CN114864632A - 显示装置和用于制造显示装置的方法 - Google Patents

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CN114864632A CN202111511664.0A CN202111511664A CN114864632A CN 114864632 A CN114864632 A CN 114864632A CN 202111511664 A CN202111511664 A CN 202111511664A CN 114864632 A CN114864632 A CN 114864632A
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西崎昭吾
文炳禄
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Abstract

本公开涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法。具有增加的可靠性和除气减轻措施的所述显示装置包括：显示元件层，设置在基底上，所述显示元件层包括像素；封装层，覆盖所述显示元件层；以及触摸传感器，设置在所述封装层上。所述触摸传感器包括：第一无机绝缘层，设置在所述封装层上；第一表面增强层，通过对所述第一无机绝缘层执行表面处理形成并且设置在所述第一无机绝缘层上；第一导电层，设置在所述第一表面增强层上；第一有机绝缘层，覆盖所述第一导电层；以及第二导电层，设置在所述第一有机绝缘层上并且在贯穿所述第一有机绝缘层的同时连接到所述第一导电层。

Description

显示装置和用于制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月3日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0015726号韩国专利申请的优先权，上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开一般地涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括触摸传感器的显示装置以及一种制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置用于通过显示图像、视频和用户界面等将信息提供给用户。除了显示功能之外，一些显示装置可以包括用于用户输入的装置。例如，显示装置可以包括触摸传感器。
触摸传感器可以附接到显示面板的显示侧，或者可以与显示面板一体地形成。用户可以通过按压或触摸触摸传感器输入信息。
触摸传感器不仅可以应用于平板显示器，而且可以应用于柔性显示装置、曲面显示装置、可折叠显示装置和可弯曲显示装置以及其它显示装置。最近，已经在研究增加显示装置和触摸传感器的弯曲特性，以便抵抗温度变化、物理应力以及来自显示装置的外部的湿气和颗粒。
发明内容
实施例提供一种具有触摸传感器的显示装置，所述触摸传感器包括形成在无机绝缘层和/或有机绝缘层的经氢等离子体处理的表面上的无机材料渗透层。
实施例还提供一种用于制造所述显示装置的方法。
根据本公开的各方面的一种显示装置可以包括：显示元件层，设置在基底上，所述显示元件层包括像素；封装层，覆盖所述显示元件层；以及触摸传感器，设置在所述封装层上，其中，所述触摸传感器包括：第一无机绝缘层，设置在所述封装层上；第一表面增强层，通过对所述第一无机绝缘层执行表面处理形成并且设置在所述第一无机绝缘层上；第一导电层，设置在所述第一表面增强层上；第一有机绝缘层，覆盖所述第一导电层；以及第二导电层，设置在所述第一有机绝缘层上，所述第二导电层连接到所述第一导电层并且贯穿所述第一有机绝缘层。
所述第一表面增强层可以具有
Figure BDA0003395043930000021
至
Figure BDA0003395043930000022
的厚度。
所述第一表面增强层可以通过对所述第一无机绝缘层的表面执行氢等离子体处理获得。所述第一表面增强层可以具有比所述第一无机绝缘层的膜密度大的膜密度。
所述触摸传感器还可以包括设置在所述第一表面增强层与所述第一导电层之间的第二无机绝缘层。
所述触摸传感器还可以包括：第二表面增强层，设置在所述第二无机绝缘层上，其中，所述第二表面增强层通过对所述第二无机绝缘层的表面执行氢等离子体处理形成；以及第三无机绝缘层，设置在所述第二表面增强层与所述第一导电层之间。
所述触摸传感器还可以包括：第一无机材料渗透层，设置在所述第一有机绝缘层的表面上，所述第一无机材料渗透层包括来自所述第一有机绝缘层的所述表面的有机材料，并且还包括渗透到所述第一有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一无机材料渗透层上以覆盖所述第二导电层。
所述触摸传感器还可以包括设置在所述第二有机绝缘层的表面上的第二无机材料渗透层，所述第二无机材料渗透层包括来自所述第二有机绝缘层的所述表面的有机材料以及渗透到所述第二有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料。所述第一无机材料渗透层和所述第二无机材料渗透层的膜密度可以比所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的膜密度大。
所述无机材料可以包括氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化钽、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
所述触摸传感器还可以包括：第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上以覆盖所述第二导电层；以及无机材料渗透层，设置在所述第二有机绝缘层的表面上，所述无机材料渗透层包括来自所述第二有机绝缘层的所述表面的有机材料以及渗透到所述第二有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料。
所述封装层可以包括：至少一个封装有机层；以及封装无机层，分别被提供在所述至少一个封装有机层的顶表面和底表面上。
根据本公开的各方面的一种制造显示装置的方法可以包括：在覆盖显示元件层的封装层上沉积第一无机绝缘层；通过对所述第一无机绝缘层执行表面处理，形成第一表面增强层；在所述第一表面增强层上形成第一导电层；在所述第一表面增强层上形成第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括暴露所述第一导电层的一部分的接触孔；以及在所述第一有机绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层通过所述接触孔连接到所述第一导电层。
在所述形成所述第一表面增强层中，可以对所述第一无机绝缘层的表面执行预定时间的氢等离子体处理。
所述形成所述第一表面增强层还可以包括在所述第一表面增强层上沉积第二无机绝缘层。
所述形成所述第一表面增强层还可以包括通过对所述第二无机绝缘层的表面执行氢等离子体处理来形成第二表面增强层。
所述形成所述第一有机绝缘层可以包括：在所述第一表面增强层上沉积所述第一有机绝缘层；通过经由原子层沉积工艺将无机材料渗透到所述第一有机绝缘层的表面附近的自由体积中来形成第一无机材料渗透层；以及通过蚀刻所述第一有机绝缘层和所述第一无机材料渗透层来形成所述接触孔。
所述形成所述第一无机材料渗透层可以包括：通过将源气体注入到所述第一有机绝缘层上，将所述源气体渗透到所述第一有机绝缘层中；注入净化气体以去除剩余的所述源气体的一部分；通过将包括氧自由基的反应气体注入到所述第一有机绝缘层上，经由所述源气体和所述反应气体的反应形成包括所述无机材料的所述第一无机材料渗透层；以及注入所述净化气体以去除剩余的所述源气体和所述反应气体。
所述无机材料可以包括氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化钽和氧化硅中的一种或多种。
所述方法还可以包括：在所述第一无机材料渗透层上形成覆盖所述第二导电层的第二有机绝缘层；以及通过经由所述原子层沉积工艺将无机材料渗透到所述第二有机绝缘层的表面附近的自由体积中来形成第二无机材料渗透层。
所述第一无机材料渗透层和所述第二无机材料渗透层的膜密度可以比所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的膜密度大。
根据本公开的各方面的一种显示装置可以包括：显示元件层，被提供在基底上，所述显示元件层包括像素；封装层，覆盖所述显示元件层；触摸传感器，被提供在所述封装层上；以及窗口，被提供在所述触摸传感器上，其中，所述触摸传感器包括：无机绝缘层，被提供在所述封装层上；第一导电层，被提供在所述无机绝缘层上；第一有机绝缘层，覆盖所述第一导电层；无机材料渗透层，被提供在所述第一有机绝缘层的表面上，所述无机材料渗透层包括来自所述第一有机绝缘层的所述表面的有机材料，并且还包括渗透到所述第一有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料；第二导电层，被提供在所述无机材料渗透层上，所述第二导电层在贯穿所述第一有机绝缘层和所述无机材料渗透层的同时连接到所述第一导电层；以及第二有机绝缘层，被提供在所述无机材料渗透层上以覆盖所述第二导电层，其中，所述无机材料渗透层具有比所述第一有机绝缘层的膜密度大的膜密度。
在根据本公开的显示装置和用于制造显示装置的方法中，表面增强层和/或无机材料渗透层被包括在触摸传感器的绝缘层中。因此，表面增强层和/或无机材料渗透层可以阻挡从表面增强层和/或无机材料渗透层下面的无机层转移的气体(气泡)的通过，并且可以具有增加的对温度变化、湿气渗透、氧化等的抗性。因此，可以去除显示装置和触摸传感器的雪花气泡缺陷，可以增加弯曲能力，并且可以加强表面封装特性。
附图说明
在下文中，现在将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式体现并且不应一定解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。
在附图中，为了图示清楚起见，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个居间元件。在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以指代同样的元件。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图2是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
图3是示出包括在图1中所示的显示装置中的触摸传感器的示例的平面图。
图4是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。
图5A和图5B示出了包括在图4中所示的第一无机绝缘层和表面增强层中的元素的键合率的示例。
图6A是通过透射电子显微镜获取的未经表面处理的无机绝缘层的示例图像。
图6B是通过透射电子显微镜获取的经表面处理的无机绝缘层的示例图像。
图7和图8是示出图4中所示的显示装置的其它示例的截面图。
图9是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。
图10和图11是示出图9中所示的显示装置的其它示例的截面图。
图12和图13是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。
图14A至图14G是示出根据本公开的实施例的用于制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的实施例。在整个附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件，并且就已经省略特定元件的详细描述的程度而言，该元件可以至少类似于说明书中别处已经描述的相应的元件。
如本文中所使用的，当组件被描述为具有“柔性”时，所述组件可以配置为被弯曲、折叠或卷曲等而不损坏组件。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
参考图1，显示装置DD可以通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS可以平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。显示表面DD-IS的法线方向(例如，显示装置DD的相对于显示表面DD-IS的厚度方向)可以被称为第三方向DR3。
在下文中描述的每个构件或层的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)通过第三方向DR3区分。然而，第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3用于示例的目的，并且由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向是相对概念，并且可以改变为其它方向。在下文中，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3是分别由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向，并且由相同的符号表示。
图1中所示的显示装置DD可以具有平面的显示表面。然而，本公开不必限于此，并且根据本公开的实施例的显示装置DD可以具有能够显示图像的各种类型的显示表面，诸如弯曲显示表面和/或立体显示表面。当根据本发明的实施例的显示装置DD具有立体显示表面时，立体显示表面可以包括例如定向在不同方向上的多个显示区域。立体显示表面可以实现为多边形柱状显示表面。
在实施例中，显示装置DD可以是柔性显示装置。例如，显示装置DD可以应用于可折叠显示装置、可弯曲显示装置和可卷曲显示装置等。然而，本公开不必限于此，并且显示装置DD可以是刚性显示装置。
图1中所示的显示装置DD示出了可以应用于智能电话终端的显示装置DD。然而，这仅仅是一个示例，并且显示装置DD可以应用于诸如电视机、显示器和电子招牌板的大型电子装置以及诸如平板电脑、导航系统、游戏装置和智能手表的小型和中型电子装置。另外，显示装置DD还可以应用于诸如头戴式显示器的可穿戴电子装置。
如图1中所示，显示装置DD的显示表面DD-IS可以包括显示图像IM的显示区域DD-DA和邻近于显示区域DD-DA的非显示区域DD-NDA。例如，非显示区域DD-NDA可以是不显示图像的区域。非显示区域DD-NDA可以设置在显示区域DD-DA的外侧处(例如，可以设置在显示区域DD-DA的横向侧周围)。
图2是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
图2示出了构成显示装置DD的功能面板和/或功能构件的堆叠关系。
参考图1和图2，显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE、触摸传感器TS和窗口面板WP(或窗口)。
在实施例中，显示元件层DL、封装层TFE和触摸传感器TS可以经由连续工艺形成。例如，显示元件层DL、封装层TFE和触摸传感器TS可以在单个不间断工艺中形成。窗口面板WP可以通过粘合构件在窗口面板WP的上表面处耦接到组件。粘合构件可以包括普通的粘合剂或胶水。图2中所示的粘合构件可以是例如光学透明粘合构件(例如，光学透明粘合构件可以包括光学透明粘合剂)OCA。
在实施例中，触摸传感器TS可以感测从诸如手或笔的外部元件到显示装置DD的显示表面DD-IS的接触或输入。
在实施例中，封装层TFE和显示元件层DL可以被限定为显示面板。显示元件层DL可以包括发光元件、用于驱动发光元件的晶体管和线(例如，导电线和/或布线)。
封装层TFE可以直接设置在显示元件层DL上。如本文中所使用的，当组件B“直接地设置”或“直接设置”在组件A上时，这意味着在组件A与组件B之间未设置居间层，诸如单独的粘合层/粘合构件。组件B可以在组件A形成之后经由连续工艺形成。
在实施例中，触摸传感器TS可以直接设置在封装层TFE上。显示元件层DL、封装层TFE和触摸传感器TS可以被限定为显示模块DM。
光学透明粘合构件OCA可以设置在显示模块DM与窗口面板WP之间。例如，光学透明粘合构件OCA可以设置在显示面板DM与窗口面板WP之间以将显示面板DM和窗口面板WP粘附到彼此。
在实施例中，显示模块DM可以是自发射显示模块，但是不必限于此。例如，显示模块DM可以是有机发光显示模块或量子点发光显示模块。
在实施例中，窗口面板WP可以包括基体膜WP-BS和光阻挡图案WP-BZ。基体膜WP-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜。基体膜WP-BS不必限于单层。基体膜WP-BS可以包括通过粘合构件耦接到彼此的两个或更多个膜。
光阻挡图案WP-BZ在厚度方向(例如，第三方向DR3)上与基体膜WP-BS部分地重叠。光阻挡图案WP-BZ可以设置在基体膜WP-BS的后表面上并且可以限定显示装置DD的边框区域，例如，非显示区域DD-NDA。
窗口面板WP还可以包括设置在基体膜WP-BS的顶表面和/或底表面上的功能涂层。功能涂层可以包括防指纹层、防反射层或硬涂层等。
在实施例中，在触摸传感器TS与光学透明粘合构件OCA之间可以进一步提供附加的防反射构件。防反射构件降低了入射到窗口面板WP顶部上的外部光的反射率。
图3是示出包括在图1中所示的显示装置中的触摸传感器的示例的平面图。
参考图3，触摸传感器TS可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4、以及分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。
在实施例中，触摸传感器TS还可以包括设置在第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域中的光学虚拟电极。
第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4彼此相交。第一感测电极IE1-1至IE1-5可以基本上在第一方向DR1上布置。例如，从平面图看，第一感测电极IE1-1至IE1-5可以形成电极行。第一感测电极IE1-1至IE1-5可以基本上在第二方向DR2上延伸。第二感测电极IE2-1至IE2-4可以基本上在第二方向DR2布置。例如，从平面图看，第二感测电极IE2-1至IE2-4可以形成电极列。第二感测电极IE2-1至IE2-4可以基本上在第一方向DR1上延伸。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以通过使用互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每一者包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每一者包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。
在实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有使得传感器部分和连接部分彼此不区分的形状(例如，条形形状)。尽管在附图中示出了第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2具有菱形形状作为示例，但是本公开不必限于此，并且第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有另一多边形形状。
在实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以形成为网格图案。
任何给定的第一感测电极IE1-1至IE1-5中的第一传感器部分SP1沿着第二方向DR2布置，并且任何给定的第二感测电极IE2-1至IE2-4中的第二传感器部分SP2沿着第一方向DR1布置。第一连接部分CP1中的每一者将邻近的第一传感器部分SP1连接到彼此，并且第二连接部分CP2中的每一者将邻近的第二传感器部分SP2连接到彼此。
在实施例中，第二连接部分CP2、第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以设置在相同的层中，并且第一连接部分CP1可以设置在与第二连接部分CP2、第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的层不同的层中。因此，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以不彼此电干扰(例如，短路)。
第一信号线SL1-1至SL1-5各自分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的一端。第二信号线SL2-1至SL2-4各自分别连接第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端。在实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5可以各自分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的两端。在实施例中，第二信号线SL2-1至SL2-4可以各自分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的仅一端。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4中的每一条可以包括线部分SL-L和焊盘部分SL-P。焊盘部分SL-P可以设置在焊盘区域NDA-PD中。
触摸传感器TS可以包括信号焊盘DP-PD。信号焊盘DP-PD可以布置在焊盘区域NDA-PD中。
然而，这仅仅是一个示例，并且触摸传感器TS的平面形状不必限于此。
图4是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。图5A和图5B示出了包括在图4中所示的第一无机绝缘层和表面增强层中的元素的键合率的示例。
参考图2、图3、图4、图5A和图5B，显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE和触摸传感器TS。显示装置DD还可以包括防反射层RPL和窗口面板WP。
显示装置DD的全部或一部分可以具有柔性。例如，整个显示装置DD或显示装置DD的一部分可以配置为被弯曲、折叠和/或卷曲而不损坏。
显示元件层DL可以包括设置在基体层(基底，诸如合成树脂层)上的诸如晶体管的电路元件、以及连接到电路元件的发光元件。电路元件可以包括信号线和像素电路等。发光元件可以形成在电路元件上。
在一些实施例中，发光元件可以是有机发光元件、无机发光元件或包括无机材料和有机材料的组合的发光元件。然而，这些仅仅是一些示例，并且显示元件层DL可以包括用于实现液晶显示装置、等离子体显示装置和具有量子点的显示装置等的发光元件和/或电路元件。
封装层TFE可以设置在显示元件层DL上。封装层TFE可以密封显示元件层DL。封装层TFE可以具有柔性。
封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。在实施例中，封装层TFE可以包括至少一个封装有机层TFE2以及分别提供在至少一个封装有机层TFE2的顶表面和底表面上的封装无机层TFE1和TFE3。例如，封装层TFE可以包括顺序地堆叠在显示元件层DL上的第一封装无机层TFE1、封装有机层TFE2和第二封装无机层TFE3。然而，这仅仅是一个示例，封装有机层和封装无机层的数量不必限于此。例如，多个封装有机层和多个封装无机层可以交替地堆叠。封装层TFE的最上层可以配置为无机层。
封装无机层TFE1和TFE3可以保护显示元件层DL免受湿气和氧的影响，并且封装有机层TFE2可以保护显示元件层DL免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机层TFE1和TFE3可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等。然而，本公开不必限于此，并且封装无机层TFE1和TFE3可以由能够保护显示元件层DL免受湿气和氧的影响的无机材料制成。封装有机层TFE2可以包括丙烯酸类有机层。然而，本公开不必限于此，并且封装有机层TFE2可以由能够保护显示元件层DL免受诸如灰尘颗粒的异物的影响的有机材料制成。
触摸传感器TS可以经由连续工艺形成在第二封装无机层TFE3上。在实施例中，触摸传感器TS可以包括无机绝缘层IL1(或第一无机绝缘层IL1)、表面增强层STL、第一导电层CDL1、第一有机绝缘层OIL1、第二导电层CDL2和第二有机绝缘层OIL2。
无机绝缘层IL1可以被提供在第二封装无机层TFE3上。在实施例中，无机绝缘层IL1可以经由各种化学气相沉积(CVD)工艺沉积在第二封装无机层TFE3上。例如，无机绝缘层IL1可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)被堆叠。
无机绝缘层IL1可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在一些实施例中，无机绝缘层IL1和第二封装无机层TFE3可以基本上包括相同的材料。
无机绝缘层IL1可以用作触摸传感器TS的基体层。
无机绝缘层IL1和第二封装无机层TFE3可以在不同的条件下经由它们自身各自的工艺形成。因此，无机绝缘层IL1与第二封装无机层TFE3之间的界面可以与两个层区分开。然而，这仅仅是一个示例，并且无机绝缘层IL1和第二封装无机层TFE3可以经由一个工艺集成，并且可以形成为一个无机绝缘层。
表面增强层STL可以通过对无机绝缘层IL1进行表面处理而形成在无机绝缘层IL1上。在实施例中，表面增强层STL可以通过对无机绝缘层IL1的表面执行氢等离子体处理来形成。例如，可以在预定压力和温度下将氢气供给到无机绝缘层IL1的表面的同时执行预定时间的氢等离子体处理。可以执行氢等离子体处理以使得无机绝缘层IL1的顶表面的膜密度能够增加。
如上面所描述的，无机绝缘层IL1的经氢等离子体处理的部分可以被限定为表面增强层STL。在本实施例的描述中，将描述与无机绝缘层IL1区分开的表面增强层STL。
表面增强层STL可以具有比无机绝缘层IL1的膜密度高的膜密度。例如，表面增强层STL中的材料(分子)可以比无机绝缘层IL1中的材料(分子)布置得更密集。
图5A示出了通过实验的方式确定表面增强层STL和无机绝缘层IL1两者中的氢和其它原子的键合率的示例。图5B示出了通过实验的方式推导表面增强层STL和无机绝缘层IL1两者中的硅和氧以及硅和氮的键合率的示例。通常，由于在工艺期间产生的残留材料或其它外部材料的渗透，氢原子等可以被包括在无机绝缘层IL1中。
无机绝缘层IL1中的分子和原子可以通过对无机绝缘层IL1的表面执行氢等离子体处理而重新布置和重新结合。如图5A中所示，相对于表面增强层STL的整个面积的氢离子与其它原子之间的键合率和羟基离子与其它原子之间的键合率的总和可以小于相对于无机绝缘层IL1的整个面积的氢离子与其它原子之间的键合率和羟基离子与其它原子之间的键合率的和。相比之下，如图5B中所示，相对于表面增强层STL的整个面积的氧/氮与硅之间的键合率的总和可以大于相对于无机绝缘层IL1的整个面积的氧/氮与硅之间的键合率的总和。
例如，通过氢等离子体处理，具有相对弱的键合力的现有的分子键合(诸如表面增强层STL中的氢离子与其它原子之间的键合)可能被破坏，并且具有相对强的键合力的氧/氮与硅之间的键合可以增加。因此，由于如图5A和图5B中所示的组分的键合率之间的差异，表面增强层STL的膜密度可以比无机绝缘层IL1的膜密度高。
表面增强层STL可以具有由诸如时间、压力和温度的氢等离子体处理条件确定的厚度。例如，当在相同的压力和温度条件下，氢等离子体处理时间增加时，可以增加表面增强层STL的厚度(深度)，并且相应地，可以减小无机绝缘层IL1的厚度。
在一些实施例中，表面增强层STL可以提供有大约
Figure BDA0003395043930000131
的厚度。然而，这仅仅是一个示例，并且表面增强层STL的厚度不必限于此。
第一导电层CDL1可以被提供在表面增强层STL上。
在实施例中，第一连接部分CP1可以由第一导电层CDL1形成。第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以由第二导电层CDL2形成。
可替代地，在实施例中，第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以由第一导电层CDL1形成。第一连接部分CP1可以由第二导电层CDL2形成。
在本公开的实施例中，将假设和描述第一连接部分CP1由第一导电层CDL1形成的情况。
在实施例中，第一导电层CDL1可以包括不透明金属。例如，第一导电层CDL1可以不允许可见光穿过第一导电层CDL1。例如，第一导电层CDL1可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的任何合金。第一导电层CDL1可以具有多层结构。例如，第一导电层CDL1可以具有钼(Mo)/铝(Al)/钼(Mo)的三重结构。然而，这仅仅是一个示例，并且第一导电层CDL1可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三重结构。
在实施例中，第一导电层CDL1可以包括透明导电材料。例如，在本实施例中，第一导电层CDL1可以允许入射的可见光基本上穿过第一导电层CDL1。例如，透明导电材料可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。附加地或可替代地，透明导电材料可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米布线、石墨烯等。
第一导电层CDL1可以通过使用诸如施加到沉积在表面增强层STL上的导电材料的干蚀刻和湿蚀刻的各种工艺图案化来形成。
第一有机绝缘层OIL1可以被提供在表面增强层STL上并且可以覆盖第一导电层CDL1。第一有机绝缘层OIL1可以包括接触孔CNT1和CNT2。第一导电层CDL1的一部分可以通过接触孔CNT1和CNT2被暴露。
第一有机绝缘层OIL1可以具有单层或多层结构。在实施例中，第一有机绝缘层OIL1可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、酚醛清漆树脂和/或碱溶性树脂等。
第一有机绝缘层OIL1可以经由各种有机沉积和图案化工艺形成。例如，第一有机绝缘层OIL1可以在光致抗蚀剂沉积之后经由光刻工艺被图案化以具有接触孔CNT1和CNT2。
第二导电层CDL2可以被提供在第一有机绝缘层OIL1上。在本公开的实施例中，第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以由第二导电层CDL2形成。第二导电层CDL2可以通过接触孔CNT1和CNT2被连接到第一导电层CDL1。
在实施例中，第二导电层CDL2可以包括所描述的透明导电材料。可替代地，第二导电层CDL2可以包括上面描述的不透明金属。
第一导电层CDL1和第二导电层CDL2可以具有相同的材料，或者可以包括不同的材料。
第二有机绝缘层OIL2可以被提供在第一有机绝缘层OIL1上并且可以覆盖第二导电层CDL2。第二有机绝缘层OIL2可以具有单层或多层结构。
第二有机绝缘层OIL2可以包括上面描述的有机材料中的至少一种。第二有机绝缘层OIL2可以经由各种有机沉积和图案化工艺形成。
如上面所描述的，触摸传感器TS的绝缘层可以被提供为第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2，而不是诸如氧化硅的现有的无机绝缘层，使得可以增强触摸传感器TS和显示装置DD的弯曲特性。然而，与无机绝缘层相比，有机绝缘层具有相对低的膜密度。
在高温状态下，在第一有机绝缘层OIL1下面的无机层(例如，无机绝缘层IL1和/或第二封装无机层TFE3)中可能产生气体(气泡)。气体可以靠近和/或朝向第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2被除气。具有低的膜密度的第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2可能不能有效地阻挡气体的移动，并且气体通过穿过第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2向上移动。
在这种情况下，气体作为气泡保留在窗口面板WP与光学透明粘合构件OCA之间，并且将导致可能被用户感知为“雪花形状”的视觉缺陷。
为了去除雪花气泡缺陷，可以通过增加包括无机材料的无机绝缘层IL1的上部部分的膜密度来阻挡气体的移动。然而，当整个无机绝缘层IL1的膜密度增加时，具有相对低的膜密度的第二封装无机层TFE3可能被具有相对高的膜密度的无机绝缘层IL1拉起，并且可能出现无机绝缘层IL1和/或第二封装无机层TFE3的提起。
在根据本公开的各方面的显示装置中，表面增强层STL被提供在无机绝缘层IL1上，以便不仅改善触摸传感器TS的弯曲特性，而且防止雪花气泡缺陷以及下部无机层(例如，无机绝缘层IL1和/或第二封装无机层TFE3)的提起。
表面增强层STL可以具有相对高的膜密度，并且可以阻挡从表面增强层STL之下的无机层被除气的气体穿过表面增强层STL上方的第一有机绝缘层OIL1。例如，表面增强层STL的膜密度可以为大约2.07g/cm3或更高。
另外，经氢等离子体处理的表面增强层STL可以防止湿气渗透，并且还可以具有与湿气的低反应性。此外，表面增强层STL可以抵抗高温、高湿环境中的强物理应力。
如上面所描述的，表面增强层STL阻挡在高温环境下从无机绝缘层IL1以及表面增强层STL下面的无机层转移的气体的通过，并且抵抗温度变化、湿气渗透、氧化等。因此，可以去除显示装置DD和触摸传感器TS的雪花气泡缺陷，可以增加弯曲能力，并且可以增强表面封装特性。
在实施例中，防反射层RPL可以被提供在触摸传感器TS上。防反射层RPL降低从窗口面板WP的顶部入射的外部光的反射率。在实施例中，防反射层RPL可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是薄膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器(例如，半波片)和/或λ/4延迟器(例如，四分之一波片)。偏振器也可以是薄膜型或液晶涂层型。
在实施例中，防反射层RPL还可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。滤色器的布置可以由包括在显示元件层DL中的像素的发光颜色确定。防反射层RPL还可以包括邻近于滤色器的黑矩阵。
在实施例中，防反射层RPL可以包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可以包括彼此不同的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消地干涉，并且因此，外部光的反射率降低。
光学透明粘合构件OCA可以被提供在防反射层RPL上，并且窗口面板WP可以通过粘合构件接合到防反射层RPL的上表面。
图6A是通过透射电子显微镜获取的未经表面处理的无机绝缘层的示例图像。图6B是通过透射电子显微镜获取的经表面处理的无机绝缘层的示例图像。
参考图4、图6A和图6B，显示装置DD的触摸传感器TS可以包括无机绝缘层IL1和表面增强层STL。
图6A和图6B示出了通过透射电子显微镜获取的高角度环形暗场(HAADF)透射电子图像。特别地，图6B中所示的图像示出了通过对无机绝缘层IL1的表面执行氢等离子体处理来形成表面增强层STL的示例。图6B中所示的图像示出了通过对无机绝缘层IL1的表面执行氢等离子体处理形成的表面增强层STL具有大约
Figure BDA0003395043930000161
的厚度。
在实施例中，表面增强层STL的厚度可以在
Figure BDA0003395043930000162
至
Figure BDA0003395043930000163
的范围内。例如，表面增强层STL的厚度可以是
Figure BDA0003395043930000164
至
Figure BDA0003395043930000165
未经表面处理的无机绝缘层IL1的表面(界面)的密度(膜密度)可以比经氢等离子体处理的无机绝缘层IL1的表面(界面)的密度(膜密度)低。通过比较图6A和图6B，可以看出膜密度之间的该差异的示例。
例如，如图6A中所示，在获取的图像中，未经表面处理的无机绝缘层IL1的表面(界面)表现为相对暗，并且可以看到多个黑点。
然而，如图6B中所示，通过氢等离子体处理形成的表面增强层STL可以具有比无机绝缘层IL1的膜密度高的膜密度，并且比无机绝缘层IL1表示得亮。因此，可以看到表面增强层STL与无机绝缘层IL1之间的界面。例如，在无机绝缘层IL1的表面处处理无机绝缘层IL1之前可见的任何黑点在处理无机绝缘层IL1并形成表面增强层STL之后可能不再可见。
第一有机绝缘层OIL1、第一导电层CDL1或另一无机绝缘层可以形成在表面增强层STL上。第一有机绝缘层OIL1、第一导电层CDL1和另一无机绝缘层由与表面增强层STL的材料不同的材料制成，并且因此，与表面增强层STL不同的另一层可以显示在透射电子显微镜的图像上。
如上面所描述的，由通过透射电子显微镜的图像可以看出通过对无机绝缘层IL1的氢等离子体处理形成的表面增强层STL的存在以及表面增强层STL的厚度。
图7和图8是示出图4中所示的显示装置的其它示例的截面图。
在图7和图8中，与参照图4描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示，并且将省略它们的重复描述。就已经省略元件的描述的程度而言，可以理解该元件至少类似于说明书中别处描述的相应的元件。此外，除了被包括在触摸传感器TS1和TS2中的无机绝缘层IL2和IL3以及表面增强层STL1和STL2的配置之外，图7和图8中所示的显示装置可以配置为类似于图4中所示的显示装置。
参考图7和图8，每个显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE以及触摸传感器TS1或TS2。显示装置DD还可以包括防反射层RPL和窗口面板WP。
在实施例中，如图7中所示，表面增强层STL可以被提供在第一无机绝缘层IL1上，并且第二无机绝缘层IL2可以被提供在表面增强层STL与第一导电层CDL1之间。第二无机绝缘层IL2可以经由化学气相沉积工艺沉积在表面增强层STL上。第二无机绝缘层IL2可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一些实施例中，第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2可以包括基本上相同的材料。
第一有机绝缘层OIL1和第一导电层CDL1可以直接形成在第二无机绝缘层IL2上。与第一有机绝缘层OIL1和第一导电层CDL1直接形成在表面增强层STL上的堆叠结构相比，该工艺可以提供增加的可靠性。
表面增强层STL上的第二无机绝缘层IL2的厚度可以相对薄，并且因此，可以忽略来自第二无机绝缘层IL2的除气。
在实施例中，如图8中所示，触摸传感器TS2可以包括多层结构的表面增强层STL1和STL2。因此，可以进一步降低从第一有机绝缘层OIL1下面的无机层朝向有机绝缘层OIL1和OIL2的气体转移的影响。
例如，第一表面增强层STL1可以设置在第一无机绝缘层IL1上，第二无机绝缘层IL2可以设置在第一表面增强层STL1上，并且第二表面增强层STL2可以设置在第二无机绝缘层IL2上。此外，第三无机绝缘层IL3可以设置在第二表面增强层STL2上。第一导电层CDL1和第一有机绝缘层OIL1可以直接形成在第三无机绝缘层IL3上。
然而，这仅仅是一个示例，并且第三无机绝缘层IL3可以省略。第一导电层CDL1和第一有机绝缘层OIL1可以形成在第二表面增强层STL2上或以其它方式与第二表面增强层STL2接触。
在一些实施例中，触摸传感器TS2可以包括第一有机绝缘层OIL1下面的三个或更多个表面增强层。
图9是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。
在图9中，与参照图4描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示，并且将省略它们的重复描述。此外，除了图9的显示装置包括被包括在触摸传感器TS3中的无机材料渗透层IFL的配置且不包括表面增强层STL之外，图9中所示的显示装置可以配置为类似于图4中所示的显示装置。
参考图2、图3和图9，显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE和触摸传感器TS3。显示装置DD还可以包括防反射层RPL和窗口面板WP。
触摸传感器TS3可以包括无机绝缘层IL1、第一导电层CDL1、第一有机绝缘层OIL1、无机材料渗透层IFL、第二导电层CDL2和第二有机绝缘层OIL2。在实施例中，第一导电层CDL1和第一有机绝缘层OIL1可以直接设置在无机绝缘层IL1上。
无机材料渗透层IFL可以被提供在第一有机绝缘层OIL1的表面上。无机材料渗透层IFL可以包括与第一有机绝缘层OIL1相同或相似的有机材料以及渗透到第一有机绝缘层OIL1表面附近的自由体积中的无机材料。
第一有机绝缘层OIL1可以具有比无机绝缘层IL1的膜密度低的膜密度。第一有机绝缘层OIL1可以具有比无机绝缘层IL1的自由体积相对大的自由体积。
同时，第一有机绝缘层OIL1的整体中的包括从第一有机绝缘层OIL1的表面在深度方向(例如，面对无机绝缘层IL1的垂直方向)上渗透的无机材料的部分可以被限定为无机材料渗透层IFL。例如，无机材料渗透层IFL可以通过将无机材料渗透(例如，注入；例如，在压力下的渗透)到第一有机绝缘层OIL1的表面附近的自由体积中而基本上沿着第一有机绝缘层OIL1的上表面形成。在本公开的实施例中，为了便于描述，将对区别于第一有机绝缘层OIL1的无机材料渗透层IFL进行描述。
在实施例中，无机材料渗透层IFL可以经由原子层沉积(ALD)工艺形成在第一有机绝缘层OIL1上。来自被包括在作为前驱体的源气体中的材料和被包括在反应气体中的材料的组合的无机化合物可以经由ALD工艺形成在第一有机绝缘层OIL1的表面附近的自由体积中。
在一些实施例中，源气体可以包括铝(Al)、铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和硅(Si)中的至少一种和另一辅助材料结合的前驱体。此外，反应气体可以包括氧自由基。
因此，填充在自由体积中的无机材料可以包括选自由氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化钽、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的至少一种。
如上面所描述的，在本实施例中，无机材料(无机化合物)填充在第一有机绝缘层OIL1的表面附近的自由体积中，并且因此，无机材料渗透层IFL可以具有比第一有机绝缘层OIL1的膜密度高的膜密度。例如，无机材料渗透层IFL的膜密度可以为大约2.07g/cm3或更高。因此，第一有机绝缘层OIL1的封装特性可以通过无机材料渗透层IFL增加。例如，无机材料渗透层IFL可以在高温环境中阻挡从无机绝缘层IL1和无机材料渗透层IFL下面的无机层转移的气体(气泡)的通过，并且可以防止来自外部的湿气渗透。
此外，可以经由ALD工艺形成具有非常薄的厚度的无机材料渗透层IFL，并且由此可以维持包括第一有机绝缘层OIL1的触摸传感器TS3的弯曲能力。
同时，无机材料渗透层IFL的厚度可以根据ALD工艺的每个步骤重复的次数和/或每个步骤的工艺时间来确定。例如，当源气体的供给时间增加时，前驱体可以更深地渗透到第一有机绝缘层OIL1中。
同时，当无机材料渗透层IFL的厚度增加时，第一有机绝缘层OIL1的厚度可以与无机材料渗透层IFL的厚度的增加相对应地减小。
无机材料渗透层IFL和第一有机绝缘层OIL1可以包括接触孔。第一导电层CDL1的一部分可以通过接触孔被暴露。
第二导电层CDL2可以被提供在无机材料渗透层IFL上。第二导电层CDL2可以通过接触孔连接到第一导电层CDL1。
因此，无机材料渗透层IFL可以包括有机和无机组分，并且可以执行由如上面所描述的其它实施例的表面增强层提供的功能中的至少一些功能。
图10和图11是示出图9中所示的显示装置的其它示例的截面图。
在图10和图11中，与参照图4和图9描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示，并且将省略它们的重复描述。此外，除了被包括在触摸传感器TS4和TS5中的无机材料渗透层IFL、IFL1和IFL2以及表面增强层的配置之外，图10和图11中所示的显示装置可以配置为类似于图4和图9中所示的显示装置。
参考图10和图11，每个显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE以及触摸传感器TS4或TS5。显示装置DD还可以包括防反射层RPL和窗口面板WP。
在实施例中，如图10中所示，触摸传感器TS4可以包括被提供在第二有机绝缘层OIL2上的无机材料渗透层IFL。无机材料渗透层IFL可以经由原子层沉积(ALD)工艺被提供在第二有机绝缘层OIL2上。
无机材料渗透层IFL具有比第二有机绝缘层OIL2的膜密度高的膜密度。因此，维持了增加的弯曲特性，并且可以阻挡从无机材料渗透层IFL下方除气的气体穿过窗口面板WP。
在实施例中，如图11中所示，触摸传感器TS5可以包括多个无机材料渗透层IFL1和IFL2。第一无机材料渗透层IFL1可以经由ALD工艺被提供在第一有机绝缘层OIL1上。第二无机材料渗透层IFL2可以经由ALD工艺被提供在第二有机绝缘层OIL2上。
如上面所描述的，形成了第一无机材料渗透层IFL1和第二无机材料渗透层IFL2，第一无机材料渗透层IFL1和第二无机材料渗透层IFL2具有比第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2的密度高的密度，并且比第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2薄。因此，维持了增加的弯曲特性，并且去除了雪花气泡缺陷，并且可以进一步增加表面封装特性。
图12和图13是示意性地示出包括图3中所示的触摸传感器的部分I-I’的显示装置的示例的截面图。
在图12和图13中，与参照图4至图10描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示，并且将省略它们的重复描述。参照图12和图13描述的实施例可以包括无机材料渗透层和表面增强层两者。
参考图12和图13，每个显示装置DD可以包括显示元件层DL、封装层TFE以及触摸传感器TS6或TS7。显示装置DD还可以包括防反射层RPL和窗口面板WP。
如图12中所示，在实施例中，触摸传感器TS6可以包括被提供在无机绝缘层IL1上的表面增强层STL和被提供在第一有机绝缘层OIL1上的无机材料渗透层IFL。
如图13中所示，在实施例中，触摸传感器TS7可以包括分别被提供在无机绝缘层IL1、IL2和IL3之间的多个表面增强层STL1和STL2以及分别被提供在有机绝缘层OIL1和OIL2的表面上的多个无机材料渗透层IFL1和IFL2。
上面已经参照图4至图11描述了表面增强层STL1和STL2以及无机材料渗透层IFL1和IFL2，并且因此，将省略重复描述。
如上面所描述的，包括有机绝缘层OIL1和OIL2的触摸传感器TS7包括表面增强层STL1和STL2以及无机材料渗透层IFL1和IFL2，因此去除了雪花气泡缺陷并且可以进一步增加表面封装特性。
图14A至图14G是示出根据本公开的实施例的用于制造显示装置的方法的截面图。
在图14A至图14G中，与参照图4至图13描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示，并且将省略它们的重复描述。
参考图14A至图14G，用于制造显示装置的方法可以包括：在覆盖显示元件层DL的封装层TFE上沉积第一无机绝缘层IL1；通过对第一无机绝缘层IL1执行表面处理形成第一表面增强层STL1；在第一表面增强层STL1上形成第一导电层CDL1；在第一表面增强层STL1上形成第一有机绝缘层OIL1，第一有机绝缘层OIL1包括暴露第一导电层CDL1的一部分的接触孔CNT1和CNT2；以及在第一有机绝缘层OIL1上形成通过接触孔CNT1和CNT2连接到第一导电层CDL1的第二导电层CDL2。
如图14A中所示，第一无机绝缘层IL1可以沉积在封装层TFE上，并且可以通过对第一无机绝缘层IL1执行表面处理形成第一表面增强层STL1。第一无机绝缘层IL1可以经由各种形式的化学气相沉积(CVD)工艺形成。
在实施例中，可以通过对第一无机绝缘层IL1的表面执行预定时间的氢等离子体处理形成第一表面增强层STL1。可以执行氢等离子体处理以使得第一无机绝缘层IL1的顶表面的膜密度可以增加。第一表面增强层STL1的膜密度可以比第一无机绝缘层IL1的膜密度高。
在实施例中，如图14B中所示，第二无机绝缘层IL2可以沉积在第一表面增强层STL1上，并且可以通过对第二无机绝缘层IL2执行表面处理形成第二表面增强层STL2。在实施例中，可以通过对第二无机绝缘层IL2的表面执行氢等离子体处理形成第二表面增强层STL2。
在实施例中，如图14C中所示，在第二表面增强层STL2上形成第一导电层CDL1之后，可以在第二表面增强层STL2上形成覆盖第一导电层CDL1的第一有机绝缘层OIL1。
在第二表面增强层STL2上沉积导电材料之后，可以通过图案化所沉积的导电材料形成第一导电层CDL1。
第一有机绝缘层OIL1可以经由有机材料沉积工艺形成在第一导电层CDL1和第二表面增强层STL2上。
在图14C中，示出了第一导电层CDL1和覆盖第一导电层CDL1的第一有机绝缘层OIL1形成在第二表面增强层STL2上，但是本公开不必限于此。例如，如图8中所示，第三无机绝缘层IL3可以形成在第二表面增强层STL2上，并且第一导电层CDL1和覆盖第一导电层CDL1的第一有机绝缘层OIL1可以形成在第三无机绝缘层IL3上。
在实施例中，如图14D中所示，第一无机材料渗透层IFL1可以通过经由原子层沉积(ALD)工艺将无机材料渗透到第一有机绝缘层OIL1的表面附近的自由体积中来形成在第一有机绝缘层OIL1上。
在实施例中，形成第一无机材料渗透层IFL1的工艺可以包括通过将源气体注入到第一有机绝缘层OIL1上来将源气体渗透到第一有机绝缘层OIL1中、以及通过注入净化气体去除源气体的保留在第一有机绝缘层OIL1上的一部分。源气体可以包括铝(Al)、铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和硅(Si)中的至少一种和另一种辅助材料结合的前驱体。净化气体可以包括具有低反应性的材料。例如，净化气体可以包括氩气或惰性气体。
前驱体和反应气体的反应物可以通过将反应气体注入到第一有机绝缘层OIL1上结合。因此，可以形成第一无机材料渗透层IFL1。反应物可以包括氧自由基等。形成在第一无机材料渗透层IFL1中的无机材料可以是选自由氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化钽和氧化硅组成的组中的至少一种。
净化气体可以注入到第一有机绝缘层OIL1上，以去除源气体和反应气体。
如上面所描述的，第一无机材料渗透层IFL1具有无机化合物经由ALD工艺填充在第一有机绝缘层的表面附近的部分自由体积中的结构。因此，第一无机材料渗透层IFL1可以具有比第一有机绝缘层OIL1的膜密度高的膜密度。
在实施例中，如图14E中所示，可以通过蚀刻第一有机绝缘层OIL1和第一无机材料渗透层IFL1形成接触孔CNT1和CNT2。接触孔CNT1和CNT2可以经由选自本领域已知的各种图案化工艺、干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺中的工艺形成。
在实施例中，如图14F中所示，通过接触孔CNT1和CNT2连接到第一导电层CDL1的第二导电层CDL2可以形成在第一无机材料渗透层IFL1上。在导电材料沉积在第一无机材料渗透层IFL1上之后，可以通过图案化所沉积的导电材料来形成第二导电层CDL2。
此外，第二有机绝缘层OIL2可以形成在第一无机材料渗透层IFL1上并且可以覆盖第二导电层CDL2。第二有机绝缘层OIL2可以经由有机材料沉积工艺形成在第二导电层CDL2和第一无机材料渗透层IFL1上。
在实施例中，如图14G中所示，第二无机材料渗透层IFL2可以通过经由ALD工艺将无机材料渗透到第二有机绝缘层OIL2的表面附近的自由体积中来形成。因此，第一无机材料渗透层IFL1和第二无机材料渗透层IFL2的膜密度可以比第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2的膜密度高。由于第一无机材料渗透层IFL1和第二无机材料渗透层IFL2两者的膜密度相对高，因此可以维持显示装置的增加的弯曲特性，并且可以防止气体到达(尚未形成的)窗口面板WP。
随后，在图4等中描述的防反射层RPL和窗口面板WP等可以进一步顺序地形成在第二无机材料渗透层IFL2上。
可以经由类似于上面描述的工艺的工艺形成参照图4至图13描述的触摸传感器。
同时，已经参照图4至图13详细描述了每个组件的功能和包括在所述每个组件中的材料等，并且因此，将省略重复描述。
如上面所描述的，在根据本公开的实施例的显示装置和用于制造显示装置的方法中，表面增强层和/或无机材料渗透层被包括在触摸传感器的绝缘层中。表面增强层和/或无机材料渗透层可以阻挡从表面增强层和/或无机材料渗透层之下的无机层转移的气体(气泡)的通过，并且可以抵抗(resilient to)温度变化、湿气渗透、氧化等。因此，可以去除显示装置和触摸传感器的雪花气泡缺陷，可以增加弯曲能力，并且可以加强表面封装特性。
本文中已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是特定术语仅以一般性和描述性意义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员在提交本申请时显而易见的，除非另有明确指示，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如以下权利范围中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示元件层，设置在基底上，所述显示元件层包括像素；
封装层，覆盖所述显示元件层；以及
触摸传感器，设置在所述封装层上，
其中，所述触摸传感器包括：
第一无机绝缘层，设置在所述封装层上；
第一表面增强层，其中，所述第一表面增强层通过对所述第一无机绝缘层执行表面处理形成；
第一导电层，设置在所述第一表面增强层上；
第一有机绝缘层，覆盖所述第一导电层；以及
第二导电层，设置在所述第一有机绝缘层上，其中，所述第二导电层连接到所述第一导电层并且贯穿所述第一有机绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一表面增强层具有
Figure FDA0003395043920000011
至
Figure FDA0003395043920000012
的范围内的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一表面增强层通过对所述第一无机绝缘层的表面执行氢等离子体处理获得，并且
其中，所述第一表面增强层具有比所述第一无机绝缘层的膜密度大的膜密度。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述触摸传感器还包括设置在所述第一表面增强层与所述第一导电层之间的第二无机绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述触摸传感器还包括：
第二表面增强层，设置在所述第二无机绝缘层上，其中，所述第二表面增强层通过对所述第二无机绝缘层的表面执行所述氢等离子体处理形成；以及
第三无机绝缘层，设置在所述第二表面增强层与所述第一导电层之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸传感器还包括：
第一无机材料渗透层，设置在所述第一有机绝缘层的表面上，其中，所述第一无机材料渗透层包括来自所述第一有机绝缘层的所述表面的有机材料，并且还包括渗透到所述第一有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料；以及
第二有机绝缘层，设置在所述第一无机材料渗透层上，并且覆盖所述第二导电层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述触摸传感器还包括设置在所述第二有机绝缘层的表面上的第二无机材料渗透层，其中，所述第二无机材料渗透层包括来自所述第二有机绝缘层的所述表面的有机材料，并且还包括渗透到所述第二有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料，并且
其中，所述第一无机材料渗透层和所述第二无机材料渗透层的膜密度比所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的膜密度大。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸传感器还包括：
第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，并且覆盖所述第二导电层；以及
无机材料渗透层，设置在所述第二有机绝缘层的表面上，其中，所述无机材料渗透层包括来自所述第二有机绝缘层的所述表面的有机材料，并且还包括渗透到所述第二有机绝缘层的所述表面附近的自由体积中的无机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装层包括：
至少一个封装有机层；以及
封装无机层，设置在所述至少一个封装有机层的顶表面和底表面两者上。
10.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在封装层上沉积第一无机绝缘层，所述封装层覆盖显示元件层；
通过对所述第一无机绝缘层执行表面处理，形成第一表面增强层；
在所述第一表面增强层上形成第一导电层；
在所述第一表面增强层上形成第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括暴露所述第一导电层的一部分的接触孔；以及
在所述第一有机绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层通过所述接触孔连接到所述第一导电层。
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