CN114988428B - 一种高硅铝比y型分子筛及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于分子筛合成技术领域，具体涉及一种高硅铝比Y型分子筛及其制备方法和应用。本发明提供了一种高硅铝比Y型分子筛的制备方法，包括以下步骤：将NaY分子筛与氮气‑四氯化硅混合气体进行脱铝补硅反应后酸洗，得到高硅铝比Y型分子筛。本发明提供的制备方法无需先对NaY分子筛进行离子交换、高温焙烧或碱处理，能够直接以商品NaY分子筛作为制备原料与SiCl4进行脱铝补硅反应，然后酸洗即可制备得到高硅铝比Y型分子筛，制备工艺简单，耗能低，对环境污染小，绿色环保，适于大规模工业生产。而且，本发明制备得到的分子筛具有高硅铝比和高结晶度，在VOCs气体吸附方面具有很好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于分子筛合成技术领域，具体涉及一种高硅铝比Y型分子筛及其制备方法和应用。
背景技术
Y型分子筛在工业上已广泛应用于制备催化裂化、加氢裂化、异构化和烷基化等不同酸催化反应催化剂或催化剂载体。Y分子筛的性质与功能主要取决于其自身的骨架硅铝比及相应的孔道结构。硅铝比越高，往往具有更强的热稳定性及水热稳定性，同时对于酸的耐受性也随之增强。另外，其亲疏水性也随着硅铝比的增加而改变，进而影响分子筛的吸附性能。通过对Y型分子筛进行脱铝是提高其骨架硅铝比的有效手段，其中，SiCl4为常用的脱铝剂。
中国专利CN106629765A公开了一种高硅FAU沸石分子筛的制备方法，将NaY分子筛粉与无定形二氧化硅混合后制成柱型或球形颗粒、干燥脱水、与含SiCl4的氮气流反应、热水洗涤，然后除NaCl。中国专利CN103787353A、CN103785438A和CN103785436A公开了一种分子筛的制备方法，将NaY型分子筛进行稀土离子和/或铵离子交换、焙烧，然后与SiCl4反应。中国专利CN110127716A公开了将NaY型分子筛于碱性溶液中预处理、洗涤干燥、与惰性气体携带SiCl4和/或SiHCl3蒸气反应、铵离子交换，得到多级孔道Y分子筛。中国专利CN102320621A公开了一种Y型分子筛疏水改性的方法，将NaY型分子筛焙烧、与N2-SiCl4混合气体反应、水洗、酸洗，然后与水蒸气反应。中国专利CN104843736A公开了一种硅铝比高，且二级孔丰富的Y分子筛及其制备方法，将NaY型沸石焙烧、与SiCl4反应，然后碱处理。中国专利CN104760973A公开了一种超高介孔含量的Y型分子筛的制备方法，将NaY型沸石焙烧、与SiCl4反应、酸处理，然后碱处理。中国专利CN104843737A公开了一种Y分子筛的制备方法，碱液预处理、与SiCl4反应、铵离子交换，然后焙烧。然而，上述制备方法普遍存在的制备步骤繁琐的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高硅铝比Y型分子筛及其制备方法和应用，本发明提供的制备方法工艺简单且获得的Y型分子筛的硅铝比高。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明提供了一种高硅铝比Y型分子筛的制备方法，包括以下步骤：
将NaY分子筛与氮气-四氯化硅混合气体进行脱铝补硅反应后酸洗，得到高硅铝比Y型分子筛。
优选的，所述氮气-四氯化硅混合气体中四氯化硅的流速为0.3～6mL/(min·g)。
优选的，所述脱铝补硅反应的温度为300～600℃，时间为0.5～3h。
优选的，所述酸洗用酸包括硫酸、盐酸和硝酸中的一种或几种。
优选的，所述酸洗用酸的浓度为0.5～5mol/L。
优选的，所述酸洗的温度为70～110℃，时间为0.5～10h。
优选的，所述脱铝补硅反应前还包括对NaY分子筛进行氮气吹扫。
优选的，所述氮气吹扫的温度为300～450℃，时间为1～3.5h。
本发明提供了上述技术方案所述制备方法得到的高硅铝比Y型分子筛，所述高硅铝比Y型分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比为10～70。
本发明还提供了上述技术方案所述的高硅铝比Y型分子筛在VOCs气体吸附中的应用。
本发明提供了一种高硅铝比Y型分子筛的制备方法，包括以下步骤：将NaY分子筛与氮气-四氯化硅混合气体进行脱铝补硅反应后酸洗，得到高硅铝比Y型分子筛。本发明提供的制备方法无需先对NaY分子筛进行离子交换、高温焙烧或碱处理，能够直接以商品NaY分子筛作为制备原料与SiCl4进行脱铝补硅反应，然后酸洗即可制备得到高硅铝比Y型分子筛，制备工艺简单，耗能低，对环境污染小，绿色环保，适于大规模工业生产。而且，本发明制备得到的分子筛具有高硅铝比和高结晶度，在VOCs气体吸附方面具有很好的应用前景。
本发明提供了上述技术方案所述制备方法得到的高硅铝比Y型分子筛，所述高硅铝比Y型分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比为10～70。本发明提供的分子筛硅铝比高，结晶度高，对VOCs气体有吸附效果。
附图说明
图1为实施例1～7制备的高硅铝比Y型分子筛的X射线衍射图；
图2为对比例1～3制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图；
图3为对比例3～6制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图；
图4为对比例7～9制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图；
图5为对比例10制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图；
图6为对比例11～13制备的高硅铝比Y分子筛的X射线衍射图。
具体实施方式
本发明提供了一种高硅铝比Y型分子筛的制备方法，包括以下步骤：
将NaY分子筛与氮气-四氯化硅混合气体进行脱铝补硅反应后酸洗，得到高硅铝比Y型分子筛。
在本发明中，若无特殊说明，所有的原料组分均为本领域技术人员熟知的市售商品。
在本发明中，所述NaY分子筛的粒径优选为20～40目，更优选为30目；所述NaY分子筛优选由NaY分子筛原粉经压片造粒后筛分得到，本发明对于所述压片造粒和筛分没有特殊限定，能够得到粒径为20～40目的NaY分子筛颗粒即可。本发明对于所述NaY分子筛原粉没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的市售商品或采用本领域技术人员熟知的制备方法制备得到的NaY分子筛即可。
在本发明中，所述脱铝补硅反应前优选还包括对NaY分子筛进行氮气吹扫，降温通入氮气-四氯化硅混合气体，然后升温至脱铝补硅反应的温度进行脱铝补硅反应。在本发明中，所述降温的温度优选为150～250℃，更优选为180～220℃，进一步优选为200℃。在本发明中，所述氮气吹扫的温度优选为300～450℃，更优选为320～420℃，进一步优选为350～400℃，所述氮气吹扫的时间优选为1～3.5h，更优选为1.5～3h，进一步优选为2～2.5h；所述氮气吹扫的目的是除去NaY分子筛的孔道中可能存在的水分。在本发明中，所述升温的速率优选为0.8～4℃/min，更优选为1～3.3℃/min，进一步优选为1.5～3℃/min。
在本发明中，所述氮气-四氯化硅混合气体优选为氮气和四氯化硅饱和蒸汽的混合气体，所述四氯化硅的流速优选为0.3～6mL/(min·g)，更优选为0.5～5mL/(min·g)，进一步优选为1～3mL/(min·g)；所述氮气-四氯化硅混合气体中氮气和四氯化硅的流速比优选为1：(0.075～0.325)，更优选为1：(0.086～0.175)，进一步优选为1：(0.1～0.15)。在本发明中，所述氮气-四氯化硅混合气体优选通过鼓泡装置通入，所述鼓泡装置优选包括鼓泡器和加热装置，所述加热装置优选包括水浴加热装置或台式恒温槽；本发明采用鼓泡装置通入能够实现四氯化硅流速的调整和控制。在本发明中，所述脱铝补硅反应的温度优选为300～600℃，更优选为350～550℃，进一步优选为400～500℃；所述脱铝补硅反应的时间优选为0.5～3h，更优选为1～2.5h，进一步优选为1.5～2h；所述脱铝补硅反应采用的反应器的材质优选包括石英或不锈钢，所述不锈钢优选包括2520不锈钢；所述脱铝补硅反应过程中发生的反应如下：
Na[AlO2(SiO2)x](固)+SiCl4(气)→[(SiO2)x+1](固)+AlCl3(气)↑+NaCl(orNaAlCl4)(固)。
所述脱铝补硅反应完成后，本发明优选还包括依次进行停止通入氮气-四氯化硅混合气体、氮气吹扫、冷却至室温、水洗和干燥，得到前驱体。本发明对于所述氮气吹扫没有特殊限定，能够将分子筛表面和孔道内残余的四氯化硅除去即可。本发明对于所述冷却的方式没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的冷却方式即可，具体如自然冷却。本发明对于所述水洗没有特殊限定，水洗至洗液中不含氯离子即可；在本发明的实施例中，所述水洗优选为水抽滤洗涤。在本发明中，所述干燥的温度优选为80～150℃，更优选为100～120℃，所述干燥的时间优选为1～6h，更优选为2～4h。
在本发明中，所述酸洗用酸优选包括硫酸、盐酸和硝酸中的一种或几种；所述酸的浓度优选为0.5～5mol/L，更优选为1～4mol/L，进一步优选为2～3mol/L。在本发明中，所述酸洗的温度优选为70～110℃，更优选为80～100℃，进一步优选为90℃；所述酸洗的时间优选为0.5～10h，更优选为2～8h，进一步优选为4～5h；所述酸洗的目的是除去残留在分子筛表面以及可能残留在分子筛孔道内的铝。所述酸洗完成后，本发明优选还包括将所述酸洗得到的反应液进行固液分离，将得到的固体产物水洗后干燥，得到高硅铝比Y型分子筛。本发明对于所述固液分离的方式没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的固液分离方式即可，具体如离心或抽滤。本发明对于所述水洗没有特殊限定，水洗至洗液为中性即可；在本发明的实施例中，所述水洗优选为水抽滤洗涤。在本发明中，所述干燥的温度优选为80～150℃，更优选为100～120℃，所述干燥的时间优选为1～5h，更优选为2～4h。
本发明提供了上述技术方案所述制备方法得到的高硅铝比Y型分子筛。在本发明中，所述高硅铝比Y型分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比为10～70，优选为45～70。
本发明还提供了上述技术方案所述的高硅铝比Y型分子筛在VOCs气体吸附中的应用。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
将NaY分子筛原粉(SiO2/Al2O3＝5)进行压片造粒后筛分，得到粒径为20～40目的颗粒状NaY分子筛；将3g颗粒状NaY分子筛装入石英反应器中，由室温升温至350℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为3.6mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至400℃后保温脱铝补硅反应1h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于2mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为1-S)。
实施例2
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至450℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫1h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为3.6mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至550℃后保温脱铝补硅反应1.5h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于1mol/L的盐酸中，在80℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为2-S)。
实施例3
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至300℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫3h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为3.6mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至300℃后保温脱铝补硅反应1.5h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于2mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为3-S)。
实施例4
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至350℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为8mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至450℃后保温脱铝补硅反应1h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于0.5mol/L的盐酸中，在80℃条件下酸洗5h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为4-S)。
实施例5
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至300℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2.5h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为4.5mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至550℃后保温脱铝补硅反应2h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于3.5mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为5-S)。
实施例6
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至350℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为10mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至450℃后保温脱铝补硅反应2h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于3mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为6-S)。
实施例7
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至300℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫1.5h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为8mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至300℃后保温脱铝补硅反应1.5h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于2mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗1.5h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛(记为7-S)。
对比例1
将1g HY分子筛原粉(SiO2/Al2O3＝5.2)加入到20mL 0.5mol/L的草酸水溶液中，在80℃条件下搅拌3h，过滤，将得到的固体产物蒸馏水洗涤后干燥，得到脱铝Y分子筛。
对比例2
按照对比例1的方法制备脱铝Y分子筛，与对比例1的区别在于草酸浓度为0.25mol/L。
对比例3
按照对比例1的方法制备脱铝Y分子筛，与对比例1的区别在于草酸浓度为0.10mol/L。
对比例4
按照对比例3的方法制备脱铝Y分子筛，与对比例3的区别在于搅拌温度为70℃。
对比例5
按照对比例3的方法制备脱铝Y分子筛，与对比例3的区别在于搅拌温度为60℃。
对比例6
按照对比例3的方法制备脱铝Y分子筛，与对比例3的区别在于搅拌温度为50℃。
对比例7
将1gNH4Y分子筛在600℃水蒸气条件下处理4h，干燥，得到脱铝Y分子筛。
对比例8
将1gNH4Y分子筛在600℃水蒸气条件下处理4h，干燥，然后置于0.1mol/L的草酸溶液中，在60℃酸处理2h，抽滤，将得到的固体产物烘干，得到脱铝Y分子筛。
对比例9
将1gNH4Y分子筛在600℃水蒸气条件下处理4h，干燥，置于0.1mol/L的草酸溶液中，在60℃酸处理2h，抽滤，将得到的固体产物烘干，然后再次置于0.1mol/L的草酸溶液中，在60℃酸处理2h，抽滤，将得到的固体产物烘干，得到脱铝Y分子筛。
对比例10
将3gNaY分子筛原粉置于2mol/L盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物烘干，得到脱铝Y分子筛。
对比例11
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至350℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为3.6mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至250℃后保温脱铝补硅反应2h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于2mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛。
对比例12
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至350℃，以40mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为3.6mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至600℃后保温脱铝补硅反应1h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于2mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛。
对比例13
将3g实施例1制备的颗粒状NaY分子筛(SiO2/Al2O3＝5)装入反应器中，由室温升温至300℃，以50mL/min的流速进行氮气吹扫2h，降温至200℃后通入SiCl4饱和蒸汽(将高纯氮气通入装有液态SiCl4的鼓泡装置中，SiCl4饱和蒸汽流速为13.5mL/min)，在2h内将温度由200℃升温至450℃后保温脱铝补硅反应1h，随后停止通入SiCl4饱和蒸汽，氮气吹扫降温、水抽滤洗涤，然后在120℃条件下烘干4h，得到前驱体。
将前驱体置于3mol/L的盐酸中，在90℃条件下酸洗2h，抽滤，将得到的固体产物在120℃烘干4h，得到高硅铝比Y型分子筛。
图1为实施例1～7制备的高硅铝比Y型分子筛的X射线衍射图，由图1可知，本发明通过控制制备条件得到的分子筛能够保持完好的晶化度。
图2为对比例1～3制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图，由图2可知，即使使用酸性较弱的草酸，浓度过高，也容易引起分子筛骨架的坍塌。
图3为对比例3～6制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图，由图3可知，反应温度不会对草酸制备的脱铝Y分子筛的晶化度产生影响。
图4为对比例7～9制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图，由图4可知，水蒸气处理可对分子筛的晶化度产生一定的影响，同时将两种脱铝方法结合起来，可对分子筛的晶化度产生更为严重的破坏。
图5为对比例10制备的脱铝Y分子筛的X射线衍射图，由图5可知，单纯使用盐酸作为脱铝剂，会降低分子筛的晶化度，而经过四氯化硅脱铝的Y分子筛，再经盐酸洗涤，晶化度却不会变化，说明经过四氯化硅处理的Y分子筛的硅铝比得到提高，从而加强了耐酸性。
图6为对比例11～13制备的高硅铝比Y分子筛的X射线衍射图，由图6可知，处理温度对于分子筛的晶化度并无明显影响，但SiCl4流速对于分子筛晶化度的影响较大，过高的流速会破坏分子筛的结构。
NaCl内标法测试硅铝比(沈春玉,储刚,刘发起.X射线衍射法测定分子筛硅铝比与结晶度[J].抚顺石油学院学报,2002(04):34-37.)：分别将实施例1～7和对比例1～13制备的分子筛和NaCl以4:1的质量比研磨混合均匀，在110℃条件下烘干1h，得到混合样品。将NaCl在56.39°的衍射峰作为测量谱线，混合样品在54.04°、58.36°(7，9，9)(3，3，15)处的衍射峰作为测量谱线，计算混合样中NaCl的衍射峰与56.39的偏差，将差值带入到样品的测量谱线，按照式(1)～式(3)计算分子筛的硅铝比(SiO2/Al2O3摩尔比)，计算结果如表1所示：
dhkl＝λ/(2sinθ) 式(1)
y＝(2.5935-a0)/(a0-2.4212) 式(3)
其中，dhkl为晶面间距，λ为入射X射线波长，θ为测量角度数的一半，h、k和l为晶面指数，a0为晶胞常数，y为SiO2/Al2O3摩尔比。
表1实施例1～7和对比例1～10制备的分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比
注：“-”表示分子筛中还有无定型硅，无法测定产物的硅铝比。
由表1可知，经过四氯化硅脱铝补硅得到的高硅铝比Y型分子筛，不仅晶化度得到了保持，而且分子筛的硅铝比也得到了明显的提高。虽然其他脱铝方法也能提高分子筛的硅铝比，但可能伴随了晶化度的下降，这对于后续的利用可能存在不利。
实施例1制备的高硅铝比Y型分子筛对甲苯的吸附性能：吸附条件：甲苯100mg/kg，样品质量：0.8g，脱附条件：300℃，2h，吸附温度：25℃，常压，将样品装入穿透柱，通入高纯氮气在300℃条件下吹扫脱附2h，降温至25℃，随后通入一定浓度的甲苯饱和蒸汽进行吸附穿透试验测试，测试结果如表2所示：
表2制备的高硅铝比Y型分子筛对于甲苯的吸附性能
由表2可知，经过处理得到的高硅铝比Y型分子筛对于甲苯有一定的吸附能力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种高硅铝比Y型分子筛的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将NaY分子筛与氮气-四氯化硅混合气体进行脱铝补硅反应后酸洗，得到高硅铝比Y型分子筛；所述氮气-四氯化硅混合气体中四氯化硅的流速为0.3～6mL/(min·g)；所述脱铝补硅反应的温度为300～600℃，时间为0.5～3h；所述酸洗用酸包括硫酸、盐酸和硝酸中的一种或几种，所述酸洗用酸的浓度为0.5～5mol/L；所述高硅铝比Y型分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比为52.08～70。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述酸洗的温度为70～110℃，时间为0.5～10h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述脱铝补硅反应前还包括对NaY分子筛进行氮气吹扫。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氮气吹扫的温度为300～450℃，时间为1～3.5h。
5.权利要求1～4任一项所述制备方法得到的高硅铝比Y型分子筛，其特征在于，所述高硅铝比Y型分子筛的SiO2/Al2O3摩尔比为52.08～70。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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