CN114944432A - 一种hbc太阳能电池及制备方法、电池组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。HBC太阳能电池包括：硅基底、均位于硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护绝缘层的绝缘保护层；第二传输层在硅基底的背光面上的第一投影，与第一传输层在硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；绝缘层和绝缘保护层均位于第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖重叠区域；绝缘保护层与绝缘层紧邻分布，且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧；在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层的刻蚀速率，小于绝缘层的刻蚀速率。绝缘保护层的刻蚀速率均较慢，绝缘保护层会对绝缘层起到良好的保护作用，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能。

Description

一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件。
背景技术
背接触异质结太阳能电池(Heterojunction-IBC，简称为HBC)，由于电极设置于电池背光面，可以有效降低短路电流损失，具有广阔的应用前景。
现有的HBC太阳能电池中，绝缘性能欠佳，导致HBC太阳能电池效率较低。
发明内容
本发明提供一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，旨在解决现有的HBC太阳能电池中，绝缘性能欠佳的问题。
本发明的第一方面，提供一种HBC太阳能电池的制备方法，包括：
硅基底、均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同；
所述第二传输层在所述硅基底的背光面上的第一投影，与所述第一传输层在所述硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；所述绝缘层和所述绝缘保护层均位于所述第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖所述重叠区域；所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布，且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧；
在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率。
本发明实施例中，绝缘层和绝缘保护层紧邻分布，且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧。在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层的刻蚀速率，小于绝缘层的刻蚀速率，进而，在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，绝缘保护层的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层远离硅基底一侧的绝缘保护层均会对绝缘层起到良好的保护作用，使得绝缘层基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。
可选的，在相同的碱刻蚀条件下，所述绝缘层的刻蚀速率，为所述绝缘保护层的刻蚀速率的30-1800倍。
可选的，在50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件下：所述绝缘层的刻蚀速率为300-1800nm/min，所述绝缘保护层的刻蚀速率为1-10nm/min。
可选的，所述绝缘保护层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
可选的，所述绝缘保护层为单层结构，或叠层结构。
可选的，所述绝缘保护层的厚度为1nm-2um；所述绝缘保护层的厚度为：所述绝缘保护层在所述硅基底和所述绝缘层的层叠方向上的尺寸。
可选的，所述绝缘保护层包括至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；
所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
可选的，所述绝缘保护层由依次层叠的第一P型层、本征非晶硅层、第二P型层组成；或，所述绝缘保护层由层叠的第三P型层、本征非晶硅层组成。
可选的，所述绝缘保护层包括：掺硼氧化硅层、掺硼碳化硅层、掺硼氮化硅层三者中的至少一种。
可选的，所述绝缘层的材料选自：氮化硅和/或氧化硅。
可选的，所述HBC太阳能电池还包括：与所述绝缘层均位于所述硅基底同一侧的，第一背面钝化层、第二背面钝化层、透明导电层、第一电极和第二电极；
所述第一背面钝化层、所述第一传输层均位于所述硅基底和所述绝缘层之间，且所述第一传输层位于所述第一背面钝化层远离所述硅基底的一侧；所述第一传输层在所述硅基底上的第二投影，和所述第一背面钝化层在所述硅基底上的第三投影重叠；所述第一背面钝化层在所述硅基底上间断分布；
所述第二背面钝化层包括和所述第一背面钝化层平齐分布的平齐部分，所述平齐部分位于所述第一背面钝化层的间断位置，且和所述第一背面钝化层形成覆盖所述硅基底的一整层；
所述第二背面钝化层、所述第二传输层、所述透明导电层依次层叠在所述绝缘保护层远离所述硅基底的一侧；所述透明导电层在所述重叠区域上不连续；
所述第一电极、所述第二电极均位于所述透明导电层上所述非重叠区域对应位置上，且所述第一电极和所述第一传输层位置对应，所述第二电极和所述第二传输层位置对应。
本发明的第二方面，提供一种电池组件，包括：至少一个任一项前述的HBC太阳能电池。
本发明的第三方面，提供一种HBC太阳能电池的制备方法，包括：
在硅基底的背光侧依次形成第一传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率；
采用激光在所述绝缘保护层上开口，使得所述绝缘层裸露；
去除所述绝缘层中裸露的部分，以及所述第一传输层中所述开口对应的部分；
在剩余的绝缘保护层，以及所述硅基底的背光侧形成第二传输层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同。
可选的，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上沉积形成所述绝缘保护层。
可选的，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成至少一层P型层；所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种；
所述采用激光在所述绝缘保护层上开口，包括：
在所述P型层上形成本征非晶硅层；
将所述本征非晶硅层作为激光吸收层，采用激光在所述绝缘保护层上开口。
可选的，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
可选的，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成第一P型层；
在所述第一P型层上形成本征非晶硅层；
在所述本征非晶硅层形成第二P型层。
可选的，形成第一传输层之前，所述方法还包括：
在所述硅基底的背光面形成第一背面钝化层；
所述形成第一传输层包括：在所述第一背面钝化层上形成所述第一传输层；
去除所述第一传输层中所述开口对应的部分之后，形成第二传输层之前，所述方法还包括：
去除所述第一背面钝化层中所述开口对应的部分，使得所述硅基底裸露；
在剩余的绝缘保护层，以及裸露的所述硅基底上形成第二背面钝化层；
所述形成第二传输层，包括：
在所述第二背面钝化层上，形成所述第二传输层；
所述方法还包括：
依次去除所述第二传输层中部分所述绝缘层对应的区域、所述第二背面钝化层中部分所述绝缘层对应的区域，使得在所述第二背面钝化层和所述第二传输层层叠的方向上，所述第二背面钝化层和所述第二传输层平齐分布；
采用激光去除所述绝缘保护层中部分所述绝缘层对应的区域，使得在所述第二背面钝化层和所述第二传输层层叠的方向上，所述绝缘保护层和所述第二背面钝化层平齐分布。
上述电池组件、HBC太阳能电池的制备方法，均与前述的HBC太阳能电池具有相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中的第一种HBC太阳能电池的结构示意图；
图2示出了本发明实施例中的第二种HBC太阳能电池的结构示意图；
图3示出了本发明实施例中的第三种HBC太阳能电池的结构示意图；
图4示出了本发明实施例中的第四种HBC太阳能电池的结构示意图；
图5示出了本发明实施例中的一种HBC太阳能电池的制备方法的步骤流程图；
图6示出了本发明实施例中的第一种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图7示出了本发明实施例中的第二种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图8示出了本发明实施例中的第三种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图9示出了本发明实施例中的第四种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图10示出了本发明实施例中的第五种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图11示出了本发明实施例中的第六种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图12示出了本发明实施例中的第七种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图13示出了本发明实施例中的第八种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图14示出了本发明实施例中的第九种HBC太阳能电池的局部结构示意图；
图15示出了本发明实施例中的第十种HBC太阳能电池的局部结构示意图。
附图编号说明：
1-硅基底，111-硅基底的背光面，222-硅基底的向光面，2-第一背面钝化层，3-第一传输层，4-绝缘层，5-绝缘保护层，51-本征非晶硅层，52-P型层或第三P型层，521-第一P型层，522-第二P型层，6-开口，9-第二背面钝化层，10-第二传输层，11-正面钝化层层，12-正面半导体层，13-正面减反层，16-透明导电层，17-透明导电层中打断的区域，18-第一电极，19-第二电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1示出了本发明实施例中的第一种HBC太阳能电池的结构示意图。参照图1所示，HBC太阳能电池包括：硅基底1，对硅基底1的掺杂类型不作具体限定。例如，该硅基底1可以为N型掺杂的硅基底，或者，可以为P型掺杂的硅基底。在本发明实施例中，对此不作具体限定。硅基底1包括向光面和背光面，两者相对分布。
参照图1所示，HBC太阳能电池还包括：位于硅基底1背光侧的第一传输层3、第二传输层10、绝缘层4以及用于保护绝缘层4的绝缘保护层5。第一传输层3和第二传输层10的掺杂类型相反。即，第一传输层3和第二传输层10中一个为N型传输层，则，另一个即为P型传输层。
第二传输层10在硅基底1的背光面上的第一投影，与第一传输层3在硅基底1的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域。绝缘层4和绝缘保护层5均位于第一传输层3和第二传输层10之间，且完全覆盖上述重叠区域。绝缘层4用于将第一传输层3和第二传输层10隔绝开。
发明人发现，现有技术中，HBC太阳能电池的绝缘性能欠佳的主要原因在于：在制备HBC太阳能电池的过程中，很多层均需要经过图形化阶段，例如，传输层进行图形化，对透明导电层进行图形化，上述图形化的过程中不论使用激光刻蚀还是湿法刻蚀均会对绝缘层4造成破坏，例如，无论是酸性刻蚀还是碱性刻蚀，均会对绝缘层4造成破坏。上述激光刻蚀或湿法刻蚀对绝缘层4的破坏主要表现为两种情况，第一种情况是，绝缘层4完全被激光刻蚀或湿法刻蚀溶液腐蚀，使得后续工艺无法顺利进行；第二种情况是，绝缘层4被激光刻蚀或湿法刻蚀溶液腐蚀为多孔结构，与绝缘层4相邻的层会残留至绝缘层4的孔洞中，上述残留的物质会增大接触电阻降低太阳能电池的效率。综上所述，现有的HBC太阳能电池中，均会由于激光刻蚀或湿法刻蚀腐蚀绝缘层，导致HBC太阳能电池的绝缘性能欠佳。
本发明实施例中，绝缘层4和绝缘保护层5紧邻分布，且绝缘保护层5位于绝缘层4远离硅基底1的一侧。在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层5的刻蚀速率，小于绝缘层4的刻蚀速率，进而，在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，绝缘保护层5的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层4远离硅基底一侧的绝缘保护层5均会对绝缘层4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了现有技术中，HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层4被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。
可选的，在相同的碱刻蚀条件下，绝缘层4的刻蚀速率，为绝缘保护层5的刻蚀速率的30-1800倍。就是说，在相同的碱刻蚀条件下，绝缘层4的刻蚀速率远远大于绝缘保护层5的刻蚀速率，进而，碱刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液基本不会破会绝缘保护层5，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用，绝缘层4基本不会受到破坏或影响，进而提升HBC太阳能电池的绝缘性能。
需要说明的是，硅材料基本都具有很好的耐酸性，因此，在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，多使用碱刻蚀溶液，因此，本发明实施例中，在相同的碱刻蚀条件下，绝缘层4的刻蚀速率，为绝缘保护层5的刻蚀速率的30-1800倍，使得绝缘保护层5在绝大多数的图形化过程中，都对绝缘层4具有良好的保护作用。
例如，本征非晶硅、N型硅材料、P型硅材料等基本都具备很好的耐酸性，进而在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，多使用碱刻蚀溶液，在相同的碱刻蚀条件下，绝缘层4的刻蚀速率，为绝缘保护层5的刻蚀速率的30-1800倍，使得绝缘保护层5在绝大多数的图形化过程中，都对绝缘层4具有良好的保护作用。
可选的，在50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件下：绝缘层4的刻蚀速率为300-1800nm/min，绝缘保护层5的刻蚀速率为1-10nm/min。具体的，50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件为HBC太阳能电池中常用的碱刻蚀条件，在常用的碱刻蚀条件下，绝缘层4的刻蚀速率为300-1800nm/min，绝缘保护层5的刻蚀速率仅为1-10nm/min，绝缘层4的刻蚀速率远远大于绝缘保护层5的刻蚀速率，进而，碱刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液基本不会破会绝缘保护层5，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用，绝缘层4基本不会受到破坏或影响，进而提升HBC太阳能电池的绝缘性能。
例如，在80℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.5％的碱刻蚀条件下：绝缘层4的刻蚀速率在1200nm/min，绝缘保护层5的刻蚀速率为8nm/min，绝缘层4的刻蚀速率为绝缘保护层5的刻蚀速率的150倍，碱刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液基本不会破会绝缘保护层5，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用，绝缘层4基本不会受到破坏或影响，进而提升HBC太阳能电池的绝缘性能。
可选的，绝缘保护层5的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。上述材料的绝缘保护层5对于碱刻蚀溶液的刻蚀速率很小，碱刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液基本不会破会绝缘保护层5，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用。而且，上述材料的绝缘保护层5对于酸刻蚀溶液的刻蚀速率也很小，酸刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，酸刻蚀溶液也基本不会破会绝缘保护层5，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用。
可选的，绝缘保护层5为单层结构或叠层结构。绝缘保护层5为叠层结构的情况下，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产。同时，使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。若，绝缘保护层5为叠层结构，具体是几层不作具体限定。
图2示出了本发明实施例中的第二种HBC太阳能电池的结构示意图。图3示出了本发明实施例中的第三种HBC太阳能电池的结构示意图。图4示出了本发明实施例中的第四种HBC太阳能电池的结构示意图。如，图1、图3所示的绝缘保护层5即为单层结构。图2、图4所示的绝缘保护层5即为叠层结构。
可选的，绝缘保护层5的厚度为1nm-2um，绝缘保护层5的厚度为：绝缘保护层5在硅基底1和绝缘层4的层叠方向上的尺寸，上述厚度范围的绝缘保护层5对刻蚀溶液的刻蚀速率更慢，对绝缘层4的保护作用更优。例如，绝缘保护层5的厚度为1nm、20nm、100nm、1um、2um。更优的，绝缘保护层5的厚度可以为3nm-500nm。
可选的，参照图2所示，绝缘保护层5包括至少一层P型层52和至少一层本征非晶硅层51，且绝缘保护层5中远离硅基底1的一侧为P型层52，P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液基本不会破会P型层52，P型层52对本征非晶硅层51具有良好的保护作用，绝缘层5整体基本不会被破坏，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用。同样的，绝缘保护层5为叠层结构，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。
需要说明的是，绝缘保护层5包括的P型层52的层数、本征非晶硅层51的层数均不作具体限定，只需保证绝缘保护层5中远离硅基底1的一侧为P型层52即可达到上述作用，其余层的相对位置关系同样不作具体限定。
可选的，参照图4所示，绝缘保护层5由依次层叠的第一P型层521、本征非晶硅层51、第二P型层522组成，碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液基本不会破会本征非晶硅层51远离硅基底1一侧的P型层，如图4，,本征非晶硅层51远离硅基底1一侧的第二P型层522对本征非晶硅层51具有良好的保护作用，绝缘层5整体基本不会被破坏，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用。同样的，绝缘保护层5为叠层结构，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优，同时最靠近硅基底的第一P型层521还可以作为耐刻蚀的最后屏障，增强了对绝缘层4的保护作用。
或，参照图2所示，绝缘保护层5由层叠的第三P型层52、本征非晶硅层51组成，同样的，碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液从绝缘保护层5远离绝缘层4的一侧进行刻蚀的过程中，碱刻蚀溶液或酸性刻蚀溶液基本不会破会本征非晶硅层51远离硅基底1一侧的第三P型层52，第三P型层52对本征非晶硅层51具有良好的保护作用，绝缘层5整体基本不会被破坏，使得绝缘保护层5对绝缘层4具有良好的保护作用。同样的，绝缘保护层5为叠层结构，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。
可选的，上述绝缘保护层5包括：掺硼氧化硅层、掺硼碳化硅层、掺硼氮化硅层三者中的至少一种，上述绝缘保护层5对酸碱刻蚀溶液的刻蚀速率慢，且易于获得，成本较低。
可选的，绝缘层4的材料选自：氮化硅和/或氧化硅，上述材料的绝缘层4的绝缘效果好，且易于获得，成本较低。
可选的，参照图1-图4所示，该HBC太阳能电池还包括：与绝缘层4均位于硅基底1同一侧的，第一背面钝化层2、第二背面钝化层9、透明导电层16、第一电极18和第二电极19。
第一背面钝化层2、第一传输层3均位于硅基底1和绝缘层4之间，且第一传输层3位于第一背面钝化层2远离硅基底1的一侧。第一传输层3在硅基底1上的第二投影，和第一背面钝化层2在硅基底1上的第三投影重叠。第一背面钝化层2在硅基底1上间断分布，则，第一传输层3在硅基底1上也间断分布。
第二背面钝化层9包括和第一背面钝化层2平齐分布的平齐部分，平齐部分位于第一背面钝化层2的间断位置，且和第一背面钝化层2形成覆盖硅基底1的一整层，进而使得硅基底1的背光面具有整层的背面钝化层，钝化效果好。
第二背面钝化层9、第二传输层10、透明导电层16依次层叠在绝缘保护层5远离硅基底1的一侧，透明导电层16在重叠区域上不连续，以避免短路。
第一电极18、第二电极19均位于透明导电层16上非重叠区域对应位置上，且第一电极18和第一传输层3位置对应，第一电极18用于收集和传导第一传输3对应的载流子，第二电极19和第二传输层10位置对应，第二电极19用于收集和传导第二传输层10对应的载流子。
可选的，第一背面钝化层2的材料可以为本征非晶硅。第一背面钝化层2的厚度可以为3-15nm，该厚度所在的方向与硅基底1和第一背面钝化层2层叠的方向平行，全文所提及的厚度、高度的方向，均与该定义相同。第一传输层3的厚度可以为3-20nm，绝缘层4的厚度可以为50-500nm。第二背面钝化层9的材料可以为本征非晶硅。第二背面钝化层9的厚度可以为5-20nm。
本发明还提供一种电池组件，该电池组件包括至少一个任一前述的HBC太阳能电池。该电池组件具有与前述的HBC太阳能电池相同或相似的有益效果，且相关部分可以相互参照，为了避免重复，此处不再赘述。
本发明还提供一种HBC太阳能电池的制备方法，图5示出了本发明实施例中的一种HBC太阳能电池的制备方法的步骤流程图。参照图5所示，该方法包括如下步骤：
步骤S1，在硅基底的背光侧依次形成第一传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布，且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧；在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率
图6示出了本发明实施例中的第一种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图6所示，111为硅基底1的背光面，222为硅基底1的向光面，两者相对分布。在硅基底1的背光侧一侧依次形成第一传输层3、绝缘层4以及保护绝缘层4的绝缘保护层5，进而使得，绝缘保护层5与绝缘层4紧邻分布，且绝缘保护层5位于绝缘层4远离硅基底1的一侧。
在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层5的刻蚀速率，小于绝缘层4的刻蚀速率，进而，后续在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，绝缘保护层5的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层4远离硅基底一侧的绝缘保护层5均会对绝缘层4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了现有技术中，HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层4被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。
需要说明的是，上述第一传输层3、绝缘层4以及保护绝缘层4的绝缘保护层5的形成方式不作具体限定，例如，可以通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)形成绝缘层4。
步骤S2，在所述绝缘保护层上开口，使得所述绝缘层裸露。
图7示出了本发明实施例中的第二种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图7所示，采用激光在绝缘保护层5上开口，开口为6，使得绝缘层4裸露。
步骤S3，去除所述绝缘层中裸露的部分，以及所述第一传输层中所述开口对应的部分。
图8示出了本发明实施例中的第三种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图8所示，去除绝缘层4中裸露的部分。图9示出了本发明实施例中的第四种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图9所示，去除第一传输层3中开口6对应的部分。可以采用激光、湿法刻蚀，或者先覆盖掩膜再用湿法刻蚀三种方式中的至少一种，去除第一传输层3中开口6对应的部分。去除第一传输层3中开口6对应的部分的过程中，位于绝缘层4远离硅基底一侧的绝缘保护层5均会对绝缘层4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了现有技术中，HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层4被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。
步骤S4，在剩余的绝缘保护层，以及所述硅基底的背光侧形成第二传输层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同。
图10示出了本发明实施例中的第五种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图10所示，在剩余的绝缘保护层5，以及硅基底1的背光侧形成第二传输层10，第一传输层3和第二传输层10的掺杂类型不同。对于第二传输层10的形成方式不作具体限定，例如，可以通过沉积的方式形成。
可选的，上述形成绝缘保护层5的方式可以包括：在绝缘层4上沉积形成绝缘保护层5，工艺成熟简单。例如，通过PECVD方式沉积形成绝缘保护层5。
图11示出了本发明实施例中的第六种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图11所示，上述形成绝缘保护层5可以包括:在绝缘层4上形成至少一层P型层52，该P型层52的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种；在上述P型层52上形成本征非晶硅层51。上述在绝缘保护层5上开口，包括：将本征非晶硅层51作为激光吸收层，通过激光在绝缘保护层5上开口，作为激光吸收层的本征非晶硅层51可以保护到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，本征非晶硅层51可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。需要说明的是，作为激光吸收层的本征非晶硅层51可以在后续的其他层的图形过程中被去除掉，形成的太阳能电池的结构可以如图1或图2所示。例如，可以在后续的碱刻蚀溶液中，一并将作为激光吸收层的本征非晶硅层51洗掉。
可选的，如图2、图4所示，上述形成绝缘保护层5，包括：在绝缘层4上形成至少一层P型层52和至少一层本征非晶硅层51，且绝缘保护层5中远离硅基底1的一侧为P型层52，该P型层52的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。后续在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，P型层52均会保护本征非晶硅层51不会受到影响，进而使得绝缘保护层5性能优良，使得保护绝缘保护层5的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层4远离硅基底一侧的绝缘保护层5均会对绝缘层4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了现有技术中，HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层4被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。且绝缘保护层5为叠层结构，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。
可选的，参照图4所示，上述形成绝缘保护层，可以为：在绝缘层上形成第一P型层521、在第一P型层521上形成本征非晶硅层52，在本征非晶硅层52形成第二P型层522。后续在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，第二P型层522均会保护本征非晶硅层51不会受到影响，进而使得绝缘保护层5性能优良，使得保护绝缘保护层5的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层4远离硅基底一侧的绝缘保护层5均会对绝缘层4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了现有技术中，HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层4被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。同样的，绝缘保护层5为叠层结构，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优，同时最靠近硅基底的第一P型层521还可以作为耐刻蚀的最后屏障，增强了对绝缘层4的保护作用。
参照图6所示，形成第一传输层3之前，该方法还可以包括在硅基底1的背光面上形成第一背面钝化层2，可以在第一背面钝化层2上形成第一传输层3。如图9所示，去除第一传输层3中开口对应的部分之后或同时，形成第二传输层10之前，该方法还可以包括：去除第一背面钝化层2中开口对应的部分，使得硅基底1裸露。如图10所示，该方法还可以包括：在剩余的绝缘保护层5以及裸露的硅基底1上，形成第二背面钝化层9。前述的步骤S4为：在第二背面钝化层9上形成第二传输层10。
如图10所示，该方法还可以包括：在硅基底1的向光面形成正面钝化层11、正面半导体层12以及正面减反层13。正面半导体层12的掺杂类型可以和硅基底1的掺杂类型相同。正面钝化层层11的材料也可以为本征非晶硅，正面钝化层层11的厚度可以为3-15nm。正面半导体层12的厚度可以为3-20nm，正面减反层13的厚度可以为50-200nm。
图12示出了本发明实施例中的第七种HBC太阳能电池的局部结构示意图。如图12所示，该方法还可以包括：依次去除第二传输层10中部分绝缘层4对应的区域、第二背面钝化层9中部分绝缘层4对应的区域，使得在第二背面钝化层9和第二传输层10层叠的方向上，第二背面钝化层9和第二传输层10平齐分布。采用激光去除绝缘保护层5中部分绝缘层4对应的区域，使得在第二背面钝化层9和第二传输层10层叠的方向上，绝缘保护层5和第二背面钝化层9平齐分布。在去除第二传输层10中部分绝缘层4对应的区域、第二背面钝化层9中部分绝缘层4对应的区域的过程中，绝缘保护层5均会对绝缘4起到良好的保护作用，使得绝缘层4基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能。
需要说明的是，图12中去除第二传输层10中部分绝缘层4对应的区域、第二背面钝化层9中部分绝缘层4对应的区域、去除绝缘保护层5中部分绝缘层4对应的区域可以采用激光或激光吸收加激光，一次性去除。或者，采用湿法刻蚀或掩膜加湿法刻蚀，一次性去除第二传输层10中部分绝缘层4对应的区域、第二背面钝化层9中部分绝缘层4对应的区域，然后在采用激光去除绝缘保护层5中部分绝缘层4对应的区域。在本发明实施例中的，对此不作具体限定。
图13示出了本发明实施例中的第八种HBC太阳能电池的局部结构示意图。参照图13所示，该方法还可以包括：去除部分绝缘层4，使得在第二背面钝化层9和第二传输层10层叠的方向上，绝缘保护层5和绝缘层4平齐分布，且使得第一传输层3裸露。可以采用酸性刻蚀溶液去除部分绝缘层4。
图14示出了本发明实施例中的第九种HBC太阳能电池的局部结构示意图。参照图14所示，该方法还可以包括：在裸露的第一传输层3上以及剩余的第二传输层10上形成透明导电层16。可以采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)形成透明导电层16。图15示出了本发明实施例中的第十种HBC太阳能电池的局部结构示意图。参照图15所示，将透明导电层16中剩余的部分的绝缘层4对应的区域，打断，图15中的17即为打断区域，可以避免短路，具有良好的绝缘效果。可以将透明导电层16中剩余的部分的绝缘层4对应的区域全部打断，或者部分打断，在本发明实施例中，对此不作具体限定。将透明导电层16中剩余的部分的绝缘层4对应的区域打断可以采用激光打断，或者采用掩膜加湿法刻蚀的方式打断，在本发明实施例中，对此不作具体限定。然后在透明导电层16上非打断区域形成电极。如图1-图4所示，具体是在透明导电层16上第一传输层3对应的区域形成第一电极18，在透明导电层16上第二传输层10对应的区域形成第二电极19。形成第一电极18、第二电极19可以通过丝网印刷或电镀等方式，在本发明实施例中，对此不作具体限定。例如，丝网印刷导电银材料，并固化形成银电极。
需要说明的是，HBC太阳能电池、HBC太阳能电池的制备方法、电池组件三者之间可以相互参照，且能够达到相同或相似的有益效果，为了避免重复，相关部分未再赘述。
下面列举实施例，以进一步解释说明本发明。
实施例1
参照图7所示，硅基底1可以为N型硅基底，第一背面钝化层2可以为本征非晶硅层。第一传输层3可以为N型非晶硅层，绝缘保护层5可以为掺硼非晶硅层，可以采用激光刻蚀掉部分绝缘保护层5，形成开口6。参照图8所示，可以使用酸性溶液去除绝缘层4中开口对应的部分。参照图9所述，采用碱性溶液去除第一传输层3中开口6对应的部分和第一背面钝化层2中开口6对应的部分，采用酸性溶液去除开口6对应的硅基底1上的自然氧化层。图9中，采用碱性溶液去除第一传输层3中开口6对应的部分和第一背面钝化层2中开口6对应的部分，采用酸性溶液去除开口6对应的硅基底1上的自然氧化层的整个过程中，绝缘保护层5即掺硼氧化硅层，均会对绝缘层4起到良好的保护作用，同时，参照图1所示，绝缘保护层5会保留在最终的太阳能电池中。图1中第二传输层10可以为P型非晶硅层。正面半导体层12可以为N型非晶硅层。正面减反层13可以为氮化硅或氧化硅。
实施例2
参照图2所示，与实施例1不同的是，实施例2中绝缘保护层5为叠层结构，相对于实施例1而言，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。
实施例3
参照图3、图11所示，与实施例1不同的是，图11中将本征非晶硅层51作为激光吸收层，通过激光在绝缘保护层5上开口，作为激光吸收层的本征非晶硅层51可以保护到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，本征非晶硅层51可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优。可以在后续的碱刻蚀溶液中，一并将作为激光吸收层的本征非晶硅层51洗掉，进而得到图3所示的HBC太阳能电池。虽然图3所示的HBC太阳能电池和图1所示的HBC太阳能电池，结构基本相同，但是，图3所示的太阳能电池，如图11所示，在制备绝缘保护层5过程中，将本征非晶硅层51作为激光吸收层，因此，具有前述的激光吸收层的有益效果。
实施例4
参照图4所示，与实施例1不同的是，实施例4中绝缘保护层5也为叠层结构，具体的，绝缘保护层5由依次层叠的第一P型层521、本征非晶硅层51、第二P型层522组成。相对于实施例1而言，绝缘保护层5的各个层之间的界面会反射光，若使用激光刻蚀工艺进行图形化的制备，使得到达下层的激光较小，可以起到调节激光加工窗口的作用，可以减小激光对钝化层的损伤，且能够增加激光功率的使用范围，更易于实现产业化生产，且使用激光刻蚀的过程中，或在湿法刻蚀过程中，叠层结构可以增加绝缘保护层5耐腐蚀的程度，使得对绝缘层4的保护作用更优，同时最靠近硅基底的第一P型层521还可以作为耐刻蚀的最后屏障，增强了对绝缘层4的保护作用。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (18)

1.一种HBC太阳能电池，其特征在于，包括：
硅基底、均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同；
所述第二传输层在所述硅基底的背光面上的第一投影，与所述第一传输层在所述硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；所述绝缘层和所述绝缘保护层均位于所述第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖所述重叠区域；所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布，且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧；
在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的HBC太阳能电池，其特征在于，在相同的碱刻蚀条件下，所述绝缘层的刻蚀速率，为所述绝缘保护层的刻蚀速率的30-1800倍。
3.根据权利要求2所述的HBC太阳能电池，其特征在于，在50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件下：所述绝缘层的刻蚀速率为300-1800nm/min，所述绝缘保护层的刻蚀速率为1-10nm/min。
4.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层为单层结构，或叠层结构。
6.根据权利要求4所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层的厚度为1nm-2um；所述绝缘保护层的厚度为：所述绝缘保护层在所述硅基底和所述绝缘层的层叠方向上的尺寸。
7.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层包括至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；
所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层由依次层叠的第一P型层、本征非晶硅层、第二P型层组成；或，所述绝缘保护层由层叠的第三P型层、本征非晶硅层组成。
9.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层包括：掺硼氧化硅层、掺硼碳化硅层、掺硼氮化硅层三者中的至少一种。
10.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层的材料选自：氮化硅和/或氧化硅。
11.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述HBC太阳能电池还包括：与所述绝缘层均位于所述硅基底同一侧的，第一背面钝化层、第二背面钝化层、透明导电层、第一电极和第二电极；
所述第一背面钝化层、所述第一传输层均位于所述硅基底和所述绝缘层之间，且所述第一传输层位于所述第一背面钝化层远离所述硅基底的一侧；所述第一传输层在所述硅基底上的第二投影，和所述第一背面钝化层在所述硅基底上的第三投影重叠；所述第一背面钝化层在所述硅基底上间断分布；
所述第二背面钝化层包括和所述第一背面钝化层平齐分布的平齐部分，所述平齐部分位于所述第一背面钝化层的间断位置，且和所述第一背面钝化层形成覆盖所述硅基底的一整层；
所述第二背面钝化层、所述第二传输层、所述透明导电层依次层叠在所述绝缘保护层远离所述硅基底的一侧；所述透明导电层在所述重叠区域上不连续；
所述第一电极、所述第二电极均位于所述透明导电层上所述非重叠区域对应位置上，且所述第一电极和所述第一传输层位置对应，所述第二电极和所述第二传输层位置对应。
12.一种电池组件，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1-11中任一项所述的HBC太阳能电池。
13.一种HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅基底的背光侧依次形成第一传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率；
采用激光在所述绝缘保护层上开口，使得所述绝缘层裸露；
去除所述绝缘层中裸露的部分，以及所述第一传输层中所述开口对应的部分；
在剩余的绝缘保护层，以及所述硅基底的背光侧形成第二传输层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同。
14.根据权利要求13所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上沉积形成所述绝缘保护层。
15.根据权利要求13或14所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成至少一层P型层；所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种；
所述采用激光在所述绝缘保护层上开口，包括：
在所述P型层上形成本征非晶硅层；
将所述本征非晶硅层作为激光吸收层，采用激光在所述绝缘保护层上开口。
16.根据权利要求13或14所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。
17.根据权利要求16所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘保护层，包括：
在所述绝缘层上形成第一P型层；
在所述第一P型层上形成本征非晶硅层；
在所述本征非晶硅层形成第二P型层。
18.根据权利要求13或14所述的HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成第一传输层之前，所述方法还包括：
在所述硅基底的背光面形成第一背面钝化层；
所述形成第一传输层包括：在所述第一背面钝化层上形成所述第一传输层；
去除所述第一传输层中所述开口对应的部分之后，形成第二传输层之前，所述方法还包括：
去除所述第一背面钝化层中所述开口对应的部分，使得所述硅基底裸露；
在剩余的绝缘保护层，以及裸露的所述硅基底上形成第二背面钝化层；
所述形成第二传输层，包括：
在所述第二背面钝化层上，形成所述第二传输层；
所述方法还包括：
依次去除所述第二传输层中部分所述绝缘层对应的区域、所述第二背面钝化层中部分所述绝缘层对应的区域，使得在所述第二背面钝化层和所述第二传输层层叠的方向上，所述第二背面钝化层和所述第二传输层平齐分布；
采用激光去除所述绝缘保护层中部分所述绝缘层对应的区域，使得在所述第二背面钝化层和所述第二传输层层叠的方向上，所述绝缘保护层和所述第二背面钝化层平齐分布。
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