CN114864284A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229920000431 shape-memory polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 51
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 51
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 dicyclopentadiene modified phenol Chemical class 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N phenylmethanetriol Chemical compound OC(O)(O)C1=CC=CC=C1 CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PEQHIRFAKIASBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 22
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- YLQFTKLLBXQQEY-UHFFFAOYSA-N C12(C(C3C(C=C1)(C)S3)S2)C Chemical compound C12(C(C3C(C=C1)(C)S3)S2)C YLQFTKLLBXQQEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUDSBWGCGSUXDB-UHFFFAOYSA-N Dibutyl disulfide Chemical compound CCCCSSCCCC CUDSBWGCGSUXDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- GVPWHKZIJBODOX-UHFFFAOYSA-N dibenzyl disulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1CSSCC1=CC=CC=C1 GVPWHKZIJBODOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 1-(hexyldisulfanyl)hexane Chemical compound CCCCCCSSCCCCCC GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 1-(octyldisulfanyl)octane Chemical compound CCCCCCCCSSCCCCCCCC AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWKINKGAHTPFJ-UHFFFAOYSA-N 2-(butan-2-yldisulfanyl)butane Chemical compound CCC(C)SSC(C)CC QTWKINKGAHTPFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKCNDTDWDGQHSD-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butyldisulfanyl)-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)SSC(C)(C)C BKCNDTDWDGQHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEVQKZCDRQCPNR-UHFFFAOYSA-N 2-[(2,6-difluorophenyl)disulfanyl]-1,3-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1SSC1=C(F)C=CC=C1F WEVQKZCDRQCPNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CC2OC2CC1 YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N Diethyl disulfide Chemical compound CCSSCC CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N Diphenyl disulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SSC1=CC=CC=C1 GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- LWGLGSPYKZTZBM-UHFFFAOYSA-N benzenecarbonothioylsulfanyl benzenecarbodithioate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=S)SSC(=S)C1=CC=CC=C1 LWGLGSPYKZTZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N bisphenol F diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- AUZONCFQVSMFAP-UHFFFAOYSA-N disulfiram Chemical compound CCN(CC)C(=S)SSC(=S)N(CC)CC AUZONCFQVSMFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical compound CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIGYLAKFCGVRAN-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazolidine-2,5-dithione Chemical compound S=C1NNC(=S)S1 BIGYLAKFCGVRAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound S=C1NC(=S)NC(=S)N1 WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRZXCOWFGPICGA-UHFFFAOYSA-N 1,6-Hexanedithiol Chemical compound SCCCCCCS SRZXCOWFGPICGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJRCLMJHPWCJEI-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanedithiol Chemical compound SCCCCCCCCCS GJRCLMJHPWCJEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRKMQKLGEQPLNS-UHFFFAOYSA-N 1-Pentanethiol Chemical compound CCCCCS ZRKMQKLGEQPLNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLKXLWGYPOUERV-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCOCC1CO1 VLKXLWGYPOUERV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLDLPVSQYMQDBL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(oxiran-2-ylmethoxy)-2,2-bis(oxiran-2-ylmethoxymethyl)propoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(COCC1OC1)(COCC1OC1)COCC1CO1 PLDLPVSQYMQDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLQNHQOKIVRFLM-UHFFFAOYSA-N 3-[1-[1-(oxetan-3-yl)propoxy]propyl]oxetane Chemical compound C1OCC1C(CC)OC(CC)C1COC1 HLQNHQOKIVRFLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFNGAMRVCCZXCD-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butyl-2-[(4-tert-butyl-2,6-dimethylphenyl)disulfanyl]-1,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=CC(C)=C1SSC1=C(C)C=C(C(C)(C)C)C=C1C MFNGAMRVCCZXCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRJLSUZLHMXXHJ-UHFFFAOYSA-N [4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carbonyloxymethyl)cyclohexyl]methyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CCC(COC(=O)C2CC3OC3CC2)CC1 NRJLSUZLHMXXHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYPNRTQAOXLCQW-UHFFFAOYSA-N [4-(sulfanylmethyl)phenyl]methanethiol Chemical compound SCC1=CC=C(CS)C=C1 IYPNRTQAOXLCQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N bis(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1CC2OC2CC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1 DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUNBDQGENXJZOO-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) 7-oxabicyclo[4.1.0]hept-5-ene-3,4-dicarboxylate Chemical compound C1C2OC2=CC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 RUNBDQGENXJZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CC=CC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CCCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMTOKHQOVJRXLK-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-dithiol Chemical compound SCCCCS SMTOKHQOVJRXLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- UOQACRNTVQWTFF-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-dithiol Chemical compound SCCCCCCCCCCS UOQACRNTVQWTFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- WITDFSFZHZYQHB-UHFFFAOYSA-N dibenzylcarbamothioylsulfanyl n,n-dibenzylcarbamodithioate Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(CC=1C=CC=CC=1)C(=S)SSC(=S)N(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 WITDFSFZHZYQHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGAXJQVAHDTGBB-UHFFFAOYSA-N dibutylcarbamothioylsulfanyl n,n-dibutylcarbamodithioate Chemical compound CCCCN(CCCC)C(=S)SSC(=S)N(CCCC)CCCC PGAXJQVAHDTGBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQQUFAMSJAKLNB-UHFFFAOYSA-N dicyclopentadiene diepoxide Chemical compound C12C(C3OC33)CC3C2CC2C1O2 BQQUFAMSJAKLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229920000417 polynaphthalene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- YYWLHHUMIIIZDH-UHFFFAOYSA-N s-benzoylsulfanyl benzenecarbothioate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)SSC(=O)C1=CC=CC=C1 YYWLHHUMIIIZDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- SRNNCPHVRPJTDS-UHFFFAOYSA-N spiro[1,3-dioxane-5,4'-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane] Chemical compound C1C2OC2CCC21COCOC2 SRNNCPHVRPJTDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/228—Terminals
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Abstract
本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替层叠的第一内电极和第二内电极,且介电层介于第一内电极和第二内电极之间;第一外电极,连接到第一内电极;以及第二外电极,连接到第二内电极,其中,第一外电极包括设置在陶瓷主体上的第一基底电极层和设置在第一基底电极层上的第一树脂电极层,其中,第二外电极包括设置在陶瓷主体上的第二基底电极层和设置在第二基底电极层上的第二树脂电极层,并且其中,第一树脂电极层和第二树脂电极层包含形状记忆聚合物(例如,热固性形状记忆聚合物)或具有多种性质的聚合物,所述多种性质包括表现出形状记忆效应的性质。
Description
本申请要求于2021年2月5日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0016695号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。
背景技术
最近,随着电子产品的广泛使用,使用多层陶瓷电子组件的技术领域也得到了扩展。特别是,根据车辆的电子化,已经使用了将车辆的电子控制单元(ECU)或变速器控制单元(TCU)设置在发动机舱内或直接连接到变速器的结构。
然而,当在诸如高温和高振动的恶劣环境中应用一般的多层陶瓷电子组件时,可能重复由于高/低温循环的膨胀和缩小,使得可能发生连续的机械应力。而且,机械应力的连续施加可能是端子电极或焊料中裂纹的主要原因。
为了解决上述问题,已经使用了通过将诸如环氧树脂的柔软端(soft terminal)施加到外电极来吸收外部冲击或内部应力的方法。当采用这种柔软端时,由于基础树脂的弹性模量高于金属的弹性模量,因此可以减轻由机械应力引起的裂纹。
然而,由于多层陶瓷电子组件已经被设计成具有减小的尺寸和高容量,所以外电极的厚度已经减小。另外,即使对厚度减小的外电极施加柔软端,也很可能由于外部冲击或振动而发生诸如柔软端剥离的机械变形。此外,变形的柔软端可能由于机械强度降低而成为故障的潜在原因以及产品质量劣化的主要原因。
发明内容
本公开的一个方面在于提供一种多层陶瓷电子组件,其即使在高温和/或高振动的条件下也可以防止诸如外电极的翘起(lifting)或分层(delamination)的缺陷。
本公开的一个方面在于提供一种具有改进的长期可靠性的多层陶瓷电子组件。
根据本公开的一个方面,一种多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替层叠的第一内电极和第二内电极,所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一外电极,连接到所述陶瓷主体的所述第一内电极;以及第二外电极,连接到所述第二内电极,其中,所述第一外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第一基底电极层和设置在所述第一基底电极层上的第一树脂电极层,其中,所述第二外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第二基底电极层和设置在所述第二基底电极层上的第二树脂电极层,并且其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含热固性形状记忆聚合物。
根据本公开的一个方面,一种多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括第一内电极和第二内电极;第一外电极,连接到所述陶瓷主体的所述第一内电极;以及第二外电极,连接到所述第二内电极。所述第一外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第一基底电极层和设置在所述第一基底电极层上的第一树脂电极层,并且所述第二外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第二基底电极层和设置在所述第二基底电极层上的第二树脂电极层。所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含具有多种性质的聚合物,所述多种性质包括表现出形状记忆效应的性质。
附图说明
根据下面结合附图的具体实施方式,将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优点,其中:
图1是示出根据本公开的示例实施例的多层陶瓷电子组件的立体图;
图2是示出图1所示的陶瓷主体的立体图;
图3是沿着图1中的线I-I'截取的横截面图;
图4是示出图3中的区域A的放大图;以及
图5是示出图3中的区域B的放大图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图如下描述本公开的实施例。
应当理解,本发明的以下示例性描述并不意在将本发明限制于示例性实施例中的特定形式,而是本公开旨在覆盖示例性实施例的精神和范围内包括的所有变型、相似点和替代方案。相同的要素将由相同的附图标记表示。
在附图中,省略了与描述无关的要素以清楚地描述本公开,并且已经放大了厚度以清楚地表示多个层和多个区域,并且可以用相同的附图标记描述具有相同功能的要素。
为了描述的清楚,可以省略或简要地示出一些要素,并且可以放大要素的厚度以清楚地表示层和区域。本说明书的术语“包括”、“包含”、“被配置为”等用于指示特征、数字、步骤、操作、要素、部分或它们的组合的存在,并且不排除组合或添加一个或多个特征、数字、步骤、操作、要素、部分或它们的组合的可能性。
在示例实施例中,诸如“A和/或B”、“A和B中的至少一个”或“A和B中的一个或多个”的表述可以包括一起列出的项目的所有可能组合。例如,“A和/或B”、“A和B中的至少一个”或“A和B中的一个或多个”可以包括(1)至少一个A、(2)至少一个B或(3)至少一个A和至少一个B两者。
在附图中,X方向可以被定义为第一方向、L方向或长度方向,Y方向可以被定义为第二方向、W方向或宽度方向,并且Z方向可以被定义为第三方向、T方向或厚度方向。
在本说明书中,构件设置在某个组件“上”不仅包括该构件设置成与该组件直接接触的情况,还包括另一组件设置在该组件和该构件之间的情况。
在下文中,将参照图1至图3详细描述根据示例实施例的多层陶瓷电子组件。参照图1至图3,根据示例实施例的多层陶瓷电子组件100可以包括陶瓷主体110,陶瓷主体110包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122,第一内电极121和第二内电极122被设置成交替层叠,且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间,并且根据示例实施例的多层陶瓷电子组件100还可以包括连接到第一内电极121的第一外电极131以及连接到第二内电极122的第二外电极132。
第一外电极131可以包括设置成与陶瓷主体110接触的第一基底电极层131a和设置在第一基底电极层131a上的第一树脂电极层131b。此外,第二外电极132可以包括设置成与陶瓷主体110接触的第二基底电极层132a和设置在第二基底电极层132a上的第二树脂电极层132b。在这种情况下,第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以包含热固性形状记忆聚合物。
在示例实施例中,术语“形状记忆聚合物(SMP)”可以指表现出形状记忆效应(SME)的聚合物,并且术语“形状记忆效应”可以指在恒定温度下记忆的形状可以被记忆的现象,并且在当施加热、磁场、电场、光等时通过施加力将形状改变为不同形状之后,形状可以恢复到原始形状。形状记忆聚合物可具有三维网状结构。网状结构可以包含由多个聚合物链形成的物理交联和/或化学交联。在示例实施例中的多层陶瓷电子组件中,第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b包含热固性形状记忆聚合物,使得即使当通过外力发生变形时,也可以通过自修复来解决机械变形。
在示例实施例中,多层陶瓷电子组件100可以包括陶瓷主体110,陶瓷主体110包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122,第一内电极121和第二内电极122交替层叠,介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
陶瓷主体110可包括在第一方向(X方向)上彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、在第二方向(Y方向)上彼此相对的第三表面S3和第四表面S4、以及在第三方向(Z方向)上彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。
陶瓷主体110的形状可以不限于任何特定形状。作为示例,如图所示,陶瓷主体110可以具有六面体形状或类似于六面体的形状。由于在烧制过程期间包含在陶瓷主体110中的陶瓷粉末的缩小,陶瓷主体110可具有大致六面体形状,尽管六面体形状可能不是由直线形成的精确六面体。如果需要,陶瓷主体110的拐角可以是倒圆的,而不是成角度的。作为倒圆处理,可以使用滚筒抛光,但是其示例实施例不限于此。
在陶瓷主体110中,介电层111与第一内电极121和第二内电极122可以交替层叠。介电层111、第一内电极121和第二内电极122可以在第三方向(Z方向)上层叠。多个介电层111可以处于烧制状态,并且彼此相邻的介电层111可以被一体化,使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以识别它们之间的边界。
在示例实施例中,用于形成介电层111的原材料没有特别限制,只要可以获得足够的静电容量即可。例如,可以使用钛酸钡材料、铅复合钙钛矿材料、钛酸锶材料等,或者可以使用表示为(Ba1-xCax)(Ti1-y(Zr,Sn,Hf)y)O3(0≤x≤1、0≤y≤0.5)的成分。此外,作为用于形成介电层111的材料,可以将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)的粉末中。
可以通过将添加剂添加到包含上述材料的浆料中(如果需要),在载体膜上施加并干燥浆料,从而制备多个陶瓷生片来形成介电层111。陶瓷生片可以通过刮刀法将浆料形成为具有几μm厚度的片的形式来形成,但是其示例实施例不限于此。
第一内电极121和第二内电极122可以被层叠,使得其各自的端表面可以分别被引出到陶瓷主体110的相对端。具体地,第一内电极121和第二内电极122可分别被引出到陶瓷主体110在第一方向(X方向)上的两个表面,并且第一内电极121可在陶瓷主体110的第一表面S1的方向上被引出,并且第二内电极122可在第二表面S2的方向上被引出。
第一内电极121和第二内电极122的材料可以不限于任何特定材料,并且可以使用包含银(Ag)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种导电金属的导电膏形成。
陶瓷主体110可以通过在第三方向(Z方向)上交替层叠其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片而形成。作为印刷第一内电极121和第二内电极122的方法,可以使用丝网印刷方法、凹版印刷方法等,但是印刷方法不限于此。
在示例实施例中的多层陶瓷电子组件100中,第一外电极131和第二外电极132可以设置在陶瓷主体110在第一方向(X方向)上的两个表面上。第一外电极131可连接到第一内电极121,第二外电极132可连接到第二内电极122。第一外电极131和第二外电极132可以分别设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上,并且第一外电极131可以包括第一基底电极层131a和第一树脂电极层131b,并且第二外电极132可以包括第二基底电极层132a和第二树脂电极层132b。注意,尽管图4示出了第一基底电极层131a和第一树脂电极层131b相对于第一表面S1(在图3的左侧)的设置,但是,如图5所述,第二基底电极层132a和第二树脂电极层132b被布置成相对于陶瓷主体110的第二表面S2(在图3的右侧)以类似的方式设置。
在示例实施例中,分别连接到示例实施例中的多层陶瓷电子组件100的第一内电极121和第二内电极122的第一基底电极层131a和第二基底电极层132a可以是包含第一导电金属的烧制电极。作为包含在第一基底电极层131a和第二基底电极层132a中的第一导电金属,可以使用与内电极具有优异接触的各种金属。例如,金属元素包含由铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、钯(Pd)、铂(Pt)、铁(Fe)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)、铅(Pb)及它们的合金组成的组的一种或更多种元素。当第一基底电极层131a和第二基底电极层132a形成为如示例实施例中的包含第一导电金属的烧制电极时,可以改善与内电极的连接,并且可以增加多层陶瓷电子组件100的机械强度。
形成第一基底电极层131a和第二基底电极层132a的方法不限于任何特定示例。例如,可以通过丝网印刷方法或凹版印刷方法将包含第一导电金属的导电膏印刷或施加到陶瓷主体110的表面,可以将陶瓷主体110浸入导电膏中,或者可以将通过干燥导电膏获得的干膜转印到陶瓷主体110上,或者可以使用各种其他方法,但是其示例实施例不限于此。
在示例实施例中,多层陶瓷电子组件100的第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以包含热固性形状记忆聚合物。在示例实施例中,热固性形状记忆聚合物可以包含有机环氧树脂或固化剂的固化产物。
在示例中,有机环氧树脂可以包含从由以下树脂组成的组中选择的一种或更多种树脂:双酚类环氧树脂、联苯类环氧树脂、萘类环氧树脂、芴类环氧树脂、苯酚酚醛清漆类环氧树脂、甲酚酚醛清漆类环氧树脂、苯酚芳烷基类环氧树脂(xylok-based epoxy resin)、三羟基苯基甲烷类环氧树脂、四苯基甲烷类环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂和二环戊二烯改性的酚型环氧树脂。双酚类环氧树脂的示例可包含双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂等,但其示例实施例不限于此。
有机环氧树脂可具有80克/当量(g/eq.)至1000克/当量(g/eq.)的平均环氧当量。平均环氧当量可以是基于有机环氧树脂中包含的每种环氧树脂的重量比和环氧当量计算的值。
在示例实施例中,包含在热固性形状记忆聚合物中的有机环氧树脂可具有如根据ISO12058-1在约25℃下测量的在大于等于约800mPa·s且小于等于约2000mPa·s的范围内的粘度。当粘度低于上述范围时,可能存在可成型性的问题,使得电极的形成可能是困难的,并且当粘度超过上述范围时,在形成外电极时可能发生外部缺陷。
在示例实施例中,多层陶瓷电子组件的热固性形状记忆聚合物的玻璃化转变温度(Tg)可以是大于等于约50℃且小于等于约200℃。玻璃化转变温度可以是使用动态机械分析仪(DMA)获得的值。当示例实施例中的多层陶瓷电子组件的热固性形状记忆聚合物的玻璃化转变温度低于上述范围时,对基板的粘附强度可能降低。当玻璃化转变温度高于上述范围时,在实际使用条件下可能难以表现出形状恢复性能。
在另一示例实施例中,多层陶瓷电子组件的热固性形状记忆聚合物在约25℃下可以具有大于等于约1.3GPa且小于等于约8.5GPa的弹性模量。弹性模量可以是使用动态机械分析仪(DMA)获得的值。当示例实施例中的多层陶瓷电子组件的热固性形状记忆聚合物的弹性模量满足上述范围时,可以有效地吸收外部冲击,从而提高多层陶瓷电子组件的机械可靠性。
有机环氧树脂的示例可包含3,4-环氧环己基甲基3',4'-环氧环己烷羧酸酯(EEC)和衍生物、二氧化双环戊二烯和衍生物、3-乙基-3-氧杂环丁烷甲醇(3-ethyl-3-oxetanemethanol)和衍生物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯和衍生物、六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯和衍生物、1,2-乙二醇二缩水甘油醚和衍生物、1,3-丙二醇二缩水甘油醚和衍生物、1,4-丁二醇二缩水甘油醚和衍生物、更高级1,n-烷二醇二缩水甘油醚和衍生物、双[(3,4-环氧环己基)甲基]己二酸酯和衍生物、二氧化乙烯基环己烯和衍生物、1,4-环己烷二甲醇双(3,4-环氧环己烷羧酸酯)和衍生物、4,5-环氧四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯和衍生物、双[1-乙基(3-氧杂环丁基)甲基]醚和衍生物、季戊四醇四缩水甘油醚和衍生物、双酚A二缩水甘油醚(DGEBA)、氢化双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、氢化双酚F二缩水甘油醚、环氧苯酚酚醛清漆、氢化环氧苯酚酚醛清漆、环氧甲酚酚醛清漆、氢化环氧甲酚酚醛清漆、2-(7-氧杂双环)螺(1,3-二氧杂环己烷-5,3'-(7-氧杂双环[4.1.0]庚烷))或1,4-双((2,3-环丙氧基)-甲基)环己烷等,但其示例实施例不限于此。
在示例实施例中,包含在热固性形状记忆聚合物中的固化剂可包含二硫键。二硫键可以指-S-S-键,并且可以包含具有两个二硫键的二硫醇化合物和具有三个或更多个二硫键的多硫醇化合物。二硫键可以作为形成化学交联的热固性聚合物中的聚合物链段之间的次级交联。因此,热固性形状记忆聚合物可以形成改性的形状,并且可以为热固性化合物提供热塑性性质。
固化剂的类型不限于任何特定示例,只要固化剂包含二硫键即可。包含二硫键的化合物的示例可包含1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,10-癸二硫醇、对二甲苯-α,α'-二硫醇、2,4,6-三巯基-s-三嗪、2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑、二乙基二硫化物、二仲丁基二硫化物、二苯基二硫化物、p,p'-二(对二甲苯)二硫化物(p,p’-di(p-xylene)disulfide)、二己基二硫化物、二辛基二硫化物、二苄基二硫化物、二苯甲酰基二硫化物、二硫代苯甲酰基二硫化物、双(2,6-二氟苯基)二硫化物、双(2,6-二甲基-4-叔丁基苯基)二硫化物、二硫化四甲基秋兰姆、二硫化四乙基秋兰姆、二硫化四丁基秋兰姆、二硫化四苄基秋兰姆、二氨基二苯基二硫化物、4,4'-二羟基二苯基二硫化物、2,2'-二羧基二苯基二硫化物、4,4'-二氨基二苯基二硫化物等,但其示例实施例不限于此。
在示例实施例中,多层陶瓷电子组件的第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以包含导电性赋予剂。导电性赋予剂可以允许包含上述形状记忆聚合物的树脂电极层具有导电性,并且可以包含导电金属和/或导电聚合物。导电金属可以是,例如从由钙(Ca)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、锡(Sn)、铅(Pb)、它们的合金组成的组中选择的一种或更多种,但是其示例实施例不限于此。
此外,导电聚合物的示例可以包含PT(聚(噻吩))、PEDOT(聚(乙撑二氧)噻吩)、PPS(聚(对苯硫醚))、PANI(聚苯胺)、P3HT(聚(3-己基噻吩-2,5-二基))、聚TPD(聚(4-丁基苯基二苯胺))、PSS(聚苯乙烯磺酸盐)、PVK(聚(9-乙烯基咔唑))、PDBT(聚(4,4'-二甲氧基二噻吩))、诸如聚吡咯或聚苯胺的含硫(S)和/或氮(N)的化合物,并且还可包含诸如聚(芴)、聚苯撑化物、聚芘、聚薁、聚萘、PAC(聚(乙炔))、PPV(聚(对苯撑乙烯撑))等的不含杂原子的化合物,但是其示例实施例不限于此。
在示例中,示例实施例中的多层陶瓷电子组件的第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b还可以包含诸如碳纳米管、石墨烯和富勒烯的填料。包含的填料可用于改善强度和/或形状恢复能力,并且可以作为增强材料。当包含填料时,示例实施例中的多层陶瓷电子组件的第一树脂电极层和第二树脂电极层的形状恢复能力可以提高。
在示例实施例中,示例实施例中的多层陶瓷电子组件100的第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以分别覆盖第一基底电极层131a和第二基底电极层132a。在示例实施例中,其中一个层被设置为“覆盖”另一层的构造可以指示其中内部设置的层可以不向外暴露,并且内部设置的层可以设置在外部设置的层中的结构,并且当从外部观察时,可以仅观察到外部设置的层。如上所述,当第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b设置成分别覆盖第一基底电极层131a和第二基底电极层132a时,第一基底电极层131a和第二基底电极层132a可以不暴露在外部,并且第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以减少诸如水分的污染物的渗透或外部冲击。
形成第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b的方法不限于任何特定方法。例如,第一树脂电极层131b和第二树脂电极层132b可以通过以下方式来形成:将陶瓷主体110浸入包含热固性形状记忆聚合物和导电性赋予剂的膏体中、通过丝网印刷方法或凹版印刷方法将膏体印刷在陶瓷主体110的表面上、将膏体施加在陶瓷主体110的表面上或将通过干燥膏体获得的干膜转印到陶瓷主体110上,但是其示例实施例不限于此。
在示例实施例中,示例实施例中的多层陶瓷电子组件100可以包括设置在第一树脂电极层131b上的第一镀层131c和设置在第二树脂电极层132b上的第二镀层132c。第一镀层131c和第二镀层132c可以通过溅射或电镀形成,但是其示例实施例不限于此。用于形成第一镀层131c和第二镀层132c的材料不限于任何特定材料,并且可以包含镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)或铅(Pb)或它们的合金。
根据上述示例实施例,即使在高温和/或高振动的条件下,也可以防止诸如多层陶瓷电子组件的外电极的翘起或分层的缺陷。
此外,可以改善多层陶瓷电子组件的长期可靠性。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例,但是对于本领域技术人员将易于理解的是,在不脱离所附权利要求限定的本发明的范围的情况下可以进行修改和变化。
Claims (25)
1.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括介电层和交替层叠的第一内电极和第二内电极,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;
第一外电极,连接到所述陶瓷主体的所述第一内电极;以及
第二外电极,连接到所述第二内电极,
其中,所述第一外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第一基底电极层和设置在所述第一基底电极层上的第一树脂电极层,
其中,所述第二外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第二基底电极层和设置在所述第二基底电极层上的第二树脂电极层,并且
其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含热固性形状记忆聚合物。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物具有大于等于50℃且小于等于200℃的玻璃化转变温度。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物在25℃下具有大于等于1.3GPa且小于等于8.5GPa的弹性模量。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物包含有机环氧树脂和固化剂的固化产物。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述有机环氧树脂包含从由双酚类环氧树脂、联苯类环氧树脂、萘类环氧树脂、芴类环氧树脂、苯酚酚醛清漆类环氧树脂、甲酚酚醛清漆类环氧树脂、苯酚芳烷基类环氧树脂、三羟基苯基甲烷类环氧树脂、四苯基甲烷类环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂和二环戊二烯改性的酚型环氧树脂组成的组中选择的一种或更多种树脂。
6.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述有机环氧树脂具有根据ISO12058-1在25℃下测量的大于等于800mPa·s且小于等于2000mPa·s的粘度。
7.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述固化剂包含二硫键。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含导电性赋予剂。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层还包含从由碳纳米管、石墨烯和富勒烯组成的组中选择的一种或更多种填料。
10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基底电极层和所述第二基底电极层是包含导电金属的烧制电极。
11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层被设置成分别覆盖所述第一基底电极层和所述第二基底电极层。
12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件还包括:
分别设置在所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层上的第一镀层和第二镀层。
13.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括第一内电极和第二内电极;
第一外电极,连接到所述陶瓷主体的所述第一内电极;以及
第二外电极,连接到所述第二内电极,
其中,所述第一外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第一基底电极层和设置在所述第一基底电极层上的第一树脂电极层,
其中,所述第二外电极包括设置成与所述陶瓷主体接触的第二基底电极层和设置在所述第二基底电极层上的第二树脂电极层,并且
其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含具有多种性质的聚合物,所述多种性质包括表现出形状记忆效应的性质。
14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述聚合物包含热固性形状记忆聚合物。
15.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物具有大于等于50℃且小于等于200℃的玻璃化转变温度。
16.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物在25℃下具有大于等于1.3GPa且小于等于8.5GPa的弹性模量。
17.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述热固性形状记忆聚合物包含有机环氧树脂和固化剂的固化产物。
18.根据权利要求17所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述有机环氧树脂包含从由双酚类环氧树脂、联苯类环氧树脂、萘类环氧树脂、芴类环氧树脂、苯酚酚醛清漆类环氧树脂、甲酚酚醛清漆类环氧树脂、苯酚芳烷基类环氧树脂、三羟基苯基甲烷类环氧树脂、四苯基甲烷类环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂和二环戊二烯改性的酚型环氧树脂组成的组中选择的一种或更多种树脂。
19.根据权利要求17所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述有机环氧树脂具有根据ISO12058-1在25℃下测量的大于等于800mPa·s且小于等于2000mPa·s的粘度。
20.根据权利要求17所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述固化剂包含二硫键。
21.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层包含导电性赋予剂。
22.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层还包含从由碳纳米管、石墨烯和富勒烯组成的组中选择的一种或更多种填料。
23.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一基底电极层和所述第二基底电极层是包含导电金属的烧制电极。
24.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层被设置成分别覆盖所述第一基底电极层和所述第二基底电极层。
25.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件还包括:
分别设置在所述第一树脂电极层和所述第二树脂电极层上的第一镀层和第二镀层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0016695 | 2021-02-05 | ||
KR1020210016695A KR20220113021A (ko) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 적층 세라믹 전자부품 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114864284A true CN114864284A (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=82627905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111327291.1A Pending CN114864284A (zh) | 2021-02-05 | 2021-11-10 | 多层陶瓷电子组件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11810721B2 (zh) |
JP (1) | JP2022120771A (zh) |
KR (1) | KR20220113021A (zh) |
CN (1) | CN114864284A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220113021A (ko) * | 2021-02-05 | 2022-08-12 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3904798B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2007-04-11 | 三井化学株式会社 | 異方導電性ペースト |
JP4575617B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2010-11-04 | ナミックス株式会社 | 金属元素含有有機化合物ぺースト、その製造方法及びその用途 |
AU2003289277A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part with external electrode |
CN1943029A (zh) * | 2005-03-23 | 2007-04-04 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
CN101341557B (zh) | 2005-12-22 | 2011-08-17 | 纳美仕有限公司 | 热固性导电糊以及具有使用其形成的外部电极的层叠陶瓷部件 |
WO2015050252A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | スリーボンドファインケミカル株式会社 | 導電性ペースト |
JP2015109411A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
KR102032757B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2019-10-17 | 삼성전기주식회사 | 외부전극용 전도성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
JP2016195082A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性ペーストおよび硬化物 |
JP6852846B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-03-31 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 電極用ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
KR102019921B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2019-09-11 | 주식회사 모다이노칩 | 파워 인덕터 및 그 제조 방법 |
US10923283B2 (en) * | 2018-03-02 | 2021-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having an external electrode which includes a graphene platelet |
CN110797199B (zh) | 2018-08-01 | 2021-06-18 | 财团法人工业技术研究院 | 导电高分子复合材料及电容器 |
KR102191251B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2020-12-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR102558658B1 (ko) * | 2019-03-28 | 2023-07-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 세라믹 전자부품의 제조 방법 |
KR20190116179A (ko) * | 2019-09-20 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR20220113021A (ko) * | 2021-02-05 | 2022-08-12 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
-
2021
- 2021-02-05 KR KR1020210016695A patent/KR20220113021A/ko unknown
- 2021-08-16 US US17/403,171 patent/US11810721B2/en active Active
- 2021-08-27 JP JP2021138589A patent/JP2022120771A/ja active Pending
- 2021-11-10 CN CN202111327291.1A patent/CN114864284A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11810721B2 (en) | 2023-11-07 |
KR20220113021A (ko) | 2022-08-12 |
JP2022120771A (ja) | 2022-08-18 |
US20220254571A1 (en) | 2022-08-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |