CN114911088A - 显示基板母板及其制作方法、显示面板母板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示基板母板及其制作方法、显示面板母板，显示基板母板包括多个显示区以及将多个所述显示区彼此间隔开的冗余区，所述冗余区包括切割区和间隔区，每个所述显示区与所述切割区之间均设置有所述间隔区，所述显示基板母板包括：衬底；设置在所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述冗余区；其中，所述第一绝缘层上设置有用于容纳封框胶的第一容纳槽，所述第一容纳槽位于所述切割区；沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第一容纳槽的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第一容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。

Description

显示基板母板及其制作方法、显示面板母板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板母板及其制作方法、显示面板母板。
背景技术
在制造液晶显示面板时，需要先制造显示基板母板和对盒基板母板，将显示基板母板与对盒基板母板对盒，形成显示面板母板，之后将显示面板母板切割成多个显示面板。但是，目前在对显示面板母板进行切割时，容易导致显示基板母板与对盒基板母板之间的间距发生变化，从而引起显示不良。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板母板及其制作方法、显示面板母板。
为了实现上述目的，本发明提供一种显示基板母板，包括多个显示区以及将多个所述显示区彼此间隔开的冗余区，所述冗余区包括切割区和间隔区，每个所述显示区与所述切割区之间均设置有所述间隔区，所述显示基板母板包括：
衬底；
设置在所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述冗余区；其中，所述第一绝缘层上设置有用于容纳封框胶的第一容纳槽，所述第一容纳槽位于所述切割区；沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第一容纳槽的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第一容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
在一些实施例中，所述第一容纳槽沿其宽度方向的纵截面为倒梯形。
在一些实施例中，所述倒梯形为等腰梯形。
在一些实施例中，所述第一绝缘层包括：
有机层，所述有机层对应于所述第一容纳槽的位置形成有第一沟槽；
缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的第一缓冲部位于所述第一沟槽中，所述缓冲层的第二缓冲部位于所述有机层远离所述衬底的一侧；
钝化层，覆盖所述缓冲层的第一缓冲部和第二缓冲部；
其中，所述缓冲层的硬度大于所述有机层的硬度，且大于所述钝化层的硬度。
在一些实施例中，所述第一缓冲部具有朝向所述第一容纳槽的第一侧面，所述第一侧面为斜面。
在一些实施例中，所述缓冲层的材料包括氧化硅、六方氮化硼、立方氮化硼和纤锌矿氮化硼中的至少一者。
在一些实施例中，所述显示基板母板还包括设置在所述显示区的薄膜晶体管、第二绝缘层、像素电极和第三绝缘层；
其中，第二绝缘层位于所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧；所述像素电极位于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，并通过所述第二绝缘层上的第一过孔与所述薄膜晶体管连接；所述第三绝缘层位于所述像素电极远离所述衬底的一侧；
所述有机层与所述第二绝缘层同层设置且材料相同，所述钝化层与所述第三绝缘层同层设置且材料相同。
在一些实施例中，所述第一绝缘层上还设置有位于所述间隔区的第二容纳槽和第三容纳槽，所述第二容纳槽和所述第三容纳槽均用于容纳封框胶，所述第二容纳槽环绕所述显示区，所述第三容纳槽环绕所述第二容纳槽；
其中，沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第三容纳槽和所述第二容纳槽的宽度均逐渐减小；所述第二容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第二容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内，所述第三容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第三容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
本发明还提供一种显示面板母板，包括：对盒基板母板和上述显示基板母板，所述第一容纳槽中设置有封框胶，所述对盒基板母板与所述显示基板母板相对设置，所述对盒基板母板与所述显示基板母板之间还设置有位于每个所述显示区的液晶层。
本发明还提供一种显示基板母板的制作方法，所述显示基板母板包括多个显示区以及将多个所述显示区彼此间隔开的冗余区，所述冗余区包括切割区和间隔区，每个所述显示区与所述切割区之间均设置有所述间隔区，所述制作方法包括：
在所述衬底上形成第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述冗余区；
在所述第一绝缘层上形成用于容纳封框胶的第一容纳槽，所述第一容纳槽位于所述切割区，沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第一容纳槽的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第一容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
在一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区；
在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上形成第一过孔；
在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接；
在所述像素电极远离所述衬底一侧形成第三绝缘层；
形成第一绝缘层的步骤包括：
形成有机层，并在所述有机层对应于所述第一容纳槽的位置形成第一沟槽；
形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的第一缓冲部位于所述第一沟槽中，所述缓冲层的第二缓冲部位于所述有机层远离所述衬底的一侧；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述缓冲层的第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的硬度大于所述有机层的硬度，且大于所述钝化层的硬度；
其中，所述有机层与所述第二绝缘层同步形成，所述第一沟槽与所述第一过孔同步形成，所述钝化层与所述第三绝缘层同步形成。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为一实施例中提供的显示面板母板的局部示意图。
图2为一实施例中提供的显示基板母板的平面图。
图3为封框胶未填充满第一容纳槽的示意图。
图4为显示面板母板发生切割不良的示意图。
图5为图1所示的显示面板母板中进入水汽的示意图。
图6为本发明的一些实施例中提供的显示基板母板的平面图。
图7为沿图6中沿B-B’线的剖视图。
图8为本发明的一些实施例中提供的向第一容纳槽中滴注封框胶的示意图。
图9为本发明的一些实施例中的第一容纳槽中的封框胶在被切割时的受力示意图。
图10为本发明的一些实施例中提供的显示面板母板的局部示意图。
图11A至图11H为本发明的另一些实施例中提供的显示基板母板的制作过程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
图1为一实施例中提供的显示面板母板的局部示意图，如图1所示，显示面板母板包括显示基板母板和对盒基板母板20，图2为一实施例中提供的显示基板母板的平面图，其中，图1对应于图2中的A-A’线。如图1和图2所示，显示面板母板包括多个显示区AA以及将多个显示区AA彼此间隔开的冗余区 DA。显示区AA设置有液晶层17，冗余区DA设置有有机层13、位于该有机层 13上的钝化层11。有机层13与衬底10之间还可以设置其他间隔层12。有机层 13的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，钝化层11的材料可以包括氮化硅。有机层13上设置有第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，钝化层11的一部分位于第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中，从而使钝化层11远离衬底10的表面形成第一容纳槽V1、第二容纳槽V2和第三容纳槽V3，第一容纳槽V1与第一沟槽对应，第二容纳槽V2与第二沟槽对应，第三容纳槽V3与第三沟槽对应。在第一容纳槽V1、第二容纳槽V2和第三容纳槽V3中，均设置有封框胶14。其中，第一容纳槽V1位于显示面板母板的切割线的位置，第二容纳槽V2环绕显示区AA中的液晶层17，第三容纳槽V3环绕第二容纳槽V2。在沿切割线对显示面板母板切割后，得到多个独立的显示面板，每个独立的显示面板包括显示区AA和间隔区IA，其中，间隔区IA即为图1中位于显示区AA与切割线之间的部分。
在图1中，第一容纳槽V1为垂直式的挖槽设计。这种情况下，当第一容纳槽V1的宽度较小时(例如，小于或等于2mm时)，在第一容纳槽V1中形成滴入封框胶14时，由于封框胶14的表面张力的作用，会导致封框胶14很难充满第一容纳槽V1(如图3所示)，从而导致在切割过程中容易产生不良。另外，垂直式的第一容纳槽V1中的封框胶14的稳定性较差，当第一容纳槽V1的宽度较大时，会产生切割不良，图4为显示面板母板发生切割不良的示意图，如图4所示，沿显示区AA左侧的切割线对显示面板母板进行切割时，会导致对盒基板母板20的右侧发生翘起，从而导致对盒基板母板20与显示基板母板的间隙变化，进而引起显示不良。
图5为图1所示的显示面板母板中进入水汽的示意图，如图1和图5所示，钝化层11采用无机材料制成，其与有机层13直接接触时，由于两层膜之间的热膨胀系数差异较大，因此会造成材料热应力较大。当在有机层13上沉积钝化层11时，钝化层11会受到有机层13的压缩应力，产生无规律的褶皱，从而导致钝化层11开裂，这样，外界的水汽会浸入钝化层11的裂纹，从而使有机层 13吸收大量的水汽，形成虹吸效应，进而影响产品质量以及显示效果。
图6为本发明的一些实施例中提供的显示基板母板的平面图，如图6所示，显示基板母板包括：多个显示区AA，还包括将多个显示区AA彼此间隔开的冗余区DA，冗余区DA包括切割区CA和间隔区IA，每个显示区AA与切割区 CA之间均设置有间隔区IA。图7为沿图6中沿B-B’线的剖视图，如图7所示，显示基板母板包括：衬底10、设置在衬底10上的第一绝缘层101，第一绝缘层 101位于冗余区DA。第一绝缘层101上设置有用于容纳封框胶14的第一容纳槽V1，第一容纳槽V1位于切割区CA。沿逐渐靠近衬底10的方向，第一容纳槽V1的宽度逐渐减小，且第一容纳槽V1的底部在衬底10上的正投影位于第一容纳槽V1的顶部在衬底10上的正投影范围内。
其中，多个显示区AA排成多行多列，同一行中相邻两个、以及同一列中相邻两个显示区AA之间均设置有第一容纳槽V1，相邻两个显示区AA之间的第一容纳槽V1的宽度为，该容纳槽沿两个显示区AA排列方向上的尺寸。例如，同一行中相邻两个显示区AA之间的第一容纳槽V1的宽度为，该第一容纳槽 V1沿行方向的尺寸；同一列中相邻两个显示区AA之间的第一容纳槽V1的宽度为，该第一容纳槽V1沿列方向的尺寸。
另外，需要说明的是，第一容纳槽V1的顶部为第一容纳槽V1远离衬底10 的一端，第一容纳槽V1的底部为第一容纳槽V1靠近衬底10的一端。
图8为本发明的一些实施例中提供的向第一容纳槽中滴注封框胶的示意图，如图8所示，第一容纳槽V1的顶部宽度大于底部宽度，在第一容纳槽V1的底部宽度一定的情况下，向显示基板母板的第一容纳槽V1中滴注封框胶14时，有利于封框胶14注入第一容纳槽V1底部，进而使得封框胶14充满第一容纳槽 V1，从而进一步提高封框胶14的支撑稳定性。
图9为本发明的一些实施例中的第一容纳槽中的封框胶在被切割时的受力示意图，如图9所示，当显示基板母板与对盒基板母板形成显示面板母板之后，对显示面板进行切割时，第一容纳槽V1中的封框胶14的顶部受到向下的压力，封框胶14的左右侧面受到向内的拉力(如图9中所标识的F所示)，这样，封框胶14整体受到的拉力沿三个面传递，从而使得第一容纳槽V1中的封框胶14 整体更加稳定；并且，第一容纳槽V1的顶部宽度较大，从而使得第一容纳槽 V1中的封框胶14与对盒基板母板的接触面积更大，支撑更稳定，这样，在进行产品切割时，可以防止发生图4中的翘曲现象，从而保证后续切割成的显示面板的显示效果。
在本发明中，第一容纳槽V1的侧面为平面、弧面、也可以为台阶状的表面，只要使得第一容纳槽V1从其顶端到底端逐渐收拢即可。例如，第一容纳槽V1 的侧面为平面，此时，第一容纳槽V1沿其宽度方向的纵截面为三角形或倒梯形。为了增大第一容纳槽V1中的封框胶14与绝缘层的接触面积，提高封框胶14的支撑稳定性，如图7所示，第一容纳槽V1沿其宽度方向的纵截面为倒梯形。进一步地，该倒梯形为等腰梯形。
如图7所示，第一绝缘层101包括：有机层13、缓冲层18和钝化层11。有机层13对应于第一容纳槽V1的位置形成有第一沟槽。缓冲层18包括第一缓冲部181和第二缓冲部182，缓冲层18的第一缓冲部181位于第一沟槽中，缓冲层18的第二缓冲部182位于有机层13远离衬底10的一侧。钝化层11覆盖缓冲层18的第一缓冲部181和第二缓冲部182。其中，缓冲层18的硬度大于有机层13的硬度，且大于钝化层11的硬度，从而使缓冲层18对有机层13起到支撑作用，减缓或防止有机层13发生收缩，从而防止钝化层11受到有机层13 的压缩应力而发生开裂。
其中，第一缓冲部181具有朝向第一容纳槽V1的第一侧面。可选地，第一侧面为斜面，并且，位于第一容纳槽V1两侧的两个第一缓冲部181的第一侧面可以镜像对称。这样，在缓冲层18形成厚度均匀的钝化层11后，即可形成纵截面为倒梯形的第一容纳槽V1。
其中，第一缓冲部181和第二缓冲部182的厚度可以根据实际需要进行设置，例如，为了形成深度较大的第一容纳槽V1，可以使第一缓冲部181的厚度可以大于第二缓冲部182的厚度。
可选地，缓冲层18的材料包括氧化硅(SiO2)、六方氮化硼(HBN)、菱方氮化硼(RBN)、立方氮化硼(CBN)和纤锌矿氮化硼(WBN)中的至少一者。例如，缓冲层18采用氧化硅制成。
如图7所示，显示基板母板还包括：设置在显示区AA的薄膜晶体管15、第二绝缘层131、像素电极191、第三绝缘层111和公共电极192。薄膜晶体管 15包括栅极151、有源层152、源极153和漏极154，有源层152位于栅极151 远离衬底10的一侧，源极153和漏极154位于有源层152远离衬底10的一侧。其中，第二绝缘层131位于薄膜晶体管15远离衬底10的一侧；像素电极191 位于第二绝缘层131远离衬底10的一侧，并通过第二绝缘层131上的第一过孔与薄膜晶体管15连接；第三绝缘层111位于像素电极191远离衬底10的一侧；公共电极192位于第三绝缘层111远离衬底10的一侧。
有机层13与第二绝缘层131同层设置且材料相同，钝化层11与第三绝缘层111同层设置且材料相同。在冗余区DA中，有机层13与衬底10之间还可以设置有：栅绝缘层155、源漏延伸层1531和有源延伸层1521，栅绝缘层155延伸至显示区中，薄膜晶体管15的有源层152和栅极151被栅绝缘层155间隔开。源漏延伸层1531与薄膜晶体管15的源极153、漏极154同层设置。有源延伸层 1521与薄膜晶体管15的有源层152同层设置。
需要说明的是，本发明实施例中的“同层设置”是指两个结构是由同一个材料层经过构图工艺形成的，故二者在在层叠关系上是处于同一个层之中的；但这并不表示二者与衬底10间的距离必定相同。
如图7所示，在一些实施例中，第一绝缘层101上还设置有位于间隔区IA 的第二容纳槽V2和第三容纳槽V3，第二容纳槽V2和第三容纳槽V3均用于容纳封框胶14，第二容纳槽V2环绕显示区，第三容纳槽V3环绕第二容纳槽V2；
其中，沿逐渐靠近衬底10的方向，第三容纳槽V3和第二容纳槽V2的宽度均逐渐减小；第二容纳槽V2的底部在衬底10上的正投影位于第二容纳槽V2 的顶部在衬底10上的正投影范围内，第三容纳槽V3的底部在衬底10上的正投影位于第三容纳槽V3的顶部在衬底10上的正投影范围内。
图10为本发明的一些实施例中提供的显示面板母板的局部示意图，如图10 所示，显示面板母板包括上述显示基板母板和对盒基板母板20，其中，对盒基板母板20与显示基板母板相对设置，对盒基板母板20与显示基板母板之间还设置有位于每个显示区的液晶层17。对盒基板母板20朝向显示基板母板的一侧设置有彩膜层和黑矩阵等结构。对盒基板母板20与显示基板母板之间还设置有隔垫物193。
本发明实施例还提供一种上述显示基板母板的制作方法，包括：
S11、在衬底10上形成第一绝缘层101；其中，所述第一绝缘层101位于所述冗余区DA。
S12、在第一绝缘层101上形成用于容纳封框胶14的第一容纳槽V1，所述第一容纳槽V1位于所述切割区CA，沿逐渐靠近所述衬底10的方向，所述第一容纳槽V1的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽V1的底部在所述衬底10上的正投影位于所述第一容纳槽V1的顶部在所述衬底10上的正投影范围内。
图11A至图11H为本发明的另一些实施例中提供的显示基板母板的制作过程示意图。如图11A至图11H所示，制作过程包括：
S21、在衬底10上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管位于显示区AA。具体地，该步骤S21包括：
如图11A所示，形成薄膜晶体管的栅极151以及公共电极线19。
如图11B所示，形成栅绝缘层155，该栅绝缘层155覆盖显示区AA和冗余区DA。
如图11B所示，形成薄膜晶体管的有源层152以及有源延伸层1521的图形，其中，有源延伸层1521位于冗余区DA。
如图11C所示，形成薄膜晶体管的源极153、漏极154，以及源漏延伸层1531。薄膜晶体管的源极153、漏极154均与有源层152连接，源漏延伸层1531位于冗余区DA。
步骤S21之后，还包括：
S22、如图11D所示，在薄膜晶体管远离衬底10的一侧形成第二绝缘层131，在冗余区DA形成有机层13，有机层13与第二绝缘层131同步形成。并通过同一次构图工艺在有机层13上形成第一沟槽V11、第二沟槽V12和第三沟槽V13；在第二绝缘层131上形成第一过孔，该第一过孔暴露出漏极154的一部分。
S23、如图11E所示，形成缓冲层18，缓冲层18包括第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层18的第一缓冲部位于所述第一沟槽中，所述缓冲层18的第二缓冲部位于所述有机层13远离所述衬底10的一侧。
其中，步骤S24具体可以包括：形成缓冲材料层，并对缓冲材料层进行构图工艺，形成第一缓冲部和第二缓冲部，其中，第一缓冲部的形状参见上文描述，这里不再赘述。
S24、如图11F所示，在第二绝缘层131远离衬底10的一侧形成像素电极 191，像素电极191通过第一过孔与薄膜晶体管的漏极154连接。
S25、如图11G所示，在像素电极191远离衬底10的一侧形成第三绝缘层 111，并在冗余区DA形成钝化层11，该钝化层11与第三绝缘层111同步形成。钝化层11覆盖缓冲层18的第一缓冲部和第二缓冲部。
S26、形成第二过孔，该第二过孔贯穿第三绝缘层111和栅绝缘层155，并暴露出公共电极线194的一部分。
S27、在第三绝缘层111远离衬底10的一侧形成公共电极192，公共电极192通过第二过孔与公共电极线194连接。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种显示基板母板，包括多个显示区以及将多个所述显示区彼此间隔开的冗余区，所述冗余区包括切割区和间隔区，每个所述显示区与所述切割区之间均设置有所述间隔区，其特征在于，所述显示基板母板包括：
衬底；
设置在所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述冗余区；其中，所述第一绝缘层上设置有用于容纳封框胶的第一容纳槽，所述第一容纳槽位于所述切割区；沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第一容纳槽的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第一容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
2.根据权利要求1所述的显示基板母板，其特征在于，所述第一容纳槽沿其宽度方向的纵截面为倒梯形。
3.根据权利要求2所述的显示基板母板，其特征在于，所述倒梯形为等腰梯形。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板母板，其特征在于，所述第一绝缘层包括：
有机层，所述有机层对应于所述第一容纳槽的位置形成有第一沟槽；
缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的第一缓冲部位于所述第一沟槽中，所述缓冲层的第二缓冲部位于所述有机层远离所述衬底的一侧；
钝化层，覆盖所述缓冲层的第一缓冲部和第二缓冲部；
其中，所述缓冲层的硬度大于所述有机层的硬度，且大于所述钝化层的硬度。
5.根据权利要求4所述的显示基板母板，其特征在于，所述第一缓冲部具有朝向所述第一容纳槽的第一侧面，所述第一侧面为斜面。
6.根据权利要求4所述的显示基板母板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、六方氮化硼、立方氮化硼和纤锌矿氮化硼中的至少一者。
7.根据权利要求4所述的显示基板母板，其特征在于，所述显示基板母板还包括设置在所述显示区的薄膜晶体管、第二绝缘层、像素电极和第三绝缘层；
其中，第二绝缘层位于所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧；所述像素电极位于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，并通过所述第二绝缘层上的第一过孔与所述薄膜晶体管连接；所述第三绝缘层位于所述像素电极远离所述衬底的一侧；
所述有机层与所述第二绝缘层同层设置且材料相同，所述钝化层与所述第三绝缘层同层设置且材料相同。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板母板，其特征在于，所述第一绝缘层上还设置有位于所述间隔区的第二容纳槽和第三容纳槽，所述第二容纳槽和所述第三容纳槽均用于容纳封框胶，所述第二容纳槽环绕所述显示区，所述第三容纳槽环绕所述第二容纳槽；
其中，沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第三容纳槽和所述第二容纳槽的宽度均逐渐减小；所述第二容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第二容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内，所述第三容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第三容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
9.一种显示面板母板，其特征在于，包括：对盒基板母板和权利要求1至8中任意一项所述的显示基板母板，所述第一容纳槽中设置有封框胶，所述对盒基板母板与所述显示基板母板相对设置，所述对盒基板母板与所述显示基板母板之间还设置有位于每个所述显示区的液晶层。
10.一种显示基板母板的制作方法，所述显示基板母板包括多个显示区以及将多个所述显示区彼此间隔开的冗余区，所述冗余区包括切割区和间隔区，每个所述显示区与所述切割区之间均设置有所述间隔区，其特征在于，所述制作方法包括：
在所述衬底上形成第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述冗余区；
在所述第一绝缘层上形成用于容纳封框胶的第一容纳槽，所述第一容纳槽位于所述切割区，沿逐渐靠近所述衬底的方向，所述第一容纳槽的宽度逐渐减小，且所述第一容纳槽的底部在所述衬底上的正投影位于所述第一容纳槽的顶部在所述衬底上的正投影范围内。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区；
在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上形成第一过孔；
在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接；
在所述像素电极远离所述衬底一侧形成第三绝缘层；
形成第一绝缘层的步骤包括：
形成有机层，并在所述有机层对应于所述第一容纳槽的位置形成第一沟槽；
形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的第一缓冲部位于所述第一沟槽中，所述缓冲层的第二缓冲部位于所述有机层远离所述衬底的一侧；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述缓冲层的第一缓冲部和第二缓冲部，所述缓冲层的硬度大于所述有机层的硬度，且大于所述钝化层的硬度；
其中，所述有机层与所述第二绝缘层同步形成，所述第一沟槽与所述第一过孔同步形成，所述钝化层与所述第三绝缘层同步形成。
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