CN114878734A - 基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶‑凝胶法制备介孔二氧化硅粉末，然后采用逐层沉积工艺将介孔二氧化硅固定相逐层沉积在微沟道内，该方法避免了采用溶胶‑凝胶法直接在微色谱柱的微沟道内表面制备介孔二氧化硅固定相时所需的高温，使得盖板上也涂有介孔二氧化硅固定相，能有效改善介孔二氧化硅固定相的涂敷均匀性，且通过控制逐层沉积的次数可以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相，从而可提高微色谱柱的分离性能。
Description
技术领域
本发明属于微机电系统领域，涉及一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法。
背景技术
气相色谱柱在气相色谱仪中起分离作用，气相色谱柱的微型化对气相色谱仪的微型化至关重要。在研制微色谱柱所面临的诸多挑战中，实现可重复的、高分离度的混合物组分分离是其中关键的挑战之一。前期研究表明，微沟道内含有椭圆微柱阵列的半填充柱表现出较高的样品容量和分离效率，这是由于微柱的存在导致微色谱柱的总表面积增加和深宽比提高。另一方面，固定相的选择、固定相的厚度和沉积方法的选择对提高微色谱柱的分离性能也起着非常重要的作用。选择比表面积大的介孔材料作为固定相能提高微色谱柱的分离性能。
介孔二氧化硅具有比表面积大、结构柔韧性好、孔径大小分布均匀、物理化学性能稳定等特点，介孔二氧化硅用作微色谱柱的固定相来分离烷烃混合物有着出色的表现。研究者们基于微电子技术和溶胶凝胶法直接在硅微沟道的内表面上制备了不同孔径大小的固定相，然而，该介孔二氧化硅固定相的制备需经历550℃的高温。由于温度较高，一方面介孔二氧化硅固定相只能制备于硅微沟道中，形成介孔二氧化硅固定相后，再将玻璃盖板与硅键合用来密封微沟道，这将会导致微沟道的玻璃盖板表面没有介孔二氧化硅固定相，另一方面，高温会导致形成的介孔二氧化硅固定相薄膜发生龟裂，这些都会影响微色谱柱分离性能的进一步提高。
为解决上述的问题，本发明提出了一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，用于解决现有技术中二氧化硅固定相涂敷不均匀产生色谱峰拖尾和分离能力弱等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，包括以下步骤：
微色谱柱主体结构的制备：
提供硅衬底；
于所述硅衬底的表面形成图形化的掩膜层；
基于图形化的所述掩膜层刻蚀所述硅衬底，以于所述硅衬底中形成微沟道及位于所述微沟道中的微柱阵列；
去除所述掩膜层；
提供盖板，并将所述盖板键合于所述硅衬底的表面以覆盖所述硅衬底，形成腔室；
进行划片，形成微流道入口及微流道出口，并分别于所述微流道入口及所述微流道出口处连接固定毛细管，制备所述微色谱柱主体结构；
于所述微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的制备：
采用溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅粉末；
固定相溶液配置，包括将所述介孔二氧化硅粉末溶入溶剂中，在室温下超声，制备介孔二氧化硅固定相溶液；
固定相涂覆，包括将装有所述介孔二氧化硅固定相溶液的溶剂瓶的入口连接至气源瓶，所述溶剂瓶的出口结合所述毛细管与所述微流道入口相连，将所述介孔二氧化硅固定相溶液推入所述腔室中，移除所述溶剂瓶，并结合所述毛细管将所述微流道入口连接至所述气源瓶上，以去除多余的所述介孔二氧化硅固定相溶液，并将所述介孔二氧化硅固定相溶液中的所述溶剂完全挥发；
重复进行所述固定相涂覆的操作，以逐层沉积形成一定厚度的介孔二氧化硅固定相。
可选地，所述介孔二氧化硅粉末的制备包括以下步骤：
在第一恒温条件下，将无水乙醇、TEOS、去离子水和HCl搅拌均匀；
加入去离子水和HCl，在室温下搅拌后，在第二恒温条件下搅拌均匀；
加入无水乙醇和CTAB粉末，在室温下搅拌溶液至全部溶解，获得无色透明溶液，干燥得到白色固体；
进行煅烧、研磨得到所述介孔二氧化硅粉末。
可选地，所述第一恒温为60℃，所述HCl为36.5wt％的HCl，所述第二恒温为50℃，所述煅烧温度为550℃。
可选地，所述盖板包括玻璃盖板、硅盖板或陶瓷盖板。
可选地，形成的所述微沟道的形貌包括呈蛇形延伸、折线延伸、U型延伸及螺旋延伸中的一种。
可选地，所述微柱阵列中的微柱包括椭圆微柱或圆形微柱。
可选地，于所述硅衬底的表面形成的所述掩膜层包括在所述硅衬底上通过热氧化形成的氧化硅掩膜层以及在所述氧化硅掩膜层上形成的光刻胶掩膜层。
可选地，采用深反应离子刻蚀法刻蚀所述硅衬底形成所述微沟道及位于所述微沟道中的所述微柱阵列。
可选地，所述盖板与所述硅衬底的键合方法包括阳极键合法。
可选地，所述微流道入口及所述微流道出口通过环氧树脂与所述毛细管固定封接。
如上所述，本发明的基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅粉末，然后采用逐层沉积工艺将介孔二氧化硅固定相逐层沉积在微沟道内，该方法避免了采用溶胶-凝胶法直接在微色谱柱的微沟道内表面制备介孔二氧化硅固定相时所需的高温，使得盖板上也涂有介孔二氧化硅固定相，能有效改善介孔二氧化硅固定相的涂敷均匀性，且通过控制逐层沉积的次数可以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相，从而可提高微色谱柱的分离性能。
附图说明
图1显示为本发明实施例中基于掩膜层刻蚀硅衬底后的结构示意图。
图2显示为本发明实施例中将盖板键合于硅衬底的表面后的结构示意图。
图3显示为本发明实施例中逐层沉积形成介孔二氧化硅固定相后的结构示意图。
图4显示为本发明实施例中形成的微色谱柱主体结构局部的扫描电镜图。
图5显示为本发明实施例中形成的介孔二氧化硅的扫描电镜图。
图6显示为本发明实施例中沉积周期为4次时微沟道的横截面结构示意图。
图6a显示为图6中微沟道底部a区域的放大结构示意图。
图6b显示为图6中微柱b区域的放大结构示意图。
图6c显示为图6中微沟道侧壁c区域的放大结构示意图。
图7显示为本发明实施例中沉积周期为8次时微沟道的横截面结构示意图。
图7a显示为图7中微沟道底部a'区域的放大结构示意图。
图7b显示为图7中微柱b'区域的放大结构示意图。
图7c显示为图7中微沟道侧壁c'区域的放大结构示意图。
图8显示为本发明实施例中制备的微色谱柱的测试色谱图。
图8a显示为图8中A区域的放大结构示意图。
元件标号说明
100 硅衬底
101 微沟道
102 微柱阵列
103 微流道入口
200 掩膜层
201 氧化硅掩膜层
202 光刻胶掩膜层
300 盖板
400 介孔二氧化硅固定相
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。其中，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
此处可能使用诸如“介于……之间”，该表达表示包括两端点值，以及可能使用诸如“多个”，该表达表示两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1～图4所示，本实施例提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，其中，包括微色谱柱主体结构的制备以及于所述微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的制备。
其中，参阅图1、图2及图4，所述微色谱柱主体结构的制备可包括以下步骤：
S1-1：提供硅衬底100；
S1-2：于所述硅衬底100的表面形成图形化的掩膜层200；
S1-3：基于图形化的所述掩膜层200刻蚀所述硅衬底100，以于所述硅衬底100中形成微沟道101及位于所述微沟道中的微柱阵列102；
S1-4：去除所述掩膜层200；
S1-5：提供盖板300，并将所述盖板300键合于所述硅衬底100的表面以覆盖所述硅衬底100，形成腔室；
S1-6：进行划片，形成微流道入口103及微流道出口(未图示)，并分别于所述微流道入口103及所述微流道出口处连接固定毛细管，制备所述微色谱柱主体结构。
具体步骤可包括：
首先，于所述硅衬底100的表面形成图形化的所述掩膜层200，其中，可以包括如下步骤：
于所述硅衬底100的表面通过热氧化形成氧化硅掩膜层201；
在所述氧化硅掩膜层201上经涂布、光刻、显影后，形成图形化的光刻胶掩膜层202，以获得光刻胶刻蚀窗口；
基于图形化的所述光刻胶掩膜层202，利用反应离子刻蚀法，刻蚀暴露的所述氧化硅掩膜层201形成稳定图案，如图1所示。
本实施例中，所述掩膜层200包括所述氧化硅掩膜层201及所述光刻胶掩膜层202，但所述掩膜层200的结构并非局限于此，通过在所述掩膜层200中形成的刻蚀窗口可定义出后续要形成的微沟道101、微柱阵列102、微流道入口103及微流道出口的形状及位置。
接着，基于图形化的所述掩膜层200刻蚀所述硅衬底100，以于所述硅衬底100中形成所述微沟道101及微柱阵列102，其中，所述微沟道101具有所述微流道入口103(参阅图4)及微流道出口(未图示)，所述微柱阵列102位于所述微沟道101中。
具体的，本实施例中，基于深反应离子刻蚀(DRIE)技术刻蚀显露的所述硅衬底100，以在所述硅衬底100中形成所述微沟道101和所述微柱阵列102，但刻蚀方法并非局限于此，可根据需要进行适应性的选择。
作为示例，所述微柱阵列102中的微柱可包括椭圆微柱或圆形微柱。
具体的，本实施例优选所述微柱阵列102中的微柱为椭圆微柱，且所述椭圆微柱的长轴方向与所述微沟道101的延伸方向平行，所述椭圆微柱的短轴方向与所述微沟道101的宽度方向平行，通过所述椭圆微柱阵列，可使得微柱后形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以使得后续可在所述腔体内涂覆均匀的固定相。其中，在沿所述微沟道101的宽度方向上奇数排可具有m个微柱，偶数排可具q个微柱，如奇数排可构成n×m的微柱阵列，偶数排可构成p×q的微柱阵列，以制备总的微柱数为n×m+p×q的微柱阵列，其中，m与q的取值优选为不等，以进一步缩小微沟道内形成的“准零流速区”区域，但并非局限于此，m与q的取值也可相等，有关n与p的取值可根据需要进行设置。本实施例中，所述微沟道101内的所述椭圆微柱的长轴和短轴分别为60μm和20μm，所述微柱阵列102奇数排具有4个微柱，偶数排具有3个微柱，并呈周期性排列，且每一排中的相邻微柱间的中心距相同，沟道截面呈矩形，宽250μm，深300μm，从而可进一步的缩小微沟道内形成的“准零流速区”的区域，以提高后续在所述腔体内涂覆的固定相的均匀性，但所述微沟道101及所述微柱阵列102的尺寸及形貌并非局限于此。
作为示例，形成的所述微沟道101可以呈蛇形延伸，当然，在其他示例中，形成的所述微沟道101也可以于所述硅衬底100中呈任意一种延伸方式延伸，譬如，折线延伸、U型延伸、螺旋延伸等等，此处不作过分限制。
接着，去除所述掩膜层200，提供盖板300，并将所述盖板300键合于所述硅衬底100的表面，形成腔室，参阅图2。
作为示例，所述盖板300可以包括玻璃盖板、硅盖板或陶瓷盖板，此处不作过分限制，本实施例中所述盖板300采用玻璃盖板。
具体的，参阅图2，可以采用阳极键合工艺将所述盖板300键合于所述硅衬底100的表面，其中，键合的工艺条件可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，进行划片，形成所述微流道入口103及微流道出口，并分别于所述微流道入口103及所述微流道出口处连接固定毛细管，从而制备所述微色谱柱主体结构。其中，所述微流道入口103及所述微流道出口优选通过环氧树脂与所述毛细管固定封接，以实现密封连接，但连接方式并非局限于此。
参阅图3，于所述微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的制备可包括以下步骤：
S2-1：采用溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅粉末；
S2-2：固定相溶液配置，包括将所述介孔二氧化硅粉末溶入溶剂中，在室温下超声，制备介孔二氧化硅固定相溶液；
S2-3：固定相涂覆，包括将装有所述介孔二氧化硅固定相溶液的溶剂瓶的入口连接至气源瓶，所述溶剂瓶的出口结合所述毛细管与所述微流道入口相连，将所述介孔二氧化硅固定相溶液推入所述腔室中，移除所述溶剂瓶，并结合所述毛细管将所述微流道入口连接至所述气源瓶上，以去除多余的所述介孔二氧化硅固定相溶液，并将所述介孔二氧化硅固定相溶液中的所述溶剂完全挥发；
S2-4：重复进行所述固定相涂覆的操作，以逐层沉积形成一定厚度的介孔二氧化硅固定相400。
作为示例，所述介孔二氧化硅粉末的制备可包括以下步骤：
在第一恒温条件下，将无水乙醇、TEOS、去离子水和HCl搅拌均匀；
加入去离子水和HCl，在室温下搅拌后，在第二恒温条件下搅拌均匀；
加入无水乙醇和CTAB粉末，在室温下搅拌溶液至全部溶解，获得无色透明溶液，干燥得到白色固体；
进行煅烧、研磨得到所述介孔二氧化硅粉末。
其中，所述第一恒温可为60℃，所述HCl可为36.5wt％的HCl，所述第二恒温可为50℃，所述煅烧温度可为550℃。
以下通过具体的实施例，对所述基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法做进一步的介绍，具体制备方法可包括：
在硅片上氧化出一层2μm厚的氧化层后，在氧化层上旋涂一层1.4μm的光刻胶，光刻显影后，利用反应离子刻蚀暴露的氧化层形成稳定图案；
采用DRIE工艺刻蚀硅形成微沟道及微流控端口，其中，所述微沟道内含有规则排列的流线型椭圆微柱阵列(如图4)，去掉光刻胶和氧化层；
将玻璃盖板置于键合机的阴极，硅片置于键合机的阳极进行硅玻璃阳极键合；
键合完成后划片获得色谱柱芯片，并在制备的含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱芯片的2个微流控端口安装固定毛细管；
在恒温60℃条件下，将50mL无水乙醇，50mL正硅酸四乙酯(TEOS)，4.14mL去离子水和1μL 36.5wt％HCl加入250mL圆底烧瓶中搅拌均匀。其次，将16.6mL的去离子水和76μL36.5wt％HCl加入到上述溶液中，在室温下搅拌15min后，将溶液在50℃下搅拌15min。然后，在上述溶液中加入250mL无水乙醇和8.4g十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)粉末，在室温下搅拌溶液至CTAB全部溶解，再在室温下搅拌1h获得无色透明溶液，随后将所得溶液置于干燥塔中干燥7天得到白色固体。最后，将所得白色固体置于煅烧炉中进行煅烧，在550℃下煅烧6h，将所得固定研磨2h得到2nm介孔二氧化硅粉末，介孔二氧化硅粉末的扫描电镜图如图5所示；
称取0.12g介孔二氧化硅粉末溶入10mL的无水乙醇溶液中，在室温下超声30min；
将装有固定相溶液的压力瓶的入口连接到高压氮气瓶，压力瓶的出口通过转接头与微色谱柱的毛细管入口相连。然后在0.1MPa和常温下将固定相溶液推入微色谱柱的微沟道中保持20min。然后，移除压力瓶，并将微色谱柱的毛细管入口直接连接到高压氮气瓶上保持3小时去除多余的溶液并等待溶剂完全挥发；多次重复进行该操作以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相。
本实施例中，逐层沉积周期采用4次及8次，但逐层沉积周期的次数并非局限于此。本实施例中，获得的微沟道内介孔二氧化硅固定相的扫描电镜图分别如图6、图6a、图6b、图6c和图7、图7a、图7b、图7c所示，8次沉积周期后的微沟道内介孔二氧化硅固定相明显多于沉积周期为4次的。4次沉积周期后的硅微沟道的底部、椭圆微柱上以及硅微沟道侧壁上沉积的介孔二氧化硅呈颗粒状，尚未完全联接成膜，特别是椭圆微柱表面由深刻蚀导致的周期性轮廓依然清晰可见；而可以看出在8次沉积周期后的硅微沟道的底部、椭圆微柱上和硅微沟道侧壁上均沉积有一层介孔二氧化硅固定相膜，硅微沟道底部上沉积了1.2μm以及侧壁上沉积了476nm的介孔二氧化硅固定相膜，椭圆微柱表面被介孔二氧化硅固定相膜完全包覆，已完全看不到深刻蚀导致的周期性轮廓。
将制备的所述微色谱柱对轻烃混合物C1-C4进行测试，测试色谱图如图8所示，其中，图8a为图8中A区域的放大图，图8中三条曲线①、曲线②、曲线③分别表示沉积周期为1次、4次和8次的色谱分离图。
综上所述，本发明的基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅粉末，然后采用逐层沉积工艺将介孔二氧化硅固定相逐层沉积在微沟道内，该方法避免了采用溶胶-凝胶法直接在微色谱柱的微沟道内表面制备介孔二氧化硅固定相时所需的高温，使得盖板上也涂有介孔二氧化硅固定相，能有效改善介孔二氧化硅固定相的涂敷均匀性，且通过控制逐层沉积的次数可以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相，从而可提高微色谱柱的分离性能。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
微色谱柱主体结构的制备：
提供硅衬底；
于所述硅衬底的表面形成图形化的掩膜层；
基于图形化的所述掩膜层刻蚀所述硅衬底，以于所述硅衬底中形成微沟道及位于所述微沟道中的微柱阵列；
去除所述掩膜层；
提供盖板，并将所述盖板键合于所述硅衬底的表面以覆盖所述硅衬底，形成腔室；
进行划片，形成微流道入口及微流道出口，并分别于所述微流道入口及所述微流道出口处连接固定毛细管，制备所述微色谱柱主体结构；
于所述微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的制备：
采用溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅粉末；
固定相溶液配置，包括将所述介孔二氧化硅粉末溶入溶剂中，在室温下超声，制备介孔二氧化硅固定相溶液；
固定相涂覆，包括将装有所述介孔二氧化硅固定相溶液的溶剂瓶的入口连接至气源瓶，所述溶剂瓶的出口结合所述毛细管与所述微流道入口相连，将所述介孔二氧化硅固定相溶液推入所述腔室中，移除所述溶剂瓶，并结合所述毛细管将所述微流道入口连接至所述气源瓶上，以去除多余的所述介孔二氧化硅固定相溶液，并将所述介孔二氧化硅固定相溶液中的所述溶剂完全挥发；
重复进行所述固定相涂覆的操作，以逐层沉积形成一定厚度的介孔二氧化硅固定相。
2.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于，所述介孔二氧化硅粉末的制备包括以下步骤：
在第一恒温条件下，将无水乙醇、TEOS、去离子水和HCl搅拌均匀；
加入去离子水和HCl，在室温下搅拌后，在第二恒温条件下搅拌均匀；
加入无水乙醇和CTAB粉末，在室温下搅拌溶液至全部溶解，获得无色透明溶液，干燥得到白色固体；
进行煅烧、研磨得到所述介孔二氧化硅粉末。
3.根据权利要求2所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：所述第一恒温为60℃，所述HCl为36.5wt％的HCl，所述第二恒温为50℃，所述煅烧温度为550℃。
4.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：所述盖板包括玻璃盖板、硅盖板或陶瓷盖板。
5.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：形成的所述微沟道的形貌包括呈蛇形延伸、折线延伸、U型延伸及螺旋延伸中的一种。
6.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：所述微柱阵列中的微柱包括椭圆微柱或圆形微柱。
7.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：于所述硅衬底的表面形成的所述掩膜层包括在所述硅衬底上通过热氧化形成的氧化硅掩膜层以及在所述氧化硅掩膜层上形成的光刻胶掩膜层。
8.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：采用深反应离子刻蚀法刻蚀所述硅衬底形成所述微沟道及位于所述微沟道中的所述微柱阵列。
9.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：所述盖板与所述硅衬底的键合方法包括阳极键合法。
10.根据权利要求1所述的微色谱柱制备方法，其特征在于：所述微流道入口及所述微流道出口通过环氧树脂与所述毛细管固定封接。
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