CN114843219A - 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

晶圆校准方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114843219A
CN114843219A CN202210396329.9A CN202210396329A CN114843219A CN 114843219 A CN114843219 A CN 114843219A CN 202210396329 A CN202210396329 A CN 202210396329A CN 114843219 A CN114843219 A CN 114843219A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment
preset
wafer
target
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210396329.9A
Other languages
English (en)
Inventor
任玉杰
陈伟
金绍彤
王文毅
沈佰飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202210396329.9A priority Critical patent/CN114843219A/zh
Publication of CN114843219A publication Critical patent/CN114843219A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本公开实施例涉及一种晶圆校准方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置；若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以第二预设定位精度扫描对准表面，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。本公开实施例提高了对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。

Description

晶圆校准方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本公开实施例涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆校准方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
随着集成电路技术的快速发展，市场对半导体产品性能及可靠性提出了更高的要求。而随着制程不断优化，半导体结构中叠置膜层数量的不断增加或膜层厚度变化等因素，导致不同膜层中的对准标记被部分掩盖，或晶圆的实际尺寸产生变化。由于晶圆对准定位一般以对准标记为参考，对准标记或晶圆尺寸的变化可能导致对准失败。
然而，由于对准标记或晶圆尺寸的细微差异一般很难被人工发觉，若对准校正的过程中出现对准标记被掩盖的情况，只能采用人工进行对准校正，导致机台宕机并浪费工程师的时间，增加人工成本且降低设备产能。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够有效避免因对准失败导致设备宕机的晶圆校准方法、装置、设备及存储介质，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
为实现上述目的及其他相关目的，本公开实施例的第一方面提供了一种晶圆校准方法，包括：控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置；若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以第二预设定位精度扫描对准表面，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。
上述实施例中的晶圆校准方法，在控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面之后，调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取目标晶圆对准表面的第一预设对准标识，实现智能对准，若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度扫描目标晶圆对准表面，并在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。由于在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，自动调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度，识别并获取对准表面上第二预设对准标识，并以该第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，避免半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第一预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况；由于触发自动调整机制并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
根据本公开一些实施例，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识的步骤，包括：调整镜头以第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，并在第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；调整镜头以第三预设定位精度扫描第二对准区域，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识；其中，第一预设定位精度与第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，例如是包括多个完整裸片的第一对准区域，并在第一对准区域中按照第一预设规则例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别第二对准区域；再调整镜头以与第一预设定位精度差不多的第三预设定位精度扫描第二对准区域，以在第二对准区域中按照第二预设规则，例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
根据本公开一些实施例，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：调整镜头以第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准；其中，第一预设定位精度小于第四预设定位精度。本实施例中在获取第二预设对准标识之后，调整镜头以比第一预设定位精度的定位精度更高的第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，例如以切割道拐角中的直角或晶圆边缘拐角中的直角为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
根据本公开一些实施例，第二预设对准标识包括：对准表面内一存储阵列区域的边角区域；及/或，对准表面内一量测图形的拐角区域。通过以对准表面内一存储阵列区域的边角区域，及/或，对准表面内一量测图形的拐角区域为对准图形，由于边角区域/拐角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
根据本公开一些实施例，量测图形位于对准表面内相邻裸片之间的切割道中，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
根据本公开一些实施例，若获取到第一预设对准标识，则调整镜头以第三预设定位精度、及以第一预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，实现以第一预设定位精度获取第一预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
根据本公开一些实施例，第一对准区域包括对准表面内多个裸片；第二对准区域包括第一对准区域的一个裸片，以降低获取第二对准区域的难度并提高获取第二对准区域的效率。
根据本公开一些实施例，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识的步骤，包括：获取目标对准图形的识别码；遍历第二对准区域中各存储阵列区域的编码，不同存储阵列区域的编码不同；将与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域，确定为第二预设对准标识。由于与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
根据本公开一些实施例，边角区域包括相互垂直的第一边及第二边；以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：以第一边、第二边及二者的垂点为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
根据本公开一些实施例，第一预设对准标识位于目标晶圆的切割道内，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
本公开实施例的第二方面提供了一种晶圆校准装置，包括扫描控制模块、第一预设对准标识获取模块及校准模块，扫描控制模块用于控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；第一预设对准标识获取模块用于调整目标晶圆位置以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置；校准模块用于若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以第二预设定位精度扫描对准表面，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。
根据本公开一些实施例，校准模块包括第二预设对准标识获取单元，第二预设对准标识获取单元用于调整镜头以第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，并在第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；及调整镜头以第三预设定位精度扫描第二对准区域，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识；其中，第一预设定位精度与第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。
根据本公开一些实施例，校准模块还包括校准单元，校准单元用于调整镜头以第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准；其中，第一预设定位精度小于第四预设定位精度。
本公开实施例的第三方面提供了一种设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上任一项方法的步骤。
本公开实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上任一项方法的步骤。
上述晶圆校准方法、装置、设备及存储介质中，在扫描控制模块控制缺陷检验机台，以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面之后，第一预设对准标识获取模块调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取目标晶圆对准表面的第一预设对准标识，实现智能对准，若获取第一预设对准标识失败，校准模块触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度扫描目标晶圆对准表面，并在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。由于在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，自动调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度，识别并获取对准表面上第二预设对准标识，并以该第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，避免半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第一预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况；由于触发自动调整机制并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例中提供的晶圆校准方法的流程示意图；
图2为本公开另一实施例中提供的晶圆校准方法的流程示意图；
图3为本公开一实施例中镜头视野中获取第一预设对准标识失败的示意图；
图4a为本公开一实施例中镜头视野中第一对准区域的示意图；
图4b为本公开一实施例中镜头视野中第二对准区域的示意图；
图4c为本公开一实施例中镜头视野中第二预设对准标识的示意图；
图5为本公开又一实施例中提供的晶圆校准方法的流程图；
图6为本公开一实施例中提供的晶圆校准装置的结构示意图；
图7为本公开另一实施例中提供的晶圆校准装置的结构示意图；
附图标记说明：
50、晶圆校准装置；51、扫描控制模块；52、第一预设对准标识获取模块；53、校准模块；531、第二预设对准标识获取单元；532、校准单元。
具体实施方式
为了便于理解本公开实施例，下面将参照相关附图对本公开实施例进行更全面的描述。附图中给出了本公开实施例的首选实施例。但是，本公开实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本公开实施例的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开实施例。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
在半导体集成电路制造过程中，光刻之后会有一些典型缺陷，如桥连(bridge)，散焦(defocus)等缺陷会不同程度的影响半导体集成电路的良率，因此光刻后的缺陷检测必不可少，如在12英寸晶圆生产过程中，缺陷检测机台中的光学显微镜(OM)向目标晶圆发出入射光，并接收从目标晶圆反射回来的反射光，然后根据目标晶圆的表面吸光度判断目标晶圆表面是否具有光阻，目标晶圆的表面吸光度为入射光量与反射光量之间的差。若判断出目标晶圆具有光阻，则机台暂停缺陷检测，由工程师根据缺陷检测机台屏幕上的提醒，更换晶圆缺陷检测程式为对具有光阻的晶圆进行低电压电流程式，从而避免人工判断晶圆表面状况的误差，避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。
然而，由于半导体结构中叠置膜层数量的不断增加或膜层厚度变化等因素，导致不同膜层中的对准标记被部分掩盖，或晶圆的实际尺寸产生变化，通过目标晶圆表面吸光度不能判断出这些细微变化，若对准校正的过程中出现对准标记被掩盖的情况，只能采用人工进行对准校正，导致机台宕机并浪费工程师的时间，增加人工成本且降低设备产能。因此，本公开实施例旨在提供一种能够有效避免因对准失败导致设备宕机的晶圆校准方法、装置、设备及存储介质，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
请参阅图1，本公开实施例提供一种晶圆校准方法，包括如下步骤：
步骤S10，控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；
步骤S20，调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置；
步骤S30，若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以第二预设定位精度扫描对准表面，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。
作为示例，请继续参阅图1，缺陷检验机台在对目标晶圆进行缺陷检测的过程中，在控制缺陷检验机台以第一预设定位精度，扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面之后，调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取目标晶圆对准表面的第一预设对准标识，实现智能对准，若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度扫描目标晶圆对准表面，并在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准。由于在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，自动调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度，识别并获取对准表面上第二预设对准标识，并以该第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，避免半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第一预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况；由于触发自动调整机制并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请继续参阅图1，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置，第一预设位置可以位于目标晶圆对准表面的中部区域；第一预设对准标识可以为中心十字光标，以中心十字光标的两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图1，第二预设对准标识包括：对准表面内一存储阵列区域的边角区域；及/或对准表面内一量测图形的拐角区域。由于边角区域/拐角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图1，量测图形位于对准表面内相邻裸片之间的切割道中，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
作为示例，请参阅图2及图3，在步骤S31中判断是否成功获取到第一预设对准标识的过程中，若镜头视野中呈现图像如图3所示，获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，包括执行步骤S30中如下步骤，以在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识：
步骤S32，调整镜头以第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，并在第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；
步骤S34，调整镜头以第三预设定位精度扫描第二对准区域，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识；其中，第一预设定位精度与第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。
作为示例，请参阅图2、图4a-图4c，第一预设误差范围可以包括零或接近零的数字，在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，例如图4a中所示，第一对准区域包括6个完整裸片，并在第一对准区域中按照第一预设规则例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别第二对准区域，例如按照裸片编码从小至大的顺序，获取编码为“Ⅰ”的存储阵列的边角区域作为第二对准区域，图4b中所示；再调整镜头以与第一预设定位精度差不多的第三预设定位精度，扫描第二对准区域，以在第二对准区域中按照第二预设规则，例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别并获取第二预设对准标识，例如图4c中以“+”的交点为顶点的拐角区域为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请继续参阅图2、图4a-图4c，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识的步骤，包括：获取目标对准图形的识别码；遍历第二对准区域中各存储阵列区域的编码，不同存储阵列区域的编码不同；将与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域，确定为第二预设对准标识。由于与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请参阅图5，步骤S30中以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准的步骤，还包括如下步骤：
步骤S36，调整镜头以第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准；其中，第一预设定位精度小于第四预设定位精度。
作为示例，请继续参阅图5，在获取第二预设对准标识之后，调整镜头以比第一预设定位精度的定位精度更高的第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，例如以切割道拐角中的直角或晶圆边缘拐角中的直角为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请继续参阅图5，边角区域包括相互垂直的第一边及第二边；以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：以第一边、第二边及二者的垂点为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图5，第一预设对准标识位于目标晶圆的切割道内，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
作为示例，请继续参阅图5，第二预设对准标识包括：对准表面内一存储阵列区域的边角区域或对准表面内一量测图形的拐角区域，或同时包括对准表面内一存储阵列区域的边角区域及对准表面内一量测图形的拐角区域。通过以对准表面内一存储阵列区域的边角区域，及/或对准表面内一量测图形的拐角区域为对准图形，由于边角区域/拐角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图5，量测图形位于对准表面内相邻裸片之间的切割道中，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
作为示例，请继续参阅图5，步骤S20中调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识之后，还包括如下步骤：
步骤S40，若获取到第一预设对准标识，则调整镜头以第三预设定位精度、及以第一预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准。
作为示例，请继续参阅图5，在获取到第一预设对准标识之后，调整镜头以第三预设定位精度及以第一预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，实现以第一预设定位精度获取第一预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请参阅图6，一种晶圆校准装置50包括扫描控制模块51、第一预设对准标识获取模块52及校准模块53，扫描控制模块51用于控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；第一预设对准标识获取模块52用于调整目标晶圆位置以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，第一预设对准标识位于对准表面的第一预设位置；校准模块53用于若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以第二预设定位精度扫描对准表面，在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。
作为示例，请继续参阅图6，第一预设对准标识位于目标晶圆对准表面的第一预设位置，第一预设位置可以位于目标晶圆对准表面的中部区域；第一预设对准标识可以为中心十字光标，以中心十字光标的两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图6，第二预设对准标识包括：对准表面内一存储阵列区域的边角区域；及/或对准表面内一量测图形的拐角区域。由于边角区域/拐角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图6，量测图形位于对准表面内相邻裸片之间的切割道中，避免产生半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第二预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况。
作为示例，请参阅图7，校准模块53包括第二预设对准标识获取单元531，第二预设对准标识获取单元531用于调整镜头以第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，并在第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；及调整镜头以第三预设定位精度扫描第二对准区域，在第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取第二预设对准标识；其中，第一预设定位精度与第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。
作为示例，请参阅图7、图4a-图4c，第一预设误差范围可以包括零或接近零的数字，校准模块53在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度获取对准表面上一个第一对准区域，例如图4a中所示，第一对准区域包括6个完整裸片，并在第一对准区域中按照第一预设规则例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别第二对准区域，例如按照裸片编码从小至大的顺序，获取编码为“Ⅰ”的存储阵列的边角区域作为第二对准区域，图4b中所示；校准模块53再调整镜头以与第一预设定位精度差不多的第三预设定位精度，扫描第二对准区域，以在第二对准区域中按照第二预设规则，例如是顺序识别、倒序识别或对编码包含目标标识的裸片识别等至少一种规则，识别并获取第二预设对准标识，例如图4c中以“+”的交点为顶点的拐角区域为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请继续参阅图7、图4a-图4c，第二预设对准标识获取单元531被配置为执行如下步骤：获取目标对准图形的识别码；遍历第二对准区域中各存储阵列区域的编码，不同存储阵列区域的编码不同；将与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域，确定为第二预设对准标识。由于与识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域一般包括至少两条相交的边，至少以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图7，校准模块53还包括校准单元532，校准单元532用于调整镜头以第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准；其中，第一预设定位精度小于第四预设定位精度。
作为示例，请继续参阅图7，在第二预设对准标识获取单元531获取第二预设对准标识之后，校准单元532调整镜头以比第一预设定位精度的定位精度更高的第四预设定位精度、及以第二预设对准标识为目标对准图形，例如以切割道拐角中的直角或晶圆边缘拐角中的直角为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
作为示例，请继续参阅图7，边角区域包括相互垂直的第一边及第二边；校准单元532以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：以第一边、第二边及二者的垂点为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，以这两条相交的边为对准参考线，可以有效地降低自动对准的难度并提高对准的效率。
作为示例，请继续参阅图6-图7，缺陷检验机台在对目标晶圆进行缺陷检测的过程中，在扫描控制模块51控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面之后，第一预设对准标识获取模块52调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取目标晶圆对准表面的第一预设对准标识，实现智能对准，若获取第一预设对准标识失败，校准模块53触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度扫描目标晶圆对准表面，并在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，其中，第二预设定位精度小于第一预设定位精度。由于在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，自动调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度，识别并获取对准表面上第二预设对准标识，并以该第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，避免半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第一预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况；由于触发自动调整机制并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
进一步地，在本公开的一些实施例中，提供了一种晶圆校准设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行所述计算机程序时实现如上任一实施例中所述的方法的步骤。
进一步地，在本公开的一些实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上任一实施例中所述的方法的步骤。
上述晶圆校准设备或存储介质中，缺陷检验机台在对目标晶圆进行缺陷检测的过程中，在控制缺陷检验机台以第一预设定位精度，扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面之后，调整目标晶圆位置，以在扫描机台的镜头中获取目标晶圆对准表面的第一预设对准标识，实现智能对准，若获取第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度扫描目标晶圆对准表面，并在镜头中识别对准表面上的第二预设对准标识，以第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准。由于在以第一预设定位精度获取第一预设对准标识失败的情况下，触发自动调整机制，自动调整镜头以定位精度更低的第二预设定位精度，识别并获取对准表面上第二预设对准标识，并以该第二预设对准标识为目标对准图形，对目标晶圆的位置进行校准，避免半导体结构中因叠层膜数量不断增加或膜层厚度变化等因素，导致以第一预设对准标识对准失败而引发设备宕机的情况；由于触发自动调整机制并获取第二预设对准标识，对目标晶圆的位置进行自动校准，提高对晶圆进行对准的效率及智能性，提高设备产能并减少人工成本。
应该理解的是，虽然图1、图2及图5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，虽然图1、图2及图5中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本公开实施例所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本公开实施例的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开实施例的保护范围。因此，本公开实施例专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种晶圆校准方法，其特征在于，包括：
控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；
调整所述目标晶圆位置，以在所述扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，所述第一预设对准标识位于所述对准表面的第一预设位置；
若获取所述第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整所述镜头以第二预设定位精度扫描所述对准表面，在所述镜头中识别所述对准表面上的第二预设对准标识，以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准，其中，所述第二预设定位精度小于所述第一预设定位精度。
2.根据权利要求1所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述在所述镜头中识别所述对准表面上的第二预设对准标识的步骤，包括：
调整所述镜头以所述第二预设定位精度获取所述对准表面上一个第一对准区域，并在所述第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；
调整所述镜头以第三预设定位精度扫描所述第二对准区域，在所述第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取所述第二预设对准标识；其中，所述第一预设定位精度与所述第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。
3.根据权利要求2所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：
调整所述镜头以第四预设定位精度、及以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准；其中，所述第一预设定位精度小于所述第四预设定位精度。
4.根据权利要求3所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述第二预设对准标识包括：
所述对准表面内一存储阵列区域的边角区域；及/或
所述对准表面内一量测图形的拐角区域。
5.根据权利要求4所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述量测图形位于所述对准表面内相邻裸片之间的切割道中。
6.根据权利要求2-5任一项所述的晶圆校准方法，其特征在于：
若获取到所述第一预设对准标识，则调整所述镜头以所述第三预设定位精度、及以所述第一预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准。
7.根据权利要求2-5任一项所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述第一对准区域包括所述对准表面内多个裸片；所述第二对准区域包括所述第一对准区域的一个裸片。
8.根据权利要求7所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述在所述第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取所述第二预设对准标识的步骤，包括：
获取目标对准图形的识别码；
遍历所述第二对准区域中各存储阵列区域的编码，不同存储阵列区域的编码不同；
将与所述识别码相同的编码对应的存储阵列区域的至少一边角区域，确定为所述第二预设对准标识。
9.根据权利要求8所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述边角区域包括相互垂直的第一边及第二边；所述以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准的步骤，包括：
以所述第一边、所述第二边及二者的垂点为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆校准方法，其特征在于，所述第一预设对准标识位于所述目标晶圆的切割道内。
11.一种晶圆校准装置，其特征在于，包括：
扫描控制模块，用于控制缺陷检验机台以第一预设定位精度扫描机台承载面上目标晶圆的对准表面；
第一预设对准标识获取模块，用于调整所述目标晶圆位置以在扫描机台的镜头中获取第一预设对准标识，其中，所述第一预设对准标识位于所述对准表面的第一预设位置；
校准模块，用于若获取所述第一预设对准标识失败，则触发自动调整机制，调整所述镜头以第二预设定位精度扫描所述对准表面，在所述镜头中识别所述对准表面上的第二预设对准标识，以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准，其中，所述第二预设定位精度小于所述第一预设定位精度。
12.根据权利要求11所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述校准模块包括：
第二预设对准标识获取单元，用于调整所述镜头以所述第二预设定位精度获取所述对准表面上一个第一对准区域，并在所述第一对准区域中按照第一预设规则识别第二对准区域；及
调整所述镜头以第三预设定位精度扫描所述第二对准区域，在所述第二对准区域中按照第二预设规则识别并获取所述第二预设对准标识；其中，所述第一预设定位精度与所述第三预设定位精度的差值位于第一预设误差范围内。
13.根据权利要求12所述的晶圆校准装置，其特征在于，所述校准模块还包括：
校准单元，用于调整所述镜头以第四预设定位精度、及以所述第二预设对准标识为目标对准图形，对所述目标晶圆的位置进行校准；其中，所述第一预设定位精度小于所述第四预设定位精度。
14.一种晶圆校准设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至10中任一项所述的方法的步骤。
15.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至10中任一项所述的方法的步骤。
CN202210396329.9A 2022-04-15 2022-04-15 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质 Pending CN114843219A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210396329.9A CN114843219A (zh) 2022-04-15 2022-04-15 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210396329.9A CN114843219A (zh) 2022-04-15 2022-04-15 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114843219A true CN114843219A (zh) 2022-08-02

Family

ID=82566634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210396329.9A Pending CN114843219A (zh) 2022-04-15 2022-04-15 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114843219A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117497475A (zh) * 2023-12-29 2024-02-02 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆对位装置及其对位方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117497475A (zh) * 2023-12-29 2024-02-02 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆对位装置及其对位方法
CN117497475B (zh) * 2023-12-29 2024-04-19 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆对位装置及其对位方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI572993B (zh) 用於判定一微影製程之製程窗之方法、相關設備及一電腦程式
US7894660B2 (en) Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device
US20210349402A1 (en) Method and apparatus for optimization of lithographic process
TW201921167A (zh) 判定圖案化製程之校正之方法、元件製造方法、用於微影裝置之控制系統及微影裝置
KR20180096776A (ko) 패터닝 공정의 제어 방법, 디바이스 제조 방법, 리소그래피 장치용 제어 시스템 및 리소그래피 장치
US9005882B2 (en) Reticle defect correction by second exposure
WO1998049538A1 (en) Monitoring of minimum features on a substrate
JPH07253311A (ja) パターン検査装置の較正方法、パターン検査方法、パターン位置決定方法、および半導体装置の製造方法
TWI625610B (zh) 控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法
CN114843219A (zh) 晶圆校准方法、装置、设备及存储介质
US7514274B2 (en) Enhanced uniqueness for pattern recognition
US8373845B2 (en) Exposure control apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and exposure apparatus
KR0171453B1 (ko) 노광장치 및 노광방법
KR100271048B1 (ko) 얼라인먼트 방법
US8825444B1 (en) Automated system check for metrology unit
TW201714023A (zh) 用於控制微影裝置之方法、微影裝置及元件製造方法
US8088539B2 (en) Exposure aligning method and exposure apparatus
US20160306284A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method
CN114846411A (zh) 量测方法
KR100562509B1 (ko) 자동 포커싱 장치 및 이를 이용한 자동 포커싱 방법
CN100399529C (zh) 用于曝光机器的检测装置及检测方法
CN114428444B (zh) 套刻量测系统矫正方法
US20220344218A1 (en) Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers
CN108710772B (zh) 一种划片区内的监控图形的排布方法
CN116206960A (zh) 半导体激光退火制作及系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination