CN114965901A - Pecvd设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
Description
技术领域
本申请半导体生产技术领域，具体而言，涉及一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备反应沉积过程中，反应腔内在衬底外的部分会沉积多余的反应物，这些反应物对于PECVD设备而言属于会影响沉积效果的杂质，故PECVD需要定期进行清洗。
现有的PECVD设备清洗过程无法获知其内杂质的清除情况，其清洗时长、频率一般为按照经验进行设定，在清洗过程中，用户无法确切地了解清洗过程的进度，清洗时间过长会浪费时间，清洗时间过短则会导致杂质不完全去除。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，以预测获取PECVD设备的清洗时间。
第一方面，本申请提供了一种PECVD设备的清洗时间预测方法，用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，所述PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，所述方法包括以下步骤：
在清洗所述PECVD设备时，获取预设采集时间内所述反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及所述预设采集时间生成清洗进度函数；
根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
本申请的PECVD设备的清洗时间预测方法，能使用户获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息的步骤包括：
比较所述清洗进度函数和预设的基准函数，获取当前清洗进度信息；
根据所述当前清洗进度信息和所述预设的基准函数生成所述预测时间信息和/或所述提醒信息。
该示例的方法能根据当前清洗进度信息在基准函数中的位置，快速分析获取清洗结束所需要的时间以及不同时间后反应腔的清洗进度，以高效地能生成预测时间信息和/或提醒信息。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述清洗进度函数为所述反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述方法还包括以下步骤：
在达到所述预测时间信息或所述提醒信息相应的时间后，获取所述尾气中的反应后气体浓度信息；
在所述反应后气体浓度信息为零时，生成清洗终止信号。
在该示例的方法中，清洗终止信号为PECVD设备中对应清洗装置的终止控制信号，尾气中反应后气体浓度应为零表明反应腔中杂质已被完全清除，故生成清洗终止信号能及时关闭清洗装置，实现清洗操作关闭的自动控制，避免了不必要的能源损耗。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述方法还包括以下步骤：
在达到所述预测时间信息或所述提醒信息相应的时间后，生成清洗终止信号，或根据预设延时时间生成所述清洗终止信号。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述PECVD设备基于NF3气体腐蚀进行所述反应腔清洗，所述反应后气体浓度变化信息为SiF4气体的浓度变化信息。
所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其中，所述提醒信息包括至少一个的进度信息和与所述进度信息对应的时间点信息。
第二方面，本申请还提供了一种PECVD设备的清洗时间预测装置，用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，所述PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，所述装置包括：
获取模块，用于在清洗所述PECVD设备时，获取预设采集时间内所述反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
函数模块，用于基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及所述预设采集时间生成清洗进度函数；
预测模块，用于根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
该示例的装置能使用户获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
第三方面，本申请还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
第四方面，本申请还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
由上可知，本申请提供了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
附图说明
图1为本申请实施例提供的PECVD设备的清洗时间预测方法的流程图。
图2为一种能实施本申请实施例提供的PECVD设备的清洗时间预测方法的PECVD设备的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的PECVD设备的清洗时间预测装置的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
附图标记：201、获取模块；202、函数模块；203、预测模块；301、处理器；302、存储器；303、通信总线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
第一方面，请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种PECVD设备的清洗时间预测方法的流程图，该方法用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，方法包括以下步骤：
S1、在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
具体地，基于气体腐蚀进行清洗的处理方式一般为朝向PECVD反应腔持续输入稳定流量的清洗用的反应气体，使该反应气体与反应腔内沉积的杂质进行化学反应，即利用反应气体腐蚀杂质而生成反应后气体，反应后气体伴随未进行反应的反应气体作为尾气从反应腔向外排出。
更具体地，由于清洗过程中，输入的反应气体流量稳定，因此，尾气中的反应气体浓度和反应后气体浓度均能反映对应时间中杂质的去除量，而对于PECVD反应腔而言，其不同位置的杂质沉积量不同（如底部较多，两侧较少），在整个PECVD清洗过程中，杂质去除效率沿时间呈线性变化，如前期清除效率高，后期清除效率逐步降低，因此，尾气中的反应气体浓度变化信息和反应后气体浓度变化信息能反映出对应时间段内杂质去除效率，结合杂质去除效率沿时间呈线性变化的特点，尾气中的反应气体浓度变化信息和反应后气体浓度变化信息能在一定程度上推算出反应腔内当前杂质的余量。
更具体地，在本申请实施例中，气体腐蚀清洗操作优选为采用只针对杂质进行腐蚀且反应生成物均为气体的操作手段，使得反应腔清洗后不残留异物，且能确保反应后气体浓度变化信息能反映杂质去除效率；在别的实施方式中，也可以采用反应物包含液体的操作手段，在该处理方式中，清洗结束后需要利用设备自带的吹扫手段去除反应腔内液体。
更具体地，反应气体浓度变化信息可以是在预设采集时间内多个时间节点采集的反应气体浓度信息，还可以是在预设采集时间内持续采集的反应气体浓度关于时间变化的曲线，其表征了在该预设采集时间内尾气中反应气体浓度与时间的变化关系；反应后气体浓度变化信息可以是在预设采集时间内多个时间节点采集的反应后气体浓度信息，还可以是在预设采集时间内持续采集的反应后气体浓度关于时间变化的曲线，其表征了在该预设采集时间内尾气中反应后气体浓度与时间的变化关系。
S2、基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；
具体地，由前述内容可知，尾气中的反应气体浓度变化信息和反应后气体浓度变化信息能反映出对应时间段内杂质去除效率，故本申请实施例的方法，能根据任一或多种反应气体浓度变化信息/任一或多种反应后气体浓度变化信息获知对应预设采集时间范围内的杂质去除效率，基于杂质去除效率能推算杂质余量以及后续杂质去除进度情况，该关于时间变化的杂质去除进度构成了上述清洗进度函数，即该清洗进度函数表征了在清洗过程中反应腔内剩余杂质与时间的变化关系。
S3、根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
具体地，由于清洗进度函数表征了在清洗过程中反应腔内剩余杂质与时间的变化关系，故步骤S3能基于该变化关系确定杂质为零的时刻，该时刻为预测时间信息，使得用户能根据预设采集时间内采集的数据快速分析获取反应腔内杂质全部被清除的时刻，供用户根据该时刻调整生产计划以更合理地规划半导体加工生产进程。
更具体地，提醒信息可以是在反应腔清洗结束时触发的通知信息，即在达到根据清洗进度函数预测的清洗结束的时刻而自动触发的通知信息，还可以是根据用于预先设定清洗进度而触发的通知信息，如基于用户设定杂质去除量达到80%或杂质剩余厚度小于预设厚度时而触发的通知信息，该提醒信息能在对应时刻及时告知用户反应腔的清洗情况，使用户能在对应时刻对PECVD进行相应操作，如在预测的清洗结束的时刻通知用户关闭清洗设备（暂停反应气体的供应）。
更具体地，预测时间信息和提醒信息均可以通过PECVD的显示设备、音配设备或IO扩展设备或手机等信息交互设备通知用户。
本申请实施例的PECVD设备的清洗时间预测方法，基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
另外，在本申请实施例的PECVD设备的清洗时间预测方法中，预设采集时间可以是在开始清洗时起始阶段的预设时间段，还可以是在清洗开始后的任意阶段的预设时间段，使得用户能在清洗过程中的任意时刻或任意阶段应用本申请实施例的方法来获取预测时间信息和/或提醒信息；更优选地，在本申请实施例中，预设采集时间为在开始清洗时起始阶段延时预设间隔后的预设时间段，确保获取的清洗进度函数表征的是清洗过程稳定进行时的反应腔内剩余杂质与时间的变化关系，避免清洗过程起始阶段清洗工况未完全建立而引起清洗进度函数偏差。
在一些别的实施方式中，PECVD一般是在工作相近的时长后进行清洗的，每次清洗过程中反应腔内杂质总量相对接近，因此，步骤S2获取的清洗进度函数还可以是杂质去除效率关于时间的变化曲线，使得步骤S3能根据预先设定的杂质总量结合清洗进度函数计算该杂质总量完全清洗所需要的时间，从而生成预测时间信息和/或提醒信息。
在一些优选的实施方式中，步骤S2生成的清洗进度函数可以是对应于预设采集时间内采集数据的变化函数，也可以是基于预设采集时间内采集数据而推算的关于整个清洗过程的变化函数，对于后者而言，步骤S3可基于清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息，具有数据计算量少的优势，但该函数对于预设采集时间外的部分为推算值，故生成的预测时间信息和/或提醒信息可靠性稍差；因此，在本申请实施例的方法中，清洗进度函数优选为对应于预设采集时间内采集数据的变化函数，在一些优选的实施方式中，根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息的步骤包括：
S31、比较清洗进度函数和预设的基准函数，获取当前清洗进度信息；
具体地，基准函数为用于反映整个清洗过程中清洗进度与时间变化关系的变化函数，其为根据多次试验测量或模拟产生的变化函数，为适用于对应规格PECVD清洗而设计的变化函数，在本申请实施例中，清洗进度函数和基准函数可以是用于表征反应腔内剩余杂质与时间的关系的变化函数，还可以为是用于表征反应腔内杂质清除量与时间的关系的变化函数，还可以是用于表征反应腔内杂质清除效率与时间的关系的变化函数。
更具体地，由于清洗进度函数为对应于预设采集时间内采集数据的变化函数，而基准函数为对应于整个清洗过程的变化函数，故对应同一套PECVD而言，预设采集时间对应的清洗进度匹配于基准函数对应的整个清洗过程中的局部时间段，通过比对清洗进度函数和预设的基准函数的匹配性或相似部位，可以确定清洗进度函数在基准函数中的最相似部位，进而确定了该预设采集时间在整个清洗过程中的进度，即获取了当前清洗进度信息。
更具体地，比较清洗进度函数和预设的基准函数的过程可以是基于清洗进度函数的局部斜率、平均斜率、线型特点或起点终点位置与基准函数相应的特征数据进行匹配比较。
更具体地，由于在实际清洗过程中，由于反应气体流量具有一定波动性且反应腔内杂质沉积分布局域具有一定偏差，在本申请实施例中，步骤S31中比较清洗进度函数和预设的基准函数的过程为获取清洗进度函数在基准函数中的最相似部位，以提高数据匹配的容错率，以顺利获取当前清洗进度信息。
S32、根据当前清洗进度信息和预设的基准函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
具体地，基准函数对应于整个清洗过程，故本申请实施例的方法能根据当前清洗进度信息在基准函数中的位置，快速分析获取清洗结束所需要的时间以及不同时间后反应腔的清洗进度，以高效地生成预测时间信息和/或提醒信息。
更具体地，在本申请实施例中，设置基准函数与清洗进度函数进行比对分析，可有效提高生成的预测时间信息和/或提醒信息的精度。
在一些优选的实施方式中，清洗进度函数优选为反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数，更优选为对应于预设采集时间内的反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数，故基准函数也优选为对应于整个清洗过程的反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数。
具体地，根据前述内容可知，杂质的清除效率受到反应腔内不同位置杂质沉积厚度的影响，越到清洗后期，受限于反应气体与杂质的接触面积减少，杂质的清除效率越低，杂质清除量关于时间的变化除了能反映杂质去除总量的同时还能换算出杂质清除效率，结合预设的杂质总量、当前杂质去除总量以及换算的杂质去除效率，能使步骤S3更精确地计算出预测时间信息和/或提醒信息。
在本申请实施例的方法中，预测时间信息和/或提醒信息均为计算生成的预测数据，在PECVD清洗过程抵达对应的时间后，由于工艺上的偏差，反应腔清洗进度可能与预测数据具有一定偏差，因此，本申请实施例的方法还可以增加预测数据的验证手段，即在一些优选的实施方式中，本申请实施例的方法还包括以下执行于步骤S3之后的步骤：
S4、在达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后，获取尾气中的反应后气体浓度信息；
具体地，该反应后气体浓度信息可以是一个时间节点的气体浓度或多个连续时间节点的气体浓度，在本申请实施例中，由于步骤S4-S5用于验证预测数据，故该反映气体浓度信息优选为一个时间节点的气体浓度。
更具体地，反应后气体浓度能反应当前状态反应气体腐蚀杂质的速率，如当反应腔内杂质被完全清洗，则尾气中反应后气体浓度应为零。
S5、在反应后气体浓度信息为零时，生成清洗终止信号。
具体地，清洗终止信号为PECVD设备中对应清洗装置的终止控制信号，尾气中反应后气体浓度应为零表明反应腔中杂质已被完全清除，故生成清洗终止信号能及时关闭清洗装置，实现清洗操作关闭的自动控制，避免了不必要的能源损耗。
更具体地，在别的实施方式中，还可以是在整个清洗过程中持续检测尾气中的反应后气体浓度信息来实时判断清洗是否完成进而及时执行步骤S5来结束清洗，但该方式需要持续使用反应后气体浓度传感器来进行数据检测，会导致该反应后气体浓度传感器寿命降低并增加能耗，本申请实施例的方法能有效弥补该缺陷并及时生成清洗终止信号。
在一些优选实时方式中，步骤S4优选为：在达到预测时间信息的时间后，获取尾气中的反应后气体浓度信息，本申请实施例的方法在执行步骤S4后，还可以执行以下步骤：
S5’、在反应后气体浓度信息不为零时，根据反应后气体浓度信息调节基准函数。
具体地，在达到预测时间信息时若反应后气体浓度信息不为零，表示实际数据与预测数据存在一定偏差，执行步骤S5’能根据实际运行情况调节修正基准函数，使得该基准函数能匹配于PECVD实际清洗过程使用，确保下一次应用本申请实施例的方法进行预测时，生成的预测时间信息更准确。
在一些优选实时方式中，本申请实施例的方法还包括执行于步骤S5’之后的步骤：
S6、根据反应后气体浓度信息生成修正后预测时间信息或返回步骤S1。
具体地，步骤S5’中检测中反应后气体浓度信息不为零表明清洗过程尚未结束，故需要重新设定预测时间信息进行补偿清洗，以确保反应腔内杂质被完全清除。
在一些优选的实施方式中，方法还包括于步骤S3之后的步骤：
S4’、在达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后，生成清洗终止信号，或根据预设延时时间生成清洗终止信号。
具体地，在实际PECVD清洗过程中，其对杂质清洗要求并不是十分严格，故本申请实施例的方法能简化步骤S4中的验证过程，以使PECVD在清洗达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后，直接视为达到相应的清洗目的，使清洗装置达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后结束清洗，简化设备清洗过程的控制逻辑；若需确保清洗效果更佳，则在预设延时时间后生成清洗终止信号，便能保证杂质清洗达到预期目的。
在一些优选的实施方式中，PECVD设备基于NF3气体腐蚀进行反应腔清洗，反应后气体浓度变化信息为SiF4气体的浓度变化信息。
具体地，本申请实施例的PECVD设备主要用于制备SiC（碳化硅）晶圆，其杂质主要是沉积在反应腔内的碳化硅，其通过NF3气体与固态的SiC反应生成气态的SiF4和气态的CF4，即在本申请实施例中，NF3为反应气体，SiF4和CF4均为反应后气体，该反应生成物均为气体，故能满足本申请实施例的方法进行使用。
更具体地，步骤S1优选为获取一种反应气体浓度变化信息和一种反应后气体浓度变化信息，在本申请实施例中更优选为获取NF3的浓度变化信息和SiF4的浓度变化信息，获取两种气体的浓度信息能使步骤S2生成更加精确的清洗进度函数，如以其中一种浓度变化信息建立杂质清除量与时间的变化关系，再利用另一种浓度变化信息修正该变化关系中线性特点不明确的部分，以生成具有线性特点的清洗进度函数。
在一些优选的实施方式中，提醒信息包括至少一个的进度信息和与进度信息对应的时间点信息。
具体地，在该实施方式中，进度信息属于显示数据，时间点信息属于时钟数据，使得PECVD设备达到时间点信息的时间时，通过交互设备自动显示进度信息来进行提醒操作。
更具体地，在该实施方式中，提醒信息可以用于多个清洗进度的提醒，如60%的清洗进度提醒、80%的清洗进度提醒及100%的清洗进度提醒，可供用户根据使用需求进行设定，使得用户能根据不同清洗进度适时进行生产准备工作，如准备在80%的清洗进度时对装载腔进行抽真空处理等。
在一些优选的实施方式中，如图2所示为其中一种能实施本申请实施例的方法的PECVD设备的结构示意图，其从PECVD设备反应腔一侧通入反应气体对反应腔进行清洗处理，并从反应腔底部排出尾气，PECVD设备反应腔下方设有尾气检测装置以获取反应气体浓度变化信息、反应后气体浓度变化信息、反应后气体浓度信息等，PLC用于执行控制本申请实施例的方法，并通过工控机输出预测时间信息和/或提醒信息。
第二方面，请参照图3，图3是本申请一些实施例中提供的一种PECVD设备的清洗时间预测装置的结构示意图，该装置用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间， PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，装置包括：
获取模块201，用于在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
函数模块202，用于基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；
预测模块203，用于根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
本申请实施例的PECVD设备的清洗时间预测装置，基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
在一些优选的实施方式中，装置还包括：
浓度获取模块，用于在达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后，获取尾气中的反应后气体浓度信息；
第一终止模块，用于在反应后气体浓度信息为零时，生成清洗终止信号。
在一些优选的实施方式中，装置还包括：
第二终止模块，用于在达到预测时间信息或提醒信息相应的时间后，生成清洗终止信号，或根据预设延时时间生成清洗终止信号。
在一些优选的实施方式中，本申请实施例的PECVD设备的清洗时间预测装置用于执行上述第一方面提供的PECVD设备的清洗时间预测方法。
第三方面，请参照图4，图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
综上，本申请实施例提供了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制，间接提高PECVD设备的使用效率。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种PECVD设备的清洗时间预测方法，用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，其特征在于，所述PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，所述方法包括以下步骤：
在清洗所述PECVD设备时，获取预设采集时间内所述反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及所述预设采集时间生成清洗进度函数；
根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
2.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息的步骤包括：
比较所述清洗进度函数和预设的基准函数，获取当前清洗进度信息；
根据所述当前清洗进度信息和所述预设的基准函数生成所述预测时间信息和/或所述提醒信息。
3.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述清洗进度函数为所述反应腔内的杂质清除量关于时间的变化函数。
4.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
在达到所述预测时间信息或所述提醒信息相应的时间后，获取所述尾气中的反应后气体浓度信息；
在所述反应后气体浓度信息为零时，生成清洗终止信号。
5.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
在达到所述预测时间信息或所述提醒信息相应的时间后，生成清洗终止信号，或根据预设延时时间生成所述清洗终止信号。
6.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述PECVD设备基于NF3气体腐蚀进行所述反应腔清洗，所述反应后气体浓度变化信息为SiF4气体的浓度变化信息。
7.根据权利要求1所述的PECVD设备的清洗时间预测方法，其特征在于，所述提醒信息包括至少一个的进度信息和与所述进度信息对应的时间点信息。
8.一种PECVD设备的清洗时间预测装置，用于获取清洗PECVD设备反应腔所需的时间，其特征在于，所述PECVD设备基于气体腐蚀的方式进行反应腔清洗，所述装置包括：
获取模块，用于在清洗所述PECVD设备时，获取预设采集时间内所述反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；
函数模块，用于基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及所述预设采集时间生成清洗进度函数；
预测模块，用于根据所述清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一项所述方法中的步骤。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一项所述方法中的步骤。
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2022
- 2022-06-16 CN CN202210687606.1A patent/CN114965901B/zh active Active
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