CN114892147A - 一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。该修复方法用于修复石墨部件表面的碳化硅涂层，包括杂质去除阶段及涂层修复阶段，在杂质去除阶段，基于喷淋组件向反应腔内通入氢气，利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度升高至第一预设温度，基于喷淋组件向反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体，利用H2和HCL气体对沉积模块内的石墨部件进行刻蚀处理，以去除石墨部件内残留的杂质；在涂层修复阶段：将反应腔的温度调整至第二预设温度，基于喷淋组件向反应腔内通入反应气体，在石墨部件的表面层叠碳化硅薄膜，以修复石墨部件表面。该修复方法可延长石墨部件使用时间，降低生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及半导体沉积设备领域，具体地涉及一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。
背景技术
碳化硅（SiC）外延生长过程中，将衬底放置在沉积设备的腔体（也称反应腔）内的石墨托盘（石墨托盘的表面有碳化硅涂层）上，并在适当的温度、压力等条件下通入反应气体以在衬底上生长出SiC外延层。碳化硅材料外延生长工艺对本征杂质浓度有较高的要求，通常要求未掺杂外延片的载流子浓度即本征杂质浓度在5E14以下。比如：对高质量MOSFET功率器件来说，掺杂均匀性指标要求做到2%以内，才能保证产品的一致性和较高的良率。外延生长过程中影响载流子浓度的因素主要有2方面：一方面是反应气体和载气的纯度；另一方面是腔体及内部的部件的纯度。相对而言，反应气体和载气的纯度可通过纯化器等设备来控制，容易满足要求。沉积设备的腔体本体大多采用316L材质，几乎没有挥发性杂质，且腔壁有冷却液，对腔体环境纯度有保障；腔体内部的石墨筒、石墨托盘及支撑筒等部件（因其采用高纯石墨材质，也称石墨部件），通常在其表面涂覆有厚度介于50-100μm的高纯碳化硅涂层，初始时部件表面的碳化硅涂层保持完整，起到隔离反应气体进入部件内部的作用，能保证本征载流子浓度要求，经一段时间使用后，部件表面的碳化硅涂层会挥发变薄或局部脱落，这样在外延生长过程中掺杂物质（如：氮或铝元素）会进入疏松的石墨材质的部件的内部且数量不可预测，导致在下一批外延生长时，进入部件内部的掺杂物质挥发出来作为掺杂源进入外延层，从而影响掺杂浓度均匀性。腔体内部使用的部件非常昂贵，以6英寸设备而言，单腔的部件的成本在100万元以上，目前，业内都是通过更换的方式来维持沉积设备的本征杂质浓度，这样造成生产成本上升，影响产品的竞争力。
发明内容
为克服上述存在的缺点，本申请的目的在于：提供一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。该修复方法对损伤的石墨部件进行修复，保证生长的外延片的掺杂浓度均匀性满足高质量MOSFET功率器件的要求，同时延长石墨部件的使用时间，以降低生产成本。
为了达到以上目的，本申请采用如下技术方案：
一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，所述修复方法用于修复石墨部件表面的碳化硅涂层，所述修复方法包括杂质去除阶段及碳化硅涂层修复阶段，
所述杂质去除阶段包括，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入氢气，同时基于气体供给部分别向侧壁加热器侧和底部加热器侧通入保护气体，
利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度升高至第一预设温度，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体，以去除石墨部件内的杂质；
所述碳化硅涂层修复阶段包括：
利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度调整至第二预设温度，所述第二预设温度小于等于所述第一预设温度，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入反应气体，在石墨部件的表面或碳化硅涂层上层叠碳化硅薄膜，以修复石墨部件表面的碳化硅涂层。该修复方法在碳化硅涂层上层叠碳化硅薄膜，以对损伤的碳化硅涂层进行修复，以保证其生长的外延片的掺杂浓度均匀性满足要求，还能降低生产成本。
在一实施方式中，该杂质去除阶段，反应腔的压力不小于20mbar。在低压的环境下利于石墨部件中的杂质析出，但反应腔的压力低于20mbar场合时有可能引起侧壁加热器起弧打火，从而损坏沉积模块。较佳的，反应腔的介于20mbar-50mbar。
在一实施方式中，该第一预设温度介于1650-1700℃。通过这样的设计，在沉积模块可承受范围内尽可能提高反应腔的温度，以析出石墨部件内残留的杂质。
在一实施方式中，该第二预设温度介于1620-1650℃。该第二预设温度高于正常碳化硅外延生长的工艺温度10-20℃。
在一实施方式中，该杂质去除阶段包括：
S11.基于喷淋组件将流量介于100-150slm的氢气通入反应腔内，以及基于气体供给部将流量介于5-10slm的氩气分别通向底部加热器侧及侧壁加热器侧；
S12.将反应腔的压力调整至第一预设压力；
S13.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔内的温度升高至第一预设温度；
S14.利用喷淋组件向反应腔内通入流量介于200-1000sccm的HCL气体，并维持第一预设温度至第一预设时间。
进一步的，该步骤S13中，温度升高的速率介于1-3℃/s。
在一实施方式中，该碳化硅涂层修复阶段包括：
S21.利用底部加热器与侧壁加热器的组合将反应腔的温度调整至第二预设温度，将反应腔的压力调整至第二预设压力（第二预设压力配置成大于等于第一预设压力）；
S22.利用喷淋组件向反应腔内通入C/Si比介于0.6-0.9的反应气体；
S23.在预设的升压时间内将反应腔内的压力从第二预设压力升至第三预设压力；
S24.利用喷淋组件将向反应腔内通入反应气体的流量逐步提高到步骤S22中起始流量的2.5-4倍，并维持第二预设时间，以在石墨部件的表面或碳化硅涂层上层叠一定厚度的碳化硅薄膜；
S25.停止向反应腔内通入反应气体和HCL气体，并维持第三预设时间，对石墨部件进行退火处理。
进一步的，该步骤S23之后还包括：
S231.停止向反应腔内通入反应气体，在预设的降压时间内将反应腔内的压力从第三预设压力降至第二预设压力，
然后依次重复步骤S22、S23及S231预设的次数。
在一实施方式中，该步骤S25之后还包括：
S26.以0.3-1℃/s的降温速率将反应腔内的温度降至第三预设温度；
S27.利用喷淋组件调整通入反应腔的反应气体的流量，使得通入反应腔的气体的总流量降至20slm以下；
S28.利用喷淋组件将通入反应腔的氢气切换成保护气体。
在一实施方式中，该步骤S26中包括以0.5℃/s的降温速率将反应腔内的温度降至900℃。通过这样的设计避免生长的碳化硅薄膜因热应变而脱落。
有益效果
本申请提出的修复方法可延长石墨部件的使用时间且能保证生长的外延片的掺杂浓度均匀性满足要求。具体地，未采用本申请提出的修复方法的石墨托盘通常每200次（run）需要更换、内部石墨筒通常每1000次（run）需要更换，经本申请提出的修复方法修复后石墨托盘增加运行300次（run）以上，内部石墨筒增加运行2000次（run）以上，这样降低了生产成本。
附图说明
在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本申请公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本申请的理解，并不是具体限定本申请各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本申请的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本申请。在附图中：
图1为本申请一实施例的碳化硅沉积设备的截面示意图；
图2为本申请一实施例的碳化硅沉积设备的石墨部件修复方法的流程图；
图3为图2中杂质去除阶段的流程示意图；
图4为图2中碳化硅涂层修复阶段的流程示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本申请而不限于限制本申请的范围。实施例中采用的实施条件可以如具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
本申请提出一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。该修复方法用于修复沉积模块内的石墨部件的表面碳化硅涂层。该修复方法包括杂质去除阶段及涂层修复阶段，在杂质去除阶段，基于喷淋组件向反应腔内通入氢气，利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度升高至第一预设温度，基于喷淋组件向反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体，利用H2和HCL气体对沉积模块内的石墨部件进行刻蚀处理，以去除石墨部件内残留的杂质；在涂层修复阶段：将反应腔的温度调整至第二预设温度，基于喷淋组件向反应腔内通入反应气体，在石墨部件的表面层叠碳化硅薄膜，以修复石墨部件表面。这样以延长石墨部件的使用时间，且修复后碳化硅沉积设备生长的外延片满足高质量MOSFET功率器件的要求。
下面结合附图来描述本申请提出的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。
如图1所示为碳化硅沉积设备的截面示意图。本公开实施例中的碳化硅沉积设备，包括：沉积模块100，喷淋组件110，托盘组件及抽真空装置180。
沉积模块100呈筒状，其具有侧壁101、内部具有反应腔100a，且沉积模块100内设有内部石墨筒130及侧壁加热器120，侧壁加热器120配置于内部石墨筒130的远离反应腔100a侧（靠近侧壁101侧）。侧壁101上设有沿其径向上配置的穿孔102，该穿孔102经管道连接至气体供给部（图未示），该穿孔102将侧壁加热器所在的区域与气体供给部连通，该气体供给部用于注入保护气体（如氩气，气流方向如图1中a所示），保护气体经穿孔102流至内部石墨筒130与侧壁101之间并流过侧壁加热器，以保护侧壁加热器120。较佳的，穿孔102靠近侧壁101的顶部侧。
喷淋组件110配置于沉积模块100的顶部，用于向反应腔内通入反应气体、保护气体或载气。
托盘组件配置于反应腔100a内。托盘组件包括：支撑筒140及石墨托盘141，石墨托盘141用于放置衬底200，且石墨托盘141对着喷淋组件110，支撑筒140配置于底座160上。底座160上配置有出气口162，该出气口162通过管道170连接至抽真空装置180。底座160上配置有安装座161，其连接驱动部（图未示），且安装座161的内腔161a连通支撑筒140内部的空腔140a，安装座161的内腔161a通过管道连接至气体供给部（图未示），该气体供给部用于向支撑筒140内注入保护气体（如氩气，气流方向如图1中b所示），以保护底部加热器150。
外延生长时石墨托盘141上放置有衬底200，基于驱动部的驱动带动支撑筒140旋转，支撑筒140旋转带动石墨托盘141旋转进而带动衬底200同步旋转。反应气体通过喷淋组件均匀地输入到反应腔，在衬底200的表面产生化学反应以生长出碳化硅薄膜。外延生长时调整喷淋组件110通入反应腔的气体量和/或调整抽真空装置180抽气量，以调节反应腔的压力。
外延生长反应过程中反应腔内的内部石墨筒130、石墨托盘141和支撑筒140等石墨材质的石墨部件承受1600℃以上的高温，且伴随有氢气和氯化氢等气体的包裹，随着运行时间的增加， 石墨部件表面涂覆的碳化硅涂层会慢慢蒸发或损伤，从而影响掺杂浓度均匀性。为此申请人提出石墨部件的修复方法，以兼顾外延片的品质及生产成本。
该修复方法，包括：杂质去除阶段及碳化硅涂层（简称涂层）修复阶段（参见图2）。
该杂质去除阶段，在高温（1650-1700℃）及较低的压力（20mbar-50mbar）条件下利用氢气（H2）和HCL气体对反应腔进行干法刻蚀处理，利用充足的氢气进入反应腔内，去除石墨部件内残留的杂质。该阶段中利用气体供给部分别向侧壁加热器侧和底部加热器侧通入保护气体（如，氩气），以免侧壁加热器和底部加热器被刻蚀损坏。较佳的，该阶段中HCL气体的流量不宜大于1slm，以免过渡刻蚀。较佳的，该阶段中反应腔的压力越低越以利于杂质析出，但反应腔的压力大于等于20mbar，低于20mbar场合时有可能引起侧壁加热器或底部加热器起弧打火，从而损坏沉积模块。
该涂层修复阶段：反应腔的温度介于1620-1650℃的条件下，通入反应气体，以在石墨部件的表面或碳化硅涂层上再层叠碳化硅薄膜。该温度高于正常的外延生长工艺温度10-20℃（正常外延生长工艺温度1600℃左右），该阶段中，反应腔的压力可经历多个从高到低的循环（循环的次数可视石墨部件的使用时间、表面涂层的剩余厚度或损坏程度来决定），通过这样的设计，有利于反应气体进入石墨部件的石墨微孔内部进行沉积。在循环的过程中应腔体压力由高到低过程中需停止通入反应气体，由低到高的过程中需要通入反应气体。在涂层修复阶段中需要一个退火和缓慢降温过程，以免生长的碳化硅涂层受热应变而脱落。
通过该修复方法在石墨部件变薄的涂层或脱落涂层处或损伤的涂层上再层叠一定厚度的碳化硅薄膜（如，40μm，50μm,60μm等厚度的碳化硅薄膜），实现对石墨部件表面的涂层修复，以此来保证其生长的外延片的掺杂浓度均匀性满足要求。
在一实施方式中，该杂质去除阶段包括（参见图3）：
S11.基于喷淋组件将流量介于100-150slm的氢气通入反应腔内，及将流量介于5-10slm的氩气分别通向底部加热器侧和通入侧壁加热器侧；
S12.将反应腔的压力调整至第一预设压力（如：30mbar 、50mbar）；
S13.利用底部加热器与侧壁加热器的组合（即底部加热器与侧壁加热器一起对反应腔加热），将反应腔的温度升高至第一预设温度（第一预设温度介于1650-1700℃），该步骤中温度升高速率1-3℃/s；
S14.利用喷淋组件向反应腔内通入流量介于200-1000sccm（sccm为StandardCubic Centimeter per Minute的缩写，即每分钟标准毫升）的HCL气体，并维持第一预设温度至第一预设时间（即：在第一预设温度保温30-60分钟）。这样在低压高温的环境下去除石墨部件内残留的杂质。该步骤S12中反应腔的压力越低越以利于石墨部件内的杂质析出，但不能低于20mbar，可能引起侧壁加热器/底部加热器起弧打火，造成沉积模块损坏。较佳的，步骤S12中反应腔的压力介于20mbar-50mbar。步骤S13中也可仅用底部加热器对反应腔加热。步骤S14中HCL气体的流量不宜大于1slm（slm为 Standard Liter per Minute的缩写，即每分钟标准升），以免过渡刻蚀。在杂质去除阶段利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合来提高反应腔的温度，在沉积模块可承受范围内尽可能提高反应腔的温度，以析出石墨部件内残留的杂质，析出的杂质通过氢气带出。
接下来进入涂层修复阶段。
该涂层修复阶段包括（参见图4）：
S21.利用底部加热器与侧壁加热器的组合（即底部加热器与侧壁加热器一起对反应腔加热），将反应腔的温度调整至第二预设温度（第二预设温度介于1620-1650℃、该第二预设温度高于正常外延生长的工艺温度10-20℃），将反应腔的压力调整至第二预设压力(如，50mbar，第二预设压力大于等于第一预设压力)。S21中也可仅用底部加热器对反应腔加热。
S22.利用喷淋组件向反应腔内通入碳硅比（C/Si）比介于0.6-0.9的少量反应气体（乙烯（C2H4）和三氯氢硅(SiHCL3）或者丙烷（C3H8）和硅烷（SiH4)）；
S23. 在预设的升压时间（如3-60分钟）内将反应腔内的压力从第二预设压力（如，50mbar）缓慢升高至第三预设压力（如，300mbar）；
S24.利用喷淋组件向反应腔内通入反应气体，此时通入的反应气体的流量逐步提高到S22中起始流量的2.5-4倍，并维持第二预设时间（如30-60分钟），以生长一定厚度的碳化硅薄膜（该碳化硅薄膜层叠在石墨部件的表面或碳化硅涂层上）；
S25.生长完成，停止通入反应气体和HCL气体，并维持第三预设时间（如10-20分钟），然后对石墨部件进行退火处理。
较佳的，在S25之后还包括：
S26.以 0.3-1℃/s的降温速率将反应腔内的温度缓慢降至第三预设温度（如900℃）；
S27.利用喷淋组件将通入反应腔的气体总流量降至20slm以下；
S28.将通入反应腔的氢气全部切换成氩气。该阶段中生长完成后设置对石墨部件退火处理以及缓慢降温过程，以避免生长的碳化硅薄膜因热应变而脱落。该修复方法具体实施可安排在石墨部件使用至正常更换周期一半时进行预防性修复。
接下来通过具体的实施方式来验证本申请提出的修复方法，
实施例1：对损伤程度较轻的石墨部件的表面涂层的修复，修复方法包括如下步骤：
S100.杂质去除阶段，包括：
S101.利用喷淋组件向反应腔内通入流量120slm的氢气，以及将流量8slm的氩气通向侧壁加热器侧、将流量6slm的氩气通向底部加热器侧；
S102.将反应腔的压力调整至30mbar；
S103.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔内温度升高至1660℃（该步骤中，温度升高的速率:1300℃以下、2℃/s，1300℃-1660℃、1℃/s）；
S104.利用喷淋组件向反应腔内通入流量300sccm的HCL气体；
S105.利用底部加热器与侧壁加热器的组合维持反应腔的温度在1660℃并持续30分钟。这样在较低的压力及高温环境下，去除石墨部件内残留的杂质。然后进入涂层修复阶段，
S200.涂层修复阶段包括：
S201.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔温度调整至1639℃，将反应腔的压力调整至50mbar；
S202.利用喷淋组件向反应腔内通入流量30sccm的乙烯和流量50sccm的三氯氢硅；
S203.在5分钟内将反应腔内压力从50mbar缓慢升高至300mbar；
S204.停止通入反应气体，在5分钟内将反应腔内压力从300mbar缓慢降至50mbar；
重复步骤S202-S204，直至完成3个循环，然后在5分钟内将反应腔内压力从50mbar缓慢升高至300mbar；
S205.利用喷淋组件将乙烯的流量逐步提高到100sccm，将三氯氢硅的流量逐步提高到180sccm，并维持50分钟；
S206.生长完成，停止通入反应气体和HCL气体，并维持10分钟，然后对石墨部件进行退火处理；
S207.将反应腔的温度缓慢降至900℃，降温速率: 0.5℃/s；
S208.利用喷淋组件将腔体内气体总流量降至18slm；
S209.利用喷淋组件将通入反应腔内的氢气全部切换成氩气。经修复后的石墨部件生长的外延满足高质量MOSFET功率器件的掺杂均匀性指标要求（经测试掺杂均匀性1.6%）。
实施例2，用于对损伤程度较严重的石墨部件的表面涂层修复，修复方法包括如下步骤：
S300.杂质去除阶段，包括：
S301.利用喷淋组件向反应腔内通入流量120slm的氢气，以及将流量8slm的氩气通向侧壁加热器侧、将流量6slm的氩气通向底部加热器侧；
S302.将反应腔的压力调整至30mbar；
S303.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度升高至1680℃（该步骤S303中，温度升高速率:1300℃以下，2℃/s，1300℃-1680℃，1℃/s）；
S304.利用喷淋组件向反应腔内通入流量500sccm的HCL气体；
S305.利用底部加热器与侧壁加热器的组合维持反应腔的温度在1680℃并持续30分钟。这样在低压高温的环境下去除石墨部件内残留的杂质。然后进入涂层修复阶段，
S400.涂层修复阶段包括：
S401.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度调整至1639℃，将反应腔内压力调整至50mbar；
S402.利用喷淋组件向反应腔内通入流量60sccm的乙烯和流量100sccm的三氯氢硅；
S403.在5分钟内将反应腔内压力从50mbar缓慢升高至300mbar；
S404.停止通入反应气体，并在5分钟内将反应腔内压力从300mbar缓慢降至50mbar；
重复步骤S402- S404，直至完成6个循环后，在5分钟内将反应腔的压力从50mbar缓慢升高至300mbar；
S405.利用喷淋组件将乙烯的流量逐步提高到150sccm、三氯氢硅的流量逐步提高到280sccm，并维持60分钟；
S406.生长完成后，停止通入反应气体和HCL气体，并维持10分钟，然后对石墨部件进行退火处理；
S407.将反应腔内温度缓慢降至900℃，降温速率: 0.5℃/s；
S408.将反应腔内气体总流量降至18slm；
S409.将通入反应腔内的氢气全部切换成氩气。经修复后的石墨部件生长的外延满足高质量MOSFET功率器件的掺杂均匀性指标要求（经测试掺杂均匀性1.8%）。
上述实施例只为说明本申请的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人是能够了解本申请的内容并据以实施，并不能以此限制本申请的保护范围。凡如本申请精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，所述修复方法用于修复石墨部件表面的碳化硅涂层，其特征在于，
所述修复方法包括杂质去除阶段及碳化硅涂层修复阶段，
所述杂质去除阶段包括，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入氢气，同时基于气体供给部分别向侧壁加热器侧和底部加热器侧通入保护气体，
利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度升高至第一预设温度，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体，以去除石墨部件内的杂质；
所述碳化硅涂层修复阶段包括：
利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔的温度调整至第二预设温度，所述第二预设温度小于等于所述第一预设温度，
基于喷淋组件向沉积模块的反应腔内通入反应气体，在石墨部件的表面或碳化硅涂层上层叠碳化硅薄膜，以修复石墨部件表面的碳化硅涂层。
2.如权利要求1所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
所述杂质去除阶段，反应腔的压力不小于20mbar。
3.如权利要求1所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
所述第一预设温度介于1650-1700℃。
4.如权利要求1所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
所述第二预设温度介于1620-1650℃。
5.如权利要求1所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
所述杂质去除阶段包括：
S11.基于喷淋组件将流量介于100-150slm的氢气通入反应腔内，以及将流量介于5-10slm的氩气分别通向底部加热器侧及侧壁加热器侧；
S12.将反应腔的压力调整至第一预设压力；
S13.利用底部加热器与侧壁加热器的组合，将反应腔内的温度升高至第一预设温度；
S14.利用喷淋组件向反应腔内通入流量介于200-1000sccm的HCL气体，并维持第一预设温度至第一预设时间。
6.如权利要求5所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
步骤S13中，温度升高的速率介于1-3℃/s。
7.如权利要求1所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
所述碳化硅涂层修复阶段包括：
S21.利用底部加热器与侧壁加热器的组合将反应腔的温度调整至第二预设温度，将反应腔的压力调整至第二预设压力；
S22.利用喷淋组件向反应腔内通入C/Si比介于0.6-0.9的反应气体；
S23.在预设的升压时间内将反应腔的压力从第二预设压力升至第三预设压力；
S24.利用喷淋组件将向反应腔内通入反应气体，且通入的反应气体的流量逐步提高到步骤S22中起始流量的2.5-4倍，并维持第二预设时间，以在石墨部件的表面或碳化硅涂层上层叠一定厚度的碳化硅薄膜；
S25.停止向反应腔内通入反应气体和HCL气体，并维持第三预设时间，对石墨部件进行退火处理。
8.如权利要求7所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
步骤S23之后还包括：
S231.停止向反应腔内通入反应气体，在预设的降压时间内将反应腔的压力从第三预设压力降至第二预设压力，
然后依次重复步骤S22、S23及S231预设的次数。
9.如权利要求7所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
步骤S25之后还包括：
S26.以0.3-1℃/s的降温速率将反应腔的温度降至第三预设温度；
S27.利用喷淋组件调整通入反应腔的反应气体的流量，使得通入反应腔的气体的总流量降至20slm以下；
S28.利用喷淋组件将通入反应腔的氢气切换成保护气体。
10.如权利要求7所述的碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法，其特征在于，
步骤S26中包括以0.5℃/s的降温速率将反应腔内的温度降至900℃。
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