CN115000098B - 显示面板及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供显示面板及制备方法，该显示面板包括：衬底、驱动电路层、多个发光单元、黑矩阵层；黑矩阵层位于相邻的发光单元之间；发光单元与驱动元件、公共电极以及信号走线错位设置；发光元件朝向量子点层发光，从而激发量子点层发光。本申请实施例提供了一种朝向衬底发光的全彩化的显示面板，并且通过对驱动晶体管和/或开关晶体管的电极进行改进，在发光单元朝向衬底出光时，通过驱动晶体管和/或开关晶体管的改进后的电极对于出光光线对于驱动晶体管的有源部和/或开关晶体管的有源部的影响，从而提高了本申请实施例提供的显示面板的出光效果，并减少了出光对于显示面板的器件上的影响。

Description

显示面板及制备方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及显示面板及制备方法。
背景技术
无机微发光二极管(Micro Light Emitting Diode, Micro LED）显示器是当今显示器研究领域的热点之一，与OLED显示器相比，Micro LED具有信赖性高、功耗低、亮度高及响应速度快等优点。在Micro LED显示器的制造中，实现无机微发光二极管显示器的显示全彩化一直是一个重要且迫切的研究方向。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是无机微发光二极管显示器的显示全彩化的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种显示面板，包括：
衬底；
驱动电路层，设置于所述衬底的一侧，所述驱动电路层包括多个驱动元件、多个公共电极以及多条信号走线；
多个发光单元，呈阵列设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；所述发光单元包括量子点层和发光元件；所述发光元件包括发光层、第一电极和第二电极；
黑矩阵层，设于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，且位于相邻的所述发光单元之间；
所述发光单元与所述驱动元件、所述公共电极以及所述信号走线错位设置；所述发光元件位于所述量子点层远离所述衬底的一侧；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光层背离所述衬底的一侧，使得所述发光元件朝向所述量子点层发光，从而激发所述量子点层发光；所述黑矩阵层具有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔延伸至所述驱动电路层使所述驱动元件暴露，所述第二开孔延伸至所述驱动电路层使所述公共电极暴露；所述第一电极通过所述第一开孔与所述驱动元件电连接，所述第二电极通过所述第二开孔与所述公共电极电连接。
优选地，所述黑矩阵层和所述发光单元直接设置于所述驱动电路层远离所述衬底的表面；或
所述显示面板还包括设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧的平坦层；所述黑矩阵层和所述发光单元设置于所述平坦层远离所述衬底的表面。
优选地，所述黑矩阵层的厚度大于所述发光单元的厚度且覆盖所述发光单元，所述黑矩阵层还具有使得所述第一电极暴露的第三开孔和使得所述第二电极暴露的第四开孔；或
所述黑矩阵层的厚度小于等于所述发光单元的厚度；所述显示面板还包括第一覆盖层，所述第一覆盖层覆盖所述黑矩阵层和所述发光单元；所述第一覆盖层具有使得所述第一电极暴露的第五开孔和使得所述第二电极暴露的第六开孔；所述第五开孔和所述第六开孔均贯穿所述第一覆盖层。
优选地，所述驱动元件包括：
驱动晶体管，设置于所述衬底的一侧；
其中，所述驱动晶体管至少包括第一有源部、第一栅极、第三电极和第四电极；所述第三电极和所述第四电极设置于所述第一有源部远离所述衬底的一侧，且沿着第一方向间隔设置于所述第一有源部的相对两侧；所述第三电极和/或所述第四电极具有第一突出部，所述第一突出部延伸至所述第一有源部在与所述第一方向垂直的第二方向的相对两侧，用于阻挡所述发光元件发出的光线对所述第一有源部的照射。
更优选地，所述第三电极和所述第四电极均设置有第一突出部，所述第三电极的第一突出部与所述第四电极的第一突出部错位设置且在所述第一有源部的侧面的投影部分重叠。
更优选地，所述驱动元件还包括开关晶体管，设置于所述驱动晶体管远离所述衬底的一侧；所述开关晶体管包括第二有源部、第二栅极、第五电极和第六电极；且所述第五电极和所述第六电极位于所述第二有源部靠近所述衬底的一侧。
更优选地，所述第五电极和所述第六电极沿着所述第一方向间隔设置于所述第二有源部的相对两侧，所述第五电极和/或所述第六电极具有第二突出部，所述第二突出部延伸至所述第二有源部在与所述第一方向垂直的第二方向的相对两侧，用于阻挡所述第三电极和所述第四电极反射的光线对所述第二有源部的照射。
更优选地，所述第一栅极位于所述第一有源部远离所述衬底的一侧，所述第二栅极位于所述第二有源部靠近所述衬底的一侧。
更优选地，所述显示面板还包括光吸收层，所述光吸收层设于各个所述第二有源部靠近所述衬底的表面。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一种技术方案是：一种显示面板的制备方法，包括：
在衬底上制备驱动电路层；所述驱动电路层包括驱动元件、公共电极以及信号走线；
在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧设置发光单元层；
其中，所述发光单元层包括多个呈阵列设置的发光单元和黑矩阵层；所述黑矩阵层相邻位于所述发光单元之间；所述发光单元包括量子点层和发光元件；所述发光元件包括发光层、第一电极和第二电极；所述发光单元与所述驱动元件、所述公共电极以及所述信号走线错位设置；所述发光元件位于所述量子点层远离所述衬底的一侧；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光层背离所述衬底的一侧，使得所述发光元件朝向所述量子点层发光，从而激发所述量子点层发光；所述黑矩阵层具有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔延伸至所述驱动电路层使所述驱动元件暴露，所述第二开孔延伸至所述驱动电路层使所述公共电极暴露；所述第一电极通过所述第一开孔与所述驱动元件电连接，所述第二电极通过所述第二开孔与所述公共电极电连接。
有益效果：本申请实施例提供的显示面板及制备方法，该显示面板包括：衬底、驱动电路层、多个发光单元、黑矩阵层；驱动电路层包括多个驱动元件、多个公共电极以及多条信号走线；发光单元包括量子点层和发光元件；发光元件包括发光层、第一电极和第二电极；黑矩阵层位于相邻的发光单元之间；发光单元与驱动元件、公共电极以及信号走线错位设置；发光元件位于量子点层远离衬底的一侧；第一电极和第二电极位于发光层背离衬底的一侧，使得发光元件朝向量子点层发光，从而激发量子点层发光；黑矩阵层具有第一开孔和第二开孔，第一开孔延伸至驱动电路层使驱动元件暴露，第二开孔延伸至驱动电路层使公共电极暴露；第一电极通过第一开孔与驱动元件电连接，第二电极通过第二开孔与所述公共电极电连接。本申请实施例提供了一种朝向衬底发光的全彩化的显示面板，并且通过对驱动晶体管和/或开关晶体管的电极进行改进，在发光单元朝向衬底出光时，通过驱动晶体管和/或开关晶体管的改进后的电极对于出光光线对于驱动晶体管的有源部和/或开关晶体管的有源部的影响，从而提高了本申请实施例提供的显示面板的出光效果，并减少了出光对于显示面板的器件上的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本申请提供的第一实施例的显示面板的结构示意图；
图2是图1所示的显示面板中驱动晶体管第一实施方式的结构示意图；
图3是图1所示的显示面板中驱动晶体管第二实施方式的结构示意图；
图4是本申请提供的第二实施例的显示面板的结构示意图；
图5是本申请提供的第三实施例的显示面板的结构示意图；
图6是本申请提供的第四实施例的显示面板的结构示意图；
图7是图6所示的显示面板的开关晶体管的结构示意图；
图8是本申请提供的第五实施例的显示面板的结构示意图；
图9是本申请提供的第六实施例的显示面板的结构示意图；
图10是本申请提供的显示面板的制备方法的流程图。
附图标记说明：
100-显示面板，10-衬底，20-驱动电路层，30-发光单元，40-黑矩阵层，50-平坦层，60-第一覆盖层，70-光吸收层，21-驱动元件，22-公共电极，21a-第一有源部，21b-第一栅极，21c-第三电极，21d-第四电极，21e-第一突出部，23-开关晶体管层，231-开关晶体管，231a-第二有源部，231b-第二栅极，231c-第五电极，231d-第六电极，231e-第二突出部，31-量子点层，32-发光元件，32a-发光层，32b-第一电极，32c-第二电极，41-第一开孔，42-第二开孔，43-第三开孔，44-第四开孔，61-第五开孔，62-第六开孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1和图2，图1是本申请提供的第一实施例的显示面板的结构示意图，图2是图1所示的显示面板中驱动晶体管第一实施方式的结构示意图，图3是图1所示的显示面板中驱动晶体管第二实施方式的结构示意图。
参见图1，本申请提供的显示面板100，包括：衬底10、驱动电路层20、多个发光单元30、黑矩阵层40。驱动电路层20设置于衬底10的一侧，驱动电路层20包括多个驱动元件21、多个公共电极22以及多条信号走线（图未示）。多个发光单元30，呈阵列设置于驱动电路层20远离衬底10的一侧。每个发光单元30包括量子点层31和发光元件32。每个发光元件32包括发光层32a、第一电极32b和第二电极32c。黑矩阵层40，设于驱动电路层20远离衬底10的一侧，且位于相邻的发光单元30之间。进一步地，本申请实施例中，发光单元30与驱动元件21、公共电极22以及信号走线（图未示）错位设置，便于发光单元30朝向衬底10的一侧出光，且驱动电路层20对于发光单元30出光不产生遮挡等影响。本实施例的发光元件32采用微发光二极管，本实施例中微发光二极管用于发射第一光线。具体地，微发光二极管的第一电极32b与驱动元件21电性连接，微发光二极管的第二电极32c与公共电极22电性连接。为了保证本申请实施例的显示面板100中发光元件32朝向衬底10出光以及保证出光的效率，本实施例中量子点层31靠近衬底10的表面延伸至衬底10之间的区域均采用透明材料。且衬底10也采用透明材料。
具体地，本申请具体实施例中量子点层31包括红色量子点层、绿色量子点层和透明量子点层；且量子点层31用于使第一光线通过量子点层发出第二光线。本实施例中，第一光线采用蓝光，第二光线包括红光、绿光或蓝光。本申请具体实施例中显示面板100的设置，实现了该显示面板100的全彩化显示。
具体地，发光元件32位于量子点层31远离衬底10的一侧，使得本申请实施例中发光元件32朝向衬底10的一侧出光。发光元件32的第一电极32b和第二电极32c位于发光层32a背离衬底10的一侧，使得发光元件32可以朝向量子点层31发光，从而激发量子点层31发光。进一步地，本申请实施例的黑矩阵层40具有第一开孔41和第二开孔42，第一开孔41延伸至驱动电路层20使驱动元件21暴露，第二开孔42延伸至驱动电路层20使公共电极22暴露。具体地，发光元件32的第一电极32b通过第一开孔41与驱动元件21电连接，第二电极32c通过第二开孔42与公共电极22电连接。
现有技术中，驱动电路通常通过在平坦层上开设过孔的方式电性连接发光元件和像素电路，根据实际需要，平坦层通常要求较大的厚度，在平坦层上开设的过孔深度较深，难以实现过孔内导电物质的有效沉积，可能出现导电物质沉积厚度过大，而使得电极间的线路短路的问题。现有技术中平坦层通常采用无机绝缘材料制备而成，其在显示面板100中的沉积难度较大，更加剧了平坦层的沉积难度。同时在平坦层上设置微发光二极管等发光元件时，需要在平坦层上挖设凹槽，进一步增加了工艺难度。
本实施例中，黑矩阵层40和发光单元30直接设置于驱动电路层20远离衬底10的表面，大幅简化了显示面板100的制备流程，减小了显示面板100的工艺难度，黑矩阵层40既具有保证遮光效果的作用，又具有平坦层的作用，相对于现有技术，本申请实施例可以选择在驱动电路层20远离衬底10的表面直接设置黑矩阵层40和发光单元30，并在黑矩阵层40上设置第一开孔41和第二开孔42，用于电性连接发光元件32和驱动电路层20，减少平坦层的制备或者减少平坦层的厚度。同时，本申请实施例的黑矩阵层40的第一开孔41和第二开孔42的厚度适中，不会出现导电物质沉积过多等问题。并且本申请实施例中黑矩阵40的设置，无需在黑矩阵40远离衬底10的表面开设凹槽，直接在黑矩阵40上的开孔或通孔内设置发光单元30即可，减小了工艺难度。
进一步地，本实施例的黑矩阵层40的厚度大于发光单元30的厚度且覆盖发光单元30。更进一步地，本实施例的黑矩阵层40还具有使得发光元件32的第一电极32b暴露的第三开孔43和使得第二电极32c暴露的第四开孔44。
具体地，本实施例中的驱动元件21为驱动晶体管，设置于衬底10的一侧，至少包括第一有源部21a、第一栅极21b、第三电极21c和第四电极21d；第三电极21c和第四电极21d设置于第一有源部21a远离衬底10的一侧，且沿着第一方向X间隔设置于第一有源部21a的相对两侧。本申请实施例中，第三电极21c和/或第四电极21d具有第一突出部21e，第一突出部21e延伸至第一有源部21a在与第一方向垂直X的第二方向Y的相对两侧，用于阻挡发光元件32发出的光线对第一有源部21a的照射。
参见图2，本实施例中仅驱动晶体管的第四电极21d沿第二方向Y的相对两侧具有第一突出部21e，这种设置方式使得具有第一突出部21e的第四电极21d对于发光元件32朝向衬底10发出的光线具有一定的阻挡作用，对于第一有源部21a具有一定的阻挡作用。可以理解，仅驱动晶体管的第三电极21c沿第二方向Y的相对两侧具有第一突出部21e，对于发光元件32朝向衬底10发出的光线也具有一定的阻挡作用，以及对于第一有源部21a也具有一定的阻挡作用。可以理解，第一突出部21e的设置方式，还可以包括设置在第三电极21c和/或第四电极21d沿第二方向Y的一侧。
参见图3，本实施例的驱动晶体管的第三电极21c和第四电极21d均具有第一突出部21e，这种设置方式有效阻挡了发光元件32朝向衬底10发出的光线，并且有效地阻挡了该光线对于第一有源部21a的照射。进一步地，本实施例中，第三电极21c的第一突出部21e与第四电极21d的第一突出部21e错位设置且在第一有源部21a的侧面的投影部分重叠，以形成对第一有源部21a形成全方位的光线遮挡。
请参阅图4，图4是本申请提供的第二实施例的显示面板的结构示意图。
参见图4，本实施例提供的显示面板100与第一实施例提供的显示面板100的区别之处在于：本实施例的显示面板100还包括设置于驱动电路层20远离衬底10的一侧的平坦层50；黑矩阵层40和发光单元30设置于平坦层50远离衬底10的表面。本实施例通过在驱动电路层20远离衬底10的表面设置平坦层50，便于提高驱动电路层20的表面平坦性，进而便于在平坦层50远离衬底10的表面设置黑矩阵层40和发光单元30。
请参阅图5，图5是本申请提供的第三实施例的显示面板的结构示意图。
参见图5，本实施例提供的显示面板100与第一实施例提供的显示面板100的区别之处在于：本实施例中，黑矩阵层40的厚度小于等于发光单元30的厚度。为了平整黑矩阵层40和发光单元30，本实施例的显示面板100还包括第一覆盖层60，第一覆盖层60覆盖黑矩阵层40和发光单元30。第一覆盖层60具有使得发光元件32的第一电极32b暴露的第五开孔61和使得第二电极32c暴露的第六开孔62，第一覆盖层60对于发光元件32的第一电极32b和第二电极32c具有良好的保护作用。第五开孔61和第六开孔62均贯穿第一覆盖层60。可以理解，在一些具体的实施例中，显示面板100既在驱动电路层20远离衬底10的表面设置有平坦层50，也在黑矩阵层40和发光单元30远离衬底10的表面设置有第一覆盖层60，使得显示面板100既在驱动电路层20远离衬底10的表面具有良好的平坦性，又使得发光元件32的第一电极32b和第二电极32c受到良好的保护。
请参阅图6和图7，图6是本申请提供的第四实施例的显示面板的结构示意图，图7是图6所示的显示面板的开关晶体管的结构示意图。
参见图6，本实施例提供的显示面板100与第一实施例提供的显示面板100的区别之处在于：本实施例的显示面板100中的驱动电路层20还包括开关晶体管层23，设置于驱动晶体管远离衬底10的一侧，且包括多个开关晶体管231。具体地，开关晶体管231包括第二有源部231a、第二栅极231b、第五电极231c和第六电极231d；且第五电极231c和第六电极231d位于第二有源部231a靠近衬底10的一侧。本实施例中，开关晶体管231的第五电极231c与驱动晶体管的第一栅极21b电性连接，用于控制驱动晶体管的开启或关闭。在一些具体的实施例中，开关晶体管231的第六电极231d与扫描信号线电性连接，开关晶体管231的第五电极231c与驱动晶体管的第一栅极21b电性连接，驱动晶体管的第三电极21c与数据信号线电性连接，驱动晶体管的第四电极21d与发光元件32的第一电极32b电性连接。
参见图7，本申请实施例中的开关晶体管231的第五电极231c和第六电极231d沿着第一方向X间隔设置于第二有源部231a的相对两侧，第五电极231c和/或第六电极231d具有第二突出部231e，第二突出部231e延伸至第二有源部231a在与第一方向X垂直的第二方向Y的相对两侧，用于阻挡驱动晶体管的第三电极21c和第四电极21d反射的光线对第二有源部231a的照射。具体地，本实施例提供的是第五电极231c和第六电极231d均具有第二突出部231e，这种设置方式有效阻挡驱动晶体管的第三电极21c和第四电极21d反射的光线对第二有源部231a的照射。进一步地，本实施例中，第五电极231c的第二突出部231e与第六电极231d的第二突出部231e错位设置且在第二有源部231a的侧面的投影部分重叠，以形成对第二有源部231a形成全方位的光线遮挡。
请参阅图8，图8是本申请提供的第五实施例的显示面板的结构示意图。
参见图8，本实施例的显示面板100与第四实施例的显示面板100的区别之处在于，本实施例中，驱动晶体管采用顶栅结构，驱动晶体管的第一栅极21b位于第一有源部21a远离衬底10的一侧。开关晶体管231采用底栅结构，开关晶体管231的第二栅极231b位于第二有源部231a靠近衬底10的一侧。这种设置方式中第二栅极231b作为第二有源部231a的遮挡层，以提高对第二有源部231a的光线遮挡程度。
请参阅图9，图9是本申请提供的第六实施例的显示面板的结构示意图。
参见图9，本实施例提供的显示面板100与第四实施例提供的显示面板100的区别之处在于：本申请实施例的显示面板100还包括光吸收层70，光吸收层70设于各个开关晶体管231的第二有源部231a靠近衬底10的表面，用于进一步阻挡驱动晶体管的第三电极21c和第四电极21d反射的光线对第二有源部231a的照射。
请参阅图10，图10是本申请提供的显示面板的制备方法的流程图。
参见图10，本申请实施例提供的显示面板100的制备方法，包括：
S1：在衬底10上制备驱动电路层20；驱动电路层20包括多个驱动元件21、多个公共电极22以及多条信号走线；
S2：在驱动电路层20远离衬底10的一侧设置发光单元层；其中，发光单元层包括多个呈阵列设置的发光单元30和黑矩阵层40；黑矩阵层40相邻位于发光单元30之间。发光单元30包括量子点层31和发光元件32。发光元件32包括发光层32a、第一电极32b和第二电极32c。发光单元30与驱动元件21、公共电极22以及信号走线错位设置。
发光元件32位于量子点层31远离衬底10的一侧。第一电极32b和第二电极32c位于发光层32a背离衬底10的一侧，使得发光元件32朝向量子点层31发光，从而激发量子点层31发光。黑矩阵层40具有第一开孔41和第二开孔42，第一开孔41延伸至驱动电路层20使驱动元件21暴露，第二开孔42延伸至驱动电路层20使公共电极22暴露。第一电极32b通过第一开孔41与驱动元件21电连接，第二电极32c通过第二开孔42与公共电极22电连接。
本实施例中，黑矩阵层40的设置至少包括两种实现方式。
其一方式为：
将发光单元30以阵列方式设置在驱动电路层20或第一覆盖层60远离衬底10的表面；
在黑矩阵层40上开设以矩阵形式存在的开孔，该开孔与发光单元30一一对应；
将开设有开孔的黑矩阵层40转移至以矩阵形式存在的发光单元30远离衬底10的一侧，并将黑矩阵层40与发光单元30结合在一起。
其二方式为：
在驱动电路层20或第一覆盖层60远离衬底10的表面设置包括多个通孔的黑矩阵层40；
在黑矩阵层40的多个通孔内一一设置多个量子点层31，并在多个量子点层31远离衬底10的表面再一一设置多个发光元件32。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，设置于所述衬底的一侧，所述驱动电路层包括多个驱动元件、多个公共电极以及多条信号走线；
多个发光单元，呈阵列设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；所述发光单元包括量子点层和发光元件；所述发光元件包括发光层、第一电极和第二电极；
黑矩阵层，设于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，且位于相邻的所述发光单元之间；
其特征在于，所述发光单元与所述驱动元件、所述公共电极以及所述信号走线错位设置；所述发光元件位于所述量子点层远离所述衬底的一侧；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光层背离所述衬底的一侧，使得所述发光元件朝向所述量子点层发光，从而激发所述量子点层发光；所述黑矩阵层具有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔延伸至所述驱动电路层使所述驱动元件暴露，所述第二开孔延伸至所述驱动电路层使所述公共电极暴露；所述第一电极通过所述第一开孔与所述驱动元件电连接，所述第二电极通过所述第二开孔与所述公共电极电连接；
所述驱动元件包括：
驱动晶体管，设置于所述衬底的一侧；
其中，所述驱动晶体管至少包括第一有源部、第一栅极、第三电极和第四电极；所述第三电极和所述第四电极设置于所述第一有源部远离所述衬底的一侧，且沿着第一方向间隔设置于所述第一有源部的相对两侧；所述第三电极和/或所述第四电极具有第一突出部，所述第一突出部延伸至所述第一有源部在与所述第一方向垂直的第二方向的相对两侧，用于阻挡所述发光元件发出的光线对所述第一有源部的照射。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层和所述发光单元直接设置于所述驱动电路层远离所述衬底的表面；或
所述显示面板还包括设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧的平坦层；所述黑矩阵层和所述发光单元设置于所述平坦层远离所述衬底的表面。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层的厚度大于所述发光单元的厚度且覆盖所述发光单元，所述黑矩阵层还具有使得所述第一电极暴露的第三开孔和使得所述第二电极暴露的第四开孔；或
所述黑矩阵层的厚度小于等于所述发光单元的厚度；所述显示面板还包括第一覆盖层，所述第一覆盖层覆盖所述黑矩阵层和所述发光单元；所述第一覆盖层具有使得所述第一电极暴露的第五开孔和使得所述第二电极暴露的第六开孔；所述第五开孔和所述第六开孔均贯穿所述第一覆盖层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三电极和所述第四电极均设置有第一突出部，所述第三电极的第一突出部与所述第四电极的第一突出部错位设置且在所述第一有源部的侧面的投影部分重叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动元件还包括开关晶体管，设置于所述驱动晶体管远离所述衬底的一侧；所述开关晶体管包括第二有源部、第二栅极、第五电极和第六电极；且所述第五电极和所述第六电极位于所述第二有源部靠近所述衬底的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第五电极和所述第六电极沿着所述第一方向间隔设置于所述第二有源部的相对两侧，所述第五电极和/或所述第六电极具有第二突出部，所述第二突出部延伸至所述第二有源部在与所述第一方向垂直的第二方向的相对两侧，用于阻挡所述第三电极和所述第四电极反射的光线对所述第二有源部的照射。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极位于所述第一有源部远离所述衬底的一侧，所述第二栅极位于所述第二有源部靠近所述衬底的一侧。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括光吸收层，所述光吸收层设于各个所述第二有源部靠近所述衬底的表面。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备驱动电路层；所述驱动电路层包括驱动元件、公共电极以及信号走线；
在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧设置发光单元层；
其中，所述发光单元层包括多个呈阵列设置的发光单元和黑矩阵层；所述黑矩阵层相邻位于所述发光单元之间；所述发光单元包括量子点层和发光元件；所述发光元件包括发光层、第一电极和第二电极；所述发光单元与所述驱动元件、所述公共电极以及所述信号走线错位设置；所述发光元件位于所述量子点层远离所述衬底的一侧；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光层背离所述衬底的一侧，使得所述发光元件朝向所述量子点层发光，从而激发所述量子点层发光；所述黑矩阵层具有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔延伸至所述驱动电路层使所述驱动元件暴露，所述第二开孔延伸至所述驱动电路层使所述公共电极暴露；所述第一电极通过所述第一开孔与所述驱动元件电连接，所述第二电极通过所述第二开孔与所述公共电极电连接；
所述驱动元件包括：
驱动晶体管，设置于所述衬底的一侧；
其中，所述驱动晶体管至少包括第一有源部、第一栅极、第三电极和第四电极；所述第三电极和所述第四电极设置于所述第一有源部远离所述衬底的一侧，且沿着第一方向间隔设置于所述第一有源部的相对两侧；所述第三电极和/或所述第四电极具有第一突出部，所述第一突出部延伸至所述第一有源部在与所述第一方向垂直的第二方向的相对两侧，用于阻挡所述发光元件发出的光线对所述第一有源部的照射。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115000098B (zh) * 2022-07-29 2023-01-17 惠科股份有限公司 显示面板及制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104600079A (zh) * 2014-12-30 2015-05-06 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN111048568A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111769108A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111863837A (zh) * 2020-07-13 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN114495734A (zh) * 2020-10-27 2022-05-13 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109616497A (zh) * 2018-11-30 2019-04-12 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板
WO2021102810A1 (zh) * 2019-11-28 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及拼接屏
CN115000098B (zh) * 2022-07-29 2023-01-17 惠科股份有限公司 显示面板及制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104600079A (zh) * 2014-12-30 2015-05-06 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN111048568A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111769108A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111863837A (zh) * 2020-07-13 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN114495734A (zh) * 2020-10-27 2022-05-13 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示装置

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