CN114975082A - 半导体器件的清洗方法 - Google Patents
半导体器件的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114975082A CN114975082A CN202210517412.7A CN202210517412A CN114975082A CN 114975082 A CN114975082 A CN 114975082A CN 202210517412 A CN202210517412 A CN 202210517412A CN 114975082 A CN114975082 A CN 114975082A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- semiconductor device
- cleaning
- organic solvent
- soluble organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法，其中，采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，更容易在深宽比结构的表面铺展，更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子解离，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，且半导体器件的集成度越高，所需的清洗工序就越多。在诸多清洗工序中，只要有一道清洗工序无法满足要求，那么整批芯片都将报废。因此，在半导体制造业，清洗尤为重要。在实际应用中，在半导体器件的制造过程中，产生并粘附在半导体器件上的污染物主要包括颗粒、金属污染物和有机污染物。为了去除这些污染物，对半导体器件进行湿法清洗的处理。然而，在湿法清洗过程中，通常使用腐蚀性水溶液对半导体器件进行清洗。这样在去除污染物的同时，也会出现腐蚀性水溶液对半导体器件的破坏，从而影响半导体器件的性能。
发明内容
本公开实施例提供的半导体器件的清洗方法，用以改善腐蚀性水溶液对半导体器件的破坏，导致的影响半导体器件的性能的问题。
根据一些实施例，本公开实施例提供的半导体器件的清洗方法，包括：
采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；
采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；
其中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。
基于此，在进行腐蚀性水溶液浸泡后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。进一步地，本公开的清洗方法得到的器件结构保持完整，且不变形，能够提高半导体器件的电学性能及产品良率。
在一些示例中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm，进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展。
在一些示例中，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧，以去除第一水溶性有机溶剂。
在一些示例中，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。这样可以去除第一水溶性有机溶剂的残留部分。
在一些示例中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以使第二水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除第一水溶性有机溶剂的速率。
在一些示例中，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，且在所述采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件之前，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。这样可以去除第一水溶性有机溶剂的残留部分。
在一些示例中，所述第二水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
在一些示例中，所述第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
在一些示例中，还包括：在各所述清洗的步骤均完成后，对所述半导体器件进行干燥处理。
在一些示例中，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之前，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。这样可以先去除一部分腐蚀性水溶液。
在一些示例中，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：采用清洗液清洗所述形成有深宽比结构的半导体器件；其中，所述清洗液包括去离子水、含CO2的去离子水和第三水溶性有机溶剂中的至少一种；其中，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。这样可以进行预清洗。
在一些示例中，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。
在一些示例中，所述第三水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
在一些示例中，所述清洗液包括所述第三水溶性有机溶剂时，在所述采用清洗液清洗所述形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述清洗液清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。这样可以去除清洗液。
在一些示例中，所述腐蚀性水溶液包括：氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、四甲基氢氧化铵水溶液以及氢氧化铵水溶液中的至少一种。
在一些示例中，各所述清洗的条件各自独立地包括：温度为23～30℃，时间为5～40秒。
在一些示例中，所述半导体器件的深宽比结构的深宽比不小于6:1。
本申请的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本申请的其它特征和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
附图说明
图1为本公开实施例中的一些半导体器件的结构示意图；
图2为本公开实施例中的另一些半导体器件的结构示意图；
图3为本公开实施例中的一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图4为本公开实施例中的另一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图5为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图6为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图7为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图8为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图9为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图10为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图；
图11为本公开实施例中的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
在半导体器件的制造过程中，可以具有材料沉积、刻蚀、清洗等步骤。在半导体器件的制造过程中，如图1所示，可以在半导体衬底(例如硅基晶圆)11上沉积层叠结构。该层叠结构可包括氧化硅、氮化硅、多晶硅或硅中的至少一种，以不同的顺序排列的膜层。沉积该层叠结构的方法可以包括：物理气相沉积、化学气相沉积以及分子束外延等。在生成层叠结构后，可以对该层叠结构进行湿法刻蚀或干法刻蚀，形成所需求的图案。例如，图1所示的半导体器件10，通过对层叠结构进行湿法刻蚀或干法刻蚀，可以在层叠结构30中形成深宽比结构20。在刻蚀形成深宽比结构20后，会产生并粘附在形成深宽比结构20上污染物(主要包括颗粒、金属污染物和有机污染物)。为了去除这些污染物，可以采用湿法清洗对形成深宽比结构20进行清洗处理。然而，在湿法清洗过程中，通常使用腐蚀性水溶液对半导体器件10进行清洗，去除这些污染物。之后采用去离子水清洗半导体器件10，去除腐蚀性水溶液。然而，去离子水在半导体器件上方流动，需要很长时间才能进入深宽比结构20的底部，导致腐蚀性水溶液残留在深宽比结构20底部的时间会较长，从而导致腐蚀性水溶液对深宽比结构20的底部造成破坏(如图2所示的深宽比结构20的底部的侧壁表面呈弯曲状，不垂直)，影响在深宽比结构20上形成的器件的性能，进而影响半导体器件的性能。
本公开提出可以改善腐蚀性水溶液对半导体器件的破坏的半导体器件的清洗方法，下文将详细阐述本公开的各个实施例。
参照图3，图3为本公开实施例提供的一些半导体器件的清洗方法的流程图。在本公开一些实施例中，半导体器件的清洗方法可以包括如下步骤：
S110、采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
具体地，在刻蚀形成深宽比结构的半导体器件后，将刻蚀形成有深宽比结构的半导体器件，使用腐蚀性水溶液进行清洗，以去除其表面上的污染物。
示例性地，腐蚀性水溶液包括：氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、四甲基氢氧化铵水溶液以及氢氧化铵水溶液中的至少一种。优选地，腐蚀性水溶液采用含氟的化学物，例如，氢氟酸水溶液或氢氟酸与氟化铵的混合水溶液。较佳地，在腐蚀性水溶液采用氢氟酸水溶液或氢氟酸与氟化铵水溶液的混合溶液时，还可以在该腐蚀性水溶液中加入第二种酸，以影响HF的电离平衡，调整刻蚀率。
可选地，第二种酸可以包括无机酸。其中，无机酸包括但不限于：HBr、HCl、HClO4、H2SO4、H3PO4、HNO3、HNO2、H2CrO4、CH3SO3H和CF3SO3H。当然，在实际应用中，第二种酸的无机酸的具体实施方式，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
可选地，第二种酸也可以包括有机酸。其中，有机酸包括但不限于：醋酸、苯甲酸、甲酸、氯乙酸、二氯乙酸、草酸、氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、三氯乙酸。当然，在实际应用中，第二种酸的有机酸的具体实施方式，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
可选地，在腐蚀性水溶液具有HF和第二种酸时，第二种酸的浓度不大于30wt％，HF的浓度不大于0.5wt％。一种可选的实施方式，HF的浓度不小于0.02wt％。例如，第二种酸的浓度大致等于30wt％、28wt％、25wt％、23wt％、20wt％等。HF的浓度大致等于0.5wt％、0.45wt％、0.4wt％、0.35wt％、0.3wt％等。
示例性地，使用腐蚀性水溶液清洗半导体器件的条件包括：温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用腐蚀性水溶液清洗半导体器件的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
具体地，在采用腐蚀性水溶液清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的条件包括：温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
示例性地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，在大气环境下或不活泼气体(例如惰性气体和氮气等)环境下对半导体器件进行旋转干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，可以采用低表面张力且高挥发性有机溶剂对半导体器件进行液相干燥处理或气相干燥处理。可选地，低表面张力且高挥发性有机溶剂包括但不限于甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇，正丁醇，异丁醇，丙酮，甲基丙酮和丁酮中至少一种。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，也可以采用超临界流体干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，也可以采用表面改性剂干燥法对半导体器件进行干燥处理，使半导体器件呈现疏水性。可选地，半导体衬底为晶圆，则可以采用晶圆表面改性剂干燥法，使晶圆呈现疏水性。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，也可以采用液相-固相-气相变化的支撑层干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
在现有技术中，虽然也有采用水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗的方法，但是其采用水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗的步骤，通常在采用腐蚀性水溶液对半导体器件清洗的步骤之前。也就是说，现有技术中通过水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗的步骤一般为预清洗的步骤。且现有技术进行预清洗的原因在于：例如在刻蚀工序结束后，表面静电荷太大，有瞬间放电的可能，晶圆表面材料导电不好时，就会聚集电荷。基于此种情况和存在的问题，进行预清洗的步骤。这样在采用腐蚀性水溶液清洗半导体器件后，还是会存在腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间较长，导致腐蚀性水溶液对深宽比结构的底部造成破坏的问题，由此得到的器件结构并不完整，且会发生变形，影响半导体器件的电学性能及产品良率。本公开实施例提供的清洗方法中，在采用腐蚀性水溶液清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。由于第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力(甚至不大于40dyne/cm)，第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构的底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。进一步地，本公开的清洗方法得到的器件结构保持完整，且不变形，能够提高半导体器件的电学性能及产品良率。
在本公开一些实施例中，半导体器件的深宽比结构的深宽比不小于6:1，这样使得本公开实施例中的半导体器件的深宽比结构可以为高深宽比结构。示例性地，半导体器件的深宽比结构的深宽比可以不小于8:1。进一步地，半导体器件的深宽比结构的深宽比可以不小于10:1。例如，半导体器件的深宽比结构的深宽比可以为6:1、8:1、10:1、12:1、15:1、20:1、25:1、40:1、50:1等，在此不作限定。
需要说明的是，本公开实施例提供的清洗方法中，由于第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力(甚至不大于40dyne/cm)，使得第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构的底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
在本公开一些实施例中，采用本公开实施例提供的清洗方法清洗的半导体器件中的深宽比结构可以是电容的承载结构，在该深宽比结构的侧壁上形成导电层，可以形成电容，并使形成的电容的表面平衡，提高电容的性能。或者，采用本公开实施例提供的清洗方法清洗的半导体器件中的深宽比结构可以是浅沟槽，在该深宽比结构中形成绝缘层，可以形成浅沟槽隔离结构，并使形成的浅沟槽隔离结构平衡，提高浅沟槽隔离结构的性能。
本公开实施例提供了另一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图4。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开另一些实施例中，在采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，且对半导体器件进行干燥处理之前，还包括：步骤S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
参照图4，图4为本公开实施例提供的另一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的另一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S110、采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
具体地，在采用腐蚀性水溶液清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的条件包括：温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
具体地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，为了进一步去除第一水溶性有机溶剂，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗。可选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。优选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值为0.01至0.5兆欧。例如，在去离子水中通入一定含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.5兆欧。或者，在去离子水中通入另一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.4兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.3兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.1兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.05兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.01兆欧。当然，在实际应用中，去离子水中CO2的含量可以根据其电阻值来确定，在此不作限定。
示例性地，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S140，可以进一步提高去除第一水溶性有机溶剂的速率。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图5。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，在采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之前，还包括：步骤S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；其中，含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
参照图5，图5为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S110、采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
具体地，在采用腐蚀性水溶液对半导体器件进行浸泡后，为了进一步去除腐蚀性水溶液，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗。可选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。例如，在去离子水中通入一定含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.5兆欧。或者，在去离子水中通入另一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.4兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.3兆欧。
示例性地，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，深宽比器件的底部可能还会残留一些腐蚀性水溶液，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，进一步去除腐蚀性水溶液的残留部分，进一步快速置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，进一步抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S150，可以进一步提高去除腐蚀性水溶液的速率。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图6。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，在采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：步骤S160、采用清洗液清洗形成有深宽比结构的半导体器件。其中，清洗液包括去离子水或含CO2的去离子水。并且，含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
参照图6，图6为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S160、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
具体地，在刻蚀形成深宽比结构的半导体器件后，为了润湿半导体器件的表面以及预先去除半导体器件上残留的一些污染物，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗。可选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。优选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值为0.01至0.5兆欧。例如，在去离子水中通入一定含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.5兆欧。或者，在去离子水中通入另一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.4兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.3兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.1兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.05兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.01兆欧。当然，在实际应用中，去离子水中CO2的含量可以根据其电阻值来确定，在此不作限定。
示例性地，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在通过去离子水或含CO2的去离子水对半导体器件进行清洗后，可以润湿半导体器件的表面。之后，再将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡，可以使腐蚀性水溶液更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S160，可以进一步使腐蚀性水溶液在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图7。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，在采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：步骤S170、采用清洗液清洗形成有深宽比结构的半导体器件。其中，清洗液包括第三水溶性有机溶剂。并且，第三水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。
参照图7，图7为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S170、采用第三水溶性有机溶剂清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
具体地，在刻蚀形成深宽比结构的半导体器件后，为了润湿半导体器件的表面以及预先去除半导体器件上残留的一些污染物，采用第三水溶性有机溶剂进行清洗。并且，通过使第三水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水，第三水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的润湿深宽比结构的表面以及去除半导体器件上残留的一些污染物，降低清洗所耗费的时间。
示例性地，第三水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第三水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展。
示例性地，第三水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第三水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第三水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。在实际应用中，第三水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第三水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第三水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过第三水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
具体地，在通过第三水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，可以润湿半导体器件的表面。之后，再将半导体器件用腐蚀性水溶液进行清洗，可以使腐蚀性水溶液更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件采用腐蚀性水溶液中进行清洗的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S170，可以进一步使腐蚀性水溶液在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)，相比于采用去离子水或含CO2的去离子水，可以降低清洗所耗费的时间。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图8。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，清洗液包括第三水溶性有机溶剂时，在采用清洗液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：步骤S180、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过清洗液清洗后的半导体器件；其中，含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
参照图8，图8为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S170、采用第三水溶性有机溶剂清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S180、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第三水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
具体地，在采用第三水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，为了进一步去除第三水溶性有机溶剂，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗。可选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。优选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值为0.01至0.5兆欧。例如，在去离子水中通入一定含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.5兆欧。或者，在去离子水中通入另一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.4兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.3兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.1兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.05兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.01兆欧。当然，在实际应用中，去离子水中CO2的含量可以根据其电阻值来确定，在此不作限定。
示例性地，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在通过去离子水或含CO2的去离子水对半导体器件进行清洗后，可以去除第三水溶性有机溶剂，并润湿半导体器件的表面。之后，再将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡，可以使腐蚀性水溶液更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S170，可以进一步使腐蚀性水溶液在深宽比结构的表面铺展，提高去除其表面上的污染物的速率。这样可以将半导体器件放到腐蚀性水溶液中进行浸泡的时间缩短(例如，浸泡5秒、10秒或15秒即可)，相比于采用去离子水或含CO2的去离子水，可以降低清洗所耗费的时间。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图9。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，在采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后的步骤S140还可以包括：采用第二水溶性有机溶剂清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。其中，第二水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。
参照图9，图9为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S170、采用第三水溶性有机溶剂清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S180、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第三水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用第二水溶性有机溶剂清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
具体地，在进行第一水溶性有机溶剂清洗后，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除第一水溶性有机溶剂的残留部分。
示例性地，第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以使第二水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除第一水溶性有机溶剂的速率。
示例性地，第二水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第二水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第二水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。在实际应用中，第二水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过使步骤S140设置为采用第二水溶性有机溶剂清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件，可以提高去除第一水溶性有机溶剂的速率，进一步降低清洗所耗费的时间。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图10。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，在采用第一水溶性有机溶剂清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，且在采用第二水溶性有机溶剂清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件之前，还包括：S190、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
参照图10，图10为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S170、采用第三水溶性有机溶剂清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S180、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第三水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水清洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S190、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
具体地，在采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗后，为了进一步去除第一水溶性有机溶剂，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗。可选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。优选地，去离子水中含有微量的CO2，以使含CO2的去离子水的电阻值为0.01至0.5兆欧。例如，在去离子水中通入一定含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.5兆欧。或者，在去离子水中通入另一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.4兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.3兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.1兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.05兆欧。或者，在去离子水中通入又一种含量的CO2，使含CO2的去离子水的电阻值大致等于0.01兆欧。当然，在实际应用中，去离子水中CO2的含量可以根据其电阻值来确定，在此不作限定。
示例性地，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S140、采用第二水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水清洗后，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除去离子水或含CO2的去离子水的残留部分。
示例性地，第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以使第二水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除第一水溶性有机溶剂的速率。
示例性地，第二水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第二水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第二水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。在实际应用中，第二水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第二水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置步骤S190，可以提高去除第一水溶性有机溶剂的速率，进一步降低清洗所耗费的时间。
本公开实施例提供了又一些半导体器件的清洗方法，其流程图参照图11。其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在本公开又一些实施例中，第一水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。这样可以不用额外的再采用去离子水或含CO2的去离子水在对半导体衬底进行清洗，从而可以降低清洗所耗费的时间。
参照图11，图11为本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法的流程图。本公开实施例提供的又一些半导体器件的清洗方法，可以包括如下步骤：
S170、采用第三水溶性有机溶剂清洗形成有深宽比结构的半导体器件。
S180、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过第三水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件。
S110、采用腐蚀性水溶液清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
S150、采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件。
S120、采用第一水溶性有机溶剂清洗通过去离子水或含CO2的去离子水清洗后的半导体器件。
具体地，在进行去离子水或含CO2的去离子水漂洗后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行漂洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水漂洗，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，进一步提高半导体器件的性能。以及，使第一水溶性有机溶剂更快的与腐蚀性水溶液接触，更快的带走腐蚀性水溶液中的部分水分，更快的抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。
示例性地，第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于30dyne/cm且不大于40dyne/cm。第一水溶性有机溶剂的表面张力可以不小于20dyne/cm且不大于30dyne/cm。例如，第一水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。在实际应用中，第一水溶性有机溶剂的具体种类，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
示例性地，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗时的条件包括：温度为23-30℃，时间为5～40秒。可选地，温度可以为23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃。可选地，时间可以为5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒。当然，在实际应用中，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行漂洗时的温度和时间，可以根据实际应用的需求确定，在此不作限定。
S130、对半导体器件进行干燥处理。
需要说明的是，本公开实施例中，通过设置第一水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。这样可以不用额外的再采用去离子水或含CO2的去离子水在对半导体衬底进行清洗，从而可以降低清洗所耗费的时间。
本公开的实施例中，对半导体器件进行干燥处理的步骤可以根据干燥处理步骤前的清洗步骤的具体实施方式进行相应的选择，例如，干燥处理步骤前的清洗步骤为采用去离子水或含CO2的去离子水进行清洗，则可从以下干燥处理步骤中进行选择：
示例性地，干燥处理步骤可以包括：在大气环境下或不活泼气体(例如惰性气体和氮气等)环境下对半导体器件进行旋转干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：可以采用低表面张力且高挥发性有机溶剂对半导体器件进行液相干燥处理或气相干燥处理。可选地，低表面张力且高挥发性有机溶剂包括但不限于甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇，正丁醇，异丁醇，丙酮，甲基丙酮和丁酮中至少一种。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用超临界流体干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用表面改性剂干燥法对半导体器件进行干燥处理，使半导体器件呈现疏水性。可选地，半导体衬底为晶圆，则可以采用晶圆表面改性剂干燥法，使晶圆呈现疏水性。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用液相-固相-气相变化的支撑层干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
例如，干燥处理步骤前的清洗步骤为采用第一水溶性有机溶剂进行清洗，则可从以下干燥处理步骤中进行选择：
示例性地，干燥处理步骤可以包括：在大气环境下或不活泼气体(例如惰性气体和氮气等)环境下对半导体器件进行旋转干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用超临界流体干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用表面改性剂干燥法对半导体器件进行干燥处理，使半导体器件呈现疏水性。可选地，半导体衬底为晶圆，则可以采用晶圆表面改性剂干燥法，使晶圆呈现疏水性。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
示例性地，干燥处理步骤可以包括：也可以采用液相-固相-气相变化的支撑层干燥法对半导体器件进行干燥处理。具体的干燥方法为本领域所熟知，在此不再赘述。
本公开的清洗方法得到的器件结构保持完整，且不变形，能够提高半导体器件的电学性能及产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (17)
1.一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括：
采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；
采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；
其中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。
2.如权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。
3.如权利要求2所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：
采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
4.如权利要求2所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：
采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；
其中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。
5.如权利要求4所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。
6.如权利要求5所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，且在所述采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件之前，还包括：
采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
7.如权利要求4-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第二水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
8.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
9.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，还包括：
在各所述清洗的步骤均完成后，对所述半导体器件进行干燥处理。
10.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之前，还包括：
采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
11.如权利要求10所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：
采用清洗液清洗所述形成有深宽比结构的半导体器件；其中，所述清洗液包括去离子水、含CO2的去离子水和第三水溶性有机溶剂中的至少一种；
其中，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
12.如权利要求11所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。
13.如权利要求12所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第三水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。
14.如权利要求11-13任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括所述第三水溶性有机溶剂时，在所述采用清洗液清洗所述形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：
采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述清洗液清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。
15.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述腐蚀性水溶液包括：氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、四甲基氢氧化铵水溶液以及氢氧化铵水溶液中的至少一种。
16.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，各所述清洗的条件各自独立地包括：温度为23～30℃，时间为5～40秒。
17.如权利要求1-6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述半导体器件的深宽比结构的深宽比不小于6:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210517412.7A CN114975082A (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 半导体器件的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210517412.7A CN114975082A (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 半导体器件的清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114975082A true CN114975082A (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82980596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210517412.7A Pending CN114975082A (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 半导体器件的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114975082A (zh) |
-
2022
- 2022-05-12 CN CN202210517412.7A patent/CN114975082A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070072782A1 (en) | Unsaturated dicarboxylic acid and ethylene urea containing formulation for cleaning semiconductor and cleaning method | |
| JP4988165B2 (ja) | フォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジストの剥離方法 | |
| CN102399648B (zh) | 一种含氟清洗液 | |
| KR20090076938A (ko) | 웨이퍼 재작업 적용을 위한 포토레지스트의 제거를 위한 조성물 및 방법 | |
| TWI821455B (zh) | 化學機械研磨後清潔組合物 | |
| JP2006011297A (ja) | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物 | |
| KR20140008995A (ko) | 반도체 기판의 세정용 액체 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 | |
| KR100207469B1 (ko) | 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법 | |
| US8420529B2 (en) | Copper wiring surface protective liquid and method for manufacturing semiconductor circuit | |
| JP4693642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および洗浄装置 | |
| US8741066B2 (en) | Method for cleaning substrates utilizing surface passivation and/or oxide layer growth to protect from pitting | |
| US5882425A (en) | Composition and method for passivation of a metallization layer of a semiconductor circuit after metallization etching | |
| US6074935A (en) | Method of reducing the formation of watermarks on semiconductor wafers | |
| TWI602913B (zh) | 在化學機械拋光後清潔半導體裝置基板之清潔組合物及方法 | |
| WO2020044862A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| CN114975082A (zh) | 半导体器件的清洗方法 | |
| CN111492463B (zh) | 半导体处理中的氢化硅烷化 | |
| KR101101378B1 (ko) | Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물 | |
| CN114273320A (zh) | 一种半导体晶圆干刻后清洗工艺 | |
| US20090250431A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US20050189001A1 (en) | Method for cleaning substrates using supercritical fluids | |
| KR20080062186A (ko) | 반도체 기판의 건조방법 | |
| JPH11204491A (ja) | ドライエッチング残留物除去方法 | |
| KR20060012518A (ko) | 반도체 제조공정의 기판 처리 방법 | |
| KR100234401B1 (ko) | 웨이퍼 세정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |