CN115003510B - 热敏打印头和热敏打印头的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 189
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 35
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 101000881405 Chlamydomonas reinhardtii Dynein, 78 kDa intermediate chain, flagellar outer arm Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
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Abstract
提供一种热敏打印头,其能够简单地形成设置在发热部下方的蓄热层。该热敏打印头包括基材、电阻体层、绝缘层和蓄热层。上述基材具有朝向厚度方向的一方的主面,由单晶半导体形成。上述电阻体层形成在上述主面之上,并且包括在主扫描方向上排列的多个发热部。上述绝缘层形成在上述基材与上述电阻体层之间。上述蓄热层形成在上述基材与上述多个发热部之间。上述蓄热层由玻璃材料形成。
Description
技术领域
本发明涉及热敏打印头和热敏打印头的制造方法。
背景技术
专利文献1中公开了现有的热敏打印头的一例。通常,热敏打印头在主基板上具有在主扫描方向上排列的多个发热部。各发热部,通过在隔着蓄热层形成在主基板的电阻体层上,使其一部分露出,将上游侧电极层和下游侧电极层以使它们的端部相对的方式层叠而形成。通过将上游侧电极层与下游侧电极层之间通电,上述电阻体层的露出部(发热部)进行发热。蓄热层例如是为了能够抑制发热部所产生的热无益地漏出到主基板等来高效地使发热部的温度上升而设置的。
另外,该文献中所公开的热敏打印头,使用Si(硅)作为基板,通过半导体工艺形成包括电阻体层的各构成部。在该情况下,蓄热层通过使用了SiO2(二氧化硅)的溅射或CVD法形成,但在形成充分的厚度的蓄热层时相当需要时间,存在热敏打印头的制造效率变差的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-7203号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是基于上述的情况而想出的,其目的在于,提供一种能够简单地形成设置在发热部的下方的蓄热层的热敏打印头。另外,提供该热敏打印头的制造方法。
用于解决问题的技术手段
依据本发明的第一侧面提供的热敏打印头,其包括:基材,其具有朝向厚度方向的一方的主面,且由单晶半导体形成;电阻体层,其形成在所述主面之上,并且包括在主扫描方向上排列的多个发热部;形成在所述基材与所述电阻体层之间的绝缘层;和形成在所述基材与所述多个发热部之间的蓄热层,所述蓄热层为由玻璃材料形成的釉。
依据本发明的第二侧面提供的热敏打印头的制造方法,其包括:准备工序,准备由单晶半导体形成的基材;蚀刻工序,对所述基材实施各向异性蚀刻;釉形成工序,在所述基材之上配置了玻璃膏后,通过对该玻璃膏进行烧制而形成规定厚度的釉;和发热部形成工序,在所述釉之上形成在主扫描方向上排列的多个发热部。
本发明的其他的特征和优点,通过参照附图在以下进行详细的说明而能够更加明白。
发明效果
依据本发明的热敏打印头,例如能够简单地形成蓄热层。
附图说明
图1是表示第一实施方式的热敏打印头的平面图。
图2是表示第一实施方式的热敏打印头的主要部分放大平面图。
图3是表示第一实施方式的热敏打印头的主要部分放大平面图。
图4是沿着图1的IV-IV线的截面图。
图5是将图4的一部分放大的部分放大截面图。
图6的将图4的一部分放大的部分放大截面图。
图7是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图8是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图9是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图10是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图11是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图12是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图13是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图14是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图15是表示第一实施方式的另一制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图16是表示第一实施方式的另一制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图17是表示第一实施方式的另一制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图18是表示第一实施方式的另一制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图19是表示第一实施方式的另一制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图20是表示第一实施方式的第一变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图21是表示第一实施方式的第二变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图22是表示第一实施方式的第三变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图23是表示第一实施方式的第四变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图24是表示第二实施方式的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图25是表示第二实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图26是表示第二实施方式的第一变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图27是表示第二实施方式的第二变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图28是表示第二实施方式的第三变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图29是表示第二实施方式的第四变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图30是表示第二实施方式的另一变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图31是表示第三实施方式的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图32是表示第三实施方式的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图。
图33是表示第三实施方式的第一变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图34是表示第三实施方式的第二变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
图35是表示变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图。
具体实施方式
关于本发明的热敏打印头及其制造方法的优选的实施方式,参照附图在以下进行说明。
本发明中,“某物A形成于某物B”和“某物A形成在某物B上”是指,除非另有说明,包括“某物A直接形成于某物B”和“某物A与某物B之间插设有其他物体,并且某物A形成于某物B”。同样地,“某物A配置于某物B”和“某物A配置在某物B上”是指,除非另有说明,包括“某物A直接配置于某物B”和“某物A与某物B之间插设有其他物体,并且某物A配置于某物B”。同样地,“某物A位于某物B上”是指,除非另有说明,包括“以某物A与某物B相接的方式某物A位于某物B上”和“在某物A与某物B之间插设有其他物体,并且某物A位于某物B上”。另外,“在某方向看某物A与某物B重叠”是指,除非另有说明,包括“某物A与某物B的全部重叠”和“某物A与某物B的一部分重叠”。
<第一实施方式>
关于第一实施方式的热敏打印头A1,参照图1~图6进行说明。如图1~图6所示,热敏打印头A1包括主基板1、连接基板5、多个导线61、62、多个驱动器IC7、保护树脂78和散热部件8。
热敏打印头A1是组装在对由压纸辊91输送来的印刷介质(省略图示)实施印刷的打印机中的部件。作为印刷介质,例如能够举例用于制作条码纸或收据的热敏纸。如图4所示,在热敏打印头A1中,主基板1和连接基板5在副扫描方向y上相邻地搭载在散热部件8上。在主基板1上,通过后文详细说明的结构,形成有在主扫描方向x上排列的多个发热部41。该发热部41通过搭载于连接基板5的驱动器IC7而有选择地被发热驱动,按照经由连接器59从外部发送来的印字信号,对被压纸辊91按压于发热部41的印刷介质进行印字。
图1是表示热敏打印头A1的平面图。图2是表示热敏打印头A1的主要部分放大平面图。图3是表示热敏打印头A1的主要部分放大平面图。图4是沿着图1的IV-IV线的截面图。图5是将图4的一部分放大的部分放大截面图。图6是将图4的一部分放大的部分放大截面图。在图1~图3中省略了保护层2。在图1和图2中省略了保护树脂78。在图1和图2中省略了导线61。为了便于理解,在图1~图6中,将主扫描方向作为x方向,将副扫描方向作为y方向,将主基板1的厚度方向作为z方向。在印刷时,印刷介质向副扫描方向y的图中箭头所指的方向输送。在副扫描方向y上,将图中箭头所指的方向作为下游,将其相反方向作为上游。另外,在厚度方向z上,将图中箭头所指的方向作为上方,将其相反方向作为下方。
主基板1如图1~图6所示,包括基材10、蓄热层15、绝缘层19、保护层2、电极层3和电阻体层4。
基材10由单晶半导体形成。作为单晶半导体,优选Si。基材10如图1所示,在厚度方向z上看是以主扫描方向x为长边方向、副扫描方向y为短边方向的细长矩形状。基材10的大小没有特别的限定,举一个例子,主扫描方向x的尺寸例如为40mm以上且150mm以下,副扫描方向y的尺寸例如为1.0mm以上且5.0mm以下,厚度方向z的尺寸例如为725μm。在基材10中,副扫描方向y的靠近驱动器IC7的一侧为上游侧,远离驱动器IC7的一侧为下游侧。印刷介质通过压纸辊91从副扫描方向y的上游侧向下游侧被输送。
基材10如图1、图2、图5和图6所示具有主面11和凸部12。主面11朝向厚度方向z的上方。在本发明中,主面11沿着x-y平面扩展,是与x-y平面大致平行的平面。主面11为(100)面(基于米勒指数显示。以下同样。)。凸部12从主面11向厚度方向z突出。凸部12在主扫描方向x上延伸。凸部12形成在主面11的偏靠下游侧。凸部12沿着y-z平面的截面的形状与在主扫描方向x上相同。以下,将沿着y-z平面的截面称为“y-z截面”。凸部12在厚度方向z下方侧的端部中的副扫描方向y的尺寸H1例如为500μm,在厚度方向上方侧的端部中的副扫描方向y的尺寸H3例如为200μm。另外,凸部12在厚度方向z的尺寸H2例如为150μm。各尺寸H1、H2、H3不限于上述的例子。凸部12如图6所示,包括顶部13和一对倾斜部14。
顶部13如图5和图6所示,是凸部12之中的、从主面11起在厚度方向z的距离相对较大的部分。顶部13具有与主面11平行的顶面131。顶面131为大致平面。顶面131在厚度方向z上看,是在主扫描方向x上较长地延伸的细长矩形形状。上述尺寸H2为顶面131与主面11的在厚度方向z上的分离距离。
一对倾斜部14如图5和图6所示,是凸部12之中的、以从顶部13起在副扫描方向y上越远离越变低的方式相对于主面11和顶面131倾斜的部分。一对倾斜部14分别连接主面11与顶部13,并在副扫描方向y上被它们夹着。一对倾斜部14相对于顶部13具有上游侧的倾斜部14和下游侧的倾斜部14。一对倾斜部14分别具有相对于主面11和顶面131倾斜的倾斜面141。各倾斜面141为大致平面。相对于主面11的各倾斜面141的倾斜角α1例如为54.7度。各倾斜面141为(111)面。
蓄热层15例如是由非晶质玻璃等的玻璃材料形成的釉。该釉(蓄热层15)例如通过对玻璃膏进行烧制而形成。如图5和图6所示,蓄热层15配置在凸部12的顶部13上。蓄热层15与顶面131接触,在本实施方式中,蓄热层15与倾斜面141不接触。此外,蓄热层15也可以与顶面131和倾斜面141这两者接触。即,蓄热层15也可以从顶面131(顶部13)跨一对倾斜面141的一方或者双方(倾斜部14)地形成。蓄热层15在主扫描方向x上延伸,遍及顶面131的副扫描方向y的整个宽度地形成。蓄热层15的厚度(最大厚度)例如为10μm以上且200μm以下(优选30μm以上且50μm以下)。
如图6所示,在蓄热层15,在其上表面中在副扫描方向y两端形成有一对圆弧部151。一对圆弧部151分别为以隆起的方式弯曲的部分。通过一对圆弧部151,使蓄热层15的表面顺滑地连接到一对倾斜部14(凸部12)的各倾斜面141。各圆弧部151通过在形成蓄热层15时对玻璃膏进行烧制而形成。在图6的例示中,蓄热层15的上表面,在副扫描方向y上在一对圆弧部151之间插设有大致平坦的面,但也可以没有该大致平坦的面,而是一对圆弧部151彼此相连。在该情况下,蓄热层15的上表面为向厚度方向z上方弯曲的凸面。
绝缘层19如图5和图6所示,形成在基材10的主面11上,覆盖基材10和蓄热层15。绝缘层19与主面11、凸部12的一对倾斜面141和蓄热层15的上表面接触。绝缘层19由绝缘性材料形成,例如由SiO2、SiN(氮化硅)或者TEOS(原硅酸四乙酯)形成,优选的是采用TEOS。绝缘层19的厚度没有特别的限定,例如为1μm以上且10μm以下。
电阻体层4如图5和图6所示,形成在绝缘层19上,覆盖绝缘层19。电阻体层4隔着绝缘层19遍及主面11和凸部12地形成。电阻体层4例如由TaN(氮化钽)形成。电阻体层4也可以不是TaN、而由TiSiO2或者TaSiN等形成。电阻体层4的厚度没有特别的限定,例如为0.02μm以上且0.1μm以下(优选为0.08μm左右)。
电阻体层4如图3、图5和图6所示,包括多个发热部41。多个发热部41为电阻体层4之中的不被后述的电极层3覆盖而露出的部分。多个发热部41在主扫描方向x上排列,其在副扫描方向y上的形成区域为包括凸部12的顶部13(顶面131)的副扫描方向y的一部分或者全部的区域。
电极层3构成用于对多个发热部41通电的导通通路。电极层3层叠于电阻体层4,被基材10支承。电极层3由电阻值比电阻体层4小的金属材料形成,例如由Cu(铜)形成。电极层3可以是Cu层与Ti(钛)层层叠的结构。在该情况下,Ti层插设在Cu层与电阻体层4之间,例如厚度为100nm左右。电极层3的厚度没有特别的限定,例如为0.3μm以上且2.0μm以下。
电极层3如图2、图3、图5和图6所示,包括多个独立电极31和公共电极32。电阻体层4之中的在多个独立电极31与公共电极32之间从电极层3露出的部分成为多个发热部41。在厚度方向z方向看的各独立电极31和公共电极32的各形状即各独立电极31和公共电极32的形成区域不限于图2和图3的例示。
多个独立电极31分别为大致在副扫描方向y上延伸的带状。各独立电极31配置在比各发热部41靠副扫描方向y上游侧。如图3和图6中所示,在本实施方式中,各独立电极31的副扫描方向y下游侧的前端延伸至副扫描方向y上游侧的倾斜部14,但该前端也可以延伸至顶部13。在各独立电极31的副扫描方向y上游侧的前端形成有电极焊盘部311。电极焊盘部311为与搭载在连接基板5的驱动器IC7经由导线61连接的部分。各独立电极31为“上游侧导电层”的一例。
公共电极32如图2和图3所示,包含公共部323和多个梳齿部324。公共部323将多个梳齿部324公共地相连。公共部323在主扫描方向x上延伸。公共部323位于多个梳齿部324的副扫描方向y下游侧。各梳齿部324是从公共部323的上游侧的端缘在副扫描方向y上延伸的带状。多个梳齿部324彼此隔开间隔,并且在主扫描方向x上排列。各梳齿部324的副扫描方向y上游侧的前端,相对于各独立电极31的前端隔开规定间隔地相对。由此,在各梳齿部324的副扫描方向y上游侧的前端与各独立电极31的副扫描方向y下游侧的前端之间,电阻体层4从电极层3露出。如图3和图6中所示,各梳齿部324的副扫描方向y上游侧的前端延伸至副扫描方向y下游侧的倾斜部14,但该前端也可以延伸至顶部13。各梳齿部324的副扫描方向y下游侧部分与公共部323如图2所示,形成在主面11上。此外,梳齿部324也可以不形成在主面11而形成在倾斜面141(倾斜部14),公共部323也可以不形成在主面11而形成在倾斜面141(倾斜部14)。公共电极32为“下游侧导电层”的一例。
保护层2如图5和图6所示,覆盖电极层3和电阻体层4。保护层2由绝缘性的材料形成,例如由SiO2、SiN、SiC(碳化硅)、AlN(氮化铝)的任一者或者它们的2个以上的层叠体形成。保护层2的厚度例如为1.0μm以上且10μm以下。
保护层2如图5所示,具有在厚度方向z上贯通的焊盘用开口21。焊盘用开口21使设置在多个独立电极31的电极焊盘部311分别露出。
连接基板5如图1和图4所示,相对于主基板1在副扫描方向y上游侧相邻地配置。连接基板5例如为PCB基板。连接基板5如图1和图4所示,搭载有驱动器IC7和连接器59。连接基板5例如如图1所示,在厚度方向z看为以主扫描方向x为长边方向的矩形形状。
连接器59为了将热敏打印头A1连接于打印机(省略图示)而使用。连接器59如图4所示,安装在连接基板5,并与连接基板5的配线图案(省略图示)连接。
驱动器IC7如图1和图4所示,搭载在连接基板5上,为了使多个发热部41独立地通电而设置。驱动器IC7如图4和图5所示,通过多个导线61与各独立电极31的各电极焊盘部311分别连接。驱动器IC7经由多个导线62与形成在连接基板5上的配线图案连接。对驱动器IC7输入经由连接器59从外部发送来的印字信号。多个发热部41按照印字信号被独立地通电,由此而使其有选择地发热。
驱动器IC7和多个导线61、62如图4和图5所示,被以跨主基板1和连接基板5的方式形成的保护树脂78覆盖。保护树脂78能够使用环氧树脂等的黑色的绝缘性材料。
散热部件8如图4所示,支承主基板1和连接基板5,为了将由多个发热部41产生的热的一部分向外部散热而设置。散热部件8例如为铝等的金属制。
接着,关于热敏打印头A1的制造方法的一例,参照图7~图14进行说明。图7~图14分别表示热敏打印头A1的制造方法的一个工序的截面图,与图6所示的截面对应。
首先,如图7所示准备基材10A。基材10A由单晶半导体形成,例如为Si晶片。基材10A具有主面11A。主面11A是大致平坦的,朝向厚度方向z的上方。主面11A为(100)面。该工序为“准备工序”的一例。
接着,如图8所示形成凸部12。在形成凸部12的工序(凸部形成工序)中,在主面11A的一部分(例如图7中用假想线表示的区域)形成规定的掩模层。并且,进行例如使用了碱性水溶液的各向异性蚀刻。作为该碱性水溶液,例如能够举例KOH(氢氧化钾)或TMAH(四甲基氢氧化铵)等。由此,如图8所示,由基材10A形成具有主面11和凸部12的基材10。主面11与主面11A相同为(100)面。凸部12包括具有顶面131的顶部13和分别具有倾斜面141的一对倾斜部14。一对倾斜面141分别为(111)面,相对于主面11和顶面131倾斜。各倾斜面141的倾斜角α1例如为54.7度。之后,除去上述的掩模层。该凸部形成工序为“蚀刻工序”的一例。
接着,如图9和图10所示形成蓄热层15。在形成蓄热层15的工序(蓄热层形成工序)中,首先,如图9所示,在凸部12的顶面131(顶部13)上,例如将玻璃膏15A进行丝网印刷或者滴注涂布。在该时刻,如图9所示,玻璃膏15A在主扫描方向x看厚度大致均等,且y-z截面为矩形形状,但也可以是副扫描方向y两端部分的表面弯曲的半圆柱形状。此外,在顶面131上形成了玻璃膏15A时,优选形成精度比较高的滴注涂布。之后,通过烧制玻璃膏15A,如图10所示,形成蓄热层15。该工序为“釉形成工序”的一例。所形成的蓄热层15在其表面的副扫描方向y两端部分形成有圆弧部151。
接着,如图11所示形成绝缘层19。绝缘层19的形成通过例如使用CVD使TEOS堆积来进行。绝缘层19覆盖主面11、凸部12的一对倾斜部14(倾斜面141)和蓄热层15。
接着,如图12所示形成电阻体膜4A。电阻体膜4A的形成通过例如利用溅射在绝缘层19上形成TaN的薄膜来进行。电阻体膜4A覆盖绝缘层19的整面。
接着,如图13所示形成导电膜3A。导电膜3A的形成通过例如利用镀覆或者溅射形成由Cu构成的层来进行。导电膜3A覆盖电阻体膜4A的整面。此外,导电膜3A的形成时,也可以是在电阻体膜4A上形成Ti层后,形成Cu层的结构。
接着,如图14所示,对导电膜3A和电阻体膜4A实施有选择的蚀刻,由此将导电膜3A和电阻体膜4A部分地除去。由此,形成在主扫描方向x上分离的电阻体层4和以剩余多个发热部41的方式覆盖电阻体层4的多个独立电极31及公共电极32。电阻体膜4A的形成,导电膜3A的形成和导电膜3A及电阻体膜4A的部分除去加在一起的工序作为“发热部形成工序”的一例。
接着,形成保护层2。保护层2的形成通过例如利用CVD,在绝缘层19、电极层3和电阻体层4各自之上例如使SiN堆积来进行。之后,为了形成焊盘用开口21,将保护层2通过蚀刻等部分地除去。
并且,通过进行向散热部件8上的主基板1和连接基板5的组装、向连接基板5的驱动器IC7的搭载、多个导线61、62的键合、保护树脂78的形成等,制造图1~图6所示的热敏打印头A1。
上述的制造方法是一个例子,但并不限定于此。例如,在形成凸部12之前形成玻璃膏(印刷或者涂布),并对该玻璃膏进行烧制。然后,也可以将玻璃膏的烧制体作为掩模层来进行各向异性蚀刻。关于该变形例涉及的制造方法,参照图15~图19进行说明。图15~图19分别是表示本变形例的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。
在本变形例的制造方法中,首先,与上述制造方法同样地准备图7所示的基材10A。
接着,如图15所示,在基材10A的主面11A的整面(或者局部地)将玻璃膏进行丝网印刷(或者は滴注涂布),通过使其干燥,形成釉层150A。该釉层150A是玻璃膏干燥了的状态的层,厚度例如为20μm以上且400μm以下(优选为60μm以上且100μm以下)。在本工序中,为了将主面11A的整面用玻璃膏覆盖,优选丝网印刷,但也可以是滴注涂布。
接着,如图16所示,对于釉层150A的表面利用例如光刻法附着抗蚀剂159。抗蚀剂159的形成区域,与热敏打印头A1中的应成为上述凸部12的顶部13(顶面131)的区域对应。
接着,如图17所示,将抗蚀剂159作为掩模对釉层150A实施湿蚀刻,将釉层150A之中没有被抗蚀剂159覆盖的区域的釉层150A除去。
接着,如图18所示,除去抗蚀剂159。此外,在形成上述的釉层150A的工序(参照图15)中,在局部地形成釉层150A(玻璃膏)的情况下,不需要图16所示的抗蚀剂159的形成、图17所示的釉层150A的部分除去和本工序的抗蚀剂159的除去的各处理。并且,通过对釉层150A进行烧制,使釉层150A成为釉中间体150B。
接着,如图19所示,将釉中间体150B作为掩模,对基材10A进行使用碱性水溶液(例如KOH或TMAH)的各向异性蚀刻。由此,从基材10A形成基材10,形成在主扫描方向x上以大致相同截面延伸的凸部12。凸部12包含上述的顶部13和一对倾斜部14。该工序为“蚀刻工序”的一例。
接着,通过将釉中间体150B进行再烧制,形成蓄热层15(釉)(参照图10)。蓄热层15形成在凸部12(顶部13)上,在副扫描方向y两端形成有表面与一对倾斜面141顺滑地相连的一对圆弧部151。
之后,与上述制造方法同样地,依次地经由绝缘层19的形成(参照图11)、电阻体膜4A的形成(参照图12)、导电膜3A的形成(参照图13)、导电膜3A和电阻体膜4A的部分除去(参照图14)和保护层2的形成处理,由此形成热敏打印头A1。
第一实施方式的热敏打印头A1的作用效果如以下所述。
热敏打印头A1中,具有在基材10与电阻体层4之间形成的蓄热层15。电阻体层4包括多个发热部41。即,在多个发热部41与基材10之间形成有蓄热层15。作为基材10的材料的Si晶片,其导热性比较良好,在不具有蓄热层15的结构中,由于各发热部41产生的热无益地向散热部件8漏出,因此不适合于低功率下的印字。另一方面,热敏打印头A1由于在发热部41的下方形成充分的厚度的蓄热层15,能够防止发热部41产生的热无益地漏出,能够有效地提高发热部41的温度。由此,热敏打印头A1适合于低功率下的印字。
而且,蓄热层15为由玻璃材料形成的釉,该釉通过对玻璃膏进行烧制而形成。因此,与例如利用CVD使作为蓄热层的SiO2附着而形成的方法相比较,能够以压倒性的厚度且在压倒性的短时间内形成,因此,其对热敏打印头A1的制造效率的提高和成本降低有很大的贡献。
在热敏打印头A1中,基材10具有凸部12,多个发热部41形成在凸部12的顶部13(顶面131)上。由此,印刷介质经由压纸辊91被可靠地按压在发热部41。另外,凸部12由于通过对单晶半导体实施各向异性蚀刻而形成,因此其y-z截面关于主扫描方向x成为相同的。即,印刷介质相对于发热部41的按压接触状态在主扫描方向x各处是一定的。因为该结构即使主基板1的制造批次不同也不会改变,所以能够抑制印字品质的不一致。
<第一实施方式的各变形例>
关于第一实施方式的变形例的热敏打印头,参照图20~图23进行说明。
图20是表示第一实施方式的第一变形例的热敏打印头A2。图20为热敏打印头A2的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头A2与热敏打印头A1不同,在顶部13形成有槽部132。
槽部132如图20所示,从顶部13的顶面131凹陷。槽部132在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时为V字状。槽部132如图20所示具有一对倾斜面132A。一对倾斜面132A分别与顶面131相连。各倾斜面132A相对于主面11和顶面131倾斜。各倾斜面132A为(111)面,相对于顶面131的各倾斜面132A的倾斜角α2例如为54.7度。一对倾斜面132A其厚度方向z下方侧的端缘彼此相连,厚度方向z上方侧的端缘与顶面131相连。在槽部132填充有蓄热层15。
图21表示第一实施方式的第二变形例的热敏打印头A3。图21为热敏打印头A3的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头A3与热敏打印头A1不同,在顶部13形成有槽部133。
槽部133如图21所示,从顶部13的顶面131凹陷。槽部133在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时为梯形形状。槽部133如图21所示具有一对倾斜面133A和底面133B。一对倾斜面133A分别与顶面131和底面133B相连。各倾斜面133A相对于主面11和顶面131倾斜。各倾斜面133A为(111)面,相对于顶面131的各倾斜面132A的倾斜角α3例如为54.7度。一对倾斜面133A位于槽部133的副扫描方向y两端。底面133B在副扫描方向y上被一对倾斜面133A夹着。底面133B与x-y平面大致平行。在槽部133填充有蓄热层15。
图22表示第一实施方式的第三变形例的热敏打印头A4。图22为热敏打印头A4的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头A4与热敏打印头A1不同,在顶部13形成有多个槽部134。
多个槽部134分别如图22所示,从顶部13的顶面131凹陷。各槽部134在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时为V字状。多个槽部134与顶面131在副扫描方向y上交替地排列。由于多个槽部134,顶部13在主扫描方向x看(y-z截面)时为锯齿状。多个槽部134分别如图22所示具有一对倾斜面134A。一对倾斜面134A分别与顶面131相连。各倾斜面134A相对于主面11和顶面131倾斜。各倾斜面134A为(111)面,相对于顶面131的各倾斜面134A的倾斜角α4例如为54.7度。一对倾斜面134A位于各槽部134的副扫描方向y两端。在槽部134填充有蓄热层15。
图23表示第一实施方式的第四变形例的热敏打印头A5。图23为热敏打印头A5的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头A5与热敏打印头A1不同,在凸部12的顶部13存在阶差。该顶部13如图23所示,具有第一顶面135、第二顶面136和连结面137。
第一顶面135和第二顶面136分别与主面11大致平行。第二顶面136在厚度方向z上位于比第一顶面135更靠主面11,且在副扫描方向y上位于比第一顶面135更靠下游侧。第一顶面135与副扫描方向y上游侧的倾斜面141相连,第二顶面136与副扫描方向y下游侧的倾斜面141相连。第一顶面135和第二顶面136分别为(100)面。
连结面137与第一顶面135和第二顶面136相连,在副扫描方向y上被它们夹着。连结面137相对于第一顶面135和第二顶面136的每一者倾斜。连结面137为(111)面,相对于第一顶面135的连结面137的倾斜角α5例如为54.7度。
在热敏打印头A5中,如图23所示,各独立电极31的副扫描方向y下游侧的前端延伸至顶部13,公共电极32的各梳齿部324的副扫描方向y上游侧的前端,与热敏打印头A1同样地延伸至倾斜部14。
热敏打印头A2~A5中的凸部12(顶部13),即具有各槽部132~134的凸部12和具有阶差的凸部12分别例如按以下所述方式形成。在具有各槽部132~134的凸部12(参照热敏打印头A2~A4)的形成方法中,在上述凸部形成工序(参照图8)之后且上述釉形成工序(参照图9和图10)之前,在顶面131之中的槽部132~134的形成区域以外形成掩模层。并且,通过进行使用了碱性水溶液(例如KOH或TMAH等)的各向异性蚀刻,在凸部12(顶部13)形成槽部132~134。该工序为“蚀刻工序”的一例。另外,在具有阶差的凸部12(参照热敏打印头A5)的形成方法中,在上述凸部形成工序(参在图8)之后且在上述釉形成工序(参照图9和图10)之前,在顶面131之中的第一顶面135的形成区域形成掩模层。并且,通过进行使用了碱性水溶液(例如KOH或TMAH等)的各向异性蚀刻,在凸部12(顶部13)形成第一顶面135、第二顶面136和连结面137(即,阶差)。第一变形例至第四变形例的凸部12(各槽部132~134和阶差构造)根据掩模层的形成区域的配置或大小、以及蚀刻时间等而适当形成。此外,在具有各槽部132~134的凸部12的形成方法中,也可以在凸部形成工序(参照图8)之前,在基材10A的主面11A预先形成各槽部132~134。另外,具有各槽部132、134的凸部12的形成方法,也可以将各槽部132、134的形成和凸部形成工序一并进行。
在热敏打印头A2~A5中,也能够起到与热敏打印头A1同样的效果。并且,热敏打印头A2~A5分别通过形成在顶部13的槽部132~134或者阶差构造,蓄热层15的厚度局部地比热敏打印头A1的蓄热层15的厚度相对较大。因此,热敏打印头A2~A5与热敏打印头A1相比能够进一步提高蓄热性能。
在热敏打印头A5中,在主扫描方向x看,在副扫描方向y的上游侧与下游侧,蓄热层15的厚度不同。即,蓄热层15在副扫描方向y上,在上游侧和下游侧的蓄热性能存在差异。因此,如图23所示,通过适当调整电极层3(各独立电极31和公共电极32的各梳齿部324)的形成范围,能够不损失蓄热性能地使各发热部41中的发热中心向副扫描方向y下游侧偏移。由此,能够将各发热部41的发热中心例如配置在圆弧部151上,所以热敏打印头A5能够应对直通式打印(straight pass)。
<第二实施方式>
关于第二实施方式的热敏打印头B1参照图24进行说明。图24是表示热敏打印头B1的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头B1与热敏打印头A1不同,凸部12中的一对倾斜部14分别2阶段地倾斜。
一对倾斜部14分别如图24所示,具有第一倾斜面142和第二倾斜面143。第一倾斜面142和第二倾斜面143在副扫描方向y上排列。第一倾斜面142和第二倾斜面143相对于主面11的倾斜角相互不同。第一倾斜面142相对于主面11的倾斜角α6例如为54.7度。另一方面,第二倾斜面143相对于主面11的倾斜角α7例如为30.1度。第一倾斜面142与主面11和第二倾斜面143相连,并被它们夹着。第二倾斜面143与第一倾斜面142和顶面131(顶部13)相连,并被它们夹着。第一倾斜面142为(111)面。
热敏打印头B1中的凸部12,例如在热敏打印头A1的制造方法中的凸部形成工序(参照图8)之后,进一步,通过再一次实施利用碱性水溶液进行的蚀刻而形成。该碱性水溶液使用KOH或者TMAH。具体而言,如图8所示在形成凸部12之后,对该凸部12实施基于碱性水溶液进行的各向异性蚀刻。由此,在图25中点描画的部分的基材10被除去,分别形成具有第一倾斜面142和第二倾斜面143的一对倾斜部14。将形成凸部12的工序和在其后实施各向异性蚀刻的工序加在一起作为“蚀刻工序”的一例。
第二实施方式的热敏打印头B1的作用及效果如下所述。
热敏打印头B1中也与热敏打印头A1同样地,由于在发热部41的下方形成充分的厚度的蓄热层15,能够防止发热部41产生的热的无益的漏出,所以能够高效地提高发热部41的温度。即,热敏打印头B1能够适用于低功率下的印字。另外,蓄热层15通过对玻璃膏进行烧制而形成,因此能够以充分的厚度并且在短时间内形成。除此以外,热敏打印头B1通过与热敏打印头A1共同的结构,能够起到与热敏打印头A1同样的效果。
热敏打印头B1中,在凸部12中,一对倾斜部14分别2阶段地倾斜。即,各倾斜部14具有相对于主面11的倾斜角不同的第一倾斜面142和第二倾斜面143。相对于主面11的第二倾斜面143的倾斜角α7,比相对于主面11的第一倾斜面142的倾斜角α6小。因此,热敏打印头B1的凸部12能够使与顶面131相连的倾斜面的倾斜角比热敏打印头A1的凸部12小。该倾斜面在热敏打印头B1中为第二倾斜面143,在热敏打印头A1中为倾斜面141。基于该结构,利用压纸辊91输送印刷介质时,能够抑制向凸部12的触碰。由此,对防止纸屑等的附着、防止保护层2的磨耗和印字品质的提高有贡献。
<第二实施方式的各变形例>
关于第二实施方式的变形例的热敏打印头,参照图26~图29进行说明。
图26表示第二实施方式的第一变形例的热敏打印头B2。图26为热敏打印头B2的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头B2与热敏打印头A2同样地在顶部13形成有槽部132。
图27表示第二实施方式的第二变形例的热敏打印头B3。图27为热敏打印头B3的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头B3与热敏打印头A3同样地在顶部13形成有槽部133。
图28表示第二实施方式的第三变形例的热敏打印头B4。图28为热敏打印头B4的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头B4与热敏打印头A4同样地在顶部13形成有多个槽部134。
图29表示第二实施方式的第三变形例的热敏打印头B5。图29为热敏打印头B5的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头B5与热敏打印头A5同样地在顶部13存在阶差。即,热敏打印头B5的顶部13具有第一顶面135、第二顶面136和连结面137。
热敏打印头B2~B5分别起到与热敏打印头B1同样的效果。并且,热敏打印头B2~B5分别局部地与热敏打印头B1相比蓄热层15的厚度相对较大,因此蓄热性能提高。另外,在热敏打印头B5中,与热敏打印头A5同样地能够使各发热部41的中心偏向下游侧,所以能够应对直通式打印。
第二实施方式(包含各变形例)中,表示了蓄热层15形成在顶部13上的情况,但并不限定于此。蓄热层15例如也可以形成在倾斜部14的一对第二倾斜面143的一方或者双方上。即,蓄热层15也可以从顶面131(顶部13)跨第二倾斜面143(倾斜部14)地形成。并且,也可以在倾斜部14的一对第一倾斜面142的一方或者双方上形成。即,蓄热层15也可以从顶面131(顶部13)跨第二倾斜面143和第一倾斜面142(倾斜部14)地形成。图30为表示这样的变形例的热敏打印头的一例的主要部分放大截面图,表示了例如蓄热层15从顶部13之上跨副扫描方向y下游侧的第二倾斜面143之上地形成的情况。图30为表示本变形例的热敏打印头的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。通过形成这样的结构,使各发热部41的发热中心向副扫描方向y下游侧偏移,也能够应对直通式打印。
<第三实施方式>
关于第三实施方式的热敏打印头C1参照图31进行说明。图31是表示热敏打印头C1的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。
热敏打印头C1与热敏打印头A1不同,基材10不包括凸部12,但在基材10形成有从主面11凹陷的槽部171。槽部171从主面11在厚度方向z上凹陷。槽部171在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时呈V字状。蓄热层15被填充于该槽部171,并且从主面11隆起。槽部171如图31所示具有一对倾斜面171A。一对倾斜面171A相对于主面11倾斜。各倾斜面171A为(111)面,相对于主面11的各171A的倾斜角α8例如为54.7度。一对倾斜面171A其厚度方向z下方侧的端缘彼此相连,其厚度方向z上方侧的端缘与主面11相连。在槽部171填充有蓄热层15。蓄热层15如图31所示,从主面11隆起。
热敏打印头C1的基材10如图32所示,准备基材10A,在主面11A上形成了规定的掩模层109之后,进行各向异性蚀刻。通过该各向异性蚀刻,除去图32的点描画的部分的基材10A,从基材10A形成具有槽部171的基材10。该工序为“蚀刻工序”的一例。之后以填满槽部171的方式形成玻璃膏(丝网印刷或者滴注涂布等),通过进行烧制形成蓄热层15。该工序为“釉形成工序”的一例。并且,通过依次地进行电阻体膜4A的形成、导电膜3A的形成、导电膜3A和电阻体膜4A的部分除去和保护层2的形成,形成图31所示的热敏打印头C1。
第三实施方式的热敏打印头C1的作用及效果如下所述。
在热敏打印头C1中也与热敏打印头A1同样地,在发热部41的下方形成充分的厚度的蓄热层15,因此能够防止发热部41产生的热的无益的漏出,能够有效地提高发热部41的温度。即,热敏打印头C1适合于低功率下的印字。另外,由于蓄热层15通过对玻璃膏进行烧制而形成,因此能够以充分的厚度且短时间形成。此外,热敏打印头C1通过与热敏打印头A1共同的结构,能够起到与热敏打印头A1同样的效果。
<第三实施方式的各变形例>
关于第三实施方式的变形例的热敏打印头,参照图33和图34进行说明。
图33表示了第三实施方式的第一变形例的热敏打印头C2。图33为热敏打印头C2的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头C2与热敏打印头C1不同,在基材10中代替槽部171而形成有槽部172。
槽部172从主面11在厚度方向z上凹陷。槽部172在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时为梯形形状。槽部172如图33所示,具有一对倾斜面172A和底面172B。一对倾斜面172A分别相对于主面11和底面172B倾斜。各倾斜面172A为(111)面,相对于主面11的各倾斜面172A的各倾斜角α9例如为54.7度。一对倾斜面172A位于槽部172的副扫描方向y两端。底面172B在副扫描方向y上被一对倾斜面172A夹着。底面172B与主面11大致平行。在槽部172填充有蓄热层15。
图34表示第三实施方式的第二变形例的热敏打印头C3。图34为热敏打印头C3的主要部分放大截面图,与图6所示的截面对应。热敏打印头C3与热敏打印头C1不同,在基材10中,代替槽部171而形成有多个槽部173。
多个槽部173分别从主面11在厚度方向z上凹陷。各槽部173在主扫描方向x上延伸,在主扫描方向x看(y-z截面)时为V字状。多个槽部173和主面11在副扫描方向y上交替地排列。多个槽部173分别如图34所示具有一对倾斜面173A。一对倾斜面173A分别与主面11相连。一对倾斜面173A分别相对于主面11倾斜。各倾斜面173A为(111)面,相对于主面11的各倾斜面173A的倾斜角α10例如为54.7度。
在第一实施方式至第三实施方式(包括它们的各变形例を含む)中,表示了蓄热层15形成在基材10与绝缘层19之间的情况,但不限于此。例如也可以形成在绝缘层19与电阻体层4之间。即,也可以在基材10上依次层叠有绝缘层19、蓄热层15、电阻体层4。图35是表示这样的变形例的热敏打印头的一例的主要部分放大截面图,表示了例如在热敏打印头A1的基材10上依次地层叠绝缘层19、蓄热层15、电阻体层4(发热部41)的情况。在图35所示的热敏打印头中,绝缘层19也可以由使基材10热氧化而得到的SiO2膜构成。
在第一实施方式至第三实施方式(包含它们的各变形例)中,表示了公共电极32和多个独立电极31在俯视时,夹着多个发热部41配置在副扫描方向y的两侧的情况(参照图3和图6),但不限于此。例如,也可以公共电极32和多个独立电极31在副扫描方向y上,配置在以多个发热部41为基准的同侧。
本发明的热敏打印头和热敏打印头的制造方法不限于上述的实施方式。本发明的热敏打印头的各部的具体结构和本发明的热敏打印头的制造方法的各工序的具体处理,能够进行各种设计变更。
本发明的热敏打印头和热敏打印头的制造方法包括以下的附记涉及的实施方式。
[附记1]
一种热敏打印头,其包括:
基材,其具有朝向厚度方向的一方的主面,且由单晶半导体形成;
电阻体层,其形成在所述主面之上,并且包括在主扫描方向上排列的多个发热部;
形成在所述基材与所述电阻体层之间的绝缘层;和
形成在所述基材与所述多个发热部之间的蓄热层,
所述蓄热层为由玻璃材料形成的釉。
[附记2]
如附记1中记载的热敏打印头,
所述基材还包括从所述主面突出且在所述主扫描方向上延伸的凸部,
所述蓄热层形成在所述凸部的顶部,
所述电阻体层跨所述主面、所述凸部和所述蓄热层地形成,
所述多个发热部分别配置在比所述顶部靠所述厚度方向的一方侧。
[附记3]
附记2中记载的热敏打印头,
所述顶部具有与所述主面平行的顶面。
[附记4]
附记3中记载的热敏打印头,
所述顶部还具有从所述顶面凹陷的槽部,
在所述槽部填充有所述蓄热层。
[附记5]
附记2中记载的热敏打印头,
所述顶部具有分别与所述主面平行的第一顶面和第二顶面,以及将所述第一顶面与所述第二顶面相连的连结面,
所述第二顶面在所述厚度方向上比所述第一顶面靠近所述主面。
[附记6]
附记5中记载的热敏打印头,
所述连结面相对于所述第一顶面和所述第二顶面的每一者倾斜。
[附记7]
附记5或附记6中记载的热敏打印头,
所述第二顶面位于比所述第一顶面靠副扫描方向的下游侧。
[附记8]
附记2至附记7中任一项记载的热敏打印头,
所述蓄热层遍及所述顶部的副扫描方向的整个宽度地形成。
[附记9]
附记2至附记8中任一项记载的热敏打印头,
所述凸部具有将所述顶部与所述主面相连且相对于所述主面倾斜的倾斜部。
[附记10]
附记9中记载的热敏打印头,
所述蓄热层从所述凸部的顶部跨所述倾斜部地形成。
[附记11]
附记9或附记10中记载的热敏打印头,
所述倾斜部具有彼此相连的第一倾斜面和第二倾斜面,
所述第一倾斜面与所述主面相连,并且被所述主面与所述第二倾斜面夹着,
所述第二倾斜面与所述顶部相连,并且被所述第一倾斜面与所述顶部夹着,
相对于所述主面的所述第二倾斜面的倾斜角,比相对于所述主面的所述第一倾斜面的倾斜角小。
[附记12]
附记1中记载的热敏打印头,
所述基材还具有从所述主面凹陷的槽部,
在所述槽部填充有所述蓄热层。
[附记13]
附记1至附记12中任一项记载的热敏打印头,
所述蓄热层以该蓄热层的上表面中的副扫描方向的两端隆起的方式弯曲。
[附记14]
附记1至附记13中任一项记载的热敏打印头,
还具有彼此间能够经由所述电阻体层进行通电的上游侧导电层和下游侧导电层,
所述上游侧导电层和所述下游侧导电层以使所述电阻体层的一部分露出的方式层叠在所述电阻体层上,
所述多个发热部分别为所述电阻体层之中的从所述上游侧导电层和所述下游侧导电层露出的部分。
[附记15]
附记1至附记14中任一项记载的热敏打印头,
所述绝缘层覆盖所述蓄热层。
[附记16]
附记1至附记15中任一项记载的热敏打印头,
所述单晶半导体由Si形成,
所述主面为(100)面。
[附记17]
一种热敏打印头的制造方法,其包括:
准备工序,准备由单晶半导体形成的基材;
蚀刻工序,对所述基材实施各向异性蚀刻;
釉形成工序,在所述基材之上配置了玻璃膏后,通过对该玻璃膏进行烧制而形成规定厚度的釉;和
发热部形成工序,在所述釉之上形成在主扫描方向上排列的多个发热部。
[附记18]
附记17中记载的热敏打印头的制造方法,
所述蚀刻工序在所述釉形成工序之前执行,
在所述蚀刻工序中,通过所述各向异性蚀刻,在所述基材形成朝向厚度方向的一方的主面和从该主面突出的凸部,
在所述釉形成工序中,在所述凸部的顶部形成所述釉。
[附记19]
附记17中记载的热敏打印头的制造方法,
所述蚀刻工序在所述釉形成工序之后执行,
在所述蚀刻工序中,通过将所述釉作为掩模层来实施所述各向异性蚀刻,在所述基材形成朝向厚度方向的一方的主面和从该主面突出的凸部。
[附记20]
附记17中记载的热敏打印头的制造方法,
所述基材具有朝向厚度方向的一方的主面,
在所述蚀刻工序中,通过所述各向异性蚀刻,在所述基材形成从所述主面凹陷的槽部,
在所述釉形成工序中,以填充所述槽部并且从所述主面隆起的方式形成所述釉。
附图标记的说明
A1~A5、B1~B5、C1~C3:热敏打印头
1:主基板
10、10A:基材
109:掩模层
11、11A:主面
12:凸部
13:顶部
131:顶面
132、133、134:槽部
132A、133A、134A:倾斜面
133B:底面
135:第一顶面
136:第二顶面
137:连结面
14:倾斜部
141:倾斜面
142:第一倾斜面
143:第二倾斜面
15:蓄热层
15A:玻璃膏
150A:釉层
150B:釉中间体
151:圆弧部
159:抗蚀剂
171、172、173:槽部
171A、172A、173A:倾斜面
172B:底面
19:绝缘层
2:保护层
21:焊盘用开口
3:电极层
31:独立电极
311:电极焊盘部
32:公共电极
323:公共部
324:梳齿部
3A:导电膜4:电阻体层41:发热部4A:电阻体膜5:连接基板59:连接器61、62:导线7:驱动器IC78:保护树脂8:散热部件91:压纸辊。
Claims (16)
1.一种热敏打印头,其特征在于,包括:
基材,其具有朝向厚度方向的一方的主面,且由单晶半导体形成;
电阻体层,其形成在所述主面之上,并且包括在主扫描方向上排列的多个发热部;
形成在所述基材与所述电阻体层之间的绝缘层;和
形成在所述基材与所述多个发热部之间的蓄热层,
所述蓄热层为由玻璃材料形成的釉,
所述基材还包括从所述主面突出且在所述主扫描方向上延伸的凸部,
所述蓄热层形成在所述凸部的顶部,
所述顶部具有:顶面,其包含分别与所述主面平行的第一顶面和第二顶面;以及将所述第一顶面与所述第二顶面相连的连结面,
所述第二顶面在所述厚度方向上比所述第一顶面靠近所述主面。
2.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:
所述电阻体层跨所述主面、所述凸部和所述蓄热层地形成,
在所述厚度方向上看,所述多个发热部分别与所述顶部重叠。
3.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:
所述顶部还具有从所述顶面凹陷的槽部,
在所述槽部填充有所述蓄热层。
4.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:
所述连结面相对于所述第一顶面和所述第二顶面的每一者倾斜。
5.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:
所述第二顶面位于比所述第一顶面靠副扫描方向的下游侧。
6.如权利要求2~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述蓄热层遍及所述顶面的副扫描方向的整个宽度地形成。
7.如权利要求2~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述凸部具有将所述顶部与所述主面相连且相对于所述主面倾斜的倾斜部。
8.如权利要求7所述的热敏打印头,其特征在于:
所述蓄热层从所述凸部的顶部跨所述倾斜部地形成。
9.如权利要求8所述的热敏打印头,其特征在于:
所述倾斜部具有彼此相连的第一倾斜面和第二倾斜面,
所述第一倾斜面与所述主面相连,并且被所述主面与所述第二倾斜面夹着,
所述第二倾斜面与所述顶部相连,并且被所述第一倾斜面与所述顶部夹着,
相对于所述主面的所述第二倾斜面的倾斜角,比相对于所述主面的所述第一倾斜面的倾斜角小。
10.如权利要求1~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述基材还具有从所述主面凹陷的槽部,
在所述槽部填充有所述蓄热层。
11.如权利要求1~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述蓄热层以该蓄热层的上表面中的副扫描方向的两端隆起的方式弯曲。
12.如权利要求1~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
还具有彼此间能够经由所述电阻体层进行通电的上游侧导电层和下游侧导电层,
所述上游侧导电层和所述下游侧导电层以使所述电阻体层的一部分露出的方式层叠在所述电阻体层上,
所述多个发热部分别为所述电阻体层之中的从所述上游侧导电层和所述下游侧导电层露出的部分。
13.如权利要求1~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述绝缘层覆盖所述蓄热层。
14.如权利要求1~5中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:
所述单晶半导体由Si形成,
所述主面为(100)面。
15.一种热敏打印头的制造方法,其特征在于,包括:
准备工序,准备由单晶半导体形成的基材;
蚀刻工序,对所述基材实施各向异性蚀刻;
釉形成工序,在所述基材之上配置了玻璃膏后,通过对该玻璃膏进行烧制而形成规定厚度的釉;和
发热部形成工序,在所述釉之上形成在主扫描方向上排列的多个发热部,
所述蚀刻工序在所述釉形成工序之后执行,
在所述蚀刻工序中,通过将所述釉作为掩模层来实施所述各向异性蚀刻,在所述基材形成朝向厚度方向的一方的主面和从该主面突出的凸部。
16.如权利要求15所述的热敏打印头的制造方法,其特征在于:
所述基材具有朝向厚度方向的一方的主面,
在所述蚀刻工序中,通过所述各向异性蚀刻,在所述基材形成从所述主面凹陷的槽部,
在所述釉形成工序中,以填充所述槽部并且从所述主面隆起的方式形成所述釉。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-008915 | 2020-01-23 | ||
JP2020008915 | 2020-01-23 | ||
PCT/JP2021/001292 WO2021149617A1 (ja) | 2020-01-23 | 2021-01-15 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115003510A CN115003510A (zh) | 2022-09-02 |
CN115003510B true CN115003510B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=76992252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180010463.4A Active CN115003510B (zh) | 2020-01-23 | 2021-01-15 | 热敏打印头和热敏打印头的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2021149617A1 (zh) |
CN (1) | CN115003510B (zh) |
WO (1) | WO2021149617A1 (zh) |
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- 2021-01-15 WO PCT/JP2021/001292 patent/WO2021149617A1/ja active Application Filing
- 2021-01-15 JP JP2021573130A patent/JPWO2021149617A1/ja active Pending
- 2021-01-15 CN CN202180010463.4A patent/CN115003510B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021149617A1 (ja) | 2021-07-29 |
CN115003510A (zh) | 2022-09-02 |
JPWO2021149617A1 (zh) | 2021-07-29 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |