CN114927629A - 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种有机发光二极管面板包括：基板、设于所述基板上的发光结构层、设于所述发光结构层远离所述基板一侧的封装层以及位于所述封装层内的调光结构。其中，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

Description

有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板为主动式发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、全彩显示、质量轻、厚度薄、低耗电、高反应速度等优点，且可实现柔性显示，是最具发展潜力的显示器件。

OLED面板按照发光位置，可分为底发射OLED(Bottom Emitting OLED)和顶发射OLED(Top Emitting OLED)等种类，由于底发射OLED存在开口率较低等问题，目前，中小尺寸的OLED面板多采用顶发射OLED结构，顶发射结构主要依靠微腔效应来提升出光效率。在实际应用中，由于薄膜封装层中的各层的折射率存在一定差值，导致显示器件的显示品质有所下降。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供一种有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置。

本发明实施例提供了一种有机发光二极管面板，包括：

基板；

设于所述基板上的发光结构层；

设于所述发光结构层远离所述基板一侧的封装层；以及

位于所述封装层内的调光结构；

其中，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

在一示例性实施例中，所述调光结构的折射率与所述封装层的折射率不同。

在一示例性实施例中，所述封装层包括向着远离所述基板方向依次设置的第一无机层、第一有机层和第二无机层；

所述调光结构位于所述第一无机层与所述第一有机层之间，所述调光结构的折射率与所述第一无机层和所述第一有机层的折射率不同。

在一示例性实施例中，所述调光结构的材料为无机材料。

在一示例性实施例中，所述调光结构的材料包括以下至少一种：氮氧化硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛。

在一示例性实施例中，所述调光结构的折射率大于所述第一无机层的折射率。

在一示例性实施例中，所述第一无机层的折射率范围为1.65至1.80，所述调光结构的折射率范围为1.75至2.0。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括：

在所述基板上周期性排布的多个发光单元；以及

像素定义层，设有多个像素开口，所述像素开口至少暴露出所述发光单元的发光区域的部分；其中，所述调光结构在所述基板的正投影与所述像素定义层在所述基板的正投影存在交叠。

在一示例性实施例中，所述调光结构在所述基板的正投影覆盖所述像素定义层在所述基板的正投影。

在一示例性实施例中，所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁与所述基板所在平面之间的夹角大于或等于70度，且小于或等于90度。

在一示例性实施例中，所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁包括：相互连接的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁位于所述第二侧壁远离所述基板的一侧；所述第一侧壁与所述基板所在平面之间的夹角小于所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角。

在一示例性实施例中，所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角为90度。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的有机发光二极管面板。

本发明实施例还提供了一种有机发光二极管面板的制备方法，包括：

在基板上形成发光结构层；

在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层；

其中，所述在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层包括在所述封装层内形成调光结构，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

本发明实施例提供了一种有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置，通过在发光结构层远离基板的一侧设置封装层，在封装层内设置调光结构，调光结构对发光结构层的发光区域并未形成完全的覆盖，且对发光结构层射出的部分光的传输方向进行调整，以增加正视角出射光的出光量，且可改善相邻发光单元间的串光问题，有效提升了有机发光二极管面板的显示品质。

实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明有机发光二极管面板一些实施例的结构示意图；

图2为本发明有机发光二极管面板一些实施例的部分结构示意图一；

图3为本发明有机发光二极管面板一些实施例的调光结构的调节光线的原理示意图；

图4为图3中调光结构调节光线的原理示意简图；

图5为本发明有机发光二极管面板一些实施例的部分结构示意图二；

图6为本发明有机发光二极管面板一些实施例的部分结构的俯视示意图；

图7为本发明有机发光二极管面板一些实施例结构的水汽验证的示意图。

附图标记说明:

10-基板；

20-发光结构层，21-第一发光单元，22-第二发光单元，23-第三发光单元，24-第一电极，25-有机电致发光层，26-第二电极，27-像素定义层；

30-封装层，31-第一无机层，32-第二无机层，33-第一有机层；

40-调光结构，41-第一侧壁，42-第二侧壁，43-底壁。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”包括两个以及两个以上的数量。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏极)与源电极(源电极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本公开中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

在一些实现方式中，有机发光二极管面板包括基板、设置在基板上的发光结构层以及设置在发光结构层上的封装层。封装层常采用无机层、有机层、无机层交替堆叠的结构。由于封装层各层的折射率存在差异，导致发光结构层发出的正视角的出光量减少，且加重了发光结构层中相邻发光单元间的串光问题，降低了发光结构层的出光效率，也降低了显示面板的显示品质。

本发明实施例提供了一种有机发光二极管面板，通过在发光结构层远离基板的一侧设置封装层，在封装层内设置调光结构，调光结构对发光结构层的发光区域并未形成完全的覆盖，且对发光结构层射出的部分光的传输方向进行调节，以增加正视角出射光的出光量，且可改善发光结构层中相邻发光单元间的串光问题，有效提高了发光结构层的出光效率，也提升了有机发光二极管面板的显示品质。

下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。

图1为本发明有机发光二极管面板一些实施例的结构示意图。图2为本发明有机发光二极管面板一些实施例的部分结构示意图。如图1、图2所示，本实施例的有机发光二极管面板包括基板10、设置在基板10上的发光结构层20以及设置于发光结构层20远离基板10一侧的调光结构40。有机发光二极管面板还包括设置于发光结构层20远离基板10一侧的封装层30，且调光结构40位于封装层30内。

本实施例中，发光结构层20包括周期性排布的多个第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23。第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23可以被配置为出射不同颜色的光线。基板10可以包括多个像素电路，第一发光单元21、第二发光元件22和第三发光单元23可以与像素电路电连接，并在所电连接的像素电路的驱动下发光。图1、图2所示结构中，以设置一组第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23为例，发光结构层20中的第一发光单元21、第二发光单元22和第三发光单元23分别为红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元。

本实施例中，每个发光单元包括第一电极24、有机电致发光层25和第二电极26，有机电致发光层25设置在第一电极24与第二电极26之间，有机电致发光层25包括有机发光层，能够在第一电极24与第二电极26之间的电场驱动下出射设定颜色的光线。例如，第一电极24和第二电极26中，其中一个电极为反射电极，另一个电极为透射电极或半透半反电极。

本实施例中，发光结构层20还包括像素定义层27。像素定义层27可以位于第一电极24远离基板10的一侧。像素定义层27设置有多个像素开口，像素开口露出第一电极24的至少部分。有机电致发光层25位于第一电极24远离基板10的一侧，并与像素开口暴露出的第一电极24接触。多个像素开口限定出多个发光单元的发光区域，即像素开口至少暴露出发光单元的发光区域的部分。

本实施例中，封装层30包括：沿着远离基板10的一侧，依次设置的第一无机层31、第一有机层33以及第二无机层32。第一无机层31靠近第二电极26。调光结构40设置在封装层30内，可以设置在第一无机层31和第一有机层33之间。

其中，调光结构40在基板10上的正投影至少暴露出第一发光单元21或者第二发光单元22或者第三发光单元23的发光区域的部分，也就是说，调光结构40并未完全覆盖第一发光单元21或者第二发光单元22或者第三发光单元23的发光区域。调光结构40设置为调节第一发光单元21或者第二发光单元22或者第三发光单元23部分射出光的方向。

图3为本发明有机发光二极管面板一些实施例的调光结构的调节光线的原理示意图。图4为图3中调光结构调节光线的原理示意简图。本实施例中，视角是指显示平面法线方向与视线的夹角，正视角出射光是指视角在0°至15°范围的出射光。如图3、图4所示，从发光结构层20发出的光向外发射，一部分光未照射到调光结构40，经过封装层30后向外发射，还有一部分光照射到调光结构40上，调光结构40改变了该部分光的传输路径。根据光学原理，当光在传输的过程中，经过折射率不同的两种介质时，光的传输方向会发生改变。入射光所经过的介质的折射率为n1，反射光所经过的介质的折射率为n2，入射角为θ1，折射角为θ2，且满足折射定律n1sinθ1＝n2sinθ2。光在传输过程中，每经过一次界面，n1、n2、θ1以及θ2均随之改变。

如图4所示，①实线所示意的光路是经过调光结构40的光路。第一有机层33为有机材料，调光结构40为无机材料，第一有机层33的折射率小于调光结构40的折射率，根据折射定律可知，光线在第一有机层33与调光结构40界面发生折射时入射角大于折射角。光经过第一有机层33与调光结构40的界面后，发生了第一次折射，再由调光结构40射向第一无机层31。调光结构40的折射率大于第一无机层31的折射率，根据折射定律可知，光线在调光结构40与第一无机层31界面发生折射时入射角小于折射角。光经过调光结构40与第一无机层31的界面后，发生了第二次折射，再由第一无机层31射向调光结构40。第一无机层31的折射率小于调光结构40的折射率，根据折射定律可知，光线在第一无机层31与调光结构40的界面发生折射时入射角大于折射角。光经过第一无机层31与调光结构40的界面后，发生了第三次折射，再由调光结构40射向第一有机层33。调光结构40的折射率大于第一有机层33的折射率，光线在调光结构40与第一有机层33的界面发生折射时入射角小于折射角。如此经过多次折射，光的传输路径如图中①所示，为了图示显示得清晰简洁，仅在光发生第一次折射的界面标识了n1、n2、θ1以及θ2。

如图4所示，②虚线所示意的光路为同束光未经过调光结构40的传输路径，即调光结构40为第一有机层33的一部分。第一有机层33的折射率小于第一无机层31的折射率，根据折射定律可知，光线经过第一有机层33与第一无机层31的界面发生折射时入射角大于折射角。光经过第一有机层33与第一无机层31的界面后，发生了第一次折射，再由第一无机层31射向第一有机层33发生第二次折射。由此可见，调光结构40增加了部分光发生折射的次数，使得这部分光的出光路径发生了改变，有效增加了发光单元发出的正视角出射光的出光量，使得光向着发光单元的内部收拢，降低了光的发散，有效改善了发光结构层20中相邻发光单元间的串光问题，提高了发光结构层20的出光效率，也提升了显示品质。

本实施例中，调光结构40设置在封装层30内，可设置在第一无机层31和第一有机层33之间，调光结构40的折射率与第一无机层31的折射率，以及与第一有机层33的折射率均不同。或者是，将调光结构40设置在第一无机层31和第二无机层32之间，调光结构40的折射率与第一无机层31的折射率，与第一有机层33的折射率，以及与第二无机层32的折射率均不同。或者是，将调光结构40设置在第一有机层33和第二无机层32之间，调光结构40的折射率与第一有机层33的折射率，以及与第二无机层32的折射率均不同。

第一无机层31的材料可以是氮氧化硅(SION)、氮化硅(SIN)、氧化硅(SIO)、三氧化二铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)中的一种或者几种，厚度范围可在50纳米(nm)至2微米(um)之间。调光结构40的材料可以是氮氧化硅(SION)、氮化硅(SIN)、氧化硅(SIO)、三氧化二铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)中的一种或者几种。第一有机层33的材料可以是丙烯酸酯类、环氧类、聚氨酯类等聚合物，厚度范围可在1微米(um)至15微米(um)之间。第一有机层33的边缘可以位于第一无机层31的内部，或者覆盖第一无机层31的边缘，或者是与第一无机层31的边缘相平齐。第二无机层32的材料可以是氮氧化硅(SION)、氮化硅(SIN)、氧化硅(SIO)、三氧化二铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)中的一种或者几种。第二无机层32的边缘可以与第一无机层31的边缘平齐，或者覆盖第一无机层31的边缘。其中，调光结构40与第一无机层31的主体材料可相同，调光结构40和第一无机层31所使用的掺杂材料可以不同，从而使得调光结构和第一无机层的折射率可以不同。第二无机层32的材料与第一无机层31的材料可以相同，或者是不同。

本实施例中，第一有机层33的折射率范围可设为1.4至1.6。

本实施例中，调光结构40的折射率大于第一无机层31的折射率。

本实施例中，第一无机层31的折射率范围可设为1.65至1.80，调光结构40的折射率范围可设为1.75至2.0。

本实施例中，调光结构40的厚度可设置为0.3微米(um)至3.0微米(um)，且厚度小于第一有机层33的厚度。在保证信赖性测试的基础上，增加正视角出射光的出光量，使得光向着发光单元的内部收拢，改善发光结构层20中相邻发光单元间的串光问题。

本实施例中，调光结构40在基板10上的正投影与像素定义层27在基板10上的正投影可存在部分交叠，或者调光结构40在基板10上的正投影覆盖像素定义层27在基板10上的正投影。如图1所示，调光结构40的横截面可设置为倒置的U型等。作为调光结构40的拓展结构，如图5所示，调光结构40的横截面可设置为梯形等。其中，调光结构40的横截面所处的面是与基板10所处平面相垂直的面。

图6为本发明有机发光二极管面板一些实施例的部分结构的俯视示意图。在俯视图中，调光结构40可呈菱形、矩形或者是六边形等，图中以呈矩形为例。调光结构40可设计为一体成型的结构，即形成封闭的矩形，也可是由多个独立的线段组合成的矩形图案等，调光结构40在俯视图中的具体形状在此不作限定。多个调光结构40可一体成型。

如图1、图4所示，调光结构40包括靠近发光区域的侧壁。如图1所示，调光结构40的侧壁可包括靠近第一发光单元21的发光区域的部分以及靠近第二发光单元22的发光区域的部分。调光结构40还包括底壁43，底壁43所处的平面与基板10所处的平面相平行。调光结构40的侧壁与底壁43所处平面之间的夹角大于或等于70度，且小于或等于90度。

如图4所示，侧壁可包括相互连接的第一侧壁41和第二侧壁42。第一侧壁41相比第二侧壁42远离基板10。第一侧壁41与底壁43所处平面之间的夹角设为θ3，第二侧壁42与底壁43所处平面之间的夹角设为θ4，θ3小于θ4。第二侧壁42可设置为垂直于底壁43所处平面，即θ4设为90度。

以图2所示为例，调光结构40靠近第一发光单元21的侧壁可将第一发光单元21发出的光向着第一发光单元21的发光区域内调节，调光结构40靠近第二发光单元22的侧壁可将第二发光单元22发出的光向着第二发光单元22的发光区域内调节，如此类推。通过设置调光结构40，可将发光结构层20各个发光单元发射的光向着各自的发光区域内部进行调节，以改善相邻发光单元间的串光问题，提升了显示面板的显示品质。

图7为本发明有机发光二极管面板一些实施例结构的水汽验证的示意图。如图7所示，通过在显示面板中设置调光结构40，一方面提升了显示器件的出光效率，另一方面由于封装层30与调光结构40为不同的材料，对入侵的水汽而言，其需要入侵的界面增加。根据水汽渗透的原理，每一个界面的渗透过程包括：碰撞-吸附-溶解-扩散-解吸-渗透，通过增加界面，可以延长水汽入侵的时间。在实际的信赖性测试过程中，封装从侧面失效的概率远大于从正面直接失效的概率。图中虚线框示意出不同材料的界面，图中虚线箭头线示意出水汽的入侵路径。

下面通过本实施例有机发光二极管面板的一种制备过程进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。

(1)首先，制备基板和发光结构层图案。

制备过程可以包括：先对基底进行清洗，然后通过构图工艺在基底上制备出有源层，随后形成覆盖有源层的第一绝缘层，在第一绝缘层上形成栅线和栅电极，随后形成覆盖栅线和栅电极的第二绝缘层，在第二绝缘层上形成数据线、源电极和漏电极，随后形成覆盖数据线、源电极和漏电极的平坦层。其中，薄膜晶体管可以是底栅结构，或者是顶栅结构，可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管，或者是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或者是氧化物(Oxide)薄膜晶体管，本实施例在此不做具体的限定。实际实施时，基底可以采用玻璃、石英、聚烯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚对苯二甲酸类塑料、酚醛树脂等高光透过性材料，或经表面处理的聚合物软膜等。

随后，在形成基板10图案的基底上形成发光结构层20图案。例如，先在形成前述图案的基底上形成第一电极24，第一电极24通过过孔与薄膜晶体管的漏电极连接，随后形成像素定义层27，像素定义层27用于在每个子像素限定出发光区域，发光区域露出第一电极24。随后在发光区域内形成有机电致发光层25，随后形成第二电极26。其中，对于本实施例的顶发射OLED，第一电极24为反射电极，第二电极26为透射电极或者是半透半反电极，采用具有较低功函数材料，如镁Mg、银Ag、铝Al或者合金等。有机电致发光层25主要包括有机发光层(EML)。优选地，有机电致发光层25除包括有机发光层外，还包括电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)，为了能够提高电子和空穴注入有机发光层的效率，进一步包括电子注入层(EIL)、空穴注入层(HIL)和光提取层等。其中，电子传输层的材料优选采用具有较高激发态能级的有机化合物及衍生物，有机发光层的材料可以选择有机小分子或高分子材料，空穴传输层的材料采用具有较高空穴迁移率和较低游离电势的有机化合物及衍生物，例如芳香胺、咔唑等。

(2)在形成前述图案的基底上制作第一无机层。

第一无机层可采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)或者PEALD(原子层沉积法)或者Sputter(溅镀法)等方式制作成型，属于现有显示领域的常用成型工艺，在此不再展开赘述。

(3)在第一无机层上形成调光结构图案。

形成调光结构图案包括：在第一无机层上沉积调光层，在调光层上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在调光结构的位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，通过刻蚀工艺去除完全曝光区域的调光层，形成表面具有调光结构图案。

(4)在调光结构图案上制作第一有机层。

第一有机层可采用喷墨打印或者丝网印刷或者闪蒸或者PECVD等方式制作成型。关于第一有机层的成型工艺为显示领域现有的常用工艺，在此不再展开赘述。

通过上述技术方案的介绍及其制备流程可以看出，本实施例所提供的有机发光二极管面板，通过设置调光结构，有效提高了正视角出射光的出光量，提升了显示品质。此外，本实施例调光结构的制备利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，制备过程简单，制作成本低，制作精度高，具有良好的应用前景。

基于前述实施例的技术构思，本发明实施例中还提供了一种有机发光二极管面板的制备方法。本实施例有机发光二极管面板的制备方法包括：

S1：在基板上形成发光结构层；

S2：在所述发光结构层远离所述基板一侧形成调光结构，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

其中，步骤S2包括：

在所述发光结构层远离所述基板的一侧形成封装层；

在所述封装层内形成所述调光结构。

具体地，在所述封装层内形成所述调光结构包括：

在所述发光结构层的远离所述基板的一侧上形成第一无机层；

在所述第一无机层上沉积调光层；

对所述调光层进行图案化处理以形成所述调光结构。

具体地，在所述封装层内形成所述调光结构还包括：

在形成所述调光结构后，在所述调光结构上形成第一有机层。

其中，发光结构层和调光结构的结构、材料及其相关参数及其详细制备过程，已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本实施例提供了一种有机发光二极管面板的制备方法，通过在发光结构层远离基板的一侧设置封装层，在封装层内设置调光结构，调光结构对发光结构层的发光区域并未形成完全的覆盖，且对发光结构层射出的部分光的传输方向进行调节，以增加正视角出射光的出光量，且使得发光单元发出的光向着该发光单元的发光区域的内部收拢，可改善相邻发光单元间的串光问题，提升了有机发光二极管面板的显示品质。本实施例有机发光二极管面板的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，制备过程简单，制作成本低，制作精度高，具有良好的应用前景。

基于前述实施例的技术构思，本发明实施例中还提供了一种显示装置，包括前述实施例中所提供的有机发光二极管面板。显示装置可以为：显示面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种有机发光二极管面板，其特征在于，包括：

基板；

设于所述基板上的发光结构层；

设于所述发光结构层远离所述基板一侧的封装层；以及

位于所述封装层内的调光结构；

其中，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的折射率与所述封装层的折射率不同。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述封装层包括向着远离所述基板方向依次设置的第一无机层、第一有机层和第二无机层；

所述调光结构位于所述第一无机层与所述第一有机层之间，所述调光结构的折射率与所述第一无机层和所述第一有机层的折射率不同。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的材料为无机材料。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的材料包括以下至少一种：氮氧化硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛。

6.如权利要求3所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的折射率大于所述第一无机层的折射率。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述第一无机层的折射率范围为1.65至1.80，所述调光结构的折射率范围为1.75至2.0。

8.如权利要求1至7任一所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述发光结构层包括：

在所述基板上周期性排布的多个发光单元；以及

像素定义层，设有多个像素开口，所述像素开口至少暴露出所述发光单元的发光区域的部分；其中，所述调光结构在所述基板的正投影与所述像素定义层在所述基板的正投影存在交叠。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构在所述基板的正投影覆盖所述像素定义层在所述基板的正投影。

10.如权利要求8所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁与所述基板所在平面之间的夹角大于或等于70度，且小于或等于90度。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁包括：相互连接的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁位于所述第二侧壁远离所述基板的一侧；所述第一侧壁与所述基板所在平面之间的夹角小于所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管面板，其特征在于，所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角为90度。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至12任一所述的有机发光二极管面板。

14.一种有机发光二极管面板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成发光结构层；

在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层；

其中，所述在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层包括在所述封装层内形成调光结构，所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分，所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

Images