S202例如用于在至少一个功能膜层3上刻蚀形成贯穿其厚度的通孔，以暴露出氧化硅膜层1的表面。
S203、采用本发明实施例提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除暴露出氧化硅膜层1表面的氟元素，如图5中的图(c)所示。
在一些可选的实施例中，可以执行上述步骤S203至少一次，以实现对硅氧化物膜层表面上的氟元素含量的控制。
在实际应用中，在执行上述步骤S203至少一次之后，可以结束流程，或者进行其他步骤，该其他步骤例如是另一种膜层的刻蚀步骤，或者，也可以是实现一定功能的过渡步骤。
第四实施例
作为另一个技术方案，请一并参阅图6和图7，本发明实施例提供一种刻蚀方法，包括：
S301、提供一含氟氧化硅膜层4，如图7中的图(a)示；
该含氟氧化硅膜层4的表面仍存在氟元素，例如为氟硅玻璃(F-SiO)层，该氟硅玻璃层可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)处理设备，利用四氟化硅(SiF4)/四氢化硅(SiH4)气体与氧化剂反应，以形成氟硅玻璃。
S302、刻蚀含氟氧化硅膜层4，如图7中的图(b)示；
上述步骤S302例如用于在含氟氧化硅膜层4上形成凹槽，在刻蚀后的含氟氧化硅膜层4的凹槽底面41存在氟元素。
S303、采用本发明实施例提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除含氟氧化硅膜层4表面的氟元素，如图7中的图(c)示。
完成上述步骤S303之后，处理后的含氟氧化硅膜层4的凹槽底面41’上的氟元素会降低或者完全去除。在一些可选的实施例中，可以执行上述步骤S303至少一次，以实现对含氟氧化硅膜层4表面上的氟元素含量的控制。
作为本实施例的一个变形实施例，请一并参阅图8和图9，本变形实施例提供一种刻蚀方法，包括：
S401、提供一含氟氧化硅膜层4，如图9中的图(a)示；
该含氟氧化硅膜层4在刻蚀前的表面41也可能存在氟元素。
S402、采用本发明实施例提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除含氟氧化硅膜层4表面的氟元素，如图9中的图(b)示；
完成上述步骤S402之后，处理后的含氟氧化硅膜层4的表面41’上的氟元素会降低或者完全去除。在一些可选的实施例中，可以在执行步骤S403之前，执行上述步骤S402至少一次，以实现对含氟氧化硅膜层4表面上的氟元素含量的控制。
S403、刻蚀含氟氧化硅膜层4，如图9中的图(c)示。
上述步骤S403例如用于在含氟氧化硅膜层4上形成凹槽。
可选的，还可以在步骤S403之后，再执行至少一次步骤S402，以移除在刻蚀后的含氟氧化硅膜层4的凹槽底面存在的氟元素。当然，在实际应用中，可以根据具体需要，在刻蚀含氟氧化硅膜层4之前和/或之后，执行至少一次步骤S402。
本发明实施例提供的刻蚀方法，其通过采用本发明实施例提供的上述硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，可以显著降低并控制硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量；同时，刻蚀工艺在同一腔室中完成，可以原位处理晶圆，从而可以提高工艺效率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，包括：采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，以降低所述硅氧化物膜层表面上的氟元素与所述硅氧化物膜层表面的结合能力；
采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，以移除所述硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。
2.根据权利要求1所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，包括：
通过调节与离子动能相关的工艺参数，来降低由所述第一惰性气体形成的等离子体的离子动能，以避免损伤所述硅氧化物膜层的表面。
3.根据权利要求2所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，所述与离子动能相关的工艺参数包括：腔室气压、所述第一惰性气体的流量、下电极功率中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，在所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理之后，且在所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面之前，还包括：
向腔室通入吹扫气体，以去除所述腔室中的含氯气体。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，和所述采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的所述硅氧化物膜层表面，循环执行至少一次，且通过调节循环次数，来控制所述硅氧化物膜层表面上剩余的氟元素含量。
6.根据权利要求1所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，所述含氯气体包括氯气。
7.根据权利要求1或6所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，其特征在于，所述采用含氯气体形成的等离子体对所述硅氧化物膜层表面进行处理，包括：
在向腔室通入所述含氯气体的同时，向所述腔室通入第二惰性气体。
8.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供一氧化硅膜层；
采用含氟气体形成的等离子体刻蚀氧化硅膜层；
采用权利要求1-7任意一项所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除未被刻蚀的所述氧化硅膜层表面的氟元素。
9.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供一氧化硅膜层，且在所述氧化硅膜层上具有至少一个功能膜层；
采用含氟气体形成的等离子体刻蚀所述至少一个功能膜层，直至暴露出所述氧化硅膜层表面；
采用权利要求1-7任意一项所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除暴露出所述氧化硅膜层表面的氟元素。
10.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供一含氟氧化硅膜层；
刻蚀所述含氟氧化硅膜层；
在所述刻蚀所述含氟氧化硅膜层之前和/或之后，采用权利要求1-7任意一项所述的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法，移除所述含氟氧化硅膜层表面的氟元素。
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