CN114898694A - 像素驱动电路及显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种像素驱动电路及显示设备，其中，像素驱动电路用于驱动像素单元工作，像素驱动电路包括第一补偿子电路及第二补偿子电路，第一补偿子电路用于根据参考信号及数据信号对像素单元的阳极电压进行补偿，第二补偿子电路根据其产生的漏电流补偿第一补偿子电路中的至少一个晶体管产生的漏电流。第一补偿子电路用于根据参考信号及数据信号对像素单元的阳极电压进行补偿，消除了用于驱动像素单元工作的驱动电压信号和晶体管阈值电压对像素单元工作电流的影响，从而改善了显示面板显示不均匀的问题。同时，第二补偿子电路根据其产生的漏电流补偿第一补偿子电路中的至少一个晶体管产生的漏电流，从而改善了显示面板因漏电流造成的闪烁问题。

Description

像素驱动电路及显示设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种像素驱动电路及显示设备。
背景技术
显示技术一直以来都是电子设备中重要的研究方向之一。随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭载薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的显示设备也越发成熟，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，或有机发光二极管显示器(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)。
目前，在TFT的制备工艺过程中，可能出现TFT各个位置膜质并不一致，导致TFT各处的阈值电压有差异，造成显示设备显示不均匀的问题，同时，由于TFT中漏电流的存在，显示设备还可能出现闪烁的问题。
发明内容
本申请提供了一种像素驱动电路，能够解决显示设备显示不均匀、闪烁的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种像素驱动电路，用于驱动像素单元工作，所述像素驱动电路包括第一补偿子电路及第二补偿子电路，所述第一补偿子电路用于根据参考信号及数据信号对所述像素单元的阳极电压进行补偿，所述第二补偿子电路根据其产生的漏电流补偿所述第一补偿子电路中的至少一个晶体管产生的漏电流。
所述第一补偿子电路用于根据参考信号及数据信号对所述像素单元的阳极电压进行补偿，消除了用于驱动像素单元工作的驱动电压信号和晶体管阈值电压对所述像素单元工作电流的影响，从而改善了所述显示面板显示不均匀的问题。同时，所述第二补偿子电路根据其产生的漏电流补偿所述第一补偿子电路中的至少一个晶体管产生的漏电流，从而改善了所述显示面板因漏电流造成的闪烁问题。
可选的，所述第一补偿子电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管及第一电容，所述第二补偿子电路包括第七晶体管及第二电容；所述第一晶体管的栅极用于接收第一扫描信号，所述第一晶体管的第一电极用于接收数据信号，所述第一晶体管的第二电极电连接所述第二晶体管的第二电极，并电连接所述第一电容的一端；所述第二晶体管的栅极用于接收使能信号，所述第二晶体管的第一电极用于接收参考信号；所述第三晶体管的栅极用于接收第二扫描信号，所述第三晶体管的第一电极用于接收第一电压信号，所述第三晶体管的第二电极电连接所述第八晶体管的第二电极，并电连接所述第二电容的一端以及所述像素单元的阳极；所述第四晶体管的栅极电连接所述第五晶体管的第二电极，并电连接所述第一电容的另一端以及所述第七晶体管的第一电极，所述第四晶体管的第一电极用于接收第二电压信号，所述第四晶体管的第二电极电连接所述第八晶体管的第一电极，并电连接所述第五晶体管的第一电极以及所述第六晶体管的第二电极；所述第五晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信号；所述第六晶体管的栅极用于接收第三扫描信号，所述第六晶体管的第一电极用于接收所述第一电压信号；所述第七晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信号，所述第七晶体管的第一电极电连接所述第二电容的另一端；所述第八晶体管的栅极用于接收所述使能信号。
可选的，在所述像素驱动电路处于初始化阶段时，所述第二扫描信号分别控制所述第三晶体管、所述第五晶体管及所述第七晶体管导通，所述第三扫描信号控制所述第六晶体管导通，以使得所述像素单元的阳极放电至电压与所述第一电压信号的电压相等。
可选的，在所述像素驱动电路处于补偿阶段时，所述第一扫描信号控制所述第一晶体管导通，所述第二扫描信号控制所述第五晶体管及所述第七晶体管导通，以使得所述数据信号向所述第一电容的一端充电，所述第二电压信号向所述第一电容的另一端充电。
可选的，所述第一电容两端的电压值满足VC1＝VDD-Vth-Vdata，其中，VDD为所述第二电压信号的电压值，Vth为所述第四晶体管的阈值电压值，Vdata为所述数据信号的电压值。
可选的，在所述像素驱动电路处于发光阶段时，所述使能信号控制所述第二晶体管和所述第八晶体管导通，以使得所述参考信号向所述第一电容的一端充电，所述第二电压信号向所述像素单元的阳极充电，使所述像素单元发光。
可选的，流经所述像素单元的电流满足I＝{VDD-[VDD-Vth+(Vref-Vdata)]-Vth}2*k/2＝(Vdata-Vref)2*k/2，其中，Vref为所述参考信号的电压值，k为常数。
可选的，所述第七晶体管的第一电极端的电压大于第二电极端的电压。
可选的，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极；或者，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极。
可选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管及所述第八晶体管均为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
第二方面，本申请提供了一种显示设备，所述显示设备包括阵列分布的像素单元及如第一方面所述的像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动所述像素单元工作。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施方式提供的像素驱动电路示意图。
图2为本申请一实施方式提供的显示设备俯视示意图。
图3为本申请一实施方式提供的时序信号示意图。
图4为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于初始化阶段的示意图。
图5为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于补偿阶段的示意图。
图6为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于发光阶段的示意图。
附图标号说明：第一扫描信号-G1(n+1)、第二扫描信号-G2(n)、第三扫描信号-G1(n)、使能信号-EM(n)、第一电压信号-VSS、第二电压信号-VDD、数据信号-Vdata、参考信号-Vref、第一电极-a、第二电极-b、栅极-g、像素驱动电路-1、第一补偿子电路-11、第二补偿子电路-12、第一晶体管-T1、第二晶体管-T2、第三晶体管-T3、第四晶体管-T4、第五晶体管-T5、第六晶体管-T6、第七晶体管-T7、第八晶体管-T8、第一电容-C1、第二电容-C2、显示设备-2、壳体-21、显示面板-22、像素单元-23、阳极-231、阴极-232。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供了一种像素驱动电路1，用于驱动像素单元23工作，请参阅图1，图1为本申请一实施方式提供的像素驱动电路示意图。所述像素驱动电路1包括第一补偿子电路11及第二补偿子电路12，所述第一补偿子电路11用于根据参考信号Vref及数据信号Vdata对所述像素单元23的阳极231电压进行补偿，所述第二补偿子电路12根据其产生的漏电流补偿所述第一补偿子电路11中的至少一个晶体管产生的漏电流。
具体的，在本实施方式中，所述第一补偿子电路11包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第八晶体管T8及第一电容C1，所述第二补偿子电路12包括第七晶体管T7及第二电容C2；所述第一晶体管T1的栅极g用于接收第一扫描信号G1(n+1)，所述第一晶体管T1的第一电极a用于接收数据信号Vdata，所述第一晶体管T1的第二电极b电连接所述第二晶体管T2的第二电极b，并电连接所述第一电容C1的一端；所述第二晶体管T2的栅极g用于接收使能信号EM(n)，所述第二晶体管T2的第一电极a用于接收参考信号Vref；所述第三晶体管T3的栅极g用于接收第二扫描信号G2(n)，所述第三晶体管T3的第一电极a用于接收第一电压信号VSS，所述第三晶体管T3的第二电极b电连接所述第八晶体管T8的第二电极b，并电连接所述第二电容C2的一端以及所述像素单元23的阳极231；所述第四晶体管T4的栅极g电连接所述第五晶体管T5的第二电极b，并电连接所述第一电容C1的另一端以及所述第七晶体管T7的第一电极a，所述第四晶体管T4的第一电极a用于接收第二电压信号VDD，所述第四晶体管T4的第二电极b电连接所述第八晶体管T8的第一电极a，并电连接所述第五晶体管T5的第一电极a以及所述第六晶体管T6的第二电极b；所述第五晶体管T5的栅极g用于接收所述第二扫描信号G2(n)；所述第六晶体管T6的栅极g用于接收第三扫描信号G1(n)，所述第六晶体管T6的第一电极a用于接收所述第一电压信号VSS；所述第七晶体管T7的栅极g用于接收所述第二扫描信号G2(n)，所述第七晶体管T7的第一电极a电连接所述第二电容C2的另一端；所述第八晶体管T8的栅极g用于接收所述使能信号EM(n)。
需要说明的是，请一并参阅图2，图2为本申请一实施方式提供的显示设备俯视示意图。所述像素单元23通常以阵列形式分布于所述显示面板22上，每个所述像素单元23对应设置有所述像素驱动电路1，以驱动所述像素单元23工作。
具体的，所述第一扫描信号G1(n+1)控制所述第一晶体管T1的通断，所述第二扫描信号G2(n)控制所述第三晶体管T3、所述第五晶体管T5及所述第七晶体管T7的通断，所述第三扫描信号G1(n)控制所述第六晶体管T6的通断，所述使能信号EM(n)控制所述第二晶体管T2及第八晶体管T8的通断，所述第四晶体管T4由所述第一电容C1与所述第四晶体管T4的栅极g电连接的一端的电压，控制所述第四晶体管T4的通断。其中，如图1所示，“n”代表用于驱动第n行所述像素单元23的信号，则“n+1”代表用于驱动第n+1行所述像素单元23的信号。
可以理解的，所述第一扫描信号G1(n+1)、所述第二扫描信号G2(n)、所述第三扫描信号G1(n)及所述使能信号EM(n)可以由所述设备2中的时序信号产生模块产生并输出，也可以是外部传输至所述显示面板22内的信号；同理，所述第一电压信号VSS和所述第二电压信号VDD可以由所述显示设备2中的电源模块产生并输出，也可以是外部电源传输至所述显示面板22内的信号，本申请对此不加以限制。
具体的，如图1所示，所述像素单元23的阴极232用于接收所述第一电压信号VSS，也就是说，通过所述第一扫描信号G1(n+1)、所述第二扫描信号G2(n)、所述第三扫描信号G1(n)及所述使能信号EM(n)在不同时刻分别控制各个晶体管的通断状态，对所述像素单元23阳极231的电压进行初始化以及补偿，使所述像素单元23的阳极231和阴极232形成一定的电压差，从而使得流经所述像素单元23的电流不受所述第二电压信号VDD和晶体管阈值电压的影响。
可以理解的，在本实施方式中，所述第一补偿子电路11用于根据参考信号Vref及数据信号Vdata对所述像素单元23的阳极231电压进行补偿，消除了用于驱动像素单元23工作的驱动电压信号和晶体管阈值电压对所述像素单元23工作电流的影响，从而改善了所述显示面板22显示不均匀的问题。同时，所述第二补偿子电路12根据其产生的漏电流补偿所述第一补偿子电路11中的至少一个晶体管产生的漏电流，从而改善了所述显示面板22因漏电流造成的闪烁问题。
具体的，通过各个信号对晶体管的控制，使得所述像素单元23发光时，消除了所述第二电压信号VDD和晶体管阈值电压对所述像素单元23工作电流的影响，从而改善了所述显示面板22显示不均匀的问题。同时，利用所述第七晶体管T7的漏电流补偿所述第五晶体管T5的漏电流，从而改善了所述显示面板22因漏电流造成的闪烁问题。
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图3及图4，图3为本申请一实施方式提供的时序信号示意图；图4为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于初始化阶段的示意图。在所述像素驱动电路1处于初始化阶段时，所述第二扫描信号G2(n)分别控制所述第三晶体管T3、所述第五晶体管T5及所述第七晶体管T7导通，所述第三扫描信号G1(n)控制所述第六晶体管T6导通，以使得所述像素单元23的阳极231放电至电压与所述第一电压信号VSS的电压相等。
需要说明的是，在所述像素单元23进行工作以显示画面时，所述像素单元23的阳极231和阴极232之间存在一定的电压差，当需要显示不同的画面时，需要通过所述数据信号Vdata改变所述像素单元23的阳极231和阴极232之间的电压差。可以理解的，在显示画面变化时，上一帧画面的所述像素单元23的阳极231电压可能会影响下一帧画面的所述像素单元23的阳极231电压，因此，在所述数据信号Vdata对所述像素单元23的阳极231进行充电之前，需要对所述像素单元23的阳极231电压进行初始化，从而避免上一帧画面对下一帧画面的显示有所影响。
具体的，如图3及图4所示，在同一时刻下，所述第一扫描信号G1(n+1)、所述第二扫描信号G2(n)、所述第三扫描信号G1(n)及所述使能信号EM(n)分别为高电平或低电平，从而同时选通所述第三晶体管T3、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6及所述第七晶体管T7，其他晶体管关断，以形成电流回路，从而将所述像素单元23的阳极231电压经过所述第三晶体管T3形成的电流回路，放电至与所述第一电压信号VSS的电压值相等，完成所述像素单元23的阳极231初始化。同理，所述第五晶体管T5的第一电极a和第二电极b的电压、所述第七晶体管T7的第二电极b的电压，经过所述第七晶体管T7、所述第五晶体管T5及所述第六晶体管T6形成的电流回路，放电至与所述第一电压信号VSS的电压值相等，完成所述第一电容C1和所述第二电容C2两端电压的初始化。其中，关断的晶体管以“X”标记标识于图4中，下文中出现的“X”标记同理，本申请在此不再赘述。
可以理解的，高电平和低电平是一个相对的概念，在本实施方式中，高电平指的是电压值位于4V至12V范围内的信号，低电平指的是电压值位于-2V至-6V范围内的信号，在其他可能的实施方式中，高电平和低电平的电压值范围还可以是其他数值，本申请对此不加以限制。
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图3及图5，图5为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于补偿阶段的示意图。在所述像素驱动电路1处于补偿阶段时，所述第一扫描信号G1(n+1)控制所述第一晶体管T1导通，所述第二扫描信号G2(n)控制所述第五晶体管T5及所述第七晶体管T7导通，以使得所述数据信号Vdata向所述第一电容C1的一端充电，所述第二电压信号VDD向所述第一电容C1的另一端充电。
具体的，完成所述像素单元23的阳极231、所述第一电容C1和所述第二电容C2两端的电压初始化之后，需要对所述第一电容C1和所述第二电容C2两端进行充电，从而实现在所述像素单元23发光阶段时，消除所述第二电压信号VDD和晶体管阈值电压及漏电流的影响。
在本实施方式中，如图3及图5所示，在同一时刻下，所述第一扫描信号G1(n+1)、所述第二扫描信号G2(n)、所述第三扫描信号G1(n)及所述使能信号EM(n)分别为高电平或低电平，从而同时选通所述第一晶体管T1、所述第五晶体管T5及所述第七晶体管T7，其他晶体管关断，以形成电流回路，从而使得所述数据信号Vdata通过所述第一晶体管T1为所述第一电容C1的一端充电，所述第二电压信号VDD通过所述第四晶体管T4和所述第五晶体管T5为所述第一电容C1的另一端充电，所述第二电压信号VDD还通过所述第七晶体管T7为所述第二电容C2的一端充电。
在本实施方式中，所述第一电容C1两端的电压值满足VC1＝VDD-Vth-Vdata，其中，VDD为所述第二电压信号VDD的电压值，Vth为所述第四晶体管T4的阈值电压值，Vdata为所述数据信号Vdata的电压值。
需要说明的是，在本实施方式中，由于所述第四晶体管T4的栅极g与所述第一电容C1的一端电连接，也就是说，第一电容C1一端的电压值控制所述第四晶体管T4的通断。具体的，由于所述第一电容C1一端的电压在所述初始化阶段初始化为与所述第一电压信号VSS电压值相等，因此，所述第四晶体管T4在所述补偿阶段首先导通。随着所述第二电压信号VDD持续的为所述第一电容C1的一端充电，与其电连接的所述第四晶体管T4的栅极g电压不断上升，所述第四晶体管T4逐渐由导通状态转变为关断状态。当所述第四晶体管T4完全关断时，所述第二电压信号VDD不再为所述第一电容C1的一端充电，此时，根据晶体管的工作特性可以得知，所述第一电容C1与所述第四晶体管T4的栅极g电连接的一端的电压值为VDD-Vth。可以理解的，由于所述数据信号Vdata将所述第一电容C1的一端充电至与所述数据信号Vdata电压值相等，因此，所述第一电容C1两端的电压值满足VC1＝VDD-Vth-Vdata。
同理，所述第二电压信号VDD还通过所述第七晶体管T7将所述第二电容C2的一端充电至电压值为VDD-Vth，由于所述第二电容C2的另一端的电压在所述初始化阶段被初始化为与所述第一电压信号VSS的电压值相等，因此，可以得出所述第二电容C2两端的电压值满足VC2＝VDD-Vth-VSS，其中，VSS为所述第一电压信号VSS的电压值。
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图3及图6，图6为本申请一实施方式提供的像素驱动电路处于发光阶段的示意图。在所述像素驱动电路1处于发光阶段时，所述使能信号EM(n)控制所述第二晶体管T2和所述第八晶体管T8导通，以使得所述参考信号Vref向所述第一电容C1的一端充电，所述第二电压信号VDD向所述像素单元23的阳极231充电，使所述像素单元23发光。
在本实施方式中，如图3及图5所示，在同一时刻下，所述第一扫描信号G1(n+1)、所述第二扫描信号G2(n)、所述第三扫描信号G1(n)及所述使能信号EM(n)分别为高电平或低电平，从而同时选通所述第二晶体管T2和所述第八晶体管T8，其他晶体管关断，以形成电流回路，从而使得所述参考信号Vref通过所述第二晶体管T2向所述第一电容C1的一端充电，使得所述第一电容C1一端的电压值于所述参考信号Vref的电压值相等。由于电容的耦合效应，所述第一电容C1另一端的电压发生变化，且电压值变为VDD-Vth+(Vref-Vdata)，从而使得所述第四晶体管T4重新导通，所述第二电压信号VDD加载下产生的电流经过所述第四晶体管T4及所述第八晶体管T8传输至所述像素单元23，使得所述像素单元23发光工作。
在本实施方式中，流经所述像素单元23的电流满足I＝{VDD-[VDD-Vth+(Vref-Vdata)]-Vth}2*k/2＝(Vdata-Vref)2*k/2，其中，Vref为所述参考信号Vref的电压值，k为常数。
具体的，所述第四晶体管T4工作在饱和区，根据晶体管的电流计算公式，可知流经所述像素单元23的电流满足
I＝(VSG-Vth)2*k/2
＝(VDD-VG-Vth)2*k/2
＝{VDD-[VDD-Vth+(Vref-Vdata)]-Vth}2*k/2
＝(Vdata-Vref)2*k/2
其中，VSG为第四晶体管T4第一电极a和栅极g之间的电压差，VG为第四晶体管T4栅极g的电压。可以理解的，在本实施方式中，通过所述参考信号Vref改变所述第一电容C1两端的电压，使得所述第四晶体管T4工作在饱和区，从而实现流经所述像素单元23的工作电流消除了所述第二电压信号VDD电压值和所述第四晶体管T4的阈值电压的影响，改善了由于不同行的所述第二电压信号VDD的压降，以及晶体管制备工艺可能带来的不同位置处阈值电压不同所导致的所述显示面板22显示不均匀的技术问题。
在本实施方式中，所述第七晶体管T7的第一电极a端的电压大于所述第七晶体管T7的第二电极b端的电压。
需要说明的是，由于所述第四晶体管T4工作在饱和区，所述第四晶体管T4的栅极g电压大于第四晶体管T4的第二电极b电压，所述第五晶体管T5的第一电极a电连接所述第四晶体管T4的第二电极b，所述第五晶体管T5的第二电极b电连接所述第四晶体管T4的栅极g，因此，会形成所述第五晶体管T5的第二电极b流向所述第五晶体管T5的第一电极a的漏电流，使得所述第四晶体管T4的栅极g电压保持能力下降，影响流经所述像素单元23的工作电流。
具体的，当所述像素单元23发光时，所述像素单元23的阳极231在工作电流的作用下，电压上升至工作电压VOLED，且所述第二电容C2的一端电连接所述像素单元23的阳极231，由于电容的耦合效应，所述第二电容C2的另一端电压改变，电压值变为VDD-Vth+(VOLED-VSS)。可以理解的，因Vref-Vdata<VOLED-VSS，则所述第七晶体管T7的第一电极a端的电压大于所述第七晶体管T7的第二电极b端的电压，从而形成由所述第七晶体管T7的第一电极a流向所述第七晶体管T7的第二电极b的补偿电流，以补偿所述第五晶体管T5的第二电极b流向所述第五晶体管T5的第一电极a的漏电流，从而提高了所述第四晶体管T4的栅极g电压保持能力，避免影响流经所述像素单元23的工作电流，改善了所述显示面板22的闪烁问题。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极a为源极，所述第二电极b为漏极；或者，所述第一电极a为漏极，所述第二电极b为源极。
具体的，晶体管的特性在于，在栅极g电压的加载下，源极与漏极形成通道并导通，因此，所述第一电极a可以为源极，则所述第二电极b为漏极；或者，所述第一电极a可以为漏极，则所述第二电极b为源极，本申请对此不加以限制。
在一种可能的实施方式中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6、所述第七晶体管T7及所述第八晶体管T8均为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
在本实施方式中，所述像素单元23为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)，通常采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动所述像素单元23。
可以理解的，采用LTPS-TFT驱动所述像素单元23，由于LTPS-TFT的制备工艺，可以使得LTPS-TFT占用的空间更小、更轻薄，从而减小整个所述显示设备2的厚度及重量，同时，LTPS-TFT消耗的电量相对于传统的TFT较少。
具体的，P型LTPS-TFT由栅极g及一个N型半导体包覆两个P型半导体构成，其中一个P型半导体为源极，另一个为漏极。栅极g为金属电极，且栅极g与源极及漏极之间还设置有绝缘层。由于P型半导体材料中掺入了三价元素杂质，P型半导体中多数载流子为空穴，且空穴带正电荷。当晶体管的栅极g加载低电平时，两个P型半导体形成沟道导通晶体管的源极与漏极。
可以理解的，在其他可能的实施方式中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6、所述第七晶体管T7及所述第八晶体管T8还可以为N型LTPS-TFT，或者部分为N型LTPS-TFT，部分为P型LTPS-TFT，本申请对此不加以限制。
可以理解的，在本实施方式中，采用所述像素驱动电路1驱动所述像素单元23工作，消除了由LTPS-TFT制备工艺带来的各个位置处阈值电压不均匀，造成的所述像素单元23显示不均匀的影响。
本申请提供了一种显示设备2，请再次参阅图2，所述显示设备2包括阵列分布的像素单元23及如上文所述的像素驱动电路1，所述像素驱动电路1用于驱动所述像素单元23工作。具体的，所述显示设备2还包括壳体21，用于承载安装所述显示面板22，所述像素单元23及所述像素驱动电路1设置于所述显示面板22上。所述像素驱动电路1请参阅上文描述，在此不再赘述。
可以理解的，在本实施方式中，通过各个信号对晶体管的控制，使得所述像素单元23发光时，消除了所述第二电压信号VDD和晶体管阈值电压对所述像素单元23工作电流的影响，从而改善了所述显示面板22显示不均匀的问题。同时，利用所述第七晶体管T7的漏电流补偿所述第五晶体管T5的漏电流，从而改善了所述显示面板22因漏电流造成的闪烁问题。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路，用于驱动像素单元工作，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一补偿子电路及第二补偿子电路，所述第一补偿子电路用于根据参考信号及数据信号对所述像素单元的阳极电压进行补偿，所述第二补偿子电路根据其产生的漏电流补偿所述第一补偿子电路中的至少一个晶体管产生的漏电流。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一补偿子电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管及第一电容，所述第二补偿子电路包括第七晶体管及第二电容；所述第一晶体管的栅极用于接收第一扫描信号，所述第一晶体管的第一电极用于接收数据信号，所述第一晶体管的第二电极电连接所述第二晶体管的第二电极，并电连接所述第一电容的一端；所述第二晶体管的栅极用于接收使能信号，所述第二晶体管的第一电极用于接收参考信号；所述第三晶体管的栅极用于接收第二扫描信号，所述第三晶体管的第一电极用于接收第一电压信号，所述第三晶体管的第二电极电连接所述第八晶体管的第二电极，并电连接所述第二电容的一端以及所述像素单元的阳极；所述第四晶体管的栅极电连接所述第五晶体管的第二电极，并电连接所述第一电容的另一端以及所述第七晶体管的第一电极，所述第四晶体管的第一电极用于接收第二电压信号，所述第四晶体管的第二电极电连接所述第八晶体管的第一电极，并电连接所述第五晶体管的第一电极以及所述第六晶体管的第二电极；所述第五晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信号；所述第六晶体管的栅极用于接收第三扫描信号，所述第六晶体管的第一电极用于接收所述第一电压信号；所述第七晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信号，所述第七晶体管的第一电极电连接所述第二电容的另一端；所述第八晶体管的栅极用于接收所述使能信号。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，在所述像素驱动电路处于初始化阶段时，所述第二扫描信号分别控制所述第三晶体管、所述第五晶体管及所述第七晶体管导通，所述第三扫描信号控制所述第六晶体管导通，以使得所述像素单元的阳极放电至电压与所述第一电压信号的电压相等。
4.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，在所述像素驱动电路处于补偿阶段时，所述第一扫描信号控制所述第一晶体管导通，所述第二扫描信号控制所述第五晶体管及所述第七晶体管导通，以使得所述数据信号向所述第一电容的一端充电，所述第二电压信号向所述第一电容的另一端充电。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一电容两端的电压值满足VC1＝VDD-Vth-Vdata，其中，VDD为所述第二电压信号的电压值，Vth为所述第四晶体管的阈值电压值，Vdata为所述数据信号的电压值。
6.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，在所述像素驱动电路处于发光阶段时，所述使能信号控制所述第二晶体管和所述第八晶体管导通，以使得所述参考信号向所述第一电容的一端充电，所述第二电压信号向所述像素单元的阳极充电，使所述像素单元发光。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，流经所述像素单元的电流满足I＝{VDD-[VDD-Vth+(Vref-Vdata)]-Vth}2*k/2＝(Vdata-Vref)2*k/2，其中，Vref为所述参考信号的电压值，k为常数。
8.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第七晶体管的第一电极端的电压大于第二电极端的电压。
9.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管及所述第八晶体管均为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
10.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括阵列分布的像素单元及如权利要求1-9任意一项所述的像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动所述像素单元工作。
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