CN114927395A - 一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为:建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型;确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s;获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0;将目标参数输入到温度校准模型,计算输出目标温度T1;获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1,若s1小于偏离值s,输出温度T=T1,若s1大于偏离值s,则根据T1、R1进行下一次修正,再次计算得到温度T2与偏离度,并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度,直至sn小于偏离值s,最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率,具有自校准的功能,且控制灵活,启动快,可靠性高,可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求,进而提高稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域,尤其涉及一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法。
背景技术
GaN作为第三代半导体的典型代表。具有宽带隙、高饱和漂移速度、高量子效率和低噪声等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。NEAGaN基光电阴极具有量子效率高、稳定性好、发射电子能量分布集中等优点,是高性能的新型光电阴极。
反射率作为GaN光电阴极光学特性的一个重要参数,可以直接影响量子效率。在一些对阴极材料的稳定性要求很高的应用场景下,需要电子源稳定维持特定的量子效率,而通过调节反射率的大小可以实现上述目的,因此实现反射率的实时控制非常重要。
目前实现特定反射率的方法只有重新激活或者更换材料等方法,操作复杂、成本高以及稳定性差,且不能实时进行控制,控制精度也不好把握,并不能很好的实现上述目的。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,本发明提供一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其改进之处在于,所述方法建立反射率随温度变化的公式以及NEA GaN电子源反射率实时可变的模型。
进一步的,所述反射率对应的温度公式为
进一步的,一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,包括以下步骤:
步骤1、确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s,初始偏离值s为所需要的精度;
步骤2、作为初始条件,首先对置入的NEA GaN电子源进行初始值测定,包括工作温度T0以及当前NEA GaN电子源的反射率R0;
步骤3、将上述确定的目标参数输入到温度校准模型,根据公式计算输出目标温度T1;
步骤4、获取温度为T1时NEA GaN电子源的反射率R1;
步骤5、计算反射率R1与目标反射率R的偏离度s1;
步骤6、将偏离度s1与偏离值s进行比较,若s1小于偏离值s,输出温度T=T1,若s1大于偏离值s,则根据T1、R1进行下一次修正,计算得到温度T2与偏离度s2,并与偏离值s进行比较。
进一步的,根据如上步骤校准温度,直至sn小于偏离值s,输出目标R对应的最优温度T,达到实时控制反射率的目的。
进一步的,步骤1中,所述热反射系数Cth受样品材料与入射光波长的影响,即确定入射光波长λ即可确定Cth的值。
进一步的,对于温度校准模型,若一次不能得到最佳温度,则按所述模型不断修正,直至偏离值sn小于s,输出目标R对应的最优温度T。
进一步的,本方法可以实时在线地对工作中的NEA GaN电子源的反射率进行精确控制,不需要通过更换材料等方法进行反射率控制。
进一步的,所述测量和校准过程均由计算机软硬件自动进行,只需确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s,最终可以输出目标温度T,循环次数n,偏离度sn。
本发明的有益之处在于:通过不断逼近目标反射率并将误差控制在一定范围内,具有控制灵活,启动快,可靠性高的特点,可以精确实现实时控制NEA GaN电子源反射率的需求,进而提高稳定性。
附图说明
图1:实时控制NEA GaN电子源反射率的流程图。
具体实施方式
实施例
下面结合附图和具体实施例对本发明作更进一步的说明。
选择的材料结构:厚度为300nm,掺杂浓度为1×10-18cm-3,掺杂元素为Mg,尺寸为10×10mm,衬底为蓝宝石;
确定的目标反射率R为0.213,工作时的入射光波长λ为350nm,初始设定值s为5%;
测量环境温度值T0为300K,使用椭圆偏振法测量当前NEA GaN电子源的反射率R0的为0.227;
再次使用椭圆偏振法测量温度为T1时NEA GaN电子源的反射率R1为0.22;
偏离度s1小于设定值s即5%;
输出温度T=450K,即达到实时控制反射率的效果。
若更改设定值s为3%,此时偏离度s1大于设定值s;
根据T1、R1进行下一次修正,再次计算得到温度T2与偏离度s2,并与设定值3%进行比较。
根据如上步骤校准温度,直至sn小于设定值,最终输出目标R对应的最优温度T为432K,循环次数n为4,偏离度sn为1.7%。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于建立反射率随温度变化的公式以及NEA GaN电子源反射率实时可变的模型。
3.一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s;
步骤2、获取工作温度T0以及当前NEA GaN电子源的反射率R0;
步骤3、将目标参数输入到温度校准模型,计算输出目标温度T1;
步骤4、获取温度为T1时NEA GaN电子源的反射率R1;
步骤5、计算反射率R1与目标反射率R的偏离度s1;
步骤6、将偏离度s1与设定值s进行比较,若s1小于设定值s,输出温度T=T1,若s1大于设定值s,则根据T1、R1进行下一次修正,计算得到温度T2与偏离度s2,并与设定值s进行比较。
根据如上步骤校准温度,直至sn小于设定值s,输出目标R对应的最优温度T,达到实时控制反射率的目的。
4.根据权利要求3所述的一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于:所述热反射系数Cth受样品材料与入射光波长的影响,即确定入射光波长λ即可确定Cth的值。
6.根据权利要求3所述的一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于:对于温度校准模型,若一次不能得到最佳温度,则按所述模型不断修正,直至偏离值sn小于s,输出目标R对应的最优温度T。
7.根据权利要求3所述的一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于:本方法可以实时在线地对工作中的NEA GaN电子源的反射率进行精确控制。
8.根据权利要求3所述的一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法,其特征在于:所述测量和校准过程均由计算机软硬件自动进行,只需确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s,最终可以输出目标温度T,循环次数n,偏离度sn。
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