CN114864773A - 发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种发光二极管显示装置及其制造方法。发光二极管显示装置包括电路基板、介电层、发光二极管以及反射层。电路基板具有第一接垫。介电层位于电路基板之上。介电层具有重叠于第一接垫的第一通孔。介电层的第一面具有多个微结构。微结构包括多个凸起微结构或多个凹陷微结构。发光二极管重叠于第一通孔，且电性连接第一接垫。反射层位于介电层的第一面之上，且重叠于微结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管显示装置，尤其涉及一种介电层具有微结构的发光二极管显示装置。
背景技术
发光二极管是一种电致发光的半导体元件，具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点，因此，发光二极管显示装置被视为一种极具竞争力的显示装置。一般而言，发光二极管显示装置中除了发光二极管以外，还会包括许多不同折射率的材料。当发光二极管所发出的光线从高折射率的介质往低折射率的介质传递，且光线的入射角大于临界角(critical angle)时，光线会出现全反射的问题，并导致发光二极管显示装置的亮度不足，因此，目前亟需一种可以解决前述问题的方法。
发明内容
本发明的其中一个目的在于提供一种发光二极管显示装置，能改善因为全反射的而导致亮度下降的问题。
本发明的另一个目的在于提供一种发光二极管显示装置的制造方法，能改善发光二极管显示装置因为全内反射的而导致亮度下降的问题。
本发明的至少一实施例提供一种发光二极管显示装置。发光二极管显示装置包括电路基板、介电层、发光二极管以及反射层。电路基板具有第一接垫。介电层位于电路基板之上。介电层具有重叠于第一接垫的第一通孔。介电层的第一面具有多个微结构。微结构包括多个凸起微结构或多个凹陷微结构。发光二极管重叠于第一通孔，且电性连接第一接垫。反射层位于介电层的第一面之上，且重叠于微结构。
本发明的至少一实施例提供一种发光二极管显示装置的制造方法，包括形成介电层于电路基板之上，其中电路基板具有第一接垫，且介电层具有重叠于第一接垫的第一通孔，其中介电层的第一面具有多个微结构，且微结构包括多个凸起微结构或多个凹陷微结构；将发光二极管电性连接至第一接垫，其中发光二极管重叠于第一通孔；以及形成反射层于介电层的第一面之上，且反射层重叠于微结构。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图。
图2A至图2F是图1的发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图。
图4A至图4E是图3的发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的俯视示意图。
附图标记如下：
10,20:发光二极管显示装置
100:基板
112:第一接垫
114:第二接垫
116:第三接垫
120:第一绝缘层
122,124,126,128:通孔
132:延伸结构
134:第一信号线
136:第二信号线
138:第三信号线
140:第二绝缘层
200,600:介电层
200a,600a:有机材料层
202:微结构/凸起微结构
210,610:第一通孔
220,620:第二通孔
300:第一缓冲层
312:反射层
314:电极
316:接合垫
320:第二缓冲层
402:第一连接结构
404:第二连接结构
410:发光二极管
500:固晶胶
602:微结构/凹陷微结构
CB:电路基板
DA:显示区
H1,H2,H3:厚度
L:光线
MS:掩模图案
P1:间距
PA:周边区
PR1:第一光刻胶层
PR2:第二光刻胶层
S1:第一面
W1,W2:宽度
θ1,θ2:入射角
具体实施方式
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图。
请参考图1，发光二极管显示装置10包括电路基板CB、介电层200、发光二极管410以及反射层312。在本实施例中，发光二极管显示装置10还包括第一缓冲层300、电极314、接合垫316、第二缓冲层320、第一连接结构402、第二连接结构404以及固晶胶500。
电路基板CB包括基板100、第一接垫112、第二接垫114、第三接垫116、第一绝缘层120、延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第二绝缘层140。电路基板CB具有显示区DA以及周边区PA。周边区PA位于显示区DA的至少一侧。
基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶片、陶瓷或其他可适用的材料)或其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板100上覆盖一层绝缘层(未示出)，以避免短路问题。
第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116位于基板100上。在本实施例中，第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116属于相同的导电膜层，例如第一金属层。换句话说，第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116是通过同一道图案化工艺所定义。在其他实施例中，第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116可以分别属于不同的导电膜层。在本实施例中，第一接垫112以及第二接垫114位于电路基板CB的显示区DA之中，而第三接垫116则位于电路基板CB的周边区PA之中。
第一绝缘层120位于电路基板CB的显示区DA以及周边区PA之中。第一绝缘层120具有分别重叠于第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116的多个通孔。
延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136位于第一绝缘层120之上。延伸结构132电性连接至第一接垫112。第一信号线134电性连接至第二接垫114。第二信号线136电性连接至第三接垫116。在本实施例中，延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136属于相同的导电膜层，例如第二金属层。换句话说，延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136是通过同一道图案化工艺所定义。在其他实施例中，延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136可以分别属于不同的导电膜层。在本实施例中，延伸结构132以及第一信号线134位于电路基板CB的显示区DA之中，而第二信号线136则位于电路基板CB的周边区PA之中。在一些实施例中，第二信号线136自周边区PA延伸至显示区DA中，并电性连接至第一信号线134及/或延伸结构132。举例来说，第二信号线136电性连接至显示区DA中的一个或多个有源元件(未绘出)，且前述一个或多个有源元件电性连接第二信号线136至第一信号线134及/或延伸结构132。
在本实施例中，延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136位于第一绝缘层120上方，而第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116位于第一绝缘层120与基板100之间，但本发明不以此为限。第一金属层与第二金属层的位置可以互相对换。换句话说，在其他实施例中，延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136位于第一绝缘层120与基板100之间，而第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116位于第一绝缘层120上方。
第二绝缘层140位于延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136之上。第二绝缘层140具有分别重叠于延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136的多个通孔。在本实施例中，第二绝缘层140的通孔还分别重叠于第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116。
介电层200位于电路基板CB之上。在一些实施例中，介电层200位于电路基板CB的显示区DA之上，且不延伸至电路基板CB的周边区PA。介电层200具有重叠于第一接垫112的第一通孔210。在本实施例中，第一通孔210同时重叠于第一接垫112与第二接垫114。介电层200具有重叠于延伸结构132的第二通孔220。在一些实施例中，第二通孔220的宽度W2为8微米至10微米。在一些实施例中，宽度W1与宽度W2分别指的是为第一通孔210与第二通孔220的最大宽度，且宽度W1大于宽度W2。
介电层200的第一面S1具有多个微结构202。在本实施例中，微结构202包括多个凸起微结构。在本实施例中，微结构202为介电层200本身的表面结构。因此，制造介电层200所需的工艺可以被简化。在一些实施例中，介电层200为有机材料层，且适用于超高开口率(Ultra high aperture，UHA)显示面板技术。
在本实施例中，部分介电层200重叠于导电层(例如延伸结构132以及第一信号线134)，而另一部分介电层200未重叠于导电层。在一些实施例中，重叠于导电层的部分介电层200的顶面高于未重叠于导电层的另一部分介电层200的顶面，但本发明不以此为限。在其他实施例中，重叠于导电层的部分介电层200的顶面与未重叠于导电层的另一部分介电层200的顶面位于相同的水平高度。
发光二极管410重叠于介电层200的第一通孔210，且电性连接第一接垫112与第二接垫114。在本实施例中，发光二极管410可以包括任意形式的发光二极管。在本实施例中，发光二极管410的两个电极(未绘出)分别电性连接至第一通孔210中的第一连接结构402与第二连接结构404，且通过第一连接结构402与第二连接结构404而分别电性连接第一接垫112与第二接垫114。第一连接结构402与第二连接结构404可以为单层或多层结构。在一些实施例中，第一连接结构402与第二连接结构404为焊料。在一些实施例中，第一连接结构402与第二连接结构404的厚度H1大于介电层200的厚度H2。
第一缓冲层300位于介电层200的第一面S1之上。在本实施例中，第一缓冲层300直接形成于介电层200上，且第一缓冲层300覆盖微结构202。在本实施例中，第一缓冲层300共形于微结构202，因此在介电层200的第一面S1之上的第一缓冲层300具有对应于微结构202的形状。在本实施例中，第一缓冲层300还衬于第一通孔210的侧壁与第二通孔220的侧壁。
在本实施例中，反射层312与电极314皆设置于显示区DA之上，且反射层312与电极314皆具有对应微结构202的形状。在一些实施例中，反射层312为浮置电极，但本发明不以此为限。
反射层312位于介电层200的第一面S1之上，且重叠于微结构202。在本实施例中，反射层312直接形成于第一缓冲层300上，且共形于第一缓冲层300的表面，因此，反射层312具有对应于微结构202的形状。
电极314位于介电层200的第一面S1之上，且重叠于微结构202。在本实施例中，电极314直接形成于第一缓冲层300上，且共形于第一缓冲层300的表面，因此，电极314具有对应于微结构202的形状。电极314分离于反射层312。
电极314自微结构202之上延伸进第二通孔220中。电极314电性连接至电路基板CB的延伸结构140。在一些实施例中，电极314可作为发光二极管410的测试用电极。举例来说，通过探针接触电极314，由此测试发光二极管410是否可以正常运作。在本实施例中，通过电极314的设置，前述探针只需要接触位于介电层200的第一面S1之上的电极314即可电性连接至发光二极管410，而不用将探针伸入第二通孔220中，因此第二通孔220的宽度W2可以被设置的较小。
第二缓冲层320直接形成于反射层312上。反射层312位于第一缓冲层300与第二缓冲层320之间。在本实施例中，第二缓冲层320具有重叠于电极314的通孔，因此探针可以通过前述通孔而接触电极314。在一些实施例中，第二缓冲层320填入反射层312与电极314之间的间隙，由此减少反射层312与电极314短路的机会，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二缓冲层320未填入反射层312与电极314之间的间隙。
固晶胶500覆盖发光二极管410。在一些实施例中，固晶胶500流入第一通孔210中，并包覆发光二极管410下方的第一连接结构402与第二连接结构404。在一些实施例中，固晶胶500覆盖电极314，并选择性的填入第二通孔220中。在一些实施例中，固晶胶500为透明封装材料，例如环氧树脂或其他合适的材料。固晶胶500的折射率大于1。在一些实施例中，固晶胶500的折射率为1.2至1.7，例如1.5。
在本实施例中，当发光二极管410所发出的光线L在抵达固晶胶500与空气之间的界面时的入射角θ1大于临界角，光线L将会出现全反射。光线L被固晶胶500与空气之间的界面反射后，会被微结构202上方的反射层312或电极314所反射，并再次抵达固晶胶500与空气之间的界面。当光线L再次抵达固晶胶500与空气之间的界面时的入射角θ2小于临界角，光线L将可以离开固晶胶500。基于前述，通过反射层312及/或电极314的设置，可以改善因为全反射的而导致亮度下降的问题。
在一些实施例中，在显示区DA之上还包含黑矩阵(未绘出)。黑矩阵适用于避免不同的像素或子像素互相干扰。
接合垫316位于周边区PA之上。接合垫316电性连接至第三接垫116与第二信号线136。在一些实施例中，接合垫316、电极314与反射层312属于相同膜层。换句话说，接合垫316、电极314与反射层312是通过同一道图案化工艺所定义。在本实施例中，接合垫316、电极314与反射层312包括相同的材料。举例来说，接合垫316、电极314与反射层312包括铝、银、或上述金属或其他反射材料。
图2A至图2F是图1的发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图2A，提供电路基板CB。电路基板CB包括基板100、第一接垫112、第二接垫114、第三接垫116、第一绝缘层120、延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第二绝缘层140，其中第一绝缘层120与第二绝缘层140具有重叠于第一接垫112的通孔122、重叠于第二接垫114的通孔124以及重叠于第三接垫116的通孔126。第二绝缘层140具有重叠于延伸结构132的通孔128。
请参考图2B至图2E，形成介电层200于电路基板CB之上。
首先请参考图2B，涂布第一光刻胶层PR1于电路基板CB之上。第一光刻胶层PR1位于显示区DA之上，且选择性地位于周边区PA之上。第一光刻胶层PR1选择性地填入第二绝缘层140的通孔122、通孔124、通孔126以及通孔128中。
请参考图2C，对第一光刻胶层PR1执行第一光刻工艺，以形成有机材料层200a。有机材料层200a位于显示区DA之上，且不延伸至周边区PA。有机材料层200a具有第一通孔210与第二通孔220。第一通孔210重叠于第一接垫112与第二接垫114。第二通孔220重叠于延伸结构132。
请参考图2D，涂布第二光刻胶层PR2于有机材料层200a之上。在一些实施例中，第一光刻胶层PR1与第二光刻胶层PR2包括相同的光刻胶材料。举例来说，第一光刻胶层PR1与第二光刻胶层PR2皆为正光刻胶材料或第一光刻胶层PR1与第二光刻胶层PR2皆为负光刻胶材料。
请参考图2E，对第二光刻胶层PR2执行第二光刻工艺，以形成凸起微结构202。介电层200包括有机材料层以及位于有机材料层表面的凸起微结构202。在一些实施例中，由于有机材料层与凸起微结构202包括相同材料，因此有机材料层与凸起微结构202之间的界线较不明显。
接着请参考图2F，形成第一缓冲层300于介电层200上。在一些实施例中，第一缓冲层300选择性地填入第一通孔210与第二通孔220中，并接触第二绝缘层140。
形成反射层312、电极314以及接合垫316。反射层312以及电极314形成于介电层200的第一面S1之上，而接合垫316形成于周边区PA之上。在本实施例中，反射层312以及电极314直接形成于第一缓冲层300上，而接合垫316直接形成于第二绝缘层140上。反射层312以及电极314重叠于微结构202。
最后，请参考图1，将发光二极管410电性连接至第一接垫112与第二接垫114。在一些实施例中，用探针接触电极314以检测发光二极管410是否可以正常运作。在检测完发光二极管410之后，于发光二极管410上形成固晶胶500。
图3是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的发光二极管显示装置20与图1的发光二极管显示装置10的主要差异在于：发光二极管显示装置20的平坦层200的表面S1的微结构602为凹陷微结构。
请参考图3，发光二极管显示装置20包括电路基板CB、介电层200、发光二极管410以及反射层312。在本实施例中，发光二极管显示装置20还包括电极314、接合垫316、第二缓冲层320、第一连接结构402、第二连接结构404以及固晶胶500。
电路基板CB包括基板100、第一接垫112、第二接垫114、第三接垫116、第一绝缘层120、延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136、第三信号线138以及第二绝缘层140。电路基板CB具有显示区DA以及周边区PA。周边区PA位于显示区DA的至少一侧。
第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116位于基板100上。在本实施例中，第一接垫112以及第二接垫114位于电路基板CB的显示区DA之中，而第三接垫116则位于电路基板CB的周边区PA之中。
第一绝缘层120位于电路基板CB的显示区DA以及周边区PA之中。第一绝缘层120具有分别重叠于第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116的多个通孔。在本实施例中，第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116属于相同的导电膜层，例如第一金属层。
延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第三信号线138位于第一绝缘层120之上。延伸结构132电性连接至第一接垫112。第一信号线134电性连接至第二接垫114。第二信号线136电性连接至第三接垫116。在本实施例中，延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第三信号线138属于相同的导电膜层，例如第二金属层。在本实施例中，延伸结构132、第一信号线134以及第三信号线138位于电路基板CB的显示区DA之中，而第二信号线136则位于电路基板CB的周边区PA之中。在一些实施例中，第二信号线136自周边区PA延伸至显示区DA中，并电性连接至第一信号线134、第三信号线138及/或延伸结构132。第三信号线138可以为发光二极管显示装置20的任何一种导线，例如电源线、时钟脉冲信号线、接地线或其他导线。
在本实施例中，延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第三信号线138位于第一绝缘层120上方，而第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116位于第一绝缘层120与基板100之间，但本发明不以此为限。第一金属层与第二金属层的位置可以互相对换。
第二绝缘层140位于延伸结构132、第一信号线134、第二信号线136以及第三信号线138之上。第二绝缘层140具有分别重叠于延伸结构132、第一信号线134以及第二信号线136的多个通孔。在本实施例中，第二绝缘层140的通孔还分别重叠于第一接垫112、第二接垫114以及第三接垫116。
介电层600位于电路基板CB之上。在一些实施例中，介电层600位于电路基板CB的显示区DA之上，且不延伸至电路基板CB的周边区PA。在本实施例中，第一通孔610同时重叠于第一接垫112与第二接垫114。介电层620具有重叠于延伸结构132的第二通孔620。在一些实施例中，第二通孔620的宽度W2为8微米至10微米。在一些实施例中，第一通孔610的宽度W1大于第二通孔620的宽度W2。
介电层600的第一面S1具有多个微结构602。在本实施例中，微结构602包括多个凹陷微结构。在本实施例中，微结构602为介电层600本身的表面结构。因此，制造介电层600所需的工艺可以被简化。在一些实施例中，介电层600为有机材料层，且适用于超高开口率(Ultra high aperture，UHA)显示面板技术。
发光二极管410重叠于介电层600的第一通孔610，且电性连接第一接垫112与第二接垫114。在本实施例中，发光二极管410可以包括任意形式的发光二极管。在本实施例中，发光二极管410的两个电极(未绘出)分别电性连接至第一通孔610中的第一连接结构402与第二连接结构404，且通过第一连接结构402与第二连接结构404而分别电性连接第一接垫112与第二接垫114。第一连接结构402与第二连接结构404可以为单层或多层结构。在一些实施例中，第一连接结构402与第二连接结构404为焊料。在一些实施例中，第一连接结构402与第二连接结构404的厚度H1大于介电层600的厚度H2。
在本实施例中，反射层312与电极314皆设置于显示区DA之上，且反射层312与电极314皆具有对应微结构202的形状。在一些实施例中，反射层312为浮置电极，但本发明不以此为限。
反射层312位于介电层200的第一面S1之上，且重叠于微结构202。在本实施例中，反射层312直接形成于介电层600上，且共形于介电层600的表面，因此，反射层312具有对应于微结构202的形状。
电极314位于介电层600的第一面S1之上，且重叠于微结构202。在本实施例中，电极314直接形成于介电层600上，且共形于介电层600的表面，因此，电极314具有对应于微结构602的形状。电极314分离于反射层312。
电极314自微结构602之上延伸进第二通孔220中。电极314电性连接至电路基板CB的延伸结构140。在一些实施例中，电极314可作为发光二极管410的测试用电极。举例来说，通过探针接触电极314，由此测试发光二极管410是否可以正常运作。在本实施例中，通过电极314的设置，前述探针只需要接触位于介电层600的第一面S1之上的电极314即可电性连接至发光二极管410，而不用将探针伸入第二通孔620中，因此第二通孔620的宽度W2可以被设置的较小。
第二缓冲层320直接形成于反射层312上。反射层312位于介电层600与第二缓冲层320之间。在本实施例中，第二缓冲层320具有重叠于电极314的通孔，因此探针可以通过前述通孔而接处电极314。在一些实施例中，第二缓冲层320未填入反射层312与电极314之间的间隙。
固晶胶500覆盖发光二极管410。在一些实施例中，固晶胶500流入第一通孔610中，并包覆发光二极管410下方的第一连接结构402与第二连接结构404。在一些实施例中，固晶胶500覆盖电极314，并选择性的填入第二通孔620中。
在本实施例中，当发光二极管410所发出的光线L在抵达固晶胶500与空气之间的界面时的入射角θ1大于临界角，光线L将会出现全反射。光线L被固晶胶500与空气之间的界面反射后，会被微结构602上方的反射层312或电极314所反射，并再次抵达固晶胶500与空气之间的界面。当光线L再次抵达固晶胶500与空气之间的界面时的入射角θ2小于临界角，光线L将可以离开固晶胶500。基于前述，通过反射层312及/或电极314的设置，可以改善因为全反射的而导致亮度下降的问题。
接合垫316位于周边区PA之上。接合垫316电性连接至第三接垫116与第二信号线136。在一些实施例中，接合垫316、电极314与反射层312属于相同膜层。
图4A至图4E是图3的发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
请参考图4A至图4D，形成介电层600于电路基板CB之上。
首先请参考图4A，涂布第一光刻胶层PR1于电路基板CB之上。第一光刻胶层PR1位于显示区DA之上，且选择性地位于周边区PA之上。第一光刻胶层PR1选择性地填入第二绝缘层140的通孔122、通孔124、通孔126以及通孔128中。
请参考图4B，对第一光刻胶层PR1执行第一光刻工艺，以形成有机材料层600a。有机材料层600a位于显示区DA之上，且不延伸至周边区PA。有机材料层600a具有第一通孔610与第二通孔620。第一通孔610重叠于第一接垫112与第二接垫114。第二通孔620重叠于延伸结构132。
涂布第二光刻胶层PR2于有机材料层600a之上。在一些实施例中，第一光刻胶层PR1与第二光刻胶层PR2包括不同的光刻胶材料。举例来说，第一光刻胶层PR1与第二光刻胶层PR2中的一者为正光刻胶材料，且另一者为负光刻胶材料。
请参考图4C，对第二光刻胶层PR2执行第二光刻工艺，以形成掩模图案MS。在一些实施例中，掩模图案MS的间距P1为4微米以上，且掩模图案MS的厚度H3为2.1微米至2.4微米。
请参考图4D，以掩模图案MS为掩模蚀刻有机材料层600a，以形成具有凹陷微结构602的介电层600。在一些实施例中，蚀刻有机材料层600a的方式例如包括干式蚀刻。
当介电层包括凸起微结构时，凸起微结构的顶面容易在热处理工艺后变得平滑。若凸起微结构不够凸出，可能会降低凸起微结构上的反射层或电极改变光线方向的能力。在本实施例中，介电层600的凹陷微结构602不会出现前述凸起微结构所遇到的问题，因此可以提升发光二极管显示装置的亮度。
请参考图4E，形成反射层312、电极314以及接合垫316。反射层312以及电极314形成于介电层600的第一面S1之上，而接合垫316形成于周边区PA之上。在本实施例中，反射层312以及电极314直接形成于介电层600上，而接合垫316直接形成于第二绝缘层140上。反射层312以及电极314重叠于微结构602。
最后，请参考图3，将发光二极管410电性连接至第一接垫112与第二接垫114。在一些实施例中，用探针接触电极314以检测发光二极管410是否可以正常运作。在检测完发光二极管410之后，于发光二极管410上形成固晶胶500。
图5是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图5，介电层的第一面具有排成阵列的多个微结构202。在本实施例中，微结构202为凸起微结构，但本发明不以此为限。在其他实施例中，微结构202为凹陷微结构。
发光二极管410重叠于介电层的第一通孔210，并电性连接至第一通孔210下方的第一接垫(图5省略示出)与第二接垫(图5省略示出)。
反射层312与电极314位于介电层的第一面之上，且重叠于微结构202。反射层312与电极314互相分离。电极314通过介电层的第二通孔220而电性连接至延伸结构(图5省略示出)。
在本实施例中，微结构202位于发光二极管410的周围，且环绕发光二极管410。
Claims (12)
1.一种发光二极管显示装置，包括：
一电路基板，具有一第一接垫；
一介电层，位于该电路基板之上，且该介电层具有重叠于该第一接垫的一第一通孔，其中该介电层的一第一面具有多个微结构，且多个所述微结构包括多个凸起微结构或多个凹陷微结构；
一发光二极管，重叠于该第一通孔，且电性连接该第一接垫；以及
一反射层，位于该介电层的该第一面之上，且重叠于多个所述微结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示装置，其中该介电层具有一第二通孔，其中一电极自多个所述微结构之上延伸进该第二通孔中，并电性连接至该电路基板的一延伸结构。
3.如权利要求2所述的发光二极管显示装置，其中该延伸结构电性连接该第一接垫。
4.如权利要求2所述的发光二极管显示装置，其中该电路基板具有一显示区以及一周边区，该介电层位于该显示区之中，且不延伸至该周边区，且该第一接垫与该延伸结构位于该显示区之中。
5.如权利要求4所述的发光二极管显示装置，还包括：
一接合垫，位于该周边区之上，其中该接合垫与该反射层包括相同的材料。
6.如权利要求1所述的发光二极管显示装置，还包括：
一第一缓冲层，直接形成于该介电层上，且该反射层直接形成于该第一缓冲层上；以及
一第二缓冲层，直接形成于该反射层上，且该反射层位于该第一缓冲层与该第二缓冲层之间。
7.如权利要求1所述的发光二极管显示装置，还包括：
一第一连接结构，电性连接该发光二极管至该第一接垫，其中该第一连接结构的厚度大于该介电层的厚度。
8.一种发光二极管显示装置的制造方法，包括：
形成一介电层于一电路基板之上，其中该电路基板具有一第一接垫，且该介电层具有重叠于该第一接垫的一第一通孔，其中该介电层的一第一面具有多个微结构，且多个所述微结构包括多个凸起微结构或多个凹陷微结构；
将一发光二极管电性连接至该第一接垫，其中该发光二极管重叠于该第一通孔；以及
形成一反射层于该介电层的该第一面之上，且该反射层重叠于多个所述微结构。
9.如权利要求8所述的发光二极管显示装置的制造方法，其中形成该介电层于该电路基板之上的方法包括：
涂布一第一光刻胶层于该电路基板之上；
对该第一光刻胶层执行一第一光刻工艺，以形成一有机材料层，其中该有机材料层具有该第一通孔；
涂布一第二光刻胶层于该有机材料层之上；
对该第二光刻胶层执行一第二光刻工艺，以形成多个所述凸起微结构，其中该介电层包括该有机材料层以及多个所述凸起微结构。
10.如权利要求9所述的发光二极管显示装置的制造方法，其中该第一光刻胶层与该第二光刻胶层包括相同的光刻胶材料。
11.如权利要求8所述的发光二极管显示装置的制造方法，其中形成该介电层于该电路基板之上的方法包括：
涂布一第一光刻胶层于该电路基板之上；
对该第一光刻胶层执行一第一光刻工艺，以形成一有机材料层，其中该有机材料层具有该第一通孔；
涂布一第二光刻胶层于该有机材料层之上；
对该第二光刻胶层执行一第二光刻工艺，以形成一掩模图案；以及
以该掩模图案为掩模蚀刻该有机材料层，以形成具有多个所述凹陷微结构的该介电层。
12.如权利要求11所述的发光二极管显示装置的制造方法，其中该第一光刻胶层与该第二光刻胶层包括不同的光刻胶材料。
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